CN106732738B - 一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 - Google Patents
一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106732738B CN106732738B CN201710081247.4A CN201710081247A CN106732738B CN 106732738 B CN106732738 B CN 106732738B CN 201710081247 A CN201710081247 A CN 201710081247A CN 106732738 B CN106732738 B CN 106732738B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- laminated film
- dimensional network
- preparation
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 77
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 7
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 5
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 6
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 6
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/24—Nitrogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
- C02F2101/36—Organic compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
- C02F2101/38—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
- C02F2101/40—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2305/00—Use of specific compounds during water treatment
- C02F2305/10—Photocatalysts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明涉及一种石墨烯/g‑C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用,复合薄膜是以石墨烯为载体,纳米片状g‑C3N4分布在石墨烯表面,形成具有三维网络结构的复合薄膜。制备:氧化石墨烯/g‑C3N4混合分散液抽滤成膜,得到复合薄膜,然后还原,冲洗、烘干,得到干燥薄膜;将干燥薄膜施加电压,即得。本发明的制备方法简单,所得到的石墨烯/g‑C3N4三维网络复合薄膜具有较多的连通孔洞,此薄膜既具有石墨烯的高吸附特性,又结合了g‑C3N4光催化降解有机污染物的优点,在光催化降解有机污染物上有很大的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于光催化材料及其制备和应用领域,特别涉及一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用。
背景技术
g-C3N4即类石墨相氮化碳,是一种新型的光催化剂,具有典型的半导体特性,具有无毒、机械性能强、原料价格便宜、氧化能力强和电子迁移速率高以及良好的化学稳定性、较窄的禁带宽度(Eg=2.7eV)和可见光响应等优点,已引起人们的广泛关注。但g-C3N4材料也存在光生电子-空穴对复合率较高、量子效率低、比表面积小等缺点。纳米片状g-C3N4与块体 g-C3N4相比不仅具有较大的比表面积,而且具有更大的禁带宽度,使光催化氧化还原活性得到增强。相比于过渡金属催化剂,g-C3N4因为是不含金属元素的可见光催化剂,有适宜的带隙,能吸收可见光,在应用于光催化降解污染物的领域已被广泛研究。
石墨烯由于其优异的光、电性能,已经得到了广泛关注,并且其是一种良好的载体材料,它可以与其他材料复合制备出性能优异的的复合材料。通过将石墨烯与半导体材料复合,当半导体材料被光照射时,光生电子可以注入到石墨烯中,有效防止光生电子和空穴的复合,从而提高光催化效率。当光照射时,因能带结构的调整,石墨烯能发挥光敏化剂的作用,使一些半导体材料的吸收范围扩大到可见光区域,有效提高了对太阳能的利用率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备方法,本发明制备方法简单,制作成本低廉,工艺简便,本发明的方法制得的三维多孔石墨烯/g-C3N4复合薄膜可将石墨烯的高吸附特性与g-C3N4的光催化作用有效的结合起来,具有优异的光催化降解污染物特性。
本发明的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜,所述复合薄膜是以石墨烯为载体,纳米
片状g-C3N4分布在石墨烯表面,形成具有三维网络结构的复合薄膜。
本发明的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,包括:
(1)将氧化石墨烯和g-C3N4中加去离子水并超声,得到氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液;
(2)将氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液抽滤成膜,得到复合薄膜,然后浸入氢碘酸中还原,冲洗、烘干,得到干燥薄膜;
