CN106747574A - 一种微波窑用Si2N2O透波‑隔热一体化内衬材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于耐火材料领域,具体涉及一种微波窑用Si2N2O透波‑隔热一体化内衬材料及其制备方法。本发明的微波窑用Si2N2O透波‑隔热一体化内衬材料的制备方法,包括以下步骤:将表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶在惰性气氛保护下,1600℃~1750℃下煅烧60~80min,即得。本发明微波窑用Si2N2O透波‑隔热一体化内衬材料孔隙率达60~70%,介电常数为3.4~5.3,介电损耗tgδ<2.5×10‑3,在高温、高压、强腐蚀等苛刻条件下,防热隔热、承载、抗冲击、透波等多方面性能优异,在微波高温烧结窑炉方面,具有较好应用前景。
Description
技术领域
本发明属于耐火材料领域,具体涉及一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料及其制备方法。
背景技术
微波加热因其无废水、废气、废物产生,绿色环保,致密化速度快,节约能源,均匀体加热方式使材料的微观结构均匀,从而可以改善材料性能,成为近年来快速发展的研究热点领域。
微波烧结的本质是样品依靠自身的介质损耗吸收微波,从内部产生热量,呈现体积“热效应”过程,由于微波与物质之间作用的特殊性,微波窑中作为保温结构的耐火材料也具有特殊要求:保温材料除具备优异的隔热性能外,由于微波烧结升降温速度快,还应有良好的抗热震性(临界破坏温差超过1000℃),稳定的介电性能,高透波性(对微波电磁波的透过率应大于70%),且不随温度升高发生变化。
申请公布号为CN 102285799 A的中国发明专利(申请公布日为2011年12月21日)公开了一种新型透波隔热功能一体化SiO2-Si3N4复合材料及其制备方法,具体公开了将正硅酸乙酯、乙醇、水充分混合,然后加入Si3N4粉、Al2O3粉、MgO粉,制得透波隔热功能一体化的SiO2-Si3N4复合材料,该复合材料具有高的气孔率,但为复合多相材料,其成分含量不易控制。
Si2N2O是SiO2-Si3N4系统中的唯一化合物,具有与Si3N4相似的SiN3O四面体结构,比Si3N4更低的介电常数(ε<4.59,tanδ<4.9×10-3)和更优秀的高温抗热震性(临界破坏温差:1200~1300℃)。与SiO2相比,Si2N2O强度、韧性、化学稳定好,高温力学性能优,是一种综合性能更优的透波材料。
《Si2N2O陶瓷材料的制备和组织性能的研究》,刘丽宇,哈尔滨工业大学硕士论文,以氮化硅(Si3N4)和氧化硅(SiO2)为原料,以碳酸锂(Li2CO3)为烧结助剂,采用无压烧结技术制备了氮氧化硅(Si2N2O)陶瓷材料,但不是单一相的Si2N2O。关于单一相多孔Si2N2O陶瓷孔隙数量及孔径分布特征对其性能的影响尚未见有报道,现有技术中Si2N2O陶瓷材料大多还含有Si3N4和SiO2等其它成分,且其制备方法中常加入烧结助剂,影响Si2N2O材料的高温介电性能。另外,现有多孔坯体的制备工艺大多添加有机造孔剂,易造成碳元素的残留,从而影响其高温透波性能。因此,开发一种具有单一相Si2N2O的透波隔热一体化微波窑用陶瓷材料迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,该方法可制备出一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料,而且成型过程简单、易控制、加工难度小。
本发明的第二个目的在于提供一种采用上述方法制得的微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
为实现上述目的,本发明的技术方案是:
一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,包括以下步骤:将表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶,在惰性气氛保护下,1600℃~1750℃下煅烧60~80min,即得。
所述微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料为多孔单一相的Si2N2O材料。Si3N4和SiO2共熔物在1600℃-1750℃烧结,制备出气孔率可控、强度和抗热震性优越的多孔单一相的Si2N2O陶瓷材料。
上述表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶的制备方法包括下列步骤:
1)将正硅酸乙酯、水、乙醇混合,预水解0.5~2h,得混合液;
2)将非晶氮化硅粉加入步骤1)所得混合液中,混合均匀,得混合料浆;
3)调节步骤2)中混合料浆pH值至8-9,然后40℃加热0.5~1h,得到表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶。
步骤3)中加热方式为恒温水浴。
进一步地,步骤1)中正硅酸乙酯、水、乙醇的体积比为8~12:4~6:24~26。正硅酸乙酯与水发生水解反应生成SiO2。
步骤2)中非晶氮化硅粉的质量与步骤1)中正硅酸乙酯的体积之比为6:8~12。
步骤2)中混合均匀的方式为40℃磁力搅拌4h。
步骤3)中所用pH调节剂为氨水,所述氨水为NH3.H2O和H2O按照体积比为1:10的比例配制而成。
步骤3)中调节pH之后得到的混合物中,氮化硅质量百分比为20%-40%。
将非晶氮化硅粉缓慢加入到正硅酸乙酯、水、乙醇的混合溶液中,由于非晶氮化硅的部分水解,能够增强增加凝胶体气孔率。通过控制溶液的pH值和温度,制备性能稳定的SiO2均匀包覆的氮化硅凝胶。去除上清液后,直接进行冷冻干燥,即得到氮化硅表面包覆有SiO2凝胶坯体。
上述冷冻干燥为将表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶放入超级冰箱-40℃冷冻1h,然后将冷冻凝胶体置入真空干燥箱,60~80℃干燥8-12h,再降温至室温。
