CN106791496B - 用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统 - Google Patents

用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统 Download PDF

Info

Publication number
CN106791496B
CN106791496B CN201610339789.2A CN201610339789A CN106791496B CN 106791496 B CN106791496 B CN 106791496B CN 201610339789 A CN201610339789 A CN 201610339789A CN 106791496 B CN106791496 B CN 106791496B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coupled
power supply
input
signal
ramp generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610339789.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106791496A (zh
Inventor
左亮
徐志浩
袁碧
邓黎平
王宇昕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omnivision Technologies Inc
Original Assignee
Omnivision Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omnivision Technologies Inc filed Critical Omnivision Technologies Inc
Publication of CN106791496A publication Critical patent/CN106791496A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106791496B publication Critical patent/CN106791496B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/709Circuitry for control of the power supply
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

本发明涉及通过连续时间读出电路中的斜坡产生器改善图像传感器电源抑制比。用于读出电路中的斜坡产生器包含:积分器,其经耦合以接收斜坡产生器输入参考信号以产生经耦合以由模/数转换器接收的参考斜坡信号。经耦合以产生所述斜坡产生器输入参考信号的电源补偿电路包含:延迟电路,其包含可变电阻器;及滤波器电容器,其经耦合以接收电源信号。所述可变电阻器经调谐以匹配从电源到位线输出的延迟涟波。电容分压器耦合到所述延迟电路以产生所述斜坡产生器输入参考信号。所述电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器,所述第一可变电容器及所述第二可变电容器经调谐以提供与从所述电源到所述位线输出的耦合比匹配的电容比。

Description

用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统
技术领域
本发明大体上涉及图像传感器。更特定来说,本发明的实例与从图像传感器像素单元读出图像数据的电路有关。
背景技术
图像传感器已经变得无处不在。它们广泛使用于数字照相机、蜂窝式电话、安全摄像机中,还广泛使用于医学、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器的技术,且特定来说,用以制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的技术继续大幅进步。举例来说,针对更高分辨率及更低电力消耗的要求已经促进CMOS图像传感器的进一步微型化及集成。
在常规CMOS有源像素传感器中,图像电荷从光敏装置(例如,光电二极管)转移且被转换成浮动扩散节点上的像素单元内的电压信号。在常规CMOS图像传感器中,在像素单元中使用放大器(例如源极跟随器电路)以放大浮动扩散节点上的信号以将图像数据输出到位线,由列读出电路读取所述图像数据。受像素单元的设计及布局约束限制,源极跟随器电路可遭受不令人满意的电源抑制比(例如-20dB)。不令人满意的电源抑制比可呈现许多挑战,其包含来自电源的可进入到输出信号路径中的噪声。源极跟随器电路及位线电路可遭受耦合自电源(例如AVDD(像素单元中使用的VDD)、HVDD(正电压泵)及NVDD(负电压泵))的噪声。此外,从每一电源到读出信号路径的耦合比及电源的涟波可引起所捕获图像中的非所要的水平涟波。
发明内容
