CN104980670A - 图像传感器读出电路及成像系统 - Google Patents

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Abstract

本申请案涉及一种图像传感器读出电路及一种成像系统。一种图像传感器读出电路包含第一电流镜电路，其中响应于传导穿过第一电流路径的第一电流而控制传导穿过第二电流路径的第二电流。所述第二电流传导穿过像素电路的放大器晶体管。第一电流源耦合到所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量。第二电流源耦合到所述像素电路的电力供应轨且耦合到所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量。由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波。所述第一电流响应于来自所述第一及第二电流源的所述电流的和。

Description

图像传感器读出电路及成像系统
技术领域
本发明大体来说涉及图像传感器。更具体来说，本发明的实例涉及从图像传感器像素单元读出图像数据的电路。
背景技术
图像传感器已变得普遍存在。其广泛用于数码相机、蜂窝式电话、安全设摄像机以及医学、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器且特定来说互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的技术已不断快速地发展。举例来说，对较高分辨率及较低电力消耗的需求已促进了CMOS图像传感器的进一步小型化及集成。
在常规CMOS有源像素传感器中，从光敏装置(例如，光电二极管)转移图像电荷并在像素单元内部于浮动扩散节点上将其转换为电压信号。在常规CMOS图像传感器中，在像素单元中使用例如源极跟随器电路的放大器来放大浮动扩散节点上的信号以将图像数据输出到由列读出电路读取的位线。受像素单元的设计及布局约束的限制，源极跟随器电路可能遭受令人不满意的电力供应拒斥比，例如-20dB。令人不满意的电力供应拒斥比可呈现许多挑战，包含来自电力供应器的可进入到输出信号路径中的噪声。此外，电力供应器的纹波可在所捕获的图像中导致不想要的水平纹波。
发明内容
本申请案的一个实施例涉及一种图像传感器读出电路，其包括：第一电流镜电路，其具有第一电流路径及第二电流路径，其中响应于传导穿过所述第一电流镜电路的所述第一电流路径的第一电流而控制传导穿过所述第一电流镜电路的所述第二电流路径的第二电流，其中所述第一电流镜电路的所述第二电流路径耦合到图像传感器的像素电路的放大器晶体管，其中所述第二电流传导穿过所述放大器晶体管；第一电流源，其耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量；及第二电流源，其耦合到所述像素电路的电力供应轨且耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量，其中由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波，其中所述第一电流响应于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。
本申请案的另一实施例涉及一种成像系统，其包括：像素阵列，其包含多个像素电路，其中所述像素电路中的每一者包含经耦合以产生所述像素电路的输出信号的放大器晶体管；控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；及读出电路，其耦合到所述像素阵列以从所述像素阵列读出图像数据，其中所述读出电路包含：第一电流镜电路，其具有第一电流路径及第二电流路径，其中响应于传导穿过所述第一电流镜电路的所述第一电流路径的第一电流而控制传导穿过所述第一电流镜电路的所述第二电流路径的第二电流，其中所述第一电流镜电路的所述第二电流路径耦合到图像传感器的像素电路的所述放大器晶体管，其中所述第二电流传导穿过所述放大器晶体管；第一电流源，其耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量；及第二电流源，其耦合到所述像素电路的电力供应轨且耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量，其中由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波，其中所述第一电流响应于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。
