CN106910628B - 层叠电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种层叠电子部件,其特征在于,所述层叠电子部件具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,在元件主体的第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层,在元件主体的第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与内部电极层电连接的外部电极,绝缘层具有形成于侧面的周缘的山状部和侧面的中央部分的平面部,在将沿着绝缘层的平面部表面的表面假想线与在山状部的第1内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1,并且将沿着绝缘层的平面部表面的表面假想线与在山状部的第1外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下,θ1为5°~25°,θ2为5°~25°。

Description

层叠电子部件
技术领域
本发明涉及一种层叠电子部件。
背景技术
近年来,随着手机等数码电子设备所使用的电子电路的高密度化,对电子部件的小型化的要求日益增高,构成该电路的层叠电子部件的小型化、大容量化不断迅速发展。
在层叠陶瓷电容器等的层叠电子部件中,在元件主体内配置有多个内部电极,在专利文献1中,以达到矩形的陶瓷生坯薄片的全宽的方式印刷导电膏体,层叠多个印刷有该导电膏体的陶瓷生坯薄片,并进行切断,由此制得导体层的两侧端缘露出的层叠体。
而且,在专利文献1中,通过烧成该层叠体,从而制得导体层端缘不仅是预定与外部电极连接的端面而且还在一对侧面露出的陶瓷烧结体。接着,将陶瓷涂布并形成于陶瓷烧结体的侧面。
然而,层叠陶瓷电子部件因为如果将陶瓷烧接于侧面的话则侧面与涂布·形成于侧面的陶瓷(侧隙)的粘结性差,所以由于电致伸缩而容易产生电容器的结构缺陷,另外,难以缓和外部应力,并且在粘着强度方面会有问题。
专利文献1:日本特开2012-191159号公报
发明内容
本发明是鉴于上述现实情况而做出的,其目的在于提供一种粘着强度良好的层叠电子部件。
解决技术问题的手段
为了达成上述目的,本发明的第1观点所涉及的层叠电子部件如下所述。
[1]一种层叠电子部件,其特征在于,
所述层叠电子部件具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对端面(侧面)上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有形成于所述元件主体的所述第1轴方向的端面的周缘的山状部、和所述元件主体的所述第1轴方向的端面的中央部分的平面部,
在将沿着所述绝缘层的所述平面部表面的表面假想线与在所述山状部的第1内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1,并且将沿着所述绝缘层的所述平面部表面的表面假想线与在所述山状部的第1外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下,θ1为5°~25°,θ2为5°~25°。
根据本发明,能够提供一种通过将沿着绝缘层的平面部表面的表面假想线与在山状部的第1内侧规定位置的曲面的切线所成的角的角度以及表面假想线与在第1外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度控制在规定范围内从而耐热冲击性以及粘着强度良好的层叠电子部件。
另外,为了达成上述目的,本发明的第2观点所涉及的层叠电子部件如下所述。
[2]一种层叠电子部件,其特征在于,
所述层叠电子部件具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对端面(侧面)上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有在所述元件主体的所述第1轴方向的端面的周缘形成的山状部、和所述元件主体的所述第1轴方向的端面的中央部分的平面部,
所述外部电极覆盖所述绝缘层的所述第2轴方向的端部的所述山状部的所述第1轴方向的最大宽度部分。
根据本发明,能够提供一种通过外部电极覆盖绝缘层的第2轴方向的端部的山状部的第1轴方向的最大宽度部分从而粘着强度良好的层叠电子部件。
作为上述[2]的具体实施方式,可以例示下述的实施方式。
[3]如[2]所述的层叠电子部件,其中,在将从所述元件主体的所述第2轴方向的端部到所述绝缘层的所述第2轴方向的端部的所述山状部的所述第1轴方向的最大宽度为止的沿着所述第2轴方向的长度设定为α,并且将从所述元件主体的所述第2轴方向的端部起的覆盖所述绝缘层的所述外部电极的沿着所述第2轴方向的覆盖长度设定为β的情况下,α/β为1/30≤α/β<1。
另外,作为为了达成上述目的的层叠电子部件的制造方法,没有特别地限定,可以列举以下的制造方法。
[4]一种层叠电子部件的制造方法,其特征在于,
具有:
将形成有在第1轴的方向连续,并且与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极图案层的生坯薄片沿第3轴的方向层叠,得到生坯层叠体的工序;
将所述生坯层叠体以得到与包含所述第2轴及所述第3轴的平面平行的截面的方式切断,得到生坯芯片的工序;
烧成所述生坯芯片,得到交替层叠有内部电极层和介电层的元件主体的工序;
通过在所述元件主体的所述第1轴方向的端面涂布绝缘层用膏体并进行烧接,得到形成有绝缘层的陶瓷烧结体的工序;和
通过在所述陶瓷烧结体的所述第2轴方向的端面烧接外部电极用膏体,得到形成有外部电极的层叠电子部件的工序,
所述绝缘层具有在所述元件主体的所述第1轴方向的端面的周缘形成的山状部、和所述元件主体的所述第1轴方向的端面的中央部分的平面部,