本发明提供一种用于图像传感器的读出电路中的斜坡产生器,其包括:积分器电路,其具有经耦合以接收斜坡产生器输入参考信号的第一输入及经耦合以接收恒定输入信号的第二输入,其中所述积分器电路经耦合以产生经耦合以由模/数转换器接收的参考斜坡信号;及电源补偿电路,其经耦合以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电源补偿电路包含:延迟电路,其包含:可变电阻器,其经耦合以接收电源信号,所述电源信号表示经耦合以将电力供应到所述图像传感器的像素单元的电源;及滤波器电容器,其耦合到所述可变电阻器,其中所述可变电阻器经耦合以调谐成使从所述电源到所述像素单元的位线输出的延迟涟波与从所述电源信号到所述斜坡产生器输入参考信号的延迟涟波匹配;及电容分压器,其耦合到所述延迟电路以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器,其中所述第一可变电容器及所述第二可变电容器经耦合以调谐成提供与从所述电源到所述像素单元的所述位线输出的耦合比匹配的所述电容分压器的电容比。
本发明还提供一种成像系统,其包括:像素阵列,其包含被组织到多个行及列中以用于捕获图像数据的多个像素单元;控制电路,其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作;及读出电路,其耦合到所述像素阵列以从所述像素单元读出所述图像数据,所述读出电路包含:感测放大器电路,其耦合到与所述像素阵列的所述多个列中的一者耦合的位线以取样图像数据;模/数转换器,其耦合到所述感测放大器电路以转换由所述感测放大器电路感测到的所述图像数据;及斜坡产生器,其经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的参考斜坡信号,所述斜坡产生器包含:积分器电路,其具有经耦合以接收斜坡产生器输入参考信号的第一输入及经耦合以接收恒定输入信号的第二输入,其中所述积分器电路经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的所述参考斜坡信号;及电源补偿电路,其经耦合以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电源补偿电路包含:延迟电路,其包含:可变电阻器,其经耦合以接收电源信号,所述电源信号表示经耦合以将电力供应到所述像素阵列的所述多个像素单元的电源;及滤波器电容器,其耦合到所述可变电阻器,其中所述可变电阻器经耦合以调谐成使从所述电源到所述像素阵列的位线输出的延迟涟波与从所述电源信号到所述斜坡产生器输入参考信号的延迟涟波匹配;及电容分压器,其耦合到所述延迟电路以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器,其中所述第一可变电容器及所述第二可变电容器经耦合以调谐成提供与从所述电源到所述像素阵列的所述位线输出的耦合比匹配的所述电容分压器的电容比。
附图说明
参考以下图式描述本发明的非限制及非详尽实施例,其中贯穿各种视图相似的元件符号指代相似部件,除非另有说明。
图1是说明根据本发明的教示的实例成像系统的框图,所述实例成像系统包含具有像素单元的像素阵列及读出电路以改进芯片上的电源抑制比。
图2是说明根据本发明的教示的像素单元的一个实例的示意图,其耦合到包含具有耦合到模/数转换器的改进像素单元的电源抑制比的电源补偿电路的斜坡产生器的读出电路。
图3是说明根据本发明的教示的斜坡产生器的一个实例的示意图,所述斜坡产生器包含于具有改进电源抑制比的电源补偿电路的图像感测系统的读出电路中。
对应的参考字符指示贯穿诸图中若干视图的对应组件。所属领域的技术人员应了解,出于简单且清楚的目的说明图中的元件,且并不一定按比例绘制元件。举例来说,图中一些元件的尺寸可相对于其它元件而被夸大以帮助改善对本发明的各种实施例的理解。并且,为了更方面地了解本发明的这些各种实施例,通常不描绘在商业可行的实施例中有用或必要的常见但好理解的元件。
具体实施方式
在以下描述中,陈述众多特定细节以便提供对本发明的详尽理解。然而,对所属领域的技术人员来说,将为显而易见的是,无需运用所述特定细节来实践本发明。在其它实例中,未详细描述众所周知的材料或方法以避免使本发明模糊。
贯穿此说明书对“一个实施例”、“实施例”、“一个实例”或“实例”的参考意味着与实施例或实例相结合而描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施例中。因此,贯穿此说明书在多个地方出现短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个实例”或“实例”并不一定都指代相同的实施例或实例。此外,特定的特征、结构或特性可以任何合适的组合及/或子组合形式被组合于一或多个实施例或实例中。特定的特征、结构或特性可包含于集成电路、电子电路、组合逻辑电路或提供所描述的功能性的其它合适的组件中。另外,应了解,本文所提供的图是用于向所属领域的一般技术人员解释的目的,且并不一定按比例绘制所述图。