(3)将干燥薄膜施加电压,待薄膜中的碘离子溢出后,即得石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。
所述步骤(1)中g-C3N4为以三聚氰胺为原料,经两次高温焙烧制得纳米片状g-C3N4。
g-C3N4的制备具体为:将三聚氰胺放于坩埚中,将坩埚置于马弗炉中以2~10℃/min的升温速度升至550~650℃,保温1~4h,得到g-C3N4颗粒,将上述得到的g-C3N4颗粒充分研磨后置于坩埚中,再次置于马弗炉中以1~3℃/min的升温速度升至450~550℃,保温2~10 h,即得到纳米片状g-C3N4。
所述步骤(1)中超声为:超声采用超声波分散机进行超声,功率为100~400W,超声时间为1~72h。
所述步骤(1)中氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液中氧化石墨烯浓度为0.01~5mg/mL;g-C3N4浓度为0.01~20mg/mL。
所述步骤(2)中抽滤时间为10~96h,抽滤为用砂芯漏斗抽滤成膜;还原为浸入氢碘酸中还原10~120min。
所述步骤(2)中冲洗为用乙醇和去离子水各冲洗1~10次;烘干具体为:烘箱设置温度为 10~50℃,保温0.5~12h。
所述步骤(3)中施加电压为:施加电压为5~25V,时间为1~8min。
本发明的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的应用,在光催化降解污染物中的应用。
本发明首先制备出纳米片状g-C3N4,再将g-C3N4与氧化石墨烯加入去离子水中超声得到氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液,真空抽滤混合分散液得到氧化石墨烯/g-C3N4复合薄膜,用氢碘酸还原制备石墨烯/g-C3N4复合薄膜,对复合薄膜通电,即可快速获得石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。本发明的制备方法简单,所得到的石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜具有较多的连通孔洞,此薄膜既具有石墨烯的高吸附特性,又结合了g-C3N4光催化降解有机污染物的优点,在光催化降解有机污染物上有很大的应用前景。
本发明将石墨烯与g-C3N4进行复合制备得到的复合材料,不仅能发挥石墨烯优异的电学性能并能有效的阻止g-C3N4光生电子-空穴对的复合,又能结合石墨烯的吸附作用,整体提升催化剂降解污染物的活性。
有益效果
(1)本发明的制备方法简单,制作成本低廉,工艺简便;
(2)本发明通过石墨烯和g-C3N4的结合,以石墨烯为载体,使g-C3N4分布在石墨烯表面,可有效的阻止g-C3N4的团聚以及其光生电子-空穴对的复合;
(3)本发明所制备的薄膜为三维多孔结构,在光催化应用时,可提高其吸附作用,使其具有更优异的光催化降解性能,具有良好的环境效益和经济效益。
附图说明
图1为实施例1制备石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的扫描电镜图(SEM);
图2为实施例1制备石墨烯/g-C3N4复合薄膜未加电压前的扫描电镜图(SEM);
图3为实施例1制备纳米片状g-C3N4的透射电镜图(TEM)。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
称取10g三聚氰胺置于坩埚中,将坩埚放入马弗炉中以5℃/min的升温速度升至600℃,保温4h,得到g-C3N4颗粒;然后,将上述得到的g-C3N4研磨后置于坩埚中再放入马弗炉中以2℃/min的升温速度升至520℃,保温6h,得到纳米片状g-C3N4。
在室温下,称取氧化石墨烯20mg以及g-C3N4 40mg,置于50mL的烧杯中,然后加去离子水20mL配成氧化石墨烯/g-C3N4分散液,然后将烧杯放入超声仪中超声处理6h。
将超声后的分散液用砂芯漏斗抽滤成膜,抽滤时间为24h。将抽滤得到的复合薄膜浸入氢碘酸中还原,时间为1h。将还原后的薄膜用乙醇和去离子水各冲洗三次,放入设置为20℃的烘箱中,时间为3h,得到含碘的石墨烯/g-C3N4复合薄膜。将上述复合薄膜施加15V电压,时间为3min,因碘的溢出可得到石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。
将上述薄膜作为可见光响应光催化剂,加入到50mL的亚甲基蓝溶液(浓度为15mg/L) 中,采用300W氙气灯作为光源,用滤光片除去波长λ小于420nm的光,照射样品1h后,通过紫外可见分光光度计测量溶液的吸收光谱,计算得出亚甲基蓝溶液的降解率为92.3%。
图1为制备石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜扫描电镜图(SEM),可以看出:复合薄膜的多孔结构。图2为制备石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜在未施加电压前的扫描电镜图(SEM),可以看出:石墨烯薄膜的层层结构,以及层层间的g-C3N4。图3为煅烧制备的纳米片状g-C3N4透射电镜图(SEM),可以看g-C3N4的纳米片状结构。
实施例2
称取10g三聚氰胺置于坩埚中,将坩埚放入马弗炉中以5℃/min的升温速度升至600℃,保温4h,得到g-C3N4颗粒;然后,将上述得到的g-C3N4研磨后置于坩埚中再放入马弗炉中以2℃/min的升温速度升至520℃,保温6h,得到纳米片状g-C3N4。
在室温下,称取氧化石墨烯20mg以及g-C3N4 20mg,置于50mL的烧杯中,然后加去离子水20mL配成氧化石墨烯/g-C3N4分散液,然后将烧杯放入超声仪中超声处理6h。