上述表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶,在惰性气氛保护下,先在2h内升温至800℃,然后在1h内从800℃升温至1400℃,然后在70~117min内从1400℃升温至1600℃~1750℃。
上述表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶从1400℃升温至1600℃~1750℃的升温速率为3℃/min。
上述惰性气氛优选氮气。
一种采用上述微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法得到的微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
上述Si2N2O微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料,孔隙率达60~70%,介电常数为3.4~5.3。
上述微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的介电损耗为tgδ<2.5×10-3。
本发明以正硅酸乙酯与非晶氮化硅粉为原料,采用溶胶-凝胶技术制备SiO2均匀包覆的氮化硅凝胶,然后进行冷冻干燥,在惰性气体保护下,1600℃~1750℃锻烧60~80min,得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
本发明将溶胶-凝胶工艺和冷冻干燥技术相结合,能够良好的控制材料的气孔分布、气孔率和气孔结构,该制备工艺不仅可以使坯体形成宏观气孔,还可以形成微观气孔,形成二者的复合气孔结构。
本发明微波窑用Si2N2O“透波-隔热”一体化内衬材料相对于现有的透波-隔热材料,有以下优点:
1.本发明提供了一种Si2N2O单一相陶瓷材料制备方法,无需添加烧结助剂、造孔剂,制备工艺简单,成型过程易控制。
2.本发明制备的是一种Si2N2O单一相陶瓷材料,含有多孔结构,纯度高,不仅具有隔热和透波的双重功效,还具有防热、承载、抗冲击等多方面高性能,可耐1300℃的高温,气孔率、气孔结构可控,隔热良好。
3.本发明提供的Si2N2O单一相陶瓷材料在微波窑内衬材料方面具有广泛的应用前景。
附图说明
图1为实施例1-4以及对比例所得Si2N2O基陶瓷材料的XRD图;
图2为实施例1所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的SEM图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的描述,并非对其保护范围的限制。
实施例1
将8mL正硅酸乙酯与蒸馏水4mL、乙醇24ml混合均匀,预水解0.5h,将非晶氮化硅粉6g缓慢加入上述混合溶液中,40℃磁力搅拌4h,氨水调pH值至9;然40℃恒温水浴1h,得到SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶。将SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶放入超级冰箱-40℃冷冻1h,然后将冷冻凝胶体置入真空干燥箱,60℃干燥12h,然后降温至室温。常压氮气保护下,将冷冻干燥后的SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶在2h内从常温升温至800℃,之后1h内从800℃升温至1400℃,再在70min内从1400℃升温至1600℃并保温60min,冷却至室温得到微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的孔隙率约63%,介电常数为4.4,介电损耗tgδ=2.1×10-3。
实施例2
将12mL正硅酸乙酯与蒸馏水6mL、乙醇26ml混合均匀,预水解1h,将非晶氮化硅粉6g缓慢加入上述混合溶液中,40℃磁力搅拌4h,氨水调节混合液pH值至8.5;然后40℃恒温水浴1h,得到SiO2均匀包裹的非晶氮化硅凝胶。将SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶放入超级冰箱-40℃冷冻1h,然后将冷冻凝胶体置入真空干燥箱,60℃干燥12h,然后降温至室温。常压氮气保护下,将冷冻干燥后的SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶在2h内从常温升温至800℃,之后1h内从800℃升温至1400℃,再在85min内从1400℃升温至1650℃并保温70min,冷却至室温得到微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的孔隙率约60%,介电常数为5.3,介电损耗tgδ=2.5×10-3。
实施例3
将9mL正硅酸乙酯与蒸馏水5mL、乙醇25ml混合均匀,预水解1.5h,将6g非晶氮化硅粉加入上述混合溶液中,40℃磁力搅拌4h,氨水调节混合液pH值至8;然后40℃恒温水浴0.5h,得到SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶。将SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶放入超级冰箱-40℃冷冻1h,然后将冷冻凝胶体置入真空干燥箱,60℃干燥12h,然后降温至室温。常压氮气保护下,将冷冻干燥后的SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶在2h内从常温升温至800℃,之后1h内从800℃升温至1400℃,再在100min内从1400℃升温至1700℃并保温80min,冷却至室温得到微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的孔隙率约66%,介电常数为4.1,介电损耗tgδ=2×10-3。
实施例4