如将论述,根据本发明的教示的实例描述经调适用于图像传感器的读出电路中的斜坡产生器。在各种实例中,可将斜坡产生器实施为双斜坡产生器且其包含电源补偿电路。模/数转换器经耦合以从图像传感器的像素阵列接收模拟图像数据及从斜坡产生器接收斜坡参考信号。模/数转换器经耦合以从图像传感器的像素单元的位线输出接收模拟图像数据且将所述模拟图像数据转换成数字图像数据信号。斜坡产生器包含产生斜坡参考信号的积分器电路。斜坡产生器包含电源补偿电路,其经耦合以产生经耦合以由积分器电路的输入接收的斜坡产生器输入参考信号。
电源补偿电路包含延迟电路,其包含经耦合以接收电源信号的可变电阻器。电源信号表示经耦合以将电力供应到图像传感器的像素单元的电源。延迟电路还包含耦合到可变电阻器的滤波器电容器。可变电阻器经耦合经调谐以使从电源到像素单元的位线输出的延迟涟波与从电源信号到斜坡产生器输入参考信号的延迟涟波匹配。电容分压器耦合到延迟电路以产生斜坡产生器输入参考信号。电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器。第一可变电容器及第二可变电容器经耦合以调谐成提供与从电源到像素阵列的位线输出的耦合比匹配的电容分压器的电容比。在各种实例中,积分器电路还包含经耦合以接收恒定输入信号的第二输入。
在从图像传感器的读出期间,电源补偿电路连续地追踪来自图像传感器的位线输出的特性,使得电源涟波对位线输出的比率及延迟匹配从电源到经耦合以由模/数转换器接收的参考斜坡信号的延迟。因此,根据本发明的教示,在模/数转换器的输入处将抵消两个单独路径上的任何电源变化。
为说明,图1是说明根据本发明的教示的实例成像系统的框图,所述实例成像系统包含使用具有像素单元的像素阵列实施的图像传感器及读出电路以改进电源抑制比。如所展示,图1描绘根据本发明的教示的图像感测系统100的一个实例,图像感测系统100包含具有斜坡产生器的读出电路104,所述斜坡产生器包含改进位线输出中的电源抑制比的电源补偿电路。如所描绘的实例中展示,成像系统100包含耦合到控制电路108的像素阵列102及耦合到功能逻辑106的读出电路104。
在一个实例中,像素阵列102是成像传感器或像素单元(例如,像素单元P1、P2、P3、……、Pn)的二维(2D)阵列。在一个实例中,每一像素单元是CMOS成像像素。如所说明,每一像素被布置到行(例如,行R1到Ry)及列(例如,列C1到Cx)中以获得个人、位置、对象等等的图像数据,接着可使用所述图像数据以再现所述个人、位置、对象等等的2D图像。
在一个实例中,在每一像素单元已积累其图像数据或图像电荷之后,所述图像数据经耦合以由读出电路104通过列位线110接收且接着将其转移到功能逻辑106。在各种实例中,读出电路104还可包含额外放大电路、取样电路、额外模/数(ADC)转换电路或其它电路。功能逻辑106可简单存储所述图像数据或甚至通过应用后图像效果(例如,剪裁、旋转、消除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)操纵所述图像数据。在一个实例中,读出电路104可沿着读出列位线110一次读出一行图像数据(已说明),或可使用例如串行读出或同时全并行读出所有像素的多种其它技术(未说明)来读出所述图像数据。
在一个实例中,控制电路108耦合到像素阵列102以控制像素阵列102的操作特性。举例来说,控制电路108可产生用于控制图像采集的快门信号。在一个实例中,所述快门信号为全局快门信号,其用于同时启用像素阵列102内的所有像素以在单采集窗期间同时捕获其相应的图像数据。在另一个实例中,所述快门信号为滚动快门信号,使得在连续采集窗期间循序地启用像素的每一行、列或群组。
图2是说明根据本发明的教示的像素单元的一个实例的示意图,其耦合到包含斜坡产生器的读出电路,所述斜坡产生器具有改进耦合到模/数转换器的位线输出中的电源抑制比的电源补偿电路。特定来说,图2展示根据本发明的教示的像素阵列202的像素单元212的一个实例的示意图,所述像素阵列耦合到具有补偿像素阵列202的像素单元212的电源中的涟波或变化的读出架构的一列读出电路204。应注意,图2的像素单元212、像素阵列202及读出电路204可为图1的像素单元P1、P2、……Pn、像素阵列102及读出电路104的实例,且下文所引用的经类似地命名及编号的元件类似于如上文所描述般耦合及起作用。
在图2中所描绘的实例中,将像素单元212说明为四晶体管(4T)像素单元。应了解,像素单元212是用于在像素阵列202内实施每一像素单元的像素电路架构的一个可能实例。然而,应了解,根据本发明的教示的其它实例不一定限制为4T像素架构。受益于本发明的所属领域的一般技术人员应理解,根据本发明的教示,本发明教示也适用于3T设计、5T设计及各种其它像素单元架构。
在图2中所描绘的实例中,像素单元212包含光敏元件(其也可称为积累图像电荷的光电二极管(PD)214)、转移晶体管T1 216、复位晶体管T2 218、浮动扩散(FD)节点222、放大器晶体管(其被说明为源极跟随器(SF)晶体管T3 224)及行选择晶体管T4 226。在操作期间,转移晶体管T1 216接收转移信号TX,其将光敏元件PD 214中所积累的图像电荷选择性地转移到浮动扩散FD节点222。