将上述薄膜作为可见光响应光催化剂,加入到50mL的亚甲基蓝溶液(浓度为15mg/L) 中,采用300W氙气灯作为光源,用滤光片除去波长λ小于420nm的光,照射样品1h后,通过紫外可见分光光度计测量溶液的吸收光谱,计算得出亚甲基蓝溶液的降解率为90.6%。
将超声后的分散液用砂芯漏斗抽滤成膜,抽滤时间为14h。将抽滤得到的复合薄膜浸入氢碘酸中还原,时间为1h。将还原后的薄膜用乙醇和去离子水各冲洗三次,放入设置为20℃的烘箱中,时间为3h,得到含碘的石墨烯/g-C3N4复合薄膜。将上述复合薄膜施加15V电压,时间为3min,因碘的溢出可得到三维多孔石墨烯/g-C3N4复合薄膜。
实施例3
称取10g三聚氰胺置于坩埚中,将坩埚放入马弗炉中以5℃/min的升温速度升至600℃,保温4h,得到g-C3N4颗粒;然后,将上述得到的g-C3N4研磨后置于坩埚中再放入马弗炉中以2℃/min的升温速度升至520℃,保温6h,得到纳米片状g-C3N4。
在室温下,称取氧化石墨烯20mg以及g-C3N4 60mg,置于50mL的烧杯中,然后加去离子水20mL配成氧化石墨烯/g-C3N4分散液,然后将烧杯放入超声仪中超声处理12h。
将超声后的分散液用砂芯漏斗抽滤成膜,抽滤时间为36h。将抽滤得到的复合薄膜浸入氢碘酸中还原,时间为1h。将还原后的薄膜用乙醇和去离子水各冲洗三次,放入设置为20℃的烘箱中,时间为5h,得到含碘的石墨烯/g-C3N4复合薄膜。将上述复合薄膜施加15V电压,时间为3min,因碘的溢出可得到石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。
将上述薄膜作为可见光响应光催化剂,加入到50mL的亚甲基蓝溶液(浓度为15mg/L) 中,采用300W氙气灯作为光源,用滤光片除去波长λ小于420nm的光,照射样品1h后,通过紫外可见分光光度计测量溶液的吸收光谱,计算得出亚甲基蓝溶液的降解率为93.8%。
Claims (9)
1.一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜,其特征在于:所述复合薄膜是以石墨烯为载体,纳米片状g-C3N4分布在石墨烯表面,形成具有三维网络结构的复合薄膜;其中g-C3N4为以三聚氰胺为原料,经两次高温焙烧制得纳米片状g-C3N4;
其中石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜由下列方法制备:
(1)将氧化石墨烯和g-C3N4中加去离子水并超声,得到氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液;
(2)将氧化石墨烯/ g-C3N4混合分散液抽滤成膜,得到复合薄膜,然后还原,冲洗、烘干,得到干燥薄膜;
(3)将干燥薄膜施加电压,即得石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。
2.一种如权利要求1所述的石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,包括:
(1)将氧化石墨烯和g-C3N4中加去离子水并超声,得到氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液;
(2)将氧化石墨烯/ g-C3N4混合分散液抽滤成膜,得到复合薄膜,然后还原,冲洗、烘干,得到干燥薄膜;
(3)将干燥薄膜施加电压,即得石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于: g-C3N4的制备具体为:将三聚氰胺放于坩埚中,将坩埚置于马弗炉中以2~10℃/min 的升温速度升至550~650℃,保温1~4 h,得到g-C3N4颗粒,将上述得到的g-C3N4颗粒充分研磨后置于坩埚中,再次置于马弗炉中以1~3℃/min 的升温速度升至450~550℃,保温2~10 h,即得到纳米片状g-C3N4。
4.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中超声为:超声采用超声波分散机进行超声,功率为100~400 W,超声时间为1~72 h。
5.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧化石墨烯/g-C3N4混合分散液中氧化石墨烯浓度为0.01~5 mg/mL;g-C3N4浓度为0.01~20 mg/mL。
6.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中抽滤时间为10~96 h;还原为浸入氢碘酸中还原10~120 min。
7.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中冲洗为用乙醇和去离子水各冲洗1~10次;烘干具体为:烘箱设置温度为10~50℃,保温0.5~12 h。
8.根据权利要求2所述的一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中施加电压为:施加电压为5~25 V,时间为1~8 min。
9.一种如权利要求1所述的石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜的应用,其特征在于:在光催化降解污染物中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710081247.4A CN106732738B (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710081247.4A CN106732738B (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106732738A CN106732738A (zh) | 2017-05-31 |