将10mL正硅酸乙酯与蒸馏水5mL、乙醇25ml混合均匀,预水解2h,将非晶氮化硅粉6g加入上述混合溶液中,40℃磁力搅拌4h,氨水调节混合液pH值至8;然后40℃恒温水浴0.5h,得到SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶。将SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶放入超级冰箱-40℃冷冻1h,然后将冷冻凝胶体置入真空干燥箱,60℃干燥12h,然后降温至室温。常压氮气保护下,将冷冻干燥后的SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶在2h内从常温升温至800℃,之后1h内从800℃升温至1400℃,再在117min内从1400℃升温至1750℃并保温75min,冷却至室温得到单一相微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的孔隙率约70%,介电常数为3.4,介电损耗tgδ=1.8×10-3。
对比例
将10mL正硅酸乙酯与蒸馏水5mL、无水乙醇25ml混合均匀,预水解0.5h,将非晶氮化硅粉6g缓慢加入上述混合溶液中,40℃磁力搅拌4h,氨水调pH值至8;然后40℃恒温水浴0.5h,得到SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶。常压氮气保护下,将SiO2均匀包覆的非晶氮化硅凝胶在2h内从常温升温至800℃,之后1h内从800℃升温至1400℃,50min内从1400℃升温至1550℃并保温60min即得Si2N2O基陶瓷材料。
所得Si2N2O基陶瓷材料的孔隙率约70%。
所得Si2N2O基陶瓷材料还含有SiO2、α-Si3N4相杂质。
实验例
1)采用常用的孔隙率、介电常数、介电损耗测试方法对实施例1-4以及对比例所得Si2N2O基陶瓷材料进行性能测试,结果如表1所示。
表1实施例1-4及对比例所得Si2N2O基陶瓷材料的性能测试结果
实施例 | 孔隙率 | 介电常数 | 介电损耗 | 相纯(是否) |
实施例1 | 63% | 4.4 | 2.1×10-3 | 是 |
实施例2 | 60% | 5.3 | 2.5×10-3 | 是 |
实施例3 | 66% | 4.1 | 2×10-3 | 是 |
实施例4 | 70% | 3.4 | 1.8×10-3 | 是 |
对比例 | 70% | —— | —— | 否 |
2)对实施例1-4及对比例所得Si2N2O基陶瓷材料进行XRD测试,测试结果如图1所示。
由图1可知,1600℃~1750℃煅烧得到的为纯相的Si2N2O陶瓷材料,其中不含有其它杂质相;1550℃得到的陶瓷材料中不仅含有Si2N2O,还含有α-Si3N4和SiO2两种相;由上述分析可知,1600℃~1750℃煅烧所得材料为单一相的微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
3)将实施例1所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料进行扫描电镜测试,结果如图2所示。
由图2 SEM图可得,实施例1所得微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料为较为均匀孔隙结构,有两种气孔,一种是晶界处较大的通气孔,气孔尺寸大概1~5um,气孔率在30~40%;一种是晶粒内部的闭气孔,气孔尺寸为纳米级,气孔率占体积50%以上。
Claims (9)
1.一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶,在惰性气氛保护下,1600℃~1750℃下煅烧60~80min,即得。
2.根据权利要求1所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,所述表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶的制备方法包括以下步骤:
1)将正硅酸乙酯、水、乙醇混合,预水解0.5~2h,得混合液;
2)将非晶氮化硅粉加入步骤1)所得混合液中,混合均匀,得混合料浆;
3)调节步骤2)中混合料浆pH值至8-9,然后40℃加热0.5~1h,得到表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶。
3.根据权利要求2所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中正硅酸乙酯、水、乙醇的体积比为8~12:4~6:24~26。
4.根据权利要求2所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中非晶氮化硅粉的质量与步骤1)中正硅酸乙酯的体积之比为6:8~12。
5.根据权利要求2所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中所用pH调节剂为氨水,所述氨水为NH3 .H2O和H2O按照体积比为1:10的比例配制而成。
6.根据权利要求2所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中调节pH之后得到的混合物中,非晶氮化硅质量百分比为20%~40%。
7.根据权利要求1所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法,其特征在于,所述表面包覆有SiO2的氮化硅凝胶,在惰性气氛保护下,先在2h内升温至800℃,然后在1h内从800℃升温至1400℃,然后在70~117min内从1400℃升温至1600℃~1750℃。
8.一种采用如权利要求1所述的一种微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的制备方法得到的微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料。
9.根据权利要求8所述的微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料,其特征在于,所述微波窑用Si2N2O透波-隔热一体化内衬材料的孔隙率为60~70%,介电常数为3.4~5.3。
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