在将沿着所述绝缘层的所述平面部表面的假想线与所述山状部的内侧的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1,并且将沿着所述绝缘层的所述平面部表面的假想线与所述山状部的外侧的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下,θ1为5°~25°,θ2为5°~25°。
另外,为了达成上述目的,本发明的第3观点所涉及的层叠电子部件如下所述。
[5]一种层叠电子部件,其特征在于,
所述层叠电子部件具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有在所述侧面的周缘形成的山状部和所述侧面的中央部分的谷状部,
在将与所述绝缘层的所述第1轴方向垂直的垂直假想线和所述山状部的第2内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1’,并且将与所述绝缘层的所述第1轴方向垂直的垂直假想线和所述山状部的第2外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2’的情况下,θ1’为5°~25°,θ2’为5°~25°。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的概略截面图。
图2A是沿着图1所示的IIA-IIA线的截面图。
图2B是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图2C是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图2D是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图2E是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图2F是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图2G是沿着图1所示的IIB-IIB线的截面图。
图3A是图2B的主要部分的截面图。
图3B是图2A的主要部分的截面图。
图3C是图2D的主要部分的截面图。
图4是表示图1所示的层叠陶瓷电容器的制造过程中的生坯薄片的层叠工序的概略截面图。
图5Aa是表示沿着图4所示的V-V线的第n层的内部电极图案层的一部分的平面图。
图5Ab是表示第n+1层的内部电极图案层的一部分的平面图。
图5B是表示沿着图4所示的V-V线的内部电极图案层的一部分的平面图。
图6A是与层叠了图4所示的生坯薄片之后的层叠体X-Z轴平面平行的概略截面图。
图6B是与层叠了图4所示的生坯薄片之后的层叠体Y-Z轴平面平行的概略截面图。
图7是说明本实施例的粘着强度的测定方法的示意图。
符号说明:
2,102…层叠陶瓷电容器
3…元件主体
4…陶瓷烧结体
6…第1外部电极
8…第2外部电极
10…内侧介电层
10a…内侧生坯薄片
11…封装区域
11a…外侧生坯薄片
12…内部电极层
12A,12B…引出部
12a…内部电极图案层
13…内装区域
13a…内部层叠体
14…容量区域
15A,15B…引出区域
16…绝缘层
16a…绝缘层延长部
16b…山状部
16b1…第1规定位置
16b2…顶点
16b3…第2规定位置
16c…平面部
16c1…平面端部
20…高度差吸收层
32…内部电极图案层的间隙
104…基板
106…加压夹具
具体实施方式
参照附图并根据本实施方式来进行详细地说明,但是本发明并不仅限定于以下所说明的实施方式。
另外,以下记载的构成要素包含本领域技术人员可以容易设想的要素、实质上相同的要素。进一步,以下记载的构成要素可以适当组合。
以下,基于附图所示的实施方式来说明本发明。
(第1实施方式)
层叠陶瓷电容器的整体结构
作为本实施方式所涉及的层叠电子部件的一个实施方式,对层叠陶瓷电容器的整体结构进行说明。
如图1所示,本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器2具有陶瓷烧结体4、第1外部电极6、和第2外部电极8。另外,陶瓷烧结体4具有元件主体3和绝缘层16。
元件主体3具有与包含X轴及Y轴的平面实质上平行的内侧介电层10和内部电极层12,在内侧介电层10之间沿着Z轴的方向交替层叠有内部电极层12。在此,“实质上平行”是指大部分平行,但也可以具有稍微不平行的部分,内部电极层12和内侧介电层10可以稍微具有凹凸或倾斜的意思。
如图2A所示,内侧介电层10和内部电极层12被交替层叠的部分是内装区域13。
另外,元件主体3在其层叠方向Z(Z轴)的两端面具有封装区域11。封装区域11通过将比构成内装区域13的内侧介电层10更厚的外侧介电层层叠多层而形成。
另外,以下有时将“内侧介电层10”以及“外侧介电层”统一记载为“介电层”。
内侧介电层10以及构成封装区域11的介电层的材质可以相同,也可以不同,没有特别地限定,例如以ABO3等钙钛矿结构的介电材料或铌酸碱金属类陶瓷为主成分构成。
ABO3中,A为例如Ca、Ba、Sr等的至少一种,B为Ti、Zr等的至少一种。A/B的摩尔比没有特别限定,为0.980~1.020。
除此之外,作为副成分,可以列举二氧化硅、氧化铝、氧化镁、碱金属化合物、碱土金属化合物、氧化锰、稀土元素氧化物、氧化钒等,但不限定于这些。其含量也可以根据组成等适当决定。
另外,通过作为副成分使用二氧化硅、氧化铝,可以降低烧成温度。另外,通过作为副成分使用氧化镁、碱金属化合物、碱土金属化合物、氧化锰、稀土元素氧化物、氧化钒,可以改善寿命。
内侧介电层10及外侧介电层的层叠数可以根据用途等适当决定。
交替层叠的一个内部电极层12具有相对于在陶瓷烧结体4的Y轴方向第1端部的外侧形成的第1外部电极6的内侧进行电连接的引出部12A。另外,交替层叠的另一个内部电极层12具有相对于在陶瓷烧结体4的Y轴方向第2端部的外侧形成的第2外部电极8的内侧进行电连接的引出部12B。
内装区域13具有容量区域14和引出区域15A、15B。容量区域14是内部电极层12沿着层叠方向夹持内侧介电层10而层叠的区域。引出区域15A是位于与外部电极6连接的内部电极层12的引出部12A之间的区域。引出区域15B是位于与外部电极8连接的内部电极层12的引出部12B之间的区域。
内部电极层12所含有的导电材料没有特别地限定,可以使用Ni、Cu、Ag、Pd、Al、Pt等金属或它们的合金。作为Ni合金,优选为选自Mn、Cr、Co及Al中的1种以上的元素与Ni的合金,合金中的Ni含量优选为95重量%以上。此外,Ni或Ni合金中也可以含有0.1重量%左右以下的P等各种微量成分。
内部电极层12也可以使用市售的电极用膏体形成,内部电极层12的厚度可以根据用途等适当决定。
如图2A~图2C所示,在元件主体3的X轴方向的两端面(两侧面)上形成绝缘层16。绝缘层16具有在X轴方向的端面(侧面)的周缘形成的山状部16b、和中央部的平面部16c。
另外,图2B、图2C以及图3A是在陶瓷烧结体4的Z轴方向的中央部中与包含X轴以及Y轴的平面平行的截面,山状部16b形成于平面部16c的Y轴方向的两侧。另外,也如图2A以及图3B所示,在陶瓷烧结体4的Y轴方向的中央部,与包含X轴以及Z轴的平面平行的截面上绝缘层16的山状部16b形成于平面部16c的Z轴方向的两侧。即,从绝缘层16的平面部16c向X轴方向突出的山状部16b在平面部16c的周缘部连续地形成。
本实施方式的绝缘层16的具有山状部16b和平面部16c的结构可以通过在烧接之后调整成为绝缘层16的绝缘层用膏体的粘度或者适当选择后述的绝缘层用膏体涂布工序的方法或条件来形成。
在本实施方式中,如图2B、图2C或者图3A所示,外部电极6、8的X轴方向的两端部可以覆盖绝缘层16的Y轴方向的两端部的山状部的X轴方向的最大宽度(Mt)部分(顶点16b2)。由此,本实施方式的层叠陶瓷电容器其粘着强度变得良好。
本实施方式的绝缘层16可以如图2B所示不覆盖元件主体3的Y轴方向的端面的X轴方向的两端部,也可以如图2C所示一体地具有覆盖元件主体3的Y轴方向的端面的X轴方向的两端部的绝缘层延长部16a。
另外,绝缘层延长部16a优选不宽阔地覆盖图1、图2B或者图2C所示的元件主体3的Y轴方向的两端面。这是因为在元件主体3的Y轴方向的两端面需要形成外部电极6、8并且与内部电极12连接。
如图2A所示,本实施方式的绝缘层16也可以一体地具有覆盖元件主体3的Z轴方向的端面(主面)的X轴方向的两端部的绝缘层延长部16a。另外,虽然没有图示,但是绝缘层延长部16a也可以覆盖元件主体3的Z轴方向的端面的整个面。
本实施方式的外部电极6、8也可以制成覆盖在Z轴方向的端面形成的绝缘层延长部16a的结构。
绝缘层16的软化点优选为500℃~1000℃。由此,能够减少在前后的工序中可能发生的结构缺陷的影响。
构成本实施方式的绝缘层16的成分没有特别地限定,例如可以列举陶瓷、铝、玻璃、钛、树脂等,优选由玻璃成分构成。通过由玻璃成分来构成绝缘层16,从而粘着强度变得良好。认为这是因为在玻璃与元件主体3的界面形成反应相,因此,玻璃与元件主体3的密合性与其它绝缘性物质相比更优异。
另外,玻璃与陶瓷相比,绝缘性更高。因此,与绝缘层16由陶瓷构成的情况相比,在绝缘层16由玻璃成分构成的情况下,即使缩短相对的外部电极6、8的距离也能够降低短路发生率。因此,与绝缘层16由陶瓷构成的情况相比,绝缘层16由玻璃成分构成的情况下,即使做成外部电极6、8宽阔地覆盖陶瓷烧结体4的X轴方向端面的Y轴方向端部以及Z轴方向端面的Y轴方向端部的结构,也能够降低短路发生率。该效果在绝缘层延长部16a覆盖元件主体3的Z轴方向端面的整个面的情况下更显著。
通过以绝缘层16覆盖元件主体3的X轴方向的端面,从而不仅能够提高绝缘性,而且相对于来自外部的环境负荷能够增加耐久性、耐湿性。另外,因为绝缘层16覆盖烧成后的元件主体3的X轴方向的端面,所以侧隙的宽度小,并且能够形成均匀的绝缘层16。
外部电极6、8的材质也没有特别地限定,能够使用Cu、Ag、Pd、Pt、Au或者这些的合金、导电性树脂等公知的导电材料。外部电极的厚度可以根据用途等作适当决定。
另外,在图1中,X轴、Y轴以及Z轴互相垂直,Z轴与内侧介电层10以及内部电极层12的层叠方向一致,Y轴与形成引出区域15A、15B(引出部12A、12B)的方向一致。
在本实施方式中,如图2A所示,将绝缘层16中沿着陶瓷烧结体4的宽度方向(X轴方向)从元件主体3的X轴方向的端面到绝缘层16的外面为止的区间设定为间隙部。
在本实施方式中,间隙部的X轴方向的宽度Wgap与沿着陶瓷烧结体4的宽度方向(X轴方向)从元件主体3的X轴方向的端面到绝缘层16的X轴方向的端面为止的尺寸一致。宽度Wgap的平均优选为0.1μm~40μm,如果与元件主体3的宽度W0相比,则极小。
通过将Wgap控制在上述范围内,从而变得难以产生裂缝,并且即使陶瓷烧结体4更小型化,静电容量的降低也较少。
另外,元件主体3的宽度W0与沿着内侧介电层10的X轴方向的宽度一致。
如图2A所示,在元件主体3的Z轴方向的端面上将自元件主体3的X轴方向的两端面起的绝缘层延长部16a的X轴方向的各个宽度设定为W1。在此情况下,W1与W0之比优选为1/30≤W1/W0。
通过使W1/W0为1/30以上,从而能够进一步减小由电致伸缩造成的结构缺陷或音鸣声。
另外,W1/W0也可以是1/2,在该情况下成为一个绝缘层延长部16a与另一个绝缘层延长部16a连接的结构。即,成为绝缘层16在元件主体3的主面与侧面的4个面进行覆盖的结构。在这样的情况下,根据绝缘层16的涂布方法等,覆盖元件主体3的X轴方向的端面的绝缘层有可能变薄,并且倾向于电致伸缩的缓和效果下降。另外,如上所述,在W1/W0为1/2的情况下,由玻璃成分构成绝缘层时,即使做成外部电极6、8宽广地覆盖陶瓷烧结体4的X轴方向端面的Y轴方向端部以及Z轴方向端面的Y轴方向端部的结构,也能够使降低短路发生率的效果变得显著。
在本实施方式中,由在层叠方向(Z轴方向)上邻接的介电层10夹持的内部电极层12的X轴方向端部也可以从元件主体3的X轴方向端面、即介电层10的X轴方向端部以规定的缩进距离向内侧凹下。在本实施方式中,与现有相比,可以极度减小宽度Wgap,而且,内部电极层12的缩进距离充分小。因此,本实施方式中,可以得到小型并且较大容量的层叠电容器。