CN106732738B true CN106732738B (zh) | 2019-08-06 |
Family
ID=58958199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710081247.4A Expired - Fee Related CN106732738B (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106732738B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107331537A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-11-07 | 太原理工大学 | 一种三维石墨烯/石墨相碳化氮的制备方法及应用 |
CN107511078B (zh) * | 2017-08-15 | 2020-04-24 | 天津大学 | 太阳光驱动抗污染纳米片组装杂化膜的制备方法 |
WO2019047081A1 (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | 深圳市同富达电子科技有限公司 | 一种在铝表面形成硒杂类石墨相碳化氮纳米膜的方法 |
CN107747105B (zh) * | 2017-09-12 | 2019-08-13 | 天津理工大学 | 一种非金属基光电阴极的制备方法 |
CN108310966B (zh) * | 2018-01-30 | 2020-04-17 | 中南林业科技大学 | 制膜与气体净化一体化装置、制膜与气体净化方法 |
CN108630442B (zh) * | 2018-04-28 | 2019-09-24 | 长春工业大学 | 一种c3n4增强型超级电容器的制备方法 |
CN108624195B (zh) * | 2018-06-07 | 2020-11-06 | 西南石油大学 | 一种g-C3N4-G/水性环氧复合涂料的制备方法 |
CN109078648A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-25 | 天津大学 | 一种三维石墨烯/镍/石墨相氮化碳复合光催化材料的制备方法 |
CN109433013B (zh) * | 2018-09-20 | 2021-08-24 | 广东工业大学 | 一种氧化石墨烯与石墨相氮化碳复合改性的膜材料及其制备方法 |
CN110465316A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-11-19 | 黑龙江大学 | 一种光催化剂g-C3N4/GO复合材料及其制备方法 |
CN109560186B (zh) * | 2018-12-14 | 2020-08-11 | 东华大学 | 一种n型热电薄膜及其制备和应用 |
CN110528170A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-03 | 杭州高烯科技有限公司 | 一种光催化自清洁的复合无纺布及其制备方法 |
CN112661229A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-04-16 | 商丘师范学院 | 兼具重金属离子吸附和可见光催化性能的HA/g-C3N4复合材料的制备方法 |
CN116851025B (zh) * | 2023-09-04 | 2024-02-09 | 新乡学院 | 一种不含金属的光催化活性双层膜及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103607795A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-02-26 | 中国科学院金属研究所 | 一种石墨烯发热膜的制备方法 |
CN104401987A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-11 | 东华大学 | 一种多孔石墨烯弹性泡沫的制备方法 |
CN104773720A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-15 | 东华大学 | 一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法 |
-
2017
- 2017-02-15 CN CN201710081247.4A patent/CN106732738B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103607795A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-02-26 | 中国科学院金属研究所 | 一种石墨烯发热膜的制备方法 |
CN104401987A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-11 | 东华大学 | 一种多孔石墨烯弹性泡沫的制备方法 |
CN104773720A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-15 | 东华大学 | 一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
g-C3N4/石墨烯复合材料的制备及光催化活性的研究;尹竞等;《中国环境科学》;20160331;第36卷(第3期);摘要 |
Porous C3N4 Nanolayers@N-Graphene Films as Catalyst Electrodes for Highly Efficient Hydrogen Evolution;Jingjing Duan等;《ACS NANO》;20150105;第9卷(第1期);第939页Experimetal Section,第932页右栏第2-3段,第933页Scheme1 |
Porous C3N4 Nanolayers@N-Graphene Films as Catalyst Electrodes for Highly Efficient Hydrogen Evolution;Jingjing Duan等;《ACS NANO》;20150105;第9卷(第1期);第939页Experimetal Section,第932页左栏最后1段至右栏第3段,第933页Scheme1 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106732738A (zh) | 2017-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106732738B (zh) | 一种石墨烯/g-C3N4三维网络复合薄膜及其制备和应用 | |
CN100539205C (zh) | 二氧化钛纳米棒染料敏化太阳能电池及其制备方法 | |
CN110038607A (zh) | 碳化钛纳米片/层状硫化铟异质结及其在降解去除水体污染物中的应用 | |
CN109569657A (zh) | 一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法 | |
CN108525667A (zh) | 金属有机框架衍生四氧化三钴修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法 | |
CN110152711A (zh) | 一种CeO2@MoS2/g-C3N4三元复合光催化剂及其制备方法 | |
CN111389442A (zh) | 负载于泡沫镍表面的p-n异质结复合材料及其制备方法与应用 | |
CN103599802A (zh) | 一种磷酸银/石墨烯纳米复合材料的制备方法 | |
CN106944074B (zh) | 一种可见光响应型复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
Sheng et al. | CQDs modified PbBiO2Cl nanosheets with improved molecular oxygen activation ability for photodegradation of organic contaminants | |
CN103480399A (zh) | 一种微纳结构磷酸银基复合可见光催化材料及其制备方法 | |
Wang et al. | 3D network-like rGO-MoSe2 modified g-C3N4 nanosheets with Z-scheme heterojunction: Morphology control, heterojunction construct, and boosted photocatalytic performances | |
CN108067281A (zh) | 多孔g-C3N4光催化剂及其制备方法和应用 | |
CN103182307B (zh) | 一种Cu掺杂ZnO/石墨烯复合光催化剂及其制备方法 | |
Xue et al. | A novel synthesis method for Ag/gC 3 N 4 nanocomposite and mechanism of enhanced visible-light photocatalytic activity | |
CN108579768B (zh) | 少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法 | |
CN114618537B (zh) | 一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用 | |
Zhao et al. | Carbonized polymer dots/TiO 2 photonic crystal heterostructures with enhanced light harvesting and charge separation for efficient and stable photocatalysis | |
CN108246241A (zh) | 一种由螺旋状g-C3N4/ZnO复合纳米棒组装的海胆型超结构材料 | |
CN106975497A (zh) | 二氧化钛纳米片与铜锌锡硫纳米颗粒异质结制备方法及应用 | |
Su et al. | Creating distortion in g-C3N4 framework by incorporation of ethylenediaminetetramethylene for enhancing photocatalytic generation of hydrogen | |
CN113578306A (zh) | 一种2d/1d异质结光催化剂的制备方法及其在制氢中的应用 | |
CN106423223A (zh) | 一种饼状多孔结构MoSe2@TiO2光催化剂及其制备方法 | |
CN108823601A (zh) | 一种金属氧化物/石墨烯复合膜的制备方法 | |
CN109183124B (zh) | 一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190806 Termination date: 20220215 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |