CN106847666B - 一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用 - Google Patents
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims abstract description 36
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 7
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Chinese gallotannin Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 claims description 5
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 238000005352 clarification Methods 0.000 claims 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims 1
- 238000004210 cathodic protection Methods 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 3
- 239000010963 304 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910000589 SAE 304 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
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- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic System, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用，属于材料合成领域。本发明以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，通过控制反应参数，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，有效解决了石墨烯分散性不良、TiO2光电性能欠佳及水热合成时间较长等问题，促进TiO2复合材料在光生阴极保护领域的应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用，该薄膜可作为海洋工程装备的光生阴极保护材料，属于材料合成领域。
背景技术
对于常年处于海洋及大气环境中的工程装备来说，腐蚀一直是其面临的关键问题，而光生阴极保护是利用太阳光作为能源实现金属材料阴极保护的一种前沿技术。
在众多半导体材料中，TiO2是一种价廉、使用寿命长、环境友好的光生阴极保护材料。但由于TiO2带隙较宽，仅能吸收太阳光中少量的紫外线，并且产生的光生电子迁移速度较慢，使光生电子和空穴容易复合，导致光量子效率较低。因此，国内外学者对其进行了离子掺杂、半导体复合、贵金属负载等改性研究。近年来，由于石墨烯（graphene）具有较大的比表面积(2630 m2•g-1)、良好的导电性和更高的化学稳定性，利用石墨烯的优异特性对TiO2改性成为当前的研究热点。
柳伟等[郭祥芹，石墨烯/TiO2复合薄膜的制备及其光生阴极保护性能研究，D，青岛：中国海洋大学，2013]通过溶胶-凝胶结合热处理技术，以制备的石墨烯和TiO2溶胶为前驱体，采用旋涂的方法在304不锈钢表面成功制备了石墨烯/TiO2复合薄膜。研究发现，当涂覆于试样的涂层的复合方式为一层石墨烯/TiO2复合薄膜覆盖一层TiO2薄膜时，试样的开路电位负移最大，约为-600mV，光生电流密度约为100mA/cm2。
Ji Hoon Park等[Surface and Coating Technology, 2014, 258, 62-71]以石墨烯和TiO2溶液为前驱体，通过电泳沉积的方法在304不锈钢表面成功制备了石墨烯/TiO2复合薄膜。研究发现，在紫外灯照射下，涂覆有复合薄膜的试样的开路电位在-400mV--700mV之间。
由于三元材料体系的复杂性，合成过程中石墨烯的反应机制及其光电作用机理有待探讨，因此，国内外学者目前大部分选择石墨烯/TiO2二元材料体系为研究对象，但该体系对基体材料的光生阴极保护效果有待提高。另外，研究者多直接将石墨烯作为前驱体进行复合，但由于石墨烯具有不亲水特性，并且范德华力容易使其发生团聚，往往会导致石墨烯在产物中分散不均匀，进而影响到制备材料的光电转换性能。
BaTiO3作为一种n型半导体，其导带电位与TiO2导带电位接近，两者复合后可在其结合面形成势垒和能谷，有效的促进光生电子和空穴分离。氧化石墨烯边缘含有大量的含氧官能团，具有良好的亲水性，并且价格低廉。因此，在合成过程中，可调控部分TiO2前驱体通过原位反应生成BaTiO3，同时，将分散性良好的氧化石墨烯前驱体原位还原，一步制备出高性能TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。目前尚未有该研究的相关报道。
TiO2复合薄膜的制备方法主要有溶胶-凝胶法、水热法、电泳沉积法、物理气相沉积法等。这些方法或工序复杂，无法实现一步制备，或制备所需时间较长，或无法对产物进行形貌控制。而一维有序结构正具有一维电子传输特性，可大大促进电子-空穴分离，提高材料光电转换性能。因此，以水热法为基础，以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，采用微波为能量源，通过反应物分子自身之间的摩擦、振动转化成热能来进行材料的原位合成，既可以控制产物的形貌，又可以将反应时间缩短至分钟甚至秒，同时，所需的合成温度更低，产物形貌更均一，产率也有所提高。目前微波水热快速合成TiO2/BaTiO3/RGO有序纳米管阵列的研究也尚未见报道。
发明内容
本发明的技术任务是解决现有技术的不足，提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
BaTiO3作为一种n型半导体，其导带电位与TiO2导带电位具有良好的匹配性。氧化石墨烯在水溶液中具有良好的分散性，还原后具有优异的导电性。微波加热利用反应物分子间的摩擦振动，可实现快速加热。因此，可采用微波水热快速制备方法，通过控制反应参数，使部分TiO2有序纳米管阵列前驱体原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性良好的氧化石墨烯原位还原，一步制备出高性能TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，以解决石墨烯分散性不良、TiO2光电性能欠佳及水热合成时间较长等问题，促进TiO2复合材料在光生阴极保护领域的应用。
1、本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，包括如下组分：TiO2、BaTiO3和RGO，其中，BaTiO3在TiO2表面通过原位反应生成TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列，RGO则分布在TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列的表面及管内，具有快速传到光生电子的功能。
进一步地，TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。
2、本发明另提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，包括如下步骤：
1）钛基表面TiO2纳米管的制备：将钛箔超声清洗、化学抛光，然后以铂片为阴极，钛箔为阳极，在NH4F和H2O的甘油溶液中阳极氧化，阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的平均直径为100 nm-160 nm；
2）前驱体混合溶液的制备：在搅拌条件下，将Ba(OH)2溶解于水中，形成Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将氧化石墨烯GO溶解于水中，分散均匀后制得GO的水溶液，称为B液；在搅拌条件下，将A液缓慢滴加到B液中，形成前驱体混合溶液，称为C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L，GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L；
3）TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备：将步骤1）制备的TiO2纳米管试样与步骤2）制备的C液转移到聚四氟乙烯反应容器中，保持填充率为40%，设定微波水热反应仪的升温速率为5-20℃/min，反应温度为120-150℃，保温时间为5-30min，进行微波水热合成反应；
4）待反应完成，再经煅烧处理、随炉冷却至室温后，即得TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。
进一步地，步骤1）中，将钛箔依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗、化学抛光。
进一步地，步骤2）中，将Ba(OH)2溶解于去CO2的离子水中，电磁搅拌20-30 min，得到Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将氧化石墨烯GO溶解于去离子水中，超声40-60 min，电磁搅拌20-30 min，制得GO的水溶液，称为B液；将A液缓慢滴加到B液中，继续电磁搅拌5-10min，形成前驱体混合溶液，称为C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L，GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L。
进一步地，步骤4）中，待反应完成，冷却到室温后取出试样，并将试样依次用盐酸和去离子水冲洗，干燥，最后在350-400℃马弗炉中保温1-2.5 h，随炉冷却至室温后取出。
3、本发明还一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的应用，将所制备的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜用作光生阴极保护材料。
本发明的一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用，与现有技术相比所产生的有益效果是：
1、反应速度快，所需时间短，往往仅需要5-30 min，相比于其他合成方法，时间大大缩短；
2、合成步骤简单，反应过程中同时进行BaTiO3的原位合成和氧化石墨烯的还原反应；
3、利用氧化石墨烯作为反应原料，在水热过程中原位还原成石墨烯，不仅节省成本，而且具有更好的界面相容性，解决了石墨烯在产物中的分散均匀性问题；
4、TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜可加速光生电子-空穴分离，具有较高的光电性能，是一种新型的优异的光生阴极保护材料。
附图说明
附图1是本发明实施例一所制备试样的微观形貌图；
附图2是本发明实施例二所制备试样的微观形貌图；
附图3是本发明实施例三所制备试样的微观形貌图；
附图4是本发明实施例一、实施例二所制备试样的开路电位曲线图。
具体实施方式
下面结合附图1-4，对本发明的一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜、其快速原位制备方法及应用作以下详细说明。
本发明提供一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，包括如下组分：TiO2、BaTiO3和RGO，其中，BaTiO3在TiO2表面通过原位反应生成TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列，RGO则分布在TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列的表面及管内，具有快速传到光生电子的功能。具体的：
TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。
实施例一
本发明的一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，包括如下步骤：
1）钛基表面TiO2纳米管的制备
将钛箔依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗、化学抛光，然后以铂片为阴极，钛箔为阳极，在15V电压下阳极氧化1h，两电极之间距离2cm，温度为室温，电解液为0.5 wt%NH4F和40 wt% H2O的甘油溶液，阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的平均直径为100 nm；
2）前驱体混合溶液的制备
将0.1260 g Ba(OH)2·8H2O溶解于25 mL去CO2的离子水中，电磁搅拌20 min，形成Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将0.0120 g氧化石墨烯GO溶解于15 mL去离子水中，超声40min，电磁搅拌30 min，制得GO的水溶液，称为B液；将A液用滴管缓慢滴加到B液中，继续电磁搅拌8 min，形成前驱体混合溶液，称为C液；
3）TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备
将步骤1）制备的TiO2纳米管试样与步骤2）制备的C液转移到100 mL聚四氟乙烯反应容器中，保持填充率为40%，设定微波水热反应仪的升温速率为5℃/min，反应温度为130℃，保温时间为30 min，进行微波水热合成反应；
4）待反应完成，进一步地，步骤4）中，待反应完成，冷却到室温后取出试样，并将试样依次用盐酸和去离子水冲洗，干燥，最后在350℃马弗炉中保温1 h，随炉冷却至室温后取出。
制备试样的微观形貌图如图1，与之偶接后的304不锈钢的开路电位如图4(a)所示。
实施例二
本发明的一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，包括如下步骤：
1）钛基表面TiO2纳米管的制备
将钛箔依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗、化学抛光，然后以铂片为阴极，钛箔为阳极，在20V电压下阳极氧化1h，两电极之间距离2cm，温度为室温，电解液为0.5 wt%NH4F和40 wt% H2O的甘油溶液，阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的平均直径为140 nm；
2）前驱体混合溶液的制备
将0.0630 g Ba(OH)2·8H2O溶解于25 mL去CO2的离子水中，电磁搅拌15 min，形成Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将0.010 g氧化石墨烯GO溶解于25 mL去离子水中，超声60min，电磁搅拌20 min，制得GO的水溶液，称为B液；将A液用滴管缓慢滴加到B液中，继续电磁搅拌10 min，形成前驱体混合溶液，称为C液；
3）TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备
将步骤1）制备的TiO2纳米管试样与步骤2）制备的C液转移到100 mL聚四氟乙烯反应容器中，保持填充率为40%，设定微波水热反应仪的升温速率为20℃/min，反应温度为120℃，保温时间为20 min，进行微波水热合成反应；
4）待反应完成，进一步地，步骤4）中，待反应完成，冷却到室温后取出试样，并将试样依次用盐酸和去离子水冲洗，干燥，最后在370℃马弗炉中保温2 h，随炉冷却至室温后取出。
制备试样的微观形貌如图2，与之偶接后的304不锈钢的开路电位如图4(b)所示。
实施例三
本发明的一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，包括如下步骤：
1）钛基表面TiO2纳米管的制备
将钛箔依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗、化学抛光，然后以铂片为阴极，钛箔为阳极，在25V电压下阳极氧化1h，两电极之间距离2cm，温度为室温，电解液为0.5 wt%NH4F和40 wt% H2O的甘油溶液，阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的平均直径为160 nm；
2）前驱体混合溶液的制备
将0.2520 g Ba(OH)2·8H2O溶解于20 mL去CO2的离子水中，电磁搅拌30 min，形成Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将0.0320 g氧化石墨烯GO溶解于20 mL去离子水中，超声45min，电磁搅拌25 min，制得GO的水溶液，称为B液；将A液用滴管缓慢滴加到B液中，继续电磁搅拌5 min，形成前驱体混合溶液，称为C液；
3）TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备
将步骤1）制备的TiO2纳米管试样与步骤2）制备的C液转移到100 mL聚四氟乙烯反应容器中，保持填充率为40%，设定微波水热反应仪的升温速率为10℃/min，反应温度为150℃，保温时间为5 min，进行微波水热合成反应；
4）待反应完成，进一步地，步骤4）中，待反应完成，冷却到室温后取出试样，并将试样依次用盐酸和去离子水冲洗，干燥，最后在400℃马弗炉中保温2.5 h，随炉冷却至室温后取出。
制备试样的微观形貌如图3。
上述本发明所述的高性能TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜不仅可以抑制金属的腐蚀，具有优良的光电转换效应，作为光阳极对304不锈钢能起到良好的光生阴极保护效应。而且高性能TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜本身的稳定性良好，暗态下也能维持良好的光生阴极保护效应。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，其特征在于，
该TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜，包括如下组分：TiO2、BaTiO3和RGO，其中，BaTiO3在TiO2表面通过原位反应生成TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列，RGO则分布在TiO2/BaTiO3有序纳米管阵列的表面及管内；
TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜以钛箔经阳极氧化得到的TiO2有序纳米管阵列模板，以水热法为基础，采用微波为能量源，TiO2有序纳米管阵列模板在Ba(OH)2和GO的前驱体混合溶液中反应，使部分TiO2有序纳米管阵列模板原位反应生成BaTiO3的同时，将分散性好的RO原位还原，一步制备出的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜；
具体包括如下步骤：
1）钛基表面TiO2纳米管的制备：将钛箔超声清洗、化学抛光，然后以铂片为阴极，钛箔为阳极，在NH4F和H2O的甘油溶液中阳极氧化，阳极氧化后钛基表面TiO2纳米管的直径为100nm-160 nm；
2）前驱体混合溶液的制备：在搅拌条件下，将Ba(OH)2溶解于水中，形成Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将氧化石墨烯GO溶解于水中，分散均匀后制得GO的水溶液，称为B液；在搅拌条件下，将A液缓慢滴加到B液中，形成前驱体混合溶液，称为C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L，GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L；
3）TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的制备：将步骤1）制备的TiO2纳米管试样与步骤2）制备的C液转移到聚四氟乙烯反应容器中，保持填充率为40%，设定微波水热反应仪的升温速率为5-20℃/min，反应温度为120-150℃，保温时间为5-30min，进行微波水热合成反应；
4）待反应完成，再经煅烧处理、随炉冷却至室温后，即得TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜。
2.根据权利要求1所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，其特征在于，步骤1）中，将钛箔依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗、化学抛光。
3.根据权利要求1或2所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，其特征在于，步骤2）中，将Ba(OH)2溶解于去CO2的离子水中，电磁搅拌20-30 min，得到Ba(OH)2的澄清溶液，称为A液；将氧化石墨烯GO溶解于去离子水中，超声40-60 min，电磁搅拌20-30 min，制得GO的水溶液，称为B液；将A液缓慢滴加到B液中，继续电磁搅拌5-10 min，形成前驱体混合溶液，称为C液，其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L，GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L。
4.根据权利要求1或2所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元复合光电薄膜的快速原位制备方法，其特征在于，步骤4）中，待反应完成，冷却到室温后取出试样，并将试样依次用盐酸和去离子水冲洗，干燥，最后在350-400℃马弗炉中保温1-2.5 h，随炉冷却至室温后取出。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN106847666A CN106847666A (zh) | 2017-06-13 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110629271B (zh) * | 2019-09-29 | 2021-02-23 | 深圳大学 | 异质结薄膜及其制备方法 |
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| CN104577139A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-29 | 苏州大学 | 光响应的二氧化钛纳米管负载催化剂电极及其制备方法 |
| CN104962232A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-10-07 | 南京理工大学 | 一种Fe3O4@BaTiO3/RGO三元复合吸波材料及其制备方法 |
-
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