另外,通过用滚筒研磨等对形成绝缘层16前的元件主体3的X轴方向端面进行研磨,从而也可以消除内部电极层12的X轴方向端部的缩进。内部电极层12的X轴方向端部的缩进由于例如形成内部电极层12的材料和形成介电层的材料的烧结收缩率的不同而形成。
在本实施方式中,如图3A或者图3B所示,在将沿着绝缘层16的平面部16c表面的表面假想线与在山状部16b的第1内侧规定位置16b1上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1的情况下,θ1优选为5°~25°。由此,能够使粘着强度变得良好。
另外,在本实施方式中,如图3A或者图3B所示,在将沿着绝缘层16的平面部16c表面的表面假想线与在山状部16b的第1外侧规定位置16b3上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下,θ2优选为5°~25°。由此,能够使耐热冲击性变得良好。
第1内侧规定位置16b1通过以下所示的方法来确定。首先,确定平面部16c中最外侧的点即平面端部16c1以及山状部16b中的山状部16b的顶点16b2。另外,顶点16b2是绝缘层16的Y轴方向的两端部的山状部16b上的X轴方向的最大宽度(Mt)部分。然后,Y轴方向坐标或者Z轴方向坐标为平面端部16c1以及顶点16b2的中间,并且将在山状部16b表面上的点设定为第1内侧规定位置16b1。
第1外侧规定位置16b3为表面假想线与山状部16b的外侧曲面的交点。
对于第1内侧规定位置16b1以及第1外侧规定位置16b3的确定方法,没有特别地限定。例如,能够使用数码显微镜以目视来确定。另外,在使用数码显微镜以目视来确定的情况下,有在第1内侧规定位置16b1以及第1外侧规定位置16b3的位置上稍微产生误差的情况,但是由此而产生的对θ1以及θ2的大小产生的影响通常小到能够忽视的程度。
一直以来,将陶瓷烧接于从元件主体露出的内部电极层,但是在该情况下,陶瓷与元件主体的侧面的粘结性差,由于电致伸缩而容易产生结构缺陷,另外,难以缓和外部应力,从而在粘着强度方面存在问题。
本实施方式的层叠电子部件在沿着绝缘层16的平面部16c表面的表面假想线与山状部16b的第1内侧规定位置16b1上的曲面的切线所成的角的角度θ1以及表面假想线与山状部16b的第1外侧规定位置16b3上的曲面的切线所成的角的角度θ2方面有特征。通过将该绝缘层16的山状部16b的角度θ1、θ2控制在规定的范围内,从而使陶瓷烧结体4与外部电极6、8的粘结性牢固,可以缓和由电致伸缩引起的元件主体3的变形,并且可以缓和外部应力,可以提高安装性。
陶瓷烧结体4的X轴方向的两侧的宽度Wgap可以互相相同,也可以互相不同。另外,陶瓷烧结体4的X轴方向的两侧的宽度W1也可以互相相同,也可以互相不同。
内侧介电层10的厚度td没有特别地限定,但优选为0.1μm~5.0μm。
内部电极层12的厚度te没有特别地限定,但优选为0.1μm~5.0μm。
封装区域11的厚度to没有特别地限定,但优选为0.1μm~5.0μm。
层叠陶瓷电容器的制造方法
接着,具体地说明作为本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器2的制造方法。本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器2可以通过以利用了膏体的通常的印刷法或薄片法来制作生坯芯片,将该生坯芯片烧成之后,涂布、烧接绝缘层用膏体形成绝缘层16,印刷或者转印外部电极6、8并进行烧接来制造。
首先,为了制造在烧成后构成图1所示的内侧介电层10的内侧生坯薄片10a以及构成外侧介电层的外侧生坯薄片11a,准备内侧生坯薄片用膏体以及外侧生坯薄片用膏体。
内侧生坯薄片用膏体以及外侧生坯薄片用膏体通常由将陶瓷粉末和有机载体混炼而得到的有机溶剂系膏体或水系膏体构成。
作为陶瓷粉末的原料,可以从成为复合氧化物或氧化物的各种化合物、例如碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等中适当选择并混合使用。本实施方式中,陶瓷粉末的原料制成平均粒径为0.45μm以下、优选为0.1~0.3μm左右的粉体使用。此外,为了使内侧生坯薄片极薄,优选使用比生坯薄片厚度更细的粉体。
有机载体是将粘合剂溶解于有机溶剂中的物质。有机载体中所使用的粘合剂没有特别地限定,只要从乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛等通常的各种粘合剂中适当选择即可。使用的有机溶剂也没有特别地限定,只要从醇、丙酮、甲苯等各种有机溶剂中适当选择即可。
另外,生坯薄片用膏体中,也可以根据需要含有选自各种分散剂、增塑剂、介电体、副成分化合物、玻璃粉、绝缘体等中的添加物。
作为增塑剂,可以列举邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯或邻苯二甲酸苄基丁酯等邻苯二甲酸酯、己二酸、磷酸酯、二醇类等。
接着,为了制造在烧成后构成图1所示的内部电极层12A、12B的内部电极图案层12a,准备内部电极层用膏体。内部电极层用膏体通过将由上述的各种导电性金属或合金构成的导电材料和上述的有机载体混炼而制备。
在作为导电材料使用Ni的情况下,例如也可以使用市售的运用了CVD法、湿式化学还原法等制得的Ni的粉体。
在烧成后构成图1所示的外部电极6、8的外部电极用膏体只要与上述的内部电极层用膏体同样地制备即可。
使用上述中调制的内侧生坯薄片用膏体以及内部电极层用膏体,如图4所示,将内侧生坯薄片10a和内部电极图案层12a交替层叠,制造内部层叠体13a。然后,在制造内部层叠体13a后,使用外侧生坯薄片用膏体形成外侧生坯薄片11a,沿层叠方向加压,得到生坯层叠体。
另外,生坯层叠体的制造方法没有特别地限定,例如能够以薄片法或印刷法进行制造。另外,除了上述以外,也可以在外侧生坯薄片11a上直接交替层叠规定数量的内侧生坯薄片10a和内部电极图案层12a,沿层叠方向进行加压,得到生坯层叠体。
具体而言,首先,通过刮刀法等,在作为支撑体的载片(例如PET膜)上形成内侧生坯薄片10a。内侧生坯薄片10a在形成于载片上之后被干燥。
接着,如图4所示,在内侧生坯薄片10a的表面上,使用内部电极层用膏体形成内部电极图案层12a,得到具有内部电极图案层12a的内侧生坯薄片10a。
此时,如图5Aa所示,在第n层上,在Y轴方向上形成内部电极图案层12a的间隙32,且在X轴方向上形成连续的平坦的内部电极图案层12a。
接着,如图5Ab所示,在第n+1层上,也在Y轴方向上形成内部电极图案层12a的间隙32,且在X轴方向上形成连续的平坦的内部电极图案层12a。此时,第n层和第n+1层的内部电极图案层的间隙32以在作为层叠方向的Z轴方向上不重叠的方式形成。
这样,在将具有内部电极图案层12a的内侧生坯薄片10a层叠多层,制造内部层叠体13a之后,在内部层叠体13a的上下使用外侧生坯薄片用膏体,形成适当张数的外侧生坯薄片11a,沿层叠方向加压,得到生坯层叠体。
接着,沿着图5Aa、图5Ab、图6A、图6B的C1截面以及C2截面,将生坯层叠体切断,得到生坯芯片。C1是与Y-Z轴平面平行的截面,C2是与Z-X轴平面平行的截面。
如图5Aa所示,第n层中将内部电极图案层12a切断的C2截面的左右相邻的C2截面将内部电极图案层12a的间隙切断。另外,第n层中将内部电极图案层12a切断的C2截面在第n+1层将内部电极图案层12a的间隙32切断。
通过这种切断方法得到生坯芯片,由此,生坯芯片的第n层的内部电极图案层12a在生坯芯片的C2截面成为在一个截面露出且在另一个截面不露出的结构。另外,生坯芯片的第n+1层的内部电极图案层12a在生坯芯片的C2截面成为在内部电极图案层12a在第n层露出的截面上内部电极图案层12a不露出,且在内部电极图案层12a在第n层不露出的截面上内部电极图案层12a露出的结构。
进一步,在生坯芯片的C1截面上,成为内部电极图案层12a在所有的层露出的结构。
另外,作为内部电极图案层12a的形成方法,没有特别地限定,除了印刷法、转印法以外,也可以通过蒸镀、溅射等薄膜形成方法来形成。
另外,也可以在内部电极图案层12a的间隙32形成高度差吸收层20。通过形成高度差吸收层20,在生坯薄片10a的表面上由内部电极图案层12a产生的高度差消失,有助于防止最终得到的陶瓷烧结体4的变形。
高度差吸收层20与例如内部电极图案层12a同样地,通过印刷法等而形成。高度差吸收层20含有与生坯薄片10a同样的陶瓷粉末和有机载体,但与生坯薄片10a不同为了通过印刷来形成,以易于印刷的方式进行调整。作为印刷法,可以列举丝网印刷、凹版印刷等。
生坯芯片通过固化干燥将增塑剂除去而固化。固化干燥后的生坯芯片与介质以及研磨液一起投入到滚筒容器内,并利用卧式离心滚筒机等进行滚筒研磨。滚筒研磨后的生坯芯片利用水清洗并干燥。通过对干燥后的生坯芯片进行脱粘合剂工序、烧成工序、根据需要进行的退火工序,得到元件主体3。
脱粘合剂工序只要设定为公知的条件即可,例如,只要将保持温度设定为200℃~400℃即可。
本实施方式中,烧成工序和退火工序在还原气氛中进行。其它烧成条件或退火条件只要设定为公知的条件即可,例如,烧成的保持温度为1000℃~1300℃,退火的保持温度为500℃~1000℃。
脱粘合剂工序、烧成工序及退火工序可以连续进行,也可以独立进行。
接着,通过丝网印刷将绝缘层用膏体涂布于上述元件主体3的X轴方向的两端面上并进行烧接,从而形成绝缘层16,并制得图1以及图2所示的陶瓷烧结体4。通过该绝缘层16,不仅提高绝缘性而且耐湿性也变得良好。在涂布绝缘层用膏体的情况下,膏体不仅涂布于元件主体3的X轴方向的两端面,而且也可以涂布于元件主体3的Z轴方向的两端面的X轴方向的两端部和/或Y轴方向的两端面的X轴方向的两端部。
在用玻璃构成绝缘层16的情况下,该绝缘层用膏体通过将例如上述的玻璃原料、以乙基纤维素为主成分的粘合剂、和作为分散介质的萜品醇等利用混合机混炼而得到。
本实施方式的绝缘层用膏体的粘度优选为30Pa·s~120Pa·s。由此,能够将θ1以及θ2控制在优选的范围,并且能够获得耐热冲击性以及粘着强度良好的层叠陶瓷电容器。
绝缘层用膏体的粘度能够通过改变作为分散介质的萜品醇等的量来进行调整。
绝缘层16形成于元件主体3的方法没有特别地限定,例如能够列举下述的方法。
首先,通过丝网印刷将绝缘层用膏体涂布于元件主体3的X轴方向的端面,并使之干燥。这是第1绝缘层用膏体涂布工序。其后,用树脂等来掩蔽元件主体3的X轴方向的中央部。
接着,作为第2绝缘层用膏体涂布工序,通过浸渍或者丝网印刷再次涂布X轴方向的中央部被掩蔽的元件主体3的X轴方向的端部,经过干燥以及脱粘合剂处理,并进行烧接,由此形成绝缘层16,制得陶瓷烧结体4。
在烧接时发生液状化的绝缘层用膏体的玻璃成分由于毛细管现象而容易进入自内侧介电层10的端部到内部电极层12的端部为止的空隙中。因此,利用绝缘层16可以确实地填满上述空隙,不仅提高绝缘性,而且耐湿性也良好。
对于上述那样得到的陶瓷烧结体4的Y轴方向的两端面及/或Z轴方向的两端面,根据需要通过例如滚筒研磨或喷砂等实施研磨。
接着,在烧接有绝缘层16的陶瓷烧结体4的Y轴方向的两端面涂布外部电极用膏体并进行烧接,从而形成外部电极6、8。对于外部电极6、8的形成,可以在绝缘层16的形成之后进行,也可以与绝缘层16的形成同时进行,但优选在形成了绝缘层16之后。
另外,对于外部电极6、8的形成方法也没有特别地限定,能够使用外部电极用膏体的涂布·烧接、浸渍·烧接、镀敷、蒸镀、溅射等适当的方法。
然后,根据需要通过镀敷等将覆盖层形成于外部电极6、8表面。
这样制造的本实施方式的层叠陶瓷电容器2通过焊接等安装于印刷基板上等,用于各种电子设备等。
一直以来,将介电层的一部分作为间隙部,因此,生坯薄片的表面中、在烧成后成为间隙部的部分形成有未沿着X轴方向以规定间隔形成内部电极图案层的空白图案。
相对于此,本实施方式中,内部电极图案层沿着X轴方向连续形成,间隙部通过在元件主体上形成绝缘层而得到。因此,没有形成用于形成间隙部的空白图案。因此,与现有的方法不同,在生坯薄片上形成平坦的内部电极图案层的膜。因此,比现有技术可以增加生坯薄片的每单位面积的生坯芯片的取得个数。
另外,本实施方式中,与现有不同,由于可以在切断生坯层叠体时不需要考虑空白图案,因此,与现有技术相比,改善了切断成品率。
进一步,一直以来存在如下问题,即,如果层叠生坯薄片,则空白图案部分的厚度比形成有内部电极图案层的部分的厚度薄,在切断时,生坯芯片的截面附近发生弯曲。另外,一直以来在内部电极图案层的空白图案部分附近形成鼓起,因此,在内部电极层产生凹凸,通过将它们层叠,从而内部电极或生坯薄片可能发生变形。相对于此,本实施方式中,未形成空白图案,也未形成内部电极图案层的鼓起。
进一步,本实施方式中,内部电极图案层为平坦的膜,而未形成内部电极图案层的鼓起,且在间隙部附近未发生内部电极图案层的渗出或磨擦,因此,可以提高取得容量。元件主体越小,该效果越显著。
(第2实施方式)
本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器除了必须是外部电极6、8覆盖绝缘层16的Y轴方向的端部的山状部16b的X轴方向的最大宽度部分之外,其余与第1实施方式相同,省略重复的说明。
在本实施方式中,如图2B、图2C或者图3A所示,外部电极6、8的X轴方向的两端部覆盖绝缘层16的Y轴方向的两端部的山状部的X轴方向的最大宽度(Mt)部分。由此,本实施方式的层叠陶瓷电容器其粘着强度变得良好。
另外,如图3A所示,将从元件主体3的Y轴方向的端部到绝缘层16的Y轴方向的端部的山状部的X轴方向的最大宽度(Mt)为止的沿着Y轴方向的长度设定为α,将自元件主体3的Y轴方向的端部起的覆盖绝缘层16的外部电极6、8的沿着Y轴方向的覆盖长度设定为β。
在本实施方式中,α/β优选为1/30≤α/β<1。
1/30≤α/β<1的情况与α/β小于1/30的情况相比,外部电极6、8的覆盖长度较短,并且能够降低由于覆盖外部电极6、8的镀层的延伸而引起的短路的发生率。
另一方面,1/30≤α/β<1的情况与α/β为1以上的情况相比,外部电极6、8的覆盖长度较长,并且能够使粘着强度良好。
另外,在将从元件主体3的X轴方向端部到绝缘层16的X轴方向端部为止的最大宽度设定为Mt的情况下,Mt/β优选为1/30~1/10。由此,能够使耐热冲击性以及粘着强度良好。
(第3实施方式)
本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器除了如图2D、图2E以及图3C所示,绝缘层16’由形成于X轴方向的端面(侧面)的周缘的山状部16b’以及谷状部16c’构成,并且观察不到平面部16c之外,其余与第1实施方式相同,省略重复的说明。
在本实施方式中,如图3C所示,在将绝缘层16’的谷状部16c’中通过谷状部最小点16c1’并且在相对于X轴方向垂直的方向画出的假想线与山状部16b’的第2内侧规定位置16b1’的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1’的情况下,θ1’优选为5°~25°。由此,能够使粘着强度良好。另外,谷状部最小点16c1’是谷状部16c’中绝缘层16的Y轴方向的中央部分上的X轴方向的最小宽度的部分。
另外,在本实施方式中,如图3C所示,在将通过谷状部最小点16c1’并且相对于X轴方向垂直的方向上画出的垂直假想线与山状部16b’的第2外侧规定位置16b3’的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2’的情况下,θ2’优选为5°~25°。由此,能够使耐热冲击性良好。
图3C所示的情况下的第2内侧规定位置16b1’通过以下所示的方法来确定。首先,确定谷状部最小点16c1’以及山状部16b’中山状部16b’的顶点16b2’。然后,将Y轴方向坐标是谷状部最小点16c1’和顶点16b2’的中间并且在山状部16b’或者谷状部16c’的表面上的点设定为第2内侧规定位置16b1’。另外,在本实施方式中,山状部16b’与谷状部16c’的边界不一定明确。
第2外侧规定位置16b3’是垂直假想线与山状部16b’的外侧的曲面的交点。
本实施方式的层叠电子部件在垂直假想线与在第2内侧规定位置16b1’的曲面的切线所成的角的角度θ1’以及垂直假想线与山状部16b’的在第2外侧规定位置16b3’的曲面的切线所成的角的角度θ2’方面有特征。通过将该绝缘层16’的山状部16b’或者谷状部16c’的角度θ1’、θ2’控制在规定的范围内,从而能够使陶瓷烧结体4与外部电极6、8的粘结性牢固,缓和由电致伸缩引起的元件主体3的变形,并且能够缓和外部应力,能够提高安装性。
以上对本发明的实施方式作了说明,但是本发明并没有被限定于上述的实施方式,可以在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种改变。例如,也可以同时具备第1实施方式~第3实施方式中多个实施方式的特长。
另外,绝缘层具有形成于侧面周缘的山状部是所有的实施方式中共通的,但是不需要山状部形成于侧面的全周。例如,也可以如图2F、图2G所示山状部只形成于侧面的一部分。
另外,在第1实施方式以及第2实施方式中,平面部16c可以不一定垂直于X轴方向,也可以倾斜。在平面部16c倾斜的情况下,表面假想线也变得倾斜。
进一步,在第1实施方式以及第2实施方式中不需要在所有截面中θ1以及θ2在规定的范围内,在第3实施方式中不需要在所有截面中θ1’以及θ2’在规定的范围内。例如,在第3实施方式中,在图1的Z轴方向的中央部进行切断并获得图2D以及图3C,但是在Z轴方向的其它地方进行切断的情况下,会有θ1’和θ2’中的任意一个以上在特定范围外的情况或是不能成为2个山状部的形状的情况等。
另外,例如,就内部电极图案层12a而言,除了图5Aa、图5Ab所示的图案以外,也可以如图5B所示,是具有格子状的内部电极图案层12a的间隙32的图案。
另外,对于如第2实施方式那样将α/β控制在规定范围内的方法,没有特别地限制,例如能够通过改变膏体的浸渍以及印刷的厚度来进行控制。如第3实施方式那样不存在平面部的实施方式有时通过较薄地改变第2绝缘层膏体的浸渍以及印刷厚度而获得。另外,如图2F、图2G所示,只在一侧存在山状部的实施方式有时通过改变截面的切口;倾斜芯片;或倾斜第2绝缘层膏体的浸渍以及印刷来获得。另外,平面部倾斜的实施方式有时通过改变截面的切口;倾斜芯片;或倾斜第2绝缘层膏体的浸渍以及印刷来获得。
另外,本发明的层叠电子部件不限定于层叠陶瓷电容器,可以适用于其它层叠电子部件。作为其它层叠电子部件,可以是介电层经由内部电极而层叠的所有的电子部件,例如可以列举带通滤波器、片式电感器、多层三端滤波器、压电元件、片式热敏电阻、片式压敏电阻器、片式电阻器、其它表面安装(SMD)片式电子部件等。
实施例
以下,基于更详细的实施例来说明本发明,但本发明不限定于这些实施例。
实验例1
如下所述制作样品号1~样品号7的电容器样品,进行θ1以及θ2的测定、以及耐热冲击性和粘着强度的评价。
首先,将BaTiO3系陶瓷粉末:100重量份、聚乙烯醇缩丁醛树脂:10重量份、作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯(DOP):5重量份、和作为溶剂的醇:100重量份用球磨机混合并膏体化,得到内侧生坯薄片用膏体。
另外,与上述分开,将Ni颗粒44.6重量份、萜品醇:52重量份、乙基纤维素:3重量份、和苯并三唑:0.4重量份利用三辊机混炼并浆料化,制作内部电极层用膏体。
使用上述中制作的内侧生坯薄片用膏体,在PET膜上以干燥后的厚度成为7μm的方式形成内侧生坯薄片10a。接着,在其上使用内部电极层用膏体,以规定图案印刷内部电极图案层12a,从PET膜上剥离薄片,得到具有内部电极图案层12a的内侧生坯薄片10a。
如图4所示,层叠具有内部电极图案层12a的内侧生坯薄片10a,制造内部层叠体13a之后,在内部层叠体13a的上下使用外侧生坯薄片用膏体,形成适当张数的外侧生坯薄片11a,并沿层叠方向加压粘接,得到生坯层叠体。外侧生坯薄片用膏体通过与内侧生坯薄片用膏体同样的方法得到。
接着,如图5Aa、图5Ab、图6A、图6B所示,沿着C1截面以及C2截面切断生坯层叠体,从而获得生坯芯片。
接着,对得到的生坯芯片按照下述条件进行脱粘合剂处理、烧成及退火,得到元件主体3。
脱粘合剂处理条件设定为升温速度:60℃/小时、保持温度:260℃、温度保持时间:8小时、气氛:空气中。
烧成条件设定为升温速度:200℃/小时、保持温度:1000℃~1200℃,且将温度保持时间设定为2小时。冷却速度设定为200℃/小时。此外,气氛气体设定为加湿后的N2+H2混合气体。
退火条件设定为升温速度:200℃/小时、保持温度:500℃~1000℃、温度保持时间:2小时、冷却速度:200℃/小时、气氛气体:加湿后的N2气。
此外,烧成及退火时的气氛气体的加湿中使用润湿剂。
接着,利用三辊机将BaO:14.4重量份、ZnO:12.0重量份、B2O3:11.6重量份、CaO:3.6重量份、SiO2:3.0重量份、萜品醇:5.0~60.0重量份、乙基纤维素:3重量份、和苯并三唑:0.4重量份混炼并膏体化,调制表1所示的粘度的绝缘层用膏体。利用本实施例的绝缘层用膏体来制得的绝缘层的软化点为655℃。
另外,样品号1~样品号7中的每个样品通过改变萜品醇的量来改变绝缘层用膏体的粘度。
绝缘层用膏体的粘度使用流变仪(BROOKFIELD公司制造,RVDV-II+P CP)来进行测定。另外,在25℃的条件下测定剪切速度为10sec-1的粘度。
以膜厚成为20μm的方式通过丝网印刷将绝缘层用膏体涂布于元件主体3的X轴方向的端面(第1绝缘层用膏体涂布工序)。
接着,在180℃下进行干燥,将丙烯酸树脂印刷到绝缘层表面,进行了掩蔽之后,以表1所示的厚度利用与在第1绝缘层用膏体涂布工序中所使用的绝缘层用膏体相同的绝缘层用膏体来进行丝网印刷(第2绝缘层用膏体涂布工序)。对于得到的芯片,在180℃下进行干燥,使用皮带传送炉来进行脱粘合剂处理、烧接,将绝缘层16形成于元件主体3并获得陶瓷烧结体4。绝缘层用膏体的脱粘合剂处理、烧接的条件如下所述。
脱粘合剂处理
升温速度:1000℃/小时
保持温度:500℃
温度保持时间:0.25小时
气氛:空气中
烧接
升温速度:700℃/小时
保持温度:700℃~1000℃
温度保持时间:0.5小时
气氛:加湿后的N2
通过滚筒处理对所制得的陶瓷烧结体4的Y轴方向的端面实行研磨。
接着,将平均粒径0.4μm的球状的Cu颗粒和片状的Cu粉的混合物100重量份、有机载体(将乙基纤维素树脂5重量份溶解于丁基卡必醇95重量份而成的载体)30重量份及丁基卡必醇6重量份进行混炼,得到膏体化后的外部电极用膏体。
以10~15μm的膜厚通过浸渍将所获得的外部电极用膏体转印于陶瓷烧结体4的Y轴方向的端面,在N2气氛中以850℃烧成10分钟,形成外部电极6、8,通过电镀将覆盖层形成于外部电极6、8,从而制得层叠陶瓷电容器2。
如上所述制造的电容器样品(层叠陶瓷电容器2)的尺寸为3.2×2.5×1.5mm,内侧介电层10为十层。另外,内侧介电层10的厚度为5.0μm,内部电极层12的厚度为约1.2μm。
用下述的方法对所制得的电容器样品进行测定或评价。
<θ1、θ2>
电容器样品以将Z轴方向的端面朝下竖立的方式进行树脂填埋,沿着层叠陶瓷电容器2的Z轴方向研磨另一个端面,从而获得元件主体3的Z轴方向的高度成为1/2H0的研磨截面。接着,对该研磨截面进行离子研磨,除去由研磨而导致的底切(undercut)。由此,得到了观察用的截面。
接着,在观察用的截面上测定图3A所示的θ1以及θ2。具体而言,根据三角比算出角度。对于1个样品,在绝缘层16的边上的4个地方测定θ1以及θ2。对于30个电容器样品进行该操作,求得总计120个地方的θ1和θ2的各个平均值。将结果示于表2中。但是,观于绝缘层发生缺损的地方没有计算。
另外,在宽度测定中使用数码显微镜(KEYENCE CORPORATION制造的VHX显微镜),以5000倍镜头进行观察以及测定。另外,对于第1内侧规定位置以及第1外侧规定位置,以目视进行特定。
<耐热冲击性>
对于100个电容器样品,以10cm/sec的速度浸渍于250℃的熔融焊料中,10秒钟后以10cm/sec的速度提起,将其重复10次后测定绝缘电阻并检查短路不良率。将结果示于表2中。将在250℃下的短路不良率为0%的情况判断为良好。
<粘着强度>
如图7所示,在将电容器样品102安装于电路基板104的状态下,以30mm/min的速度使超硬的加压夹具106朝着电容器样品102的X轴方向的端面移动,通过加压夹具106从箭头P1方向对电容器样品102实施加压。此时,通过10N的载荷下电容器样品102是否破坏来评价粘着强度。对于100个电容器样品实行试验,求得电容器不良率。将结果示于表2中。作为评价基准,将小于5%设定为更良好,将5%以上且15%以下设定为良好。另外,本实施方式所涉及的电容器样品102的内部结构与图1以及图2所示的层叠陶瓷电容器2相同。
[表1]
[表2]
在θ1大于2.0°且小于30.0°,θ2大于4.0°且小于32.0°的情况下(样品号2~样品号5),与θ1为2.0°的情况(样品号1)相比,能够确认粘着强度良好。
认为样品号1由于绝缘层的山状部成为薄的形状,因此,那个部分相对于外部应力承受不住,从而出现粘着强度不良。
另外,在θ1大于2.0°且小于30.0°,θ2大于4.0°且小于32.0°的情况下(样品号2~样品号5),与θ2大于32.0°的情况(样品号6、样品号7)相比,能够确认耐热冲击性良好。
样品号6以及样品号7其绝缘层的山状部为较大地突出的形状,外部电极难以压住绝缘层的间隙部。因此,认为不能够承受热冲击,从而产生了裂缝。
实施例2
除了将第2绝缘层用膏体涂布工序的印刷膜厚设定为10μm,并且将通过浸渍将外部电极用膏体转印于陶瓷烧结体4的Y轴方向的端面时的浸渍膜厚改变成表3所记载的厚度之外,以与实施例1的样品号4相同的的方法制作样品号8~样品号17的电容器样品,进行α/β的测定、耐热冲击性、粘着强度以及短路不良率的评价。将结果示于表3中。
另外,样品号8~样品号17所使用的绝缘层用膏体的组成为BaO:14.4重量份、ZnO:12.0重量份、B2O3:11.6重量份、CaO:3.6重量份、SiO2:3.0重量份、萜品醇:52重量份、乙基纤维素:3重量份、苯并三唑:0.4重量份。
另外,样品号8~样品号17的耐热冲击性以及粘着强度的评价以与实施例1相同的方法来实行。α/β的测定方法和短路不良率的评价方法如后面所述。另外,样品号8~样品号17的θ1为24.5°,θ2为23.5°。
<α/β>
准备电容器样品,与θ1、θ2的测定情况同样地制得观察用的截面。
接着,在观察用的截面中测定图3A所示的α以及β。对于1个样品,在绝缘层16的边上的4个地方测定α和β,对于30个电容器样品实行该操作,对于α和β分别实行总计120个地方的测定,求得α以及β的平均值,从而计算出α/β。将结果示于表3中。但是,对于绝缘层发生缺损的地方没有计算。另外,样品号8~样品号17中的任一样品α的平均值都为6μm。
另外,在α以及β的测定中使用数码显微镜(KEYENCE CORPORATION制造的VHX显微镜),以5000倍镜头进行观察以及测定。
<短路不良率>
利用绝缘电阻计(HEWLETT PACKARD公司制造的E2377A)来测定电容器样品的电阻值,将电阻值成为100kΩ以下的样品判定为短路不良。对于100个电容器样品实行上述的测定,将发生短路不良的电容器样品的比率设定为短路不良率。短路不良率优选为15%以下。
[表3]
在α/β大于1/40且小于1的情况下(样品号10~样品号14),与α/β为1/40以下的情况(样品号8、样品号9)相比,能够确认短路不良率为良好。
认为样品号8以及样品号9由于过度覆盖外部电极,由于覆盖外部电极的镀层的伸展,从而在一个外部电极与另一个外部电极之间变得容易发生导通,短路不良率增大。
另外,在α/β大于1/40且小于1的情况下(样品号10~样品号14),与α/β为1以上的情况(样品号15~样品号17)相比,粘着强度良好。
产业上利用的可能性
如上所述,本发明所涉及的层叠电子部件作为大多以小型高容量使用的笔记本电脑或智能手机中所用的电子部件是有用的。

Claims (3)

1.一种层叠电子部件,其特征在于,
具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有形成于所述侧面的周缘的山状部和所述侧面的中央部分的平面部,
在将沿着所述绝缘层的所述平面部的表面的表面假想线与在所述山状部的第1内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1,并且将沿着所述绝缘层的所述平面部的表面的表面假想线与在所述山状部的第1外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下,θ1为5°~25°,θ2为5°~25°。
2.一种层叠电子部件,其特征在于,
具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有形成于所述侧面的周缘的山状部和所述侧面的中央部分的平面部,
所述外部电极覆盖所述绝缘层的所述第2轴方向的端部的所述山状部的所述第1轴方向的最大宽度的部分,
在将从所述元件主体的所述第2轴方向的端部到所述绝缘层的所述第2轴方向的端部的所述山状部的所述第1轴方向的最大宽度为止的沿着所述第2轴方向的长度设定为α,并且将从所述元件主体的所述第2轴方向的端部起的覆盖所述绝缘层的所述外部电极的沿着所述第2轴方向的覆盖长度设定为β的情况下,α/β为1/30≤α/β<1。
3.一种层叠电子部件,其特征在于,
具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体,
在所述元件主体的所述第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层,
在所述元件主体的所述第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极,
所述绝缘层具有形成于所述侧面的周缘的山状部和所述侧面的中央部分的谷状部,
在将与所述绝缘层的所述第1轴垂直的垂直假想线和所述山状部的第2内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1’,并且将与所述绝缘层的所述第1轴垂直的垂直假想线和所述山状部的第2外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2’的情况下,θ1’为5°~25°,θ2’为5°~25°。
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