如所说明的实例中展示,复位晶体管T2 218耦合于电源电压(VRFD)与浮动扩散节点FD 222之间以响应于复位信号RST而复位像素单元212中的电平(例如,将浮动扩散节点FD 222及光敏元件PD 214放电或充电到预设电压)。浮动扩散节点FD 222经耦合以控制放大器晶体管SF T3 224的栅极。此外,放大器晶体管SF T3 224耦合于电源电压(AVDD)与行选择晶体管RS T4 226之间。放大器晶体管SF T3 224作为源极跟随器放大器操作以提供到浮动扩散节点FD 222的高阻抗连接。另外,图2中所描绘的实例还说明可沿着图像数据信号输出路径存在的各种寄生电容。各种寄生电容性地耦合到各种电源电压,其包含(例如)正电压泵(HVDD)及负电压泵(NVDD)。行选择晶体管RS T4 226响应于行选择信号RS而将像素单元212的图像数据输出选择性地耦合到读出列位线输出210。在所说明的实例中,位线输出210经耦合以从像素阵列202的列选择性地读出图像数据。
图2中所描绘的实例还说明一列读出电路204,其包含感测放大器电路228,其耦合到位线输出210以从像素阵列202的像素单元212读出图像数据。在一个实例中,可取样使用感测放大器电路228所感测的图像数据,且接着将其输出到模/数转换器230,所述模/数转换器转换从感测放大器电路228所接收到的感测的模拟图像数据。
在一个实例中,模/数转换器230还经耦合以从斜坡产生器232接收参考斜坡信号Vramp 234。在模/数转换器230的转换过程期间,参考斜坡信号Vramp 234从初值减小(或增大)。在一个实例中,模/数转换器230在转换过程完成之后响应于参考斜坡信号Vramp 234及从感测放大器电路228接收到的模拟图像数据信号而输出数字图像数据238。在一个实例中,接着可由(例如)如图1中所展示的功能逻辑106接收数字图像数据238。
如下文将详细论述,在一个实例中,斜坡产生器232经耦合以接收电源信号220,其表示将电力(例如,AVDD/HVDD/NVDD)提供到图像传感器的像素单元212所使用的电源。包含于斜坡产生器232内的电源补偿电路经耦合以连续地追踪电源以补偿发生于电源中的变化或涟波。斜坡产生器232可根据本发明的教示通过调整经耦合以由模/数转换器230接收的参考斜坡信号Vramp 234的初值来补偿所述变化或涟波,以改进电源抑制比。因此,根据本发明的教示,将抵消模/数转换器230的输入处的两个单独路径(来自位线输出210及来自斜坡产生器232)中的任何电源变化。
为说明,图3是说明根据本发明的教示的包含于改进位线输出中的电源抑制比的图像感测系统的读出电路中的斜坡产生器332的一个实例的示意图。应注意,图3的像素单元312、模/数转换器330及斜坡产生器332可为图2的像素单元212、模/数转换器230及斜坡产生器232的实例,且因此下文所引用的经类似地命名及编号的元件类似于如上文所描述般耦合及起作用。
如图3中所描绘的实例中展示,模/数转换器330的输入部分包含比较器336,其具有经电容性地耦合以从来自像素电路312的位线输出310接收图像数据的第一输入。比较器336的第二输入经电容性地耦合以从斜坡产生器332接收参考斜坡信号Vramp 334。在一个实例中,复位开关RST_1及RST_2经耦合以选择性地复位如所展示的比较器336的第一及第二输入。
如所说明的实例中展示,斜坡产生器332经耦合以产生参考斜坡信号Vramp 334。在一个实例中,将斜坡产生器332实施为双斜坡产生器且其包含积分器电路366,其具有积分器耦合的运算放大器342,其具有经耦合以从电源补偿电路340接收斜坡产生器输入参考信号372的第一输入(其被展示为非反相输入(+))。在实例中,运算放大器342的非反相输入还经耦合以通过Samp_ref参考取样开关350选择性地取样参考信号VREF 352。在一个实例中,参考信号VREF 352可为2伏特。
积分器电路366的运算放大器342还包含经耦合以接收恒定输入信号的第二输入(其被说明为反相输入(-))。在一个实例中,恒定输入信号经耦合以从恒定电流源348接收。运算放大器342的输出经耦合以产生经耦合以由模/数转换器330接收的参考斜坡信号Vramp 334。运算放大器342的反相输入通过电容器Cint 344也电容性地耦合到运算放大器342的输出。另外,Integ均衡开关346耦合于运算放大器342的反相输入与输出之间。在一个实例中,Integ均衡开关346经调适为接通或闭合以均衡运算放大器342的反相输入及输出。在一个实例中,Integ均衡开关346被断开以开始积分过程或开始参考斜坡信号Vramp 334的下一斜坡。
如所说明的实例中展示,电源补偿电路340位于斜坡产生器332内部。电源补偿电路340经耦合以产生斜坡产生器输入参考信号372,其经耦合以由积分器电路366的运算放大器342的非反相输入接收。在图3中所描绘的实例中,电源补偿电路340包含延迟电路368,其包含经耦合以接收电源信号320的可变电阻器R 354,所述电源信号表示将电力(例如,AVDD/HVDD/NVDD)提供到图像传感器的像素单元312所使用的电源。在实例中,延迟电路368还包含耦合到可变电阻器R 354的滤波器电容器Cfilter 356。在一个实例中,根据本发明的教示,可变电阻器R 354经耦合以调谐成使从电源(AVDD/HVDD/NVDD)到像素单元的位线输出310的延迟涟波与从电源信号320到斜坡产生器输入参考信号Vramp 334的延迟涟波匹配。
图3中所描绘的实例还说明电源补偿电路340进一步包含电容分压器370,其耦合到延迟电路368以产生斜坡产生器输入参考信号372。在实例中,电容分压器370包含耦合到第二可变电容器C2 360的第一可变电容器C1 358,如所展示。在实例中,根据本发明的教示,第一可变电容器C1 358及第二可变电容器C2 360经耦合以调谐成提供与从电源(AVDD/HVDD/NVDD)到像素单元的位线输出310的耦合比匹配的电容分压器370的电容比。
在所描绘的实例中,电源补偿电路340进一步包含耦合于延迟电路368与电容分压器370之间的PSRR_en开关362。在实例中,PSRR_en开关362经耦合以选择性地启用电容分压器370以通过延迟电路368接收电源信号320。图3中所描绘的实例还说明电源补偿电路340还包含耦合于电容分压器370与接地之间的PSRR_enb开关364,如所展示。在实例中,根据本发明的教示,PSRR_enb开关364经耦合以选择性地将电容分压器370放电,如所展示。
在一个实例中,在操作期间在每一读出发生之前,通过Samp_ref参考取样开关350将参考信号VREF 352选择性地取样到运算放大器342的非反相输入上。在取样参考信号VREF 352之后,切断Samp-ref参考取样开关350。在读出期间,电源补偿电路332使用电源信号320连续地追踪位线输出310的特性,使得电源涟波对输出位线310的比率及延迟与电源涟波到参考斜坡信号Vramp 334的延迟匹配。因此,将抵消模/数转换器330的运算放大器366的输入处的两个单独路径上的任何电源变化或涟波。使用电容器C1及C2调谐比率,而使用电阻器R调谐延迟以匹配从电源(AVDD/HVDD/NVDD)到位线输出310的路径。
本发明所说明的实例的上文描述(包含说明书摘要中所描述的内容)不希望为详尽的或被限制为所揭示的精确形式。虽然出于说明的目的,本文描述本发明的特定实施例及实例,但在不背离本发明的更广泛精神及范围的情况下,各种等效修改为可能的。
鉴于上文详细的描述,可对本发明的实例做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应被解释为将本发明限制于说明书及权利要求书中揭示的特定实施例。实情是,所述范围将完全由所附权利要求书确定,所述权利要求书将根据已经确定的权利要求解释的公认原则来解释。因此,本说明书及图被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (12)

1.一种用于图像传感器的读出电路中的斜坡产生器,其包括:
积分器电路,其具有经耦合以接收斜坡产生器输入参考信号的第一输入及经耦合以接收恒定输入信号的第二输入,其中所述积分器电路经耦合以产生经耦合以由模/数转换器接收的参考斜坡信号;及
电源补偿电路,其经耦合以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电源补偿电路包含:
延迟电路,其包含:可变电阻器,其经耦合以接收电源信号,所述电源信号表示经耦合以将电力供应到所述图像传感器的像素单元的电源;及滤波器电容器,其耦合到所述可变电阻器,其中所述可变电阻器经耦合以调谐成使从所述电源到所述像素单元的位线输出的延迟涟波与从所述电源信号到所述斜坡产生器输入参考信号的延迟涟波匹配;及
电容分压器,其耦合到所述延迟电路以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器,其中所述第一可变电容器及所述第二可变电容器经耦合以调谐成提供与从所述电源到所述像素单元的所述位线输出的耦合比匹配的所述电容分压器的电容比。
2.根据权利要求1所述的斜坡产生器,其中所述电源补偿电路进一步包含:
第一开关,其耦合于所述延迟电路与所述电容分压器之间,其中所述第一开关经耦合以选择性地启用所述电容分压器以通过所述延迟电路接收所述电源信号;及
第二开关,其耦合到所述电容分压器,其中所述第二开关经耦合以使所述电容分压器选择性地放电。
3.根据权利要求1所述的斜坡产生器,其中所述积分器电路包括:
运算放大器,其包含经耦合以从所述电容分压器接收所述斜坡产生器输入参考信号的第一输入,其中所述运算放大器的第二输入电容性地耦合到运算放大器的输出且进一步经耦合以接收所述恒定输入信号;其中所述运算放大器的所述输出经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的所述参考斜坡信号;及
均衡开关,其耦合于所述运算放大器的所述第二输入与所述输出之间,其中所述均衡开关经调适成接通以均衡所述运算放大器的所述第二输入及所述输出。
4.根据权利要求3所述的斜坡产生器,其中所述运算放大器的所述第一输入进一步经耦合以通过参考取样开关选择性地取样参考电压。
5.根据权利要求3所述的斜坡产生器,其中所述恒定输入信号经耦合以从恒定电流源接收。
6.一种成像系统,其包括:
像素阵列,其包含被组织到多个行及列中以用于捕获图像数据的多个像素单元;
控制电路,其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作;及
读出电路,其耦合到所述像素阵列以从所述像素单元读出所述图像数据,所述读出电路包含:
感测放大器电路,其耦合到与所述像素阵列的所述多个列中的一者耦合的位线以取样图像数据;
模/数转换器,其耦合到所述感测放大器电路以转换由所述感测放大器电路感测到的所述图像数据;及
斜坡产生器,其经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的参考斜坡信号,所述斜坡产生器包含:
积分器电路,其具有经耦合以接收斜坡产生器输入参考信号的第一输入及经耦合以接收恒定输入信号的第二输入,其中所述积分器电路经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的所述参考斜坡信号;及
电源补偿电路,其经耦合以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电源补偿电路包含:
延迟电路,其包含:可变电阻器,其经耦合以接收电源信号,所述电源信号表示经耦合以将电力供应到所述像素阵列的所述多个像素单元的电源;及滤波器电容器,其耦合到所述可变电阻器,其中所述可变电阻器经耦合以调谐成使从所述电源到所述像素阵列的位线输出的延迟涟波与从所述电源信号到所述斜坡产生器输入参考信号的延迟涟波匹配;及
电容分压器,其耦合到所述延迟电路以产生所述斜坡产生器输入参考信号,其中所述电容分压器包含耦合到第二可变电容器的第一可变电容器,其中所述第一可变电容器及所述第二可变电容器经耦合以调谐成提供与从所述电源到所述像素阵列的所述位线输出的耦合比匹配的所述电容分压器的电容比;及
功能逻辑,其耦合到所述读出电路以存储从所述多个像素单元读出的所述图像数据。
7.根据权利要求6所述的成像系统,其中所述电源补偿电路进一步包含:
第一开关,其耦合于所述延迟电路与所述电容分压器之间,其中所述第一开关经耦合以选择性地启用所述电容分压器以通过所述延迟电路接收所述电源信号;及第二开关,其耦合到所述电容分压器,其中所述第二开关经耦合以使所述电容分压器选择性地放电。
8.根据权利要求6所述的成像系统,其中所述积分器电路包括:
第一运算放大器,其包含经耦合以从所述电容分压器接收所述斜坡产生器输入参考信号的第一输入,其中所述第一运算放大器的第二输入电容性地耦合到所述运算放大器的输出且进一步经耦合以接收所述恒定输入信号,其中所述第一运算放大器的所述输出经耦合以产生经耦合以由所述模/数转换器接收的所述参考斜坡信号;
均衡开关,其耦合于所述第一运算放大器的所述第二输入与所述输出之间,其中所述均衡开关经调适成接通以均衡所述第一运算放大器的所述第二输入及所述输出。
9.根据权利要求8所述的成像系统,其中所述第一运算放大器的所述第一输入进一步经耦合以通过参考取样开关选择性地取样参考电压。
10.根据权利要求8所述的成像系统,其中所述恒定输入信号经耦合以从恒定电流源接收。
11.根据权利要求6所述的成像系统,其中所述模/数转换器包含第二运算放大器,其具有经电容性地耦合以接收由所述感测放大器电路感测的所述图像数据的第一输入,其中所述第二运算放大器具有经电容性地耦合以从所述斜坡产生器接收所述参考斜坡信号的第二输入。
12.根据权利要求11所述的成像系统,其中所述模/数转换器进一步包含耦合到所述第二运算放大器的所述第一输入的第一复位开关,及耦合到所述第二运算放大器的所述第二输入的第二复位开关,其中所述第一及第二复位开关经耦合以选择性地复位所述第二运算放大器的所述第一及第二输入。
CN201610339789.2A 2015-11-16 2016-05-20 用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统 Active CN106791496B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/942,622 US9571775B1 (en) 2015-11-16 2015-11-16 Image sensor power supply rejection ratio improvement through ramp generator in continuous time readout circuitry
US14/942,622 2015-11-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106791496A CN106791496A (zh) 2017-05-31
CN106791496B true CN106791496B (zh) 2018-10-02

Family

ID=57964470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610339789.2A Active CN106791496B (zh) 2015-11-16 2016-05-20 用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9571775B1 (zh)
CN (1) CN106791496B (zh)
TW (1) TWI620443B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10827143B2 (en) * 2018-02-23 2020-11-03 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor clamping method with divided bit lines
EP3598740B1 (en) 2018-02-27 2022-09-14 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Image sensor and output compensation circuit of image sensor
US10721427B2 (en) * 2018-06-25 2020-07-21 Primesensor Technology Inc. Image sensor circuit and ramp signal generator thereof
CN110740276B (zh) * 2018-07-19 2024-03-01 格科微电子(上海)有限公司 减少图像传感器中输入斜坡信号串扰的方法、差分电路
CN109495700B (zh) * 2018-10-30 2021-04-16 成都微光集电科技有限公司 一种使用斜坡发生器的消除暗电流的电路及其系统
US10826470B2 (en) * 2019-03-13 2020-11-03 Omnivision Technologies, Inc. Integrating ramp circuit with reduced ramp settling time
CN110146179B (zh) * 2019-04-30 2020-05-22 北京安酷智芯科技有限公司 一种非制冷红外列级积分及单斜率转换读出电路
KR20210020807A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 삼성전자주식회사 이미지 센서의 전원 공급 제거비 보상 범위 증가를 위한 방법 및 시스템
US10841525B1 (en) * 2019-08-23 2020-11-17 Omnivision Technologies, Inc. Image data readout circuit with shared data bus
KR20210032722A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
US11595030B2 (en) * 2020-05-05 2023-02-28 Omnivision Technologies, Inc. Ramp generator providing high resolution fine gain including fractional divider with delta-sigma modulator
US11240458B2 (en) * 2020-06-12 2022-02-01 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with capacitor randomization for column gain
US11290674B1 (en) * 2020-12-18 2022-03-29 Omnivision Technologies, Inc. Column amplifier capacitor switch circuit to adjust analog gain
US11627273B2 (en) * 2021-03-30 2023-04-11 Omnivision Technologies, Inc. Current steering ramp compensation scheme and digital circuit implementation
US11770634B1 (en) * 2022-04-13 2023-09-26 Omnivision Technologies, Inc. Trimming control circuit for current integration ramp DAC settling assist circuit
US11968468B2 (en) 2022-04-13 2024-04-23 Omnivision Technologies, Inc. Calibration circuit for ramp settling assist circuit in local ramp buffer circuit
CN115396610A (zh) * 2022-08-03 2022-11-25 江南大学 浮栅型图像传感器斜坡电压的温度校正方法及读出电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102438109A (zh) * 2010-08-10 2012-05-02 佳能株式会社 恒流源和使用该恒流源的固态成像装置
CN103022066A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 三星电子株式会社 图像传感器以及包括该图像传感器的x射线图像感测模块

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH37056A (fr) * 1906-05-21 1907-04-15 Hugo Lentz Mécanisme de changement de marche pour machines motrices à fluide sous pression
KR20120058057A (ko) * 2010-11-29 2012-06-07 삼성전자주식회사 오프셋 제거 회로, 샘플링 회로 및 이미지 센서
US9148596B1 (en) 2014-04-08 2015-09-29 Omnivision Technologies, Inc. Feed-forward technique for power supply rejection ratio improvement of bit line
KR102192627B1 (ko) * 2014-04-23 2020-12-17 삼성전자주식회사 재구성형 아날로그-디지털 컨버터 및 이를 포함하는 이미지 센서

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102438109A (zh) * 2010-08-10 2012-05-02 佳能株式会社 恒流源和使用该恒流源的固态成像装置
CN103022066A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 三星电子株式会社 图像传感器以及包括该图像传感器的x射线图像感测模块

Also Published As

Publication number Publication date
TWI620443B (zh) 2018-04-01
CN106791496A (zh) 2017-05-31
US9571775B1 (en) 2017-02-14
TW201735621A (zh) 2017-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106791496B (zh) 用于改善图像传感器电源抑制比的斜坡产生器和成像系统
CN106470322B (zh) 减轻图像传感器的列固定图案噪声的读出电路
CN102905088B (zh) 固态成像装置
US20210092317A1 (en) Solid-state imaging device, control method thereof, and electronic apparatus
US10170514B2 (en) Image sensor
US4814648A (en) Low 1/f noise amplifier for CCD imagers
US9554074B2 (en) Ramp generator for low noise image sensor
US20060244854A1 (en) Image sensor with pixels having multiple capacitive storage elements
CN106060434A (zh) 通过斜坡产生器的图像传感器电源抑制比噪声消减
CN104282700B (zh) 图像传感器及其操作方法
JP6100443B2 (ja) Cmos撮像センサのために適合された増幅器
US11592331B2 (en) Pixel circuit to improve sensing efficiency, image sensor using the same and operating method thereof
TWI497997B (zh) 影像感測器
EP3799422A1 (en) Image sensor and operation method thereof
CN104980670A (zh) 图像传感器读出电路及成像系统
EP1507406B1 (en) Image sensor with active reset and randomly addressable pixels
EP3871407B1 (en) Ultra-high dynamic range cmos sensor
US6031570A (en) Image acquisition and processing system
CN108538867B (zh) 影像感测器及感测像素阵列
CN101540824A (zh) 关联双取样电路及其相关的影像感测器
JP2006033815A (ja) 固体撮像装置
CN104184966A (zh) 影像传感器
CN112866590A (zh) 一种减小图像传感器时序电路误差值的方法
JP4305097B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP2009033634A (ja) スイッチト・キャパシタ回路、およびそれを搭載した信号処理回路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant