CN106893577A - 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 - Google Patents
量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106893577A CN106893577A CN201710266387.9A CN201710266387A CN106893577A CN 106893577 A CN106893577 A CN 106893577A CN 201710266387 A CN201710266387 A CN 201710266387A CN 106893577 A CN106893577 A CN 106893577A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- core shell
- presomas
- quantum dot
- zone
- reaction zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 137
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical group [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 10
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000021322 Vaccenic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 238000001016 Ostwald ripening Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910015808 BaTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M Vaccenic acid Natural products CCCCCC\C=C/CCCCCCCCCC([O-])=O UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
- B01J19/0013—Controlling the temperature of the process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
- B01J19/2415—Tubular reactors
- B01J19/243—Tubular reactors spirally, concentrically or zigzag wound
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
- B01J2219/00087—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
- B01J2219/00099—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor the reactor being immersed in the heat exchange medium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点核壳合成装置,其包括用于进行核/壳反应的核/壳反应区,该反应区包括至少一个螺旋状反应管,所述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽,所述核/壳反应区的前段包覆有加热区,所述核/壳反应区的后段包覆有冷却区,于所述核/壳反应区的前端设有若干个注入口,于该核/壳反应区的后端设有若干个浮游物排出口,所述核/壳反应区的前端连接有加压装置。本发明还公开了一种量子点核壳合成方法。本发明的量子点核壳合成装置能提高量子点的稳定性及粒子大小的均匀,同时能使其没有缺陷,因此能使量子效率最大化,从而合成出提升了发光效率及鲜明度的量子点。
Description
技术领域
本发明涉及量子点合成领域,具体涉及一种量子点核壳合成装置及通过该量子点核壳合成装置实施的量子点核壳合成方法。
背景技术
现有技术中,量子点的合成方法为溶液法工艺,主要由围绕着加热套的烧瓶、能使烧瓶内部溶液均匀的磁力搅拌器、以及控制溶液温度的温度调节器和温度计组成。另外,添加了维持稳定浓度的电容器和能转换真空/氮气氛围的多支管组成。
合成方法为利用前驱体(precursor)的有机化合物合成核(core),为了使合成的核和稳定剂在混合搅拌的反应器中形成适当的壳,反复注入前驱体形成结构稳定的核/壳结构,最近还开发出了one-pot工艺,将所有反应物质一次性放入反应器中再添加壳工序的方法。
如此,溶液工艺合成方法变成大容量化时,为了反应物质内的均匀性,有时也会用叶轮代替磁力搅拌器,但是因为不均匀的温差、不均匀的环境导致反应物内浓度的差异以及组合的差异。量子点合成是奥斯特瓦尔德熟化(Ostwald ripening),也是温度和时间的函数,据悉此技术是小的粒子与相对大的颗粒合体之后生长,当形成所需大小的纳米粒子时停止粒子生长的技术。但是目前的方法是通过冷却控制粒子生长时,会产生温度差,很难合成出大小均匀的粒子。因此,这些因素还会影响量子点纳米粒子的发光特性和散布大小均匀的粒子。
为了得到一定大小的纳米粒子,进行急速冷却。此反应物中也存有反应的副产物、有机物,所以通过离心过滤除去有机物。纳米粒子分离可通过丙酮或乙醇等强极性溶剂,利用离心过滤区分粒子的大小。各个反应过程中通过磁棒或搅拌机进行强制搅拌,虽然这是众所周知能达到比较均匀搅拌的方法,但是根据反应物的量,反应搅拌速度会有所不同,这会影响粒子的大小和稳定纳米粒子的形成。
这种现有的合成方法还另外需要前驱体反应器、核反应器、核/壳反应器等,因为是在各自反应后重新进行计量、测量,然后进行合成,所以存在无法连续作业的缺点。而且因为反应时间、粒子分离等差异,有可能无法得到具有均匀的特点的纳米粒子。
量子点核壳合成是量子点合成中的一个重要环节,如何能够通过简单合理的合成装置使核壳合成工艺简化,并且能够生产出优质的符合使用条件的量子点成为了业界需求。
发明内容
为了解决上述问题,本发明公开了一种量子点核壳合成装置。
本发明还公开了一种通过该量子点核壳合成装置实施的量子点核壳合成方法。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:
一种量子点核壳合成装置,其包括用于进行核/壳反应的核/壳反应区,该反应区包括至少一个螺旋状反应管,所述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽,所述核/壳反应区的前段包覆有加热区,所述核/壳反应区的后段包覆有冷却区,于所述核/壳反应区的前端设有若干个注入口,于该核/壳反应区的后端设有若干个浮游物排出口,所述核/壳反应区的前端连接有加压装置。
所述加热区、冷却区分别包括缠绕于该螺旋状反应管上的温度控制管,所述温度控制管中填充满用于控制温度的液态水或油,该加热区、冷却区的温度控制管分别与加热装置、外部冷却器连接。
所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域和浮游物排出区域,所述浮游物排出口设于该浮游物排出区域。
该急速旋转区域中螺旋状反应管的管间距离小于核/壳反应区前段的螺旋状反应管的管间距离,该浮游物排出区域的管间距离大于核/壳反应区前段的螺旋状反应管的管间距离。
该急速旋转区域的直径为核/壳反应区前段的螺旋状反应管直径的三倍;该急速旋转区域的弯曲度比核/壳反应区前段的螺旋状反应管减少50%。
于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口,相邻两注入口之间距离为100cm,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域设有第六注入口,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口。
一种通过前述量子点核壳合成装置实施的量子点核壳合成方法,其包括以下步骤:将核/壳反应区进行真空排气后转换为氮气环境,将CdSe核、1-十八碳烯和油胺注入核/壳反应区的螺旋状反应管,通过加热区将螺旋状反应管加热到设定温度,使CdSe核、1-十八碳烯和油胺反应,按间隔时间依次加入Cd前驱体与Zn前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,和Zn前驱体与S前驱体,从而在CdSe核上积累多层壳,合成CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域和浮游物排出区域,所述浮游物排出口设于该浮游物排出区域;
于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口,相邻两注入口之间距离为100cm,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域设有第六注入口,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口。
在第一注入口中计量注入CdSe核、1-十八碳烯和油胺,真空排气后转换为氮气环境,加热区的温度控制为220~250摄氏度,反应物因氮气压力随着螺旋状反应管移动进行加热反应,相邻两注入口之间的反应时间为10分钟,在第二注入口中注入Cd前驱体和Zn前驱体,继续由氮气压力推动反应物前行,反应形成第一层壳;在第三注入口注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第二层壳;在第四注入口注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第三层壳;在第五注入口注入Zn前驱体和S前驱体,反应形成第四层壳,从而得到CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
为了分离合成的量子点和杂质,反应物进入急速旋转区域,于第六注入口注入极性强的乙醇、丙酮,冷却区的温度维持到0~4摄氏度,反应物在氮气压力推动下用5分钟通过长度为150~200cm的反应管,随着反应管的弧度变得柔和,重量轻的杂质浮游在反应物上流过,此时通过浮游物排出口将浮游物清除到外部,去除杂质后的CdSe/CdZnS/ZnS量子点通过输送管道输送至保管用容器进行保存。
本发明的有益效果为:本发明的量子点核壳合成装置能提高量子点的稳定性及粒子大小的均匀,同时能使其没有缺陷,因此能使量子效率最大化,从而合成出提升了发光效率及鲜明度的量子点,装置结构合理简单,设计巧妙,能够根据需要在核上合成多层壳体,从而得到符合尺寸要求的优质量子点。
下面结合附图与具体实施方式,对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
实施例,参见图1,本实施例公开了一种量子点核壳合成装置,其包括用于进行核/壳反应的核/壳反应区,该反应区包括至少一个螺旋状反应管1,所述螺旋状反应管1内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽,所述核/壳反应区的前段包覆有加热区2,所述核/壳反应区的后段包覆有冷却区3,于所述核/壳反应区的前端设有若干个注入口,于该核/壳反应区的后端设有若干个浮游物排出口4,所述核/壳反应区的前端连接有加压装置。
所述加热区2、冷却区3分别包括缠绕于该螺旋状反应管1上的温度控制管,所述温度控制管中填充满用于控制温度的液态水或油,该加热区2、冷却区3的温度控制管分别与加热装置5、外部冷却器6连接。
所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域11和浮游物排出区域,所述浮游物排出口4设于该浮游物排出区域。
该急速旋转区域11中螺旋状反应管1的管间距离小于核/壳反应区前段的螺旋状反应管1的管间距离,该浮游物排出区域的管间距离大于核/壳反应区前段的螺旋状反应管1的管间距离。
该急速旋转区域11的直径为核/壳反应区前段的螺旋状反应管1直径的三倍;该急速旋转区域11的弯曲度比核/壳反应区前段的螺旋状反应管1减少50%。
于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口75,相邻两注入口之间距离为100cm,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域11设有第六注入口76,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口4。
一种通过前述量子点核壳合成装置实施的量子点核壳合成方法,其包括以下步骤:将核/壳反应区进行真空排气后转换为氮气环境,将CdSe核、1-十八碳烯和油胺注入核/壳反应区的螺旋状反应管1,通过加热区2将螺旋状反应管1加热到设定温度,使CdSe核、1-十八碳烯和油胺反应,按间隔时间依次加入Cd前驱体与Zn前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,和Zn前驱体与S前驱体,从而在CdSe核上积累多层壳,合成CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域11和浮游物排出区域,所述浮游物排出口4设于该浮游物排出区域;
于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口75,相邻两注入口之间距离为100cm,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域11设有第六注入口76,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口4。
在第一注入口71中计量注入CdSe核、1-十八碳烯和油胺,真空排气后转换为氮气环境,加热区2的温度控制为220~250摄氏度,反应物因氮气压力随着螺旋状反应管1移动进行加热反应,相邻两注入口之间的反应时间为10分钟,在第二注入口72中注入Cd前驱体和Zn前驱体,继续由氮气压力推动反应物前行,反应形成第一层壳;在第三注入口73注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第二层壳;在第四注入口74注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第三层壳;在第五注入口75注入Zn前驱体和S前驱体,反应形成第四层壳,从而得到CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
为了分离合成的量子点和杂质,反应物进入急速旋转区域11,于第六注入口76注入极性强的乙醇、丙酮,冷却区3的温度维持到0~4摄氏度,反应物在氮气压力推动下用5分钟通过长度为150~200cm的反应管,随着反应管的弧度变得柔和,重量轻的杂质浮游在反应物上流过,此时通过浮游物排出口4将浮游物清除到外部,去除杂质后的CdSe/CdZnS/ZnS量子点通过输送管道8输送至保管用容器进行保存。
量子点的大小及发光波长会根据核的波长、壳的数量而定,为了使量子点变大,会积累相对较多的壳,但这样会降低发光特性,因此推荐的壳体层数为4~6层。
本发明的量子点核壳合成装置能提高量子点的稳定性及粒子大小的均匀,同时能使其没有缺陷,因此能使量子效率最大化,从而合成出提升了发光效率及鲜明度的量子点,装置结构合理简单,设计巧妙,能够根据需要在核上合成多层壳体,从而得到符合尺寸要求的优质量子点。
在其他实施例中,核及核、壳可以由ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InSb、Ge、Si以及这些组合组成的群中做出选择,而且根据需要,在核壳反应区的量子点核和量子点壳之间可以再合成一个以上的这些组合或晶格常数由类似元素组成的量子点缓冲层。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术手段和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。故凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明之形状、构造及原理所作的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种量子点核壳合成装置,其特征在于:其包括用于进行核/壳反应的核/壳反应区,该反应区包括至少一个螺旋状反应管,所述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽,所述核/壳反应区的前段包覆有加热区,所述核/壳反应区的后段包覆有冷却区,于所述核/壳反应区的前端设有若干个注入口,于该核/壳反应区的后端设有若干个浮游物排出口,所述核/壳反应区的前端连接有加压装置。
2.根据权利要求1所述的量子点核壳合成装置,其特征在于,所述加热区、冷却区分别包括缠绕于该螺旋状反应管上的温度控制管,所述温度控制管中填充满用于控制温度的液态水或油,该加热区、冷却区的温度控制管分别与加热装置、外部冷却器连接。
3.根据权利要求1所述的量子点核壳合成装置,其特征在于,所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域和浮游物排出区域,所述浮游物排出口设于该浮游物排出区域。
4.根据权利要求3所述的量子点核壳合成装置,其特征在于,该急速旋转区域中螺旋状反应管的管间距离小于核/壳反应区前段的螺旋状反应管的管间距离,该浮游物排出区域的管间距离大于核/壳反应区前段的螺旋状反应管的管间距离。
5.根据权利要求3所述的量子点核壳合成装置,其特征在于,该急速旋转区域的直径为核/壳反应区前段的螺旋状反应管直径的三倍;该急速旋转区域的弯曲度比核/壳反应区前段的螺旋状反应管减少50%。
6.根据权利要求3所述的量子点核壳合成装置,其特征在于,于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域设有第六注入口,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口。
7.一种通过权利要求1所述量子点核壳合成装置实施的量子点核壳合成方法,其特征在于,其包括以下步骤:将核/壳反应区进行真空排气后转换为氮气环境,将CdSe核、1-十八碳烯和油胺注入核/壳反应区的螺旋状反应管,通过加热区将螺旋状反应管加热到设定温度,使CdSe核、1-十八碳烯和油胺反应,按间隔时间依次加入Cd前驱体与Zn前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,S前驱体、Zn前驱体与Cd前驱体,和Zn前驱体与S前驱体,从而在CdSe核上积累多层壳,合成CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
8.根据权利要求7所述的量子点核壳合成方法,其特征在于,所述核/壳反应区的后段设有急速旋转区域和浮游物排出区域,所述浮游物排出口设于该浮游物排出区域;
于所述核/壳反应区的前端按间隔距离设有第一至第五注入口,相邻两注入口之间距离为100cm,于该核/壳反应区的后端对应所述急速旋转区域设有第六注入口,于该核/壳反应区的后端设有三个浮游物排出口。
9.根据权利要求7所述的量子点核壳合成方法,其特征在于,在第一注入口中计量注入CdSe核、1-十八碳烯和油胺,真空排气后转换为氮气环境,加热区的温度控制为220~250摄氏度,反应物因氮气压力随着螺旋状反应管移动进行加热反应,相邻两注入口之间的反应时间为10分钟,在第二注入口中注入Cd前驱体和Zn前驱体,继续由氮气压力推动反应物前行,反应形成第一层壳;在第三注入口注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第二层壳;在第四注入口注入Cd前驱体、Zn前驱体和S前驱体,反应形成第三层壳;在第五注入口注入Zn前驱体和S前驱体,反应形成第四层壳,从而得到CdSe/CdZnS/ZnS量子点。
10.根据权利要求9所述的量子点核壳合成方法,其特征在于,为了分离合成的量子点和杂质,反应物进入急速旋转区域,于第六注入口注入极性强的乙醇、丙酮,冷却区的温度维持到0~4摄氏度,反应物在氮气压力推动下用5分钟通过长度为150~200cm的反应管,随着反应管的弧度变得柔和,重量轻的杂质浮游在反应物上流过,此时通过浮游物排出口将浮游物清除到外部,去除杂质后的CdSe/CdZnS/ZnS量子点通过输送管道输送至保管用容器进行保存。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710266387.9A CN106893577B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 |
PCT/CN2018/083631 WO2018192540A1 (zh) | 2017-04-21 | 2018-04-19 | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710266387.9A CN106893577B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106893577A true CN106893577A (zh) | 2017-06-27 |
CN106893577B CN106893577B (zh) | 2018-05-11 |
Family
ID=59197679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710266387.9A Expired - Fee Related CN106893577B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106893577B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109423274A (zh) * | 2017-08-23 | 2019-03-05 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种核壳结构纳米晶体的制备方法 |
CN110486937A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 东台宏仁气体有限公司 | 一种氮气加热装置 |
WO2020073927A1 (zh) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳结构纳米晶的制备方法 |
WO2023124613A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | Tcl科技集团股份有限公司 | 微流控反应器、微流反应系统和核壳量子点的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101565175A (zh) * | 2009-06-05 | 2009-10-28 | 华东理工大学 | 一种快速合成硒化镉量子点的装置及其方法 |
-
2017
- 2017-04-21 CN CN201710266387.9A patent/CN106893577B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101565175A (zh) * | 2009-06-05 | 2009-10-28 | 华东理工大学 | 一种快速合成硒化镉量子点的装置及其方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109423274A (zh) * | 2017-08-23 | 2019-03-05 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种核壳结构纳米晶体的制备方法 |
CN109423274B (zh) * | 2017-08-23 | 2021-12-31 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种核壳结构纳米晶体的制备方法 |
WO2020073927A1 (zh) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳结构纳米晶的制备方法 |
CN110486937A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 东台宏仁气体有限公司 | 一种氮气加热装置 |
WO2023124613A1 (zh) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | Tcl科技集团股份有限公司 | 微流控反应器、微流反应系统和核壳量子点的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106893577B (zh) | 2018-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106893577B (zh) | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 | |
US20190165211A1 (en) | Method for producing core/shell nanoparticles and core/shell nanoparticles | |
US7229497B2 (en) | Method of preparing nanocrystals | |
CN102947218B (zh) | 纳米晶体的合成、盖帽和分散 | |
US9577149B2 (en) | Continuous synthesis of high quantum yield InP/ZnS nanocrystals | |
CN206828440U (zh) | 量子点合成装置 | |
KR101180980B1 (ko) | 다중껍질 양자점의 제조장치 및 제조방법 | |
WO2006137878A2 (en) | Flow method and reactor for manufacturing nanocrystals | |
CN105295921A (zh) | 四元量子点CdSe@ZnS制备方法 | |
CN104845623B (zh) | SiO2包覆的发光量子点复合颗粒及其制备方法 | |
CN206828441U (zh) | 量子点核壳合成装置 | |
CN105885824A (zh) | 一种ZnCdSe/ZnS量子点的制备方法 | |
CN206828442U (zh) | 量子点核合成装置 | |
KR20190073130A (ko) | 스크류 반응관을 이용한 양자점 합성 장치 | |
CN108728099A (zh) | 一种核壳结构量子点材料及其制备方法 | |
CN106995703B (zh) | 量子点核合成装置及量子点核合成方法 | |
CN106916584B (zh) | 量子点合成装置及量子点合成方法 | |
US11859117B2 (en) | Preparation method for quantum dots | |
KR20220158732A (ko) | 양자 도트의 제조 방법 | |
KR20180106657A (ko) | 양자점의 연속흐름 제조방법 및 양자점 연속흐름 제조장치 | |
WO2023134300A1 (zh) | 通过前体胶囊制备量子点材料的方法和量子点材料、量子点组合物以及量子点器件 | |
CN206823798U (zh) | 量子点前驱体合成装置 | |
TWI825054B (zh) | 半導體奈米粒子、半導體奈米粒子分散液及光學構件 | |
WO2018192540A1 (zh) | 量子点核壳合成装置及量子点核壳合成方法 | |
CN106914208B (zh) | 量子点前驱体合成装置及量子点前驱体合成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 523000 No.68, Qiaotou Dongxin Road, Qiaotou town, Dongguan City, Guangdong Province Patentee after: Dongguan Lijing New Material Technology Co.,Ltd. Address before: 523000 A building, 12 East Xin Lu, community community, Qiaotou town, Dongguan, Guangdong Patentee before: DONGGUAN RETECK COATING TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180511 |