本申请案的又一实施例涉及一种图像传感器读出电路，其包括：输出晶体管，其耦合到输出电流路径，所述输出电流路径耦合到图像传感器的像素电路的放大器晶体管，其中穿过所述输出电流路径的输出电流传导穿过所述放大器晶体管；及可调整电容，其耦合于电力供应轨与所述输出晶体管的控制端子之间，以使得所述电力供应轨中的纹波通过所述可调整电容而电容性耦合到所述输出晶体管的所述控制端子以响应于所述电力供应轨中的所述纹波而影响穿过所述放大器晶体管的所述输出电流。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非详尽实施例，其中在所有各视图中相似参考编号指代相似部件，除非另有规定。
图1是图解说明根据本发明的教示包含具有像素单元的像素阵列及用以改进位线中的电力供应拒斥比的读出电路的实例性成像系统的框图。
图2是图解说明根据本发明的教示改进位线中的电力供应拒斥比的图像感测系统的读出电路的一个实例的示意图。
图3是更详细地图解说明根据本发明的教示改进位线中的电力供应拒斥比的图像感测系统的读出电路的一个实例的示意图。
在图式的所有数个视图中，对应参考字符指示对应组件。所属领域的技术人员将了解，图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为了有助于改进对本发明的各种实施例的理解，图中的元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大。此外，通常未描绘在商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的元件以便促进对本发明的这各种实施例的较不受阻挡的观察。
具体实施方式
在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将明了，不需要采用所述特定细节来实践本发明。在其它实例中，未详细描述众所周知的材料或方法以避免使本发明模糊。
在本说明书通篇中对“一个实施例”、“一实施例”、“一个实例”或“一实例”的提及意指结合所述实施例或实例所描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施例中。因此，在本说明书通篇的各个位置中短语“在一个实施例中”、“在一实施例中”、“一个实例”或“一实例”的出现未必全部指代同一实施例或实例。此外，在一或多个实施例或实例中，可以任何适合组合及/或子组合的形式来组合特定特征、结构或特性。特定特征、结构或特性可包含于集成电路、电子电路、组合逻辑电路或提供所描述的功能性的其它适合组件中。另外，应了解，随本文提供的各图用于向所属领域的技术人员解释的目的且图式未必按比例绘制。
根据本发明的教示的实例描述一种包含具有第一电流路径及第二电流路径的电流镜电路的图像传感器读出电路。在一个实例中，传导穿过所述第一电流路径的第一电流用于控制所述电流镜电路的所述第二电流路径中的第二电流。在一个实例中，所述电流镜电路的所述第二电流路径耦合到图像传感器的像素电路的放大器晶体管，以使得所述第二电流传导穿过放大器晶体管。在所述实例中，耦合到所述第一电流镜电路的第一电流路径的第一电流源用于提供所述第一电流的实质上恒定电流分量。耦合到像素电路的电力供应轨的第二电流源也耦合到所述第一电流镜电路的第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量。在所述实例中，由所述第二电流源提供的纹波电流分量响应于所述像素电路的电力供应轨中的纹波。因此，在所述实例中，根据本发明的教示，所述第一电流实质上等于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。根据本发明的教示，由于由所述第二电流源提供的纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波(其可例如由电力供应器中的噪声导致)，因此穿过放大器晶体管的电流中的纹波具有与电力供应轨中的噪声实质上相同的相位及频率，这因此提供改进的电力供应拒斥比。
为了图解说明，图1是图解说明根据本发明的教示包含提供改进的电力供应拒斥比的读出电路110的图像感测系统100的一个实例的示意图。如在所描绘的实例中所展示，成像系统100包含耦合到控制电路120及读出电路110的像素阵列105，读出电路110耦合到功能逻辑115。
在一个实例中，像素阵列105为成像传感器或像素单元(例如，像素单元P1、P2…、Pn)的二维(2D)阵列。在一个实例中，每一像素单元为CMOS成像像素。如所图解说明，每一像素单元被布置到一行(例如，行R1到Ry)及一列(例如，列C1到Cx)中以获取人、地点、物体等的图像数据，接着可使用所述图像数据再现所述人、地点、物体等的2D图像。
在一个实例中，在每一像素单元已积累其图像数据或图像电荷之后，所述图像数据由读出电路110通过列位线109读出且接着传送到功能逻辑115。在各种实例中，读出电路110还可包含额外放大电路、额外模/数(ADC)转换电路或其它。功能逻辑115可简单地存储所述图像数据或甚至通过应用图像后效果(例如，剪裁、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵所述图像数据。在一个实例中，读出电路110可沿着读出列位线109一次读出一行图像数据(所图解说明)或可使用多种其它技术(未图解说明)读出所述图像数据，例如串行读出或同时全并行读出所有像素。
在一个实例中，控制电路120耦合到像素阵列105以控制像素阵列105的操作特性。举例来说，控制电路120可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实例中，所述快门信号为用于同时启用像素阵列105内的所有像素以在单个获取窗期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，所述快门信号为滚动快门信号以使得在连续获取窗期间循序启用每一像素行、每一像素列或每一像素群组。
图2是图解说明根据本发明的教示改进位线中的电力供应拒斥比的图像感测系统的读出电路210的一个实例的示意图。在一个实例中，应了解，图2的读出电路210可为图1的读出电路110的一个实例，且下文所提及的类似命名及编号的元件可类似于如上文所描述而耦合及发挥作用。如图2中所描绘的实例中所展示，读出电路210包含具有第一电流路径222及第二电流路径223的电流镜电路221。电流镜电路221包含晶体管225及晶体管227，每一晶体管具有其相应的如所展示耦合在一起的控制端子。在所图解说明的实例中，晶体管225及227为其栅极端子耦合在一起的MOSFET。如所述实例中所展示，晶体管225的栅极端子还耦合到晶体管225的漏极端子。在所述实例中，第一电流路径222耦合到晶体管225，且第二电流路径223耦合到晶体管227，如所展示。在所述实例中，响应于传导穿过电流镜电路221的第一电流路径222的第一电流241而控制传导穿过第二电流路径223的第二电流243。
在图2中所描绘的实例中，图解说明实例性像素电路205的一部分，在一个实例中，其可为图1的像素阵列105的实例性像素单元P1、P2…、Pn中的一者的一部分。如图2的实例中所展示，像素电路205包含耦合到电力供应轨233及浮动扩散节点FD的放大器晶体管229。在所图解说明的实例中，放大器晶体管229是作为源极跟随器耦合以放大在像素电路205的浮动扩散节点FD上的信号的MOSFET。浮动扩散节点FD如所展示耦合到晶体管229的栅极端子以将图像数据作为像素电路205的输出信号231从晶体管229的源极端子输出到位线，例如图1的位线109。如图2中所描绘的实例中所展示，晶体管229的漏极端子经耦合以从电力供应轨233接收AVDD。
如图2中所描绘的实例中所展示，电流镜电路221的第二电流路径223通过晶体管245耦合到像素电路205的放大器晶体管229。因此，根据本发明的教示，传导穿过放大器晶体管229的输出电流IOUT也为传导穿过第二电流路径223的第二电流243，第二电流243是响应于传导穿过电流镜电路221的第一电流路径222的第一电流241而控制的。
在图2中所描绘的实例中，第一电流路径222经耦合以从第一电流源237接收第一电流IBG247且从第二电流源239接收第二电流IΔAVDD249，以使得传导穿过电流镜电路221的第一电流路径222的第一电流241实质上等于第一电流IBG247与第二电流IΔAVDD249的和。在一个实例中，第一电流源237为提供第一电流241的不随AVDD电力供应轨233中的噪声及纹波改变的实质上恒定电流分量的可调整理想带隙偏置电流源。在所述实例中，一旦已完成修整，第一电流源237便提供实质上恒定电流。在所述实例中，第二电流源239为耦合到电力供应轨233以提供第一电流241的响应于在电力供应轨233中发生的纹波ΔAVDD的纹波电流分量的可调整偏置电流源。在所述实例中，第二电流源239为以相同相位及频率随AVDD电力供应轨233改变的可调整偏置电流源。
如所提及，在所描绘的实例中，第一电流源237及第二电流源239两者为可调整的。在一个实例中，通过调整两个电流源的比，穿过放大器晶体管229的第二电流243可经控制以满足若干个条件。一个条件为直流(DC)条件，其中可将穿过放大器晶体管229的平均电流243设定为实质上等于放大器晶体管229的设计值，例如数μA。第二条件为交流(AC)条件，其中可将穿过放大器晶体管229的电流243设定为跨越放大器晶体管229产生响应于电力供应轨233中的ΔAVDD电压纹波的相位及频率的ΔVDS压降纹波。如此，根据本发明的教示，如所展示利用电力供应轨233中的ΔAVDD电压纹波的前馈技术用于跨越放大器晶体管229产生对应ΔVDS压降纹波，其补偿电力供应器中的纹波及噪声，且因此改进电力供应拒斥比。
图3是更详细地图解说明根据本发明的教示改进位线中的电力供应拒斥比的图像感测系统的读出电路310的一个实例的示意图。在一个实例中，应了解，图3的读出电路310可为图1的读出电路110的一个实例或图2的读出电路210的一个实例，且下文所提及的类似命名及编号的元件可类似于如上文所描述而耦合及发挥作用。如图3中所描绘的实例中所展示，读出电路310包含具有第一电流路径322及第二电流路径323的第一电流镜电路321。第一电流镜电路321包含其控制端子如所展示耦合在一起的晶体管325及晶体管327。在所图解说明的实例中，晶体管325及327为其栅极端子耦合在一起的MOSFET。如所述实例中所展示，晶体管325的栅极端子还耦合到晶体管325的漏极端子。在所述实例中，第一电流路径322传导穿过晶体管325，且第二电流路径323传导穿过晶体管327，如所展示。在所述实例中，响应于传导穿过电流镜电路321的第一电流路径322的第一电流341而控制传导穿过第二电流路径323的第二电流343。
在图3中所描绘的实例中，图解说明实例性像素电路305的一部分，在一个实例中，其可为图1的像素阵列105的实例性像素单元P1、P2…、Pn中的一者的一部分或图2的像素电路205的一个实例。因此，且下文所提及的类似命名及编号的元件可类似于如上文所描述而耦合及发挥作用。如图3的实例中所展示，像素电路305包含耦合到电力供应轨333及浮动扩散节点FD的放大器晶体管329。在所图解说明的实例中，放大器晶体管329是作为源极跟随器耦合以放大在浮动扩散节点FD上的信号的MOSFET，浮动扩散节点FD如所展示耦合到晶体管329的栅极端子以将图像数据作为像素电路305的输出信号331从晶体管329的源极端子输出到位线，例如图1的位线109。如图3中所描绘的实例中所展示，晶体管329的漏极端子经耦合以从电力供应轨333接收AVDD。
如图3中所描绘的实例中所展示，电流镜电路321的第二电流路径323通过晶体管345耦合到像素电路305的放大器晶体管329。因此，根据本发明的教示，传导穿过放大器晶体管329的输出电流IOUT也为传导穿过第二电流路径323的第二电流343，第二电流343是响应于传导穿过电流镜电路321的第一电流路径322的第一电流341而控制的。
在图3中所描绘的实例中，第一电流路径322经耦合以从第一电流源337接收第一电流IBG347且从第二电流源339接收第二电流IΔAVDD349，以使得传导穿过电流镜电路321的第一电流路径322的第一电流341实质上等于第一电流IBG347与第二电流IΔAVDD349的和。
在一个实例中，第一电流源337为提供第一电流341的不随电力供应轨333的ΔAVDD纹波改变的实质上恒定电流IBG分量的可调整理想带隙偏置电流源。在所述实例中，一旦已完成电流调整，第一电流源337便提供实质上恒定电流。在所述实例中，第二电流源339为耦合到电力供应轨333以提供第一电流341的响应于在电力供应轨333中发生的ΔAVDD纹波的纹波电流分量的可调整偏置电流源。在所述实例中，第二电流源339为以相同相位及频率随在电力供应轨333中发生的ΔAVDD纹波改变的可调整偏置电流源。
如图3中所描绘的实例中所展示，第一电流源337包含带隙参考电流源351，其为提供不随电力供应轨333的ΔAVDD纹波改变的实质上恒定电流的理想带隙偏置电流源。在所述实例中，第一电流源337还包含具有耦合到带隙参考电流源351的第一电流路径355的第二电流镜电路353。在一个实例中，第二电流镜电路353还包含耦合到第一电流镜电路321的第一电流路径322的第二电流路径357。如在所描绘的实例中所展示，第二电流路径357为耦合到第一电流镜电路321的第一电流路径322的多个切换电流路径(包含第二电流路径357及第三电流路径359)中的一者。在所图解说明的实例中，响应于修整信号TRIMA1而使用晶体管367切换第二电流路径357，且响应于修整信号TRIMAN而使用晶体管369切换第三电流路径359。在所述实例中，根据本发明的教示，可使用修整信号TRIMA1…TRIMAN来调整实质上恒定电流IBG347。
在所描绘的实例中，第二电流镜电路353也包含多个晶体管(包含晶体管375、晶体管377及晶体管379)，每一晶体管具有其相应的如所展示耦合在一起的控制端子。在所图解说明的实例中，晶体管375、377及329为其栅极端子耦合在一起的MOSFET。如所述实例中所展示，晶体管375的栅极端子也耦合到晶体管375的漏极端子。在所述实例中，第二电流镜电路353的第一电流路径355传导穿过晶体管375，第二电流镜电路353的第二电流路径357传导穿过晶体管377，且第三电流路径359传导穿过晶体管379，如所展示。在所述实例中，响应于穿过第二电流镜电路353的第一电流路径355的电流而控制传导穿过第二电流路径357及第三电流路径359的电流。
在图3中所描绘的实例中，根据本发明的教示，第二电流源339包含多个切换电流路径(包含电流路径361及电流路径363)，其耦合到第一电流镜电路321的第一电流路径322以提供第一电流341的响应于在电力供应轨333中发生的纹波ΔAVDD的纹波电流分量。在所图解说明的实例中，响应于修整信号TRIMB1而使用晶体管371切换电流路径361，且响应于修整信号TRIMBN而使用晶体管373切换电流路径363。在所述实例中，根据本发明的教示，可使用修整信号TRIMB1…TRIMBN来调整纹波电流分量IΔAVDD349。
在所描绘的实例中，第二电流源339也包含多个晶体管(包含晶体管381及晶体管383)，每一晶体管具有其相应的如所展示耦合到电力供应轨333的控制端子。在所图解说明的实例中，晶体管381及383为其栅极端子如所展示耦合到其源极端子以及电力供应轨333的自偏置MOSFET。根据本发明的教示，在其相应栅极端子如图3中所展示耦合的情况下，传导穿过晶体管381及383的相应电流响应于电力供应轨333且因此具有在电力供应轨333中发生的ΔAVDD纹波的相同相位及频率。在借助上文所论述的晶体管371及373提供切换电流路径的情况下，由晶体管381及383提供的电流提供数字可调整的数字偏置源。
根据本发明的教示，通过利用修整信号TRIMA1…TRIMAN来调整第一电流源337并利用修整信号TRIMB1…TRIMBN来调整第二电流源339，可获得第一电流源337与第二源339之间的优化比以提供两个电流源337及339的优化比，从而同时满足上文所论述的DC及AC条件。
在一个实例中，读出电路310还包含耦合于电力供应轨333与晶体管327的控制端子之间的可调整电容器C1365。因此，如图3中所描绘的实例中所展示，晶体管327的栅极端子通过可调整电容器C1365电容性耦合或AC耦合到电力供应轨333。在一个实例中，电容器C2385也耦合于晶体管327的栅极端子与接地之间。在晶体管327的栅极端子电容性或AC耦合到电力供应轨333的情况下，当电力供应轨333中存在ΔAVDD纹波时，纹波将电容性耦合到晶体管327的栅极端子。因此，根据本发明的教示，电力供应轨333中的ΔAVDD纹波通过放大器晶体管329影响传导穿过第二电流路径323的第二电流343。换句话说，如果假定晶体管327为输出晶体管且传导穿过晶体管327及放大器晶体管329的第二电流343为传导穿过输出电流路径323的输出电流，那么电力供应轨333中的ΔAVDD纹波对第二电流343的影响导致跨越放大器晶体管329的具有相同相位及频率的对应ΔVDS电压。根据本发明的教示，响应于电力供应轨333中的纹波而跨越放大器晶体管329的对应ΔVDS电压补偿电力供应轨333中的纹波，这改进电力供应拒斥比。
在替代实例中，应了解，根据本发明的教示，在可调整电容器C1365耦合于电力供应轨333与控制栅极晶体管327之间的情况下，第一电流源337及第二电流源339在读出电路310中为任选的且可借助可调整电容器C1365补偿电力供应轨333中的ΔAVDD纹波以改进电力供应拒斥比。
在一个实例中，根据本发明的教示，可响应于修整信号TRIMC而修整可调整电容器C1365的电容以调谐电容量及待由可调整电容器C1365提供的补偿。在一个实例中，可使用多种技术来实施可调整电容器C1365，举例来说，包含单个可调整金属对金属电容器或任何其它可调整电容技术，例如在集成电路芯片中利用切换金属1及金属2层。
包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并非打算为穷尽性或限制于所揭示的精确形式。尽管出于说明性目的而在本文中描述本发明的特定实施例及实例，但可在不背离本发明的较宽广精神及范围的情况下做出各种等效修改。
可根据以上详细描述对本发明的实例做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应理解为将本发明限制于说明书及权利要求书中所揭示的特定实施例。相反，范围将完全由所附权利要求书来确定，所述权利要求书将根据所创建的权利要求解释原则来加以理解。因此，应将本说明书及图视为说明性而非限制性。

Claims (24)

1.一种图像传感器读出电路，其包括：
第一电流镜电路，其具有第一电流路径及第二电流路径，其中响应于传导穿过所述第一电流镜电路的所述第一电流路径的第一电流而控制传导穿过所述第一电流镜电路的所述第二电流路径的第二电流，其中所述第一电流镜电路的所述第二电流路径耦合到图像传感器的像素电路的放大器晶体管，其中所述第二电流传导穿过所述放大器晶体管；
第一电流源，其耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量；及
第二电流源，其耦合到所述像素电路的电力供应轨且耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量，其中由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波，其中所述第一电流响应于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。
2.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其中所述第一电流源包括经耦合以实质上独立于所述电力供应轨的所述纹波而提供实质上恒定参考的带隙参考电路。
3.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其中所述第一电流源为可调整的。
4.根据权利要求3所述的图像传感器读出电路，其中所述第一电流源包括耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以调整由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量的第一多个切换电流路径。
5.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其中所述第一电流源包括包含至少第一电流路径及第二电流路径的第二电流镜电路，其中所述第二电流镜电路的所述第一电流路径耦合到带隙参考电路，且其中所述第二电流镜电路的所述第二电流路径耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径。
6.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其中所述第二电流源为可调整的。
7.根据权利要求6所述的图像传感器读出电路，其中所述第二电流源包括耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以调整由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的第二多个切换电流路径。
8.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其中包含于所述第一电流镜的所述第二电流路径中的输出晶体管的控制端子电容性耦合到所述电力供应轨。
9.根据权利要求1所述的图像传感器读出电路，其进一步包括耦合于所述电力供应轨与包含于所述第一电流镜的所述第二电流路径中的输出晶体管的控制端子之间的可调整电容。
10.一种成像系统，其包括：
像素阵列，其包含多个像素电路，其中所述像素电路中的每一者包含经耦合以产生所述像素电路的输出信号的放大器晶体管；
控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；及
读出电路，其耦合到所述像素阵列以从所述像素阵列读出图像数据，其中所述读出电路包含：
第一电流镜电路，其具有第一电流路径及第二电流路径，其中响应于传导穿过所述第一电流镜电路的所述第一电流路径的第一电流而控制传导穿过所述第一电流镜电路的所述第二电流路径的第二电流，其中所述第一电流镜电路的所述第二电流路径耦合到图像传感器的像素电路的所述放大器晶体管，其中所述第二电流传导穿过所述放大器晶体管；
第一电流源，其耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量；及
第二电流源，其耦合到所述像素电路的电力供应轨且耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量，其中由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的纹波，其中所述第一电流响应于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。
11.根据权利要求10所述的成像系统，其进一步包括耦合到所述读出电路以存储从所述像素阵列读出的所述图像数据的功能逻辑。
12.根据权利要求10所述的成像系统，其中所述第一电流源包括经耦合以实质上独立于所述电力供应轨的所述纹波而提供实质上恒定参考的带隙参考电路。
13.根据权利要求10所述的成像系统，其中所述第一电流源为可调整的。
14.根据权利要求13所述的成像系统，其中所述第一电流源包括耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以调整由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量的第一多个切换电流路径。
15.根据权利要求10所述的成像系统，其中所述第一电流源包括包含至少第一电流路径及第二电流路径的第二电流镜电路，其中所述第二电流镜电路的所述第一电流路径耦合到带隙参考电路，且其中所述第二电流镜电路的所述第二电流路径耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径。
16.根据权利要求10所述的成像系统，其中所述第二电流源为可调整的。
17.根据权利要求16所述的成像系统，其中所述第二电流源包括耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以调整由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的第二多个切换电流路径。
18.根据权利要求10所述的成像系统，其中包含于所述第一电流镜的所述第二电流路径中的输出晶体管的控制端子电容性耦合到所述电力供应轨。
19.根据权利要求10所述的成像系统，其进一步包括耦合于所述电力供应轨与包含于所述第一电流镜的所述第二电流路径中的输出晶体管的控制端子之间的可调整电容。
20.一种图像传感器读出电路，其包括：
输出晶体管，其耦合到输出电流路径，所述输出电流路径耦合到所述图像传感器的像素电路的放大器晶体管，其中穿过所述输出电流路径的输出电流传导穿过所述放大器晶体管；及
可调整电容，其耦合于电力供应轨与所述输出晶体管的控制端子之间，以使得所述电力供应轨中的纹波通过所述可调整电容而电容性耦合到所述输出晶体管的所述控制端子，以响应于所述电力供应轨中的所述纹波而影响穿过所述放大器晶体管的所述输出电流。
21.根据权利要求20所述的图像传感器读出电路，其中所述图像传感器的像素电路的所述放大器晶体管耦合到所述电力供应轨。
22.根据权利要求20所述的图像传感器读出电路，其进一步包括具有第一电流路径及第二电流路径的第一电流镜电路，其中响应于传导穿过所述第一电流镜电路的所述第一电流路径的第一电流而控制传导穿过所述第一电流镜电路的所述第二电流路径的第二电流，其中所述第二电流路径为所述输出电流路径。
23.根据权利要求22所述的图像传感器读出电路，其进一步包括第一电流源，所述第一电流源耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的实质上恒定电流分量。
24.根据权利要求23所述的图像传感器读出电路，其进一步包括第二电流源，所述第二电流源耦合到所述像素电路的所述电力供应轨且耦合到所述第一电流镜电路的所述第一电流路径以提供所述第一电流的纹波电流分量，其中由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量响应于所述电力供应轨中的所述纹波，其中所述第一电流等于由所述第一电流源提供的所述实质上恒定电流分量与由所述第二电流源提供的所述纹波电流分量的和。
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