CN106612618A - 用于电致变色装置的受控加热 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电致变色装置，其被结构化成选择性地加热电致变色装置的传导层的一个或多个特定区域。可以在传导层上感应出电位差以加热一个或多个层区域。传导层可以是位于电致变色膜叠层的相对侧上的至少两个传导层之一，可以在传导层之间感应出电位差以使得电致变色膜叠层的至少一些改变透射水平。传导层可以包括具有不同薄层电阻的区域，使得一个或多个区域被结构化成当在传导层上感应出电位差时比传导层的其他区域产生更多热。分离的层区域可以包括分离的化学物质。传导层可被几何地结构化成使得一些层区域比其他区域具有更大的薄层电阻。

Description

用于电致变色装置的受控加热

背景技术

电致变色装置包括已知响应于电位差的施加改变其比如为着色的光学性能由此使得装置更加透明或更不透明或者更多反射或更少反射的电致变色材料。典型的电致变色(“EC”)装置包括反电极层(“CE层”)、基本平行于反电极层沉积的电致变色材料层(“EC层”)以及分别使反电极层与电致变色层分离的离子传导层(“IC层”)。另外，两个透明传导层(“TC层”)分别地基本平行于CE层和EC层并且与CE层和EC层接触。EC层、IC层和CE层可被共同地称为EC膜叠层、EC薄膜叠层等等。EC膜叠层和EC膜叠层的相对侧上的传导层可被共同地称为“EC叠层”。

当在电致变色装置的分层结构上施加在本文中也被称为“电位差”的电势差时，比如通过将相应的TC层连接至低压电源，可以包括存储在CE层中的Li+离子的离子从CE层通过IC层流动至EC层。另外，电子从CE层围绕包括低压电源的外部电路流动至EC层，以便保持CE层和EC层中的电荷中性。离子和电子向EC层的传递使得EC层的光学特性以及可选地互补EC装置中的CE层发生改变，由此改变电致变色装置的着色，并且因此改变透明度。

可以包括一个或多个层、叠层、装置等等的介质的着色的变化可被描述为介质的“透射”的变化。如本文中所使用的，透射指的是许可可以包括可见光的电磁(EM)辐射通过介质，介质的“透射水平”可以是指介质的透射率。在介质改变透射水平的情况下，介质可以从清晰的透射状态(“完全透射水平”)改变至减小比例的入射EM照射穿过介质的透射水平。透射水平的这种改变可能引起介质的着色改变、透明度改变等等。例如，从完全传递水平改变至较低透射水平的介质可被观察到着色变得更加不透明、更黑暗等等。

在一些例子中，EC装置可以至少部分地基于在EC装置上的电位差施加在单独的透射水平之间切换，电位差在本文中也称为电压差。可以包括向EC装置的一个或多个分离的层施加一个或多个单独的电压的这种施加可以使得EC叠层的包括EC层、CE层等等的一个或多个层改变着色、透明度等等。在一些例子中，可能期望的是EC叠层的不同区域不同地改变透射水平，使得电位差在EC叠层上的施加使得EC叠层的分离的区域改变至两个或更多个不同的透射水平中的分离的透射水平。

在一些例子中，EC叠层的一个或多个部分改变透射水平的速率与EC叠层的部分的温度相关。为了确保EC叠层以可接受的速度切换，可以加热EC叠层。然而，加热EC叠层来确保EC叠层的这种性能可能需要相当大量的电能。例如，在EC叠层通常需要切换透射时，可能需要EC叠层保持在某个温度以上，这需要对EC叠层的连续加热，并且EC叠层可以进一步需要连续消耗电能以能够实现这种连续加热。在另一个例子中，在EC叠层需要马上切换透射的情况下，EC叠层可能需要被快速加热，这可能需要相当大地消耗电能。此外，在一些情况下，需要对EC叠层的一个或多个部分均匀地加热。

附图说明

图1示出根据一些实施例包括EC膜叠层和位于EC膜叠层的相对侧上的传导层的EC装置的透视图，其中一个传导层被结构化成至少部分地基于该层上的电位差被加热。

图2示出根据一些实施例包括EC膜叠层和位于EC膜叠层的相对侧上的传导层的EC装置的透视图，在此一个传导层被结构化成选择性地加热传导层的特定有限区域。

图3示出根据一些实施例的EC膜叠层和传导层的透视图，传导层被结构化成至少部分地基于传导层的电极构造在特定有限区域中被选择性加热。

图4示出EC膜叠层和传导层的透视图，传导层被结构化成至少部分地基于传导层的不同区域的不同的薄层电阻在特定有限区域中被选择性加热。

图5示出根据一些实施例的EC膜叠层和传导层的透视图，传导层被结构化成至少部分地基于传导层的几何结构在特定有限区域中被选择性加热。

图6示出根据一些实施例的卵状EC装置的透视图，卵状EC装置被结构化成在EC膜叠层的不同的区域中在分离的透射模式之间切换，并且被结构化成选择性地加热传导层的对应于EC膜叠层区域中的一个或多个的一个或多个区域。

图7A-B示出根据一些实施例的卵状EC装置的分解透视图，卵状EC装置被结构化成至少部分地基于一个传导层的薄层电阻模式在EC膜叠层的不同区域中在分离的透射模式之间切换，并且被结构化成选择性地加热另一个传导层的对应于EC膜叠层区域中的一个或多个的一个或多个区域。

图8A-D示出根据一些实施例包括EC膜叠层的位于两个传导层之间的电气短路的EC装置。

图9A-C示出根据一些实施例包括EC膜叠层、位于EC膜叠层的相对侧上的相邻传导层和经由绝缘层联接至相邻传导层之一的分离的传导层的EC装置。

图10示出根据一些实施例包括EC膜叠层、位于EC膜叠层的相对侧上的相邻传导层和联接至热源并且被结构化成加热EC膜叠层中的一些或全部的基板的EC装置。

图11A-C示出根据一些实施例的包括EC装置和控制系统的终端用户装置，控制系统被结构化成至少部分地基于与和终端用户装置的终端用户交互相关的触发事件控制EC装置的加热。

图12示出根据一些实施例被结构化成至少部分地基于对一个或多个触发事件的判定控制EC装置的选择性加热的控制系统。

图13是示出可以用于一些实施例的示例计算机系统的框图。

本文中描述的各个实施例易于具有各种修改和替代形式。具体实施例在附图中通过举例示出并且将在此详细描述。然而，应该理解的是，附图及其详细描述并非旨在将本公开限制于所公开的特定形式，而相反地，旨在覆盖落入随附权利要求的精神和范围内的所有修改方案、等同方案和替代方案。本文中所使用的标题仅用于组织目的，并且非旨在用于限制说明书或权利要求书的范围。如在整个申请中所使用的，词语“可以”被用于容许含义(即，意味着具有潜能)，而非强制含义(即意味着必须)。类似地，词语“包括”、“包含”以及“含有”意味着包括在内，而不限于此。

具体实施方式

公开了电致变色(EC)装置和用于构造电致变色装置的方法的各个实施例。根据一些实施例的EC装置可被构造成选择性地加热包括在EC装置中的传导层的一个或多个特定区域。这种选择性加热可以通过构造联接至传导层的电极、改变贯穿传导层的薄层电阻、改变传导层的几何结构等等来实现。传导层可以通过与EC膜叠层相邻的另一个传导层和包括绝缘层的一个或个附加层与EC装置的EC膜叠层分离。用于构造EC装置的方法可以包括用于将EC装置构造成相对于传导层的一个或多个其余区域选择性地加热EC装置中的传导层的一个或多个特定区域的方法。根据一些实施例的EC装置可以包括具有联接的热源的热传导层，热传导层构造成联接至EC叠层，使得热传导层能够将由热源产生的热分配至EC叠层。在一些实施例中，EC装置包括在还包括控制系统的装置中，控制系统至少部分地基于对与装置有关的一个或多个触发事件的判定选择性地控制EC装置的一个或多个部分的加热。这种触发事件可以包括与装置有关的一个或多个特定终端用户交互、用户指令等等。

如本文中所使用的，“构造”EC装置、传导层等等可以互换地称为“结构化”EC装置、传导层等等。“构造成”做某事的EC装置传导层等等可以互换地称为“结构化”成做某事的EC装置传导层等等，“结构上构造成”做某事等等。

I.利用传导层区域的受控电致变色加热

在一些实施例中，电致变色(EC)装置包括EC膜叠层，EC膜叠层被结构化成至少部分地基于EC膜叠层上的电位差(本文中也称为“电势差”)在分离的透射模式之间切换。EC装置可以包括位于EC膜叠层的相对侧上的传导层，施加至相对的传导层上的分离的电压可以在EC膜叠层上感应电位差。

在一些实施例中，EC装置被结构化成加热EC膜叠层的一个或多个部分。这种加热可以改善EC膜叠层的透射切换性能。例如，在EC膜叠层处于相对低温(例如20华氏度)的情况下，当在EC膜叠层上感应出给定电位差时EC膜叠层切换透射水平的速率可以小于当EC膜叠层处于更高温度(例如72华氏度)时的速率。

如本文中所称的EC膜叠层可以包括反电极(CE)层、电致变色(EC)层以及位于两者之间的离子传导(IC)层。在一些实施例中，CE层或EC层之一被结构化成可逆地嵌入特别地由阳极(或相应地阴极)电致变色材料制成的离子，比如包括H+、Li+、D+、Na+、K+中的一个或多个的阳离子或包括OH-中的一个或多个的阴离子；CE层或EC层中的另一个被结构化成可逆地嵌入特别地由阴极(或相应地阳极)电致变色材料制成的所述离子。在一些实施例中，IC层被结构化成包括电解层。EC膜叠层的特征可在于，CE层或EC层中的至少一者可被结构化成可逆地嵌入所述离子，包括由阳极或阴极电致变色材料制成的层，其具有足够的厚度以允许全部离子在不使所述活性层电化学机能失调的情况下被嵌入，其中，具有电解功能的IC层包括基于选自以下的材料的至少一层：氧化钽、氧化钨、氧化钼、氧化锑、氧化铌、氧化铬、氧化钴、二氧化钛、氧化锡、氧化镍、可选地与铝合金的氧化锌、氧化锆、氧化铝、可选地与铝合金的氧化硅、可选地与铝或与硼合金的氮化硅、氮化硼、氮化铝、可选地与铝合金的氧化钒以及氧化锡锌，这些氧化物中的至少一者可选地被氢化或氮化，其中，CE层或EC层中的一个或多个包括以下化合物中的至少一种：钨W、铌Nb、锡Sn、铋Bi、钒V、镍Ni、铱Ir、锑Sb和钽Ta的氧化物自身或其混合物，并且可选地包括另外的金属，比如钛、铼或钴，以及其中，EC层或CE层中的一者或多者的厚度在70um与250um之间、在150um与220um之间等等。

EC层可以包括各种材料，包括氧化钨。CE层可以包括各种材料，包括一种或多种钨镍氧化物。IC层可以包括各种材料，包括一种或多种硅氧化物。电荷可以包括各种带电电解物质，包括锂离子。IC层可以包括层区域、多层区域、界面区域、其一些组合等。包括界面区域的IC层可以包括EC或CE层中的一者或多者的一种或多种组分材料。

在一些实施例中，EC膜叠层中的每一层可以可逆地嵌入阳离子和电子，其氧化程度的由于这些嵌入/提取的修改引起其光和/或热特性的修改。特别地，能够以可见和/或红外波长调节其吸收和/或其反射。EC膜叠层可以包括在其中电解质是聚合物或凝胶形式的EC装置中。例如，质子(protonically)传导聚合物或由锂离子传导的传导聚合物，其中系统的其他层大致具有无机特性。在另一个例子中，EC膜叠层可以包括在EC装置中，在此叠层的电解质和其他层具有无机特性，其可以称作术语“全固态”系统。在另一个例子中，EC膜叠层可以包括在EC装置中，在此全部层均基于聚合物，其可以表示为术语“全聚合物”系统。

在EC膜叠层处于“静止”状态时，在包括EC膜叠层的EC装置被称为处于完全透射状态的情况下，电荷存在于CE层中，对其进行还原并且使其高度透明。当通过在EC装置中的EC膜叠层的相对侧上的传导层上感应出位差来切换装置时，包括锂离子的电荷从CE层运动至EC层，这使得EC叠层的透射水平发生改变。在一些实施例中，锂离子中的一些通过仍然还原CE层但相对于锂离子具有相对较低传输速率的另一种带电电解物质替换(通过更大或通过更坚固地结合在CE层的分子晶格结构内)。因此，可以调整由CE层的一个或多个区域切换的透射水平的速率和量。通过CE层区域调整透射水平切换的速率和量包括通过相应的EC层调整透射水平切换的速率和量。

具有不同的传输速率的电荷电解物质可以包括稀土和碱金属。这些是比锂更重或更加紧密地结合的物质，并且可以包括例如钠、钾、铷、铯、钫、铍、镁、钙、锶、钡和镭。

例如，在一些实施例中，EC膜叠层的CE层可以沉积在传导层上，传导层可以包括透明传导层(透明传导层包括ITO)，各种不同的带电电解物质可被引入、植入等等到分离的CE层区域中。例如，镁离子可被植入一个或多个CE层区域中，钠离子可被植入一个或多个其他CE层区域中。应当理解的是，能够控制如在整个公开中讨论的离子植入的模式、深度和剂量。例如，可以利用铝箔掩模来将CE层区域的模式选择性地暴露于一个或多个特定带电电解物质的植入。

在一些实施例中，能够经由通过EC装置的一部分感应出的电流、电位差等等加热EC膜叠层的一个或多个部分。可以经由联接至给定传导层的两个或更多个电极之间的电位差通过EC装置的一个或多个部分感应出电位差。这种感应出的电位差可以使电流流过传导层。在一些实施例中，使电流穿过传导层使得至少部分地基于电流流过的传导层的区域的电阻在传导层的一个或多个区域中产生热。传导层可以包括包含对电流的一个或多个不同的电阻水平的一种或多种不同的化学物质。因此，使电流穿过传导层的一个或多个区域能够至少部分地基于一个或多个区域中的传导层的电阻引起一个或多个区域中的热发生。

加热传导层的区域能够引起对EC装置的EC膜叠层的一个或多个区域的加热。EC膜叠层的这些区域可以包括对应于被加热的传导层的区域的区域。例如，传导层区域中产生的热可以分配至与传导层联接的EC膜叠层。

在一些实施例中，通过其感应出电流以加热传导层的一个或多个区域(在此也称为传导层区域)的传导层也用于感应EC装置的EC膜叠层上的电位差，以使得EC膜叠层的一个或多个区域(“EC区域”)改变透射水平。可以同时在至少两个传导层之间在EC膜叠层上感应电位差以及经由在给定传导层上感应分离的电位差加热传导层之一的一个或多个区域。这种同时电流感应可以至少部分地基于在相对的传导层之间在EC膜叠层上感应直流电流以及在传导层之一上感应交流电流来实现，在此交流电流的频率足够高以阻止EC膜叠层至少部分地基于交替而切换透射水平。在一些实施例中，这种足够高的切换频率包括等于或大于100赫兹的切换频率。

在一些实施例中，EC装置的EC区域、传导层区域等等中的每一个可以具有相同或不同的尺寸、体积和/或表面面积。在其他实施例中，EC区域、传导层区域等等中的每一个可以具有相同或不同的形状(包括曲线或弧形形状)。

图1示出根据一些实施例包括EC膜叠层和位于EC膜叠层的相对侧上的传导层的EC装置的透视图，其中一个传导层被结构化成至少部分地基于该层上的电位差被加热。

EC装置100包括EC膜叠层102和联接至EC膜叠层102的相对的表面的传导层110、120。EC膜叠层102可以包括EC层、IC层和CE层中的一个或多个。如本文所参照的传导层可以包括一个或多个透明传导(TC)层。每个分离的传导层110、120包括各自联接至分离的电源130、140的一组电极112A-B。电源130是直流(DC)电源，而电源140包括DC分量和交流(AC)分量两者。这种电源140可以包括半桥式电路，半桥式电路包括至少两个电子开关，包括MOSFET，在此半桥式电路可以由脉宽调制器(PWM)控制。因此，电源140可以在每个电极112A-B中感应特定电压，特定电压基于在电极112A-B之间感应出的AC电位差以足够高的频率切换极性以阻止EC膜叠层102切换透射状态。层110上的这种交变电位差能够至少部分地基于层的一个或多个特性引起对层110的一个或多个区域的加热，层的一个或多个特性包括包含在层110中的一种或多种材料物质的电阻率、层110的几何结构、电极112A-B在层中的布置等等。如本文所使用的，同一层上的分离的电极之间的“在单个层上”的差，包括所示出的层120的电极112A-B之间的电位差，可以互换地称为“平行于层”的差。另外，传导层110处的至少部分地基于高频交流电流的净电压可以是恒定电压，流过层110的净电流可以忽略，这可以引起在传导层110与传导层120之间在EC膜叠层102上感应出的电位差。

如所述实施例中所示，电源130和140各自感应联接至相应电源的一组电极之间的恒定净电压，引起每个组分离的电极联接其上的分离的传导层之间的电位差，这可以使得EC膜叠层的一个或多个区域在分离的透射模式之间切换。如图所示，电源130在联接至传导层的每个电极112A-B处感应电压“V₂”，电源140在每个电极122A-B处感应“0伏”的净电压，由此在两层110、120之间在EC膜叠层102上形成电位差ΔV_α＝(V₂-0)＝V₂。如本文中所使用的，两层之间的“在单个层上”的差，包括在层110、120之间并且在层102上的所示电位差，可以互换地成为“垂直于”层110、120、102中的一个或多个的差。

如所述实施例中进一步所示的，虽然施加至电极122A-B并且由此施加至传导层120的净电压是零伏的净电压，但是电源140经由切换施加至联接至层120的该组电极122A-B的电压的极性通过层120感应交流电流。如上所述，切换频率可以足够大以阻止EC膜叠层102对层120上的瞬时电位差做出响应。因此，尽管层120上以及电极122A-B之间的瞬时电位差是ΔV_β＝(V₁-(-V₁))＝2V₁，但是EC膜叠层102对层120的零伏净电压的净电压做出响应。

在一些实施例中，层110包括具有一个或多个特性的一个或多个区域，一个或多个区域至少部分地基于通过电极112A-B之间的层110的交流电流产生热。这种产生的热可以从层110传递至EC膜叠层102以加热EC膜叠层102的一个或多个相应的区域。当在EC膜叠层102的一个或多个部分上感应出电位差时，加热EC膜叠层102的一个或多个区域可以使得这些区域以比EC膜叠层的其他区域更快的速率切换。加热传导层、EC膜叠层等等中的一个或多个的一个或多个区域可以包括加热超过一个或多个其他区域的一个或多个区域。

在一些实施例中，整个传导层可被加热以加热EC膜叠层。这种加热可以消耗大量的电能。例如，在所示的实施例中，层120的整体可以至少部分地基于通过电极112A-B之间的层120感应出的均匀交流电被均匀地加热。另外，在一些实施例中，EC装置的包括EC膜叠层的某些区域的某些区域被结构化成相对于其他的这种区域更加频繁不同程度等等地切换透射水平。此外，在一些实施例中，一些EC膜叠层区域中的切换速度比其他区域中的切换速度更重要。因此，虽然可能要求加热一些EC区域，但是一些其他EC区域的加热可被视为浪费电能以实现这种加热，因此加热是不必要的。此外，在一些实施例中，一些EC区域的加热的均匀性可以优先于其他EC区域的加热的均匀性。

在一些实施例中，加热传导层的整体以加热EC膜叠层的一个或多个区域可被视为对资源的浪费消耗。例如，在所示实施例中，虽然层120的加热区域170可以引起EC膜叠层102的加热，但是加热区域172A-B可能不会引起EC膜叠层102的显著加热；因此，消耗用于加热区域172A-B的电能可被视为电能的浪费。

图2示出根据一些实施例包括EC膜叠层和位于EC膜叠层的相对侧上的传导层的EC装置的透视图，在此一个传导层被结构化成选择性地加热传导层的特定有限区域。EC装置200包括EC膜叠层202和位于EC膜叠层202的相对侧上的传导层204、206。这些传导层204、206还可被称为联接至EC膜叠层202的相对的邻接表面。在一些实施例中，EC装置200中的一些或全部可以包括在图1所示的EC装置100中。

在一些实施例中，经由向整个传导层施加电位差加热EC膜叠层可以构成电能的浪费消耗。例如，虽然可能需要加热所示传导层204中的特定有限区域210，但是加热层204的其余区域212可能包括资源浪费。这种“目标性”加热可能是所希望的以能够对EC膜叠层202的至少部分地重叠区域210的一个或多个相应的区域进行目标性加热。在一些其他实施例中，虽然可能需要层204的区域210、204的整体能够在层204、206之间在EC膜叠层202上感应出电位差，但是层204的体积的有限部分可能需要产生足够的热以将EC膜叠层202的一个或多个部分，包括叠层202的整体，加热至一个或多个必要的温度，以实现叠层202的一个或多个部分的至少一定的透射切换速度。如本文中进一步所讨论的，EC装置的各个实施例可以包括不同结构的传导层以使EC装置结构化成选择性地加热传导层的一个或多个特定有限区域。

如本文所使用的，至少部分地基于对传导层的一个或多个特定有限区域的加热而加热EC膜叠层的一个或多个区域可以包括至少部分地基于对传导层的一个或多个特定区域的加热来加热EC膜叠层的整体。在一些实施例中，EC装置200可以包括在图1中示出的EC装置100中，使得传导层204延伸超过EC膜叠层202的边界，类似于图1中的层120延伸超过EC膜叠层102。因此，传导层204的特定有限区域210可以与EC膜叠层202的整体对应(即，“重叠”)，使得至少部分地基于选择性地加热层204的特定有限区域210而加热EC膜叠层的整体。

图3示出根据一些实施例包括EC膜叠层和传导层的EC装置的分解透视图，传导层被结构化成至少部分地基于联接至传导层的特定电极布置在特定有限区域中被选择性地加热。EC装置300包括传导层310，传导层310联接至EC膜叠层320并且被结构化成对于EC膜叠层320的一个或多个区域322、324至少产生和分配热330。在一些实施例中，EC装置300包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图2中示出的EC装置200。在一些实施例中，传导层310经由一个或多个中间层联接至EC膜叠层320，一个或多个中间层包括一个或多个绝缘层、粘合层、封装层、防反射层、红外截止滤光层、遮蔽层、其一些组合等等。

在一些实施例中，EC装置被结构化成至少部分地基于联接至传导层的特定电极布置选择性地加热传导层的特定有限区域。例如，被结构化成在给定传导层上感应电位差的一组电极可以联接至特定布置中的传导层，这形成联接在特定有限区域的相邻侧上的电极。因此，流过传导层的电流可以至少部分地局限于电极之间的特定有限区域，使得传导层的超过特定有限区域的区域中的加热被至少部分地缓和。

在示出的实施例中，例如，传导层310包括联接至传导层的一组电极316A-B，传导层布置成使得两个电极316A-B位于传导层310的特定有限区域312的相对侧上。所示区域312大致定位在传导层310的面积的中心区域中，但可以理解的是区域312可以定位在传导层310的面积的任何区域中。例如，在一些实施例中，区域312由传导层310的一个或多个边缘限制。

如图所示，限定传导层310的特定有限区域312的相对边缘的电极316A-B的布置能够使得传导层310中的电极316A-B之间的电流至少部分地限制于电极316A-B之间的流过区域312。相反地，流过传导层310的其余区域314的一些或全部的电流可被至少部分地缓和。因此，当在电极316A-B之间感应出电位差时，可以相对于其余部分314加热区域312。相对于包括区域314的另一个区域加热包括区域312的一个区域可以包括比另一个区域更加加热一个区域。例如，虽然当在电极316A-B之间感应出电位差时可以出现对其余区域314的至少一定加热，对区域312的加热可以大于对其余区域314的加热。此外，区域312中的加热均匀性可以相对于区域314最大化。这种均匀性可能是所希望的，特别是在需要EC装置的对应于区域312的一个或多个特定区域的均匀加热的情况下。因此，虽然传导层310的其他区域可被至少部分地加热，至少部分地加热可以包括整个区域314的非均匀加热，当在电极316A-B之间感应出电位差时，区域312可以以比区域314更大的均匀性加热。

在一些实施例中，可以至少部分地基于包括在电流流过的传导层的特定区域中的一种或多种化学物质的电阻加热传导层的一个或多个特定区域。例如，传导层310中的一些或全部可以由一种或多种化学物质组成，包括对电流具有一定电阻的氧化铟锡(ITO)，使得通过包括一种或多种化学物质的层的一部分感应电流可至少部分地基于所述电阻引起热发生。

在一些实施例中，在电极316A-B之间感应电位差导致传导层310的至少特定有限区域312中的热发生。这种热可以传递330至EC膜叠层320的联接至传导层310的一个或多个部分。在传导层310经由一个或多个另外的EC装置层联接至EC膜叠层的情况下，从层310传递330至EC膜叠层320的热可以通过一个或多个中间EC装置层传递。

在一些实施例中，从传导层310的一个或多个区域传递330至EC膜叠层的热被传递至EC膜叠层的对应于传导层310的一个或多个区域的一个或多个特定区域，使得EC膜叠层的这些特定区域相对于EC膜叠层的其他区域被加热。例如，在所示实施例中，在传导层的区域312处产生的热从传导层310的区域312传递330至EC膜叠层320的相应的区域322。相应的区域322可以包括EC膜叠层的与EC装置300中的区域312至少部分地重叠的区域。例如，在所示实施例中，区域312和322在EC装置300中至少部分地竖直重叠，使得区域322包括EC膜叠层320的最靠近层310的区域312的区域，并且从层310的区域312向下传递至EC装置300的其他层的热主要接收在EC膜叠层320的区域322处。在一些实施例中，传递至EC膜叠层的一个或多个区域的热贯穿EC膜叠层传导，使得至少部分地基于传递至EC膜叠层的一个或多个特定区域的热加热EC膜叠层中的一些或全部。

图4示出EC膜叠层和传导层的透视图，传导层被结构化成至少部分地基于传导层的不同区域的不同的薄层电阻在特定有限区域中被选择性加热。EC装置400包括传导层410，传导层410联接至EC膜叠层420并且被结构化成向EC膜叠层420的一个或多个区域422、424至少产生和分配热430。在一些实施例中，EC装置400包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图2中示出的EC装置200。在一些实施例中，传导层410经由一个或多个中间层联接至EC膜叠层420，一个或多个中间层包括一个或多个绝缘层、粘合层、封装层、防反射层、红外截止滤光层、遮蔽层、其一些组合等等。

在一些实施例中，EC装置被结构化成至少部分地基于被结构化成包括对于电流具有不同电阻(在此也称为“薄层电阻”)的不同层区域的传导层而选择性地加热传导层的特定有限区域。传导层可被结构化成包括不同的层区域中的薄层电阻的这些变型，在此电极在远离被选择性地加热的层的特定有限区域的位置处联接至传导层。例如，在所示实施例中，传导层410包括区域412、414A-B、417A-B，在此区域412和417A-B位于联接至传导层的电极416A-B之间。在区域412是EC装置400被结构化成选择性地加热的特定有限区域的情况下，电极416A-B可被结构化成延伸至区域412的一组边界；如图所示，电极416A-B通过层410在区域412的宽度之间延伸，而非沿着层410的整个宽度。因此，电极416A-B不限制区域414A-B，通过层410的电流至少部分地基于在电极416A-B之间感应出的电位差可以更加均匀地流动，在一些实施例中，主要流过层410的区域417A-B、412。

在区域412是特定有限区域并且区域417A-B和414A-B是其余区域的情况下，区域417A-B可被结构化成具有小于区域412的薄层电阻的薄层电阻。类似地，在一些实施例中，区域412被结构化成具有大于至少区域417A-B的薄层电阻的薄层电阻。区域417A-B相对于区域412具有减小的薄层电阻时的传导层410可以引起在电极416A-B之间通过区域412、417A-B的电流的均匀性的增加。

在一些实施例中，区域417A-B的薄层电阻小于区域414A-B中的一个或多个的薄层电阻。在一些实施例中，薄层电阻的这种变化可以引起通过区域412的电流的均匀性的增加，并且因此相对于区域414A-B和417A-B具有共同或相似的薄层电阻的实施例引起区域412的加热均匀性的增加。

在一些实施例中，区域412被结构化成相对于至少区域417A-B的薄层电阻具有更大的薄层电阻，以使层410结构化成当在电极416A-B之间感应出电位差时超过区域417A-B地加热区域412(即，区域412的“增强的加热”)。另外，在区域412的薄层电阻大于至少区域417A-B的薄层电阻的情况下，流过区域412并且因此加热区域412的电流的均匀性可以相对于区域412、417A-B具有共同的薄层电阻的实施例增大。

在一些实施例中，传导层的各个区域上的薄层电阻的变化至少部分地基于各个区域中的传导层的一个或多个特性的变化。这种变化的特性可以包括各个区域中的层的化学物质组成的变化。化学物质可以包括各种不同的材料、物质、元素、化合物等等。传导层的不同的区域可以包括一种或多种不同化学物质的不同分布，在此也称为一种或多种不同化学物质的“分离的”分布。区域中的物质的不同分布可以包括遍及一个或多个不同的层区域的一些或全部中的物质的密度的变化、遍及一个或多个不同的层区域中的一些或全部的物质的浓度的变化、遍及一个或多个不同的层区域中的一些或全部在其中存在的一种或多种物质的传导层的深度的变化等等。例如，可以在一个传导层区域中以一个特定浓度存在给定化学物质，同时相同的化学物质可以以分离的浓度存在于另一个传导层区域中。给定区域中的物质的给定分布可以变化。例如，给定物质在一个层区域中的分布可以包括层区域的相对边界之间的物质浓度的变化，其对应于相对边界之间的正态分布。物质在区域中的不同的分布可以包括物质在一个或多个分布中存在于一个区域中，并且物质不存在于不同的区域中。例如，在所示实施例中，区域417A-B可以由至少金属化学物质组成，包括金，同时区域412可以由至少一种分离的化学物质组成，包括氧化铟锡(ITO)。不同的物质可以具有不同的电导率、电阻等等：例如，金可以是比ITO更有传导性的物质，使得包括ITO的传导层区域比包括金的分离的传导层区域具有更大的薄层电阻。在另一个实施例中，区域412、417A-B可以由ITO组成，区域412可以由ITO组成并且进一步由一个或多个不同分布的一种或多种氧化化学物质组成，包括氧，这形成区域412的相对于区域417A-B更大的薄层电阻。

化学物质可以包括一种或多种氧化物质，氧化物质相对于另一个区域提高传导层区域的氧化水平，以调整传导层区域的薄层电阻。可被引入的氧化物质的非限制性示例可以包括氧、氮等等。在另一个示例中，不同的金属物质中的一种或多种可被引入以改变传导层区域中的载流子密度、载流子分布等等。这些金属物质的非限制性示例可以包括铟、锡、金、其一些组合等等。简而言之，在化学物质可以改变传导层区域中的载流子密度、载流子分布等等的情况下，传导层区域中的一种或多种化学物质可以引起传导层区域的薄层电阻的调整。传导层区域中的化学物质可以包括一种或多种化学物质，一种或多种化学物质可以经由众所周知的离子植入过程实施。

传导层区域中的化学物质引入可以包括离子植入、掩模离子束、聚焦离子束等等。化学物质分布可以在各种区域上改变以不同地调整各个传导层区域中的薄层电阻。例如，在离子植入系统被用于在各个区域中植入各种离子的情况下，离子剂量、离子能级、离子植入程序的数目等等中的一种或多种对于每个区域可被调整以在各个区域中建立不同的化学物质分布、载流子分布、载流子密度等等，由此在各个区域中建立不同的薄层电阻。在一些实施例中，离子植入、掩模离子束、聚焦离子束(FIB)等等中的一种或多种可被用于将特定薄层电阻模式“抽吸”到一个或多个传导层区域内。在一些实施例中，化学物质“分布”可以包括在传导层的一个或多个区域上的化学物质密度、浓度、通过传导层的厚度引入的深度等等的一个或多个变化。例如，化学物质在传导层中被引入的深度可以在传导层上改变，并且传导层的薄层电阻由此随着物质深度的改变而改变。在另一个示例中，所引入的化学物质的浓度、密度等等可以在传导层上改变，并且传导层的薄层电阻由此随着物质浓度、密度等等的改变而改变。

在一些实施例中，各个传导层区域的薄层电阻可以至少部分地基于将各个传导层区域在空气或含氧气体中加热至高温来调整。该过程可以包括在加热期间将各个传导层区域选择性地暴露于大气，利用比如为激光器或氙闪光灯等等的方法以特定模式加热传导层。将传导层区域加热至高温使得能够引起等等氧化传导层区域的一个或多个化学反应。在一些实施例中，加热被设置成使得独立于可被并非完全不同地加热的其他传导层区域来氧化某些传导层区域。因此，可以形成一种或多种不同的氧化模式，由此在传导层中建立薄层电阻的一个或多个模式，这使得将EC装置结构化成选择性地切换至对应于薄层电阻模式的透射模式。在一些实施例中，传导层的另外的氧化引起更高的薄层电阻。在一些实施例中，激光退火可被用于加热特定传导层区域以一种或多种特定“模式”改变薄层电阻。在一些实施例中，各个传导层区域的薄层电阻可以至少部分地基于将各个传导层区域在一个或多个不同的气氛中加热至高温来进行调整，所述一个或多个不同的气氛包括在一个或多个大气压力下的一种或多种不同气体的一种或多种混合物等等。在一些实施例中，各个传导层区域的薄层电阻可以至少部分地基于将各个传导层区域在真空中加热至高温来调整。

在一些实施例中，各个传导层区域的薄层电阻可以至少部分地基于对各个传导层区域的相对厚度的调整而进行调整。例如，额外数量的传导层材料可以沉积在各个传导层区域中，以调整各个传导层区域的薄层电阻。在另一个示例中，一个或多个去除过程可被实施以选择性地去除特定传导层区域中的传导层的厚度的至少一部分，从而调整各个传导层区域中的薄层电阻。去除过程可以包括激光消融过程、激光切割过程、刻蚀过程等等中的一个或多个。对给定传导层区域增加或去除厚度可以包括根据特定模式增加或去除传导层区域中的传导层材料，使得形成传导层区域中的薄层电阻分布。这种形成可以将EC装置结构化成选择性地切换至相应的透射模式。

在一些实施例中，对给定传导层区域增加或去除厚度可以包括增加另外的缓冲材料以建立包括传导层材料和缓冲材料的传导层的均匀的总厚度。

在一些实施例中，在电极416A-B之间感应电位差导致传导层410的至少特定有限区域412中的热产生。这种热可以传递430至EC膜叠层420的联接至传导层410的一个或多个部分。在传导层410经由一个或多个另外的EC装置层联接至EC膜叠层的情况下，从层410传递430至EC膜叠层420的热可以通过一个或多个中间EC装置层传递。

在一些实施例中，从传导层410的一个或多个区域传递430至EC膜叠层的热被传递至EC膜叠层的对应于传导层410的一个或多个区域的一个或多个特定区域，使得EC膜叠层的这些特定区域相对于EC膜叠层的其他区域被加热。例如，在所示实施例中，在传导层的区域412处产生的热从传导层410的区域412传递430至EC膜叠层420的相应的区域422。相应的区域422可以包括EC膜叠层的与EC装置400中的区域412至少部分地重叠的区域。例如，在所示实施例中，区域412和422在EC装置400中至少部分地竖直重叠，使得区域422包括EC膜叠层420的最靠近层410的区域412的区域，从层410的区域412向下传递至EC装置400的其他层的热相对于区域424主要接收在EC膜叠层420的区域422处。在一些实施例中，传递至EC膜叠层的一个或多个区域的热贯穿EC膜叠层传导，使得至少部分地基于传递至EC膜叠层的一个或多个特定区域的热加热EC膜叠层中的一些或全部。

图5示出根据一些实施例的EC膜叠层和传导层的透视图，传导层被结构化成至少部分地基于传导层的几何结构在特定有限区域中被选择性加热。EC装置500包括传导层510，传导层510联接至EC膜叠层520并且被结构化成向EC膜叠层520的一个或多个区域522、524至少产生和分配热530。在一些实施例中，EC装置500包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图2中示出的EC装置200。在一些实施例中，传导层510经由一个或多个中间层联接至EC膜叠层520，一个或多个中间层包括一个或多个绝缘层、粘合层、封装层、防反射层、红外截止滤光层、遮蔽层、其一些组合等等。

在一些实施例中，EC装置被结构化成至少部分地基于传导层的几何结构选择性地加热传导层的特定有限区域，传导层的几何结构使传导层的其余区域结构化成相对于特定有限区域具有减小的薄层电阻。

平面电阻器的电阻可以相对于电流的方向随着电阻器的长度增加并且随着宽度减小。因此，给定量电流流过的更宽传导层区域将相对于相同给定量电流流过的更窄传导层区域具有减小的电阻，并且因此减少加热。此外，在传导层设计包括联接至远离特定有限区域的布置中的传导层的电极的情况下，将传导层、电极等等结构化成使得即使在每个区域的薄层电阻相似时特定有限区域与电极之间的中间其余区域比特定有限区域更宽，这样可以导致中间其余区域在经由中间其余区域感应出流过特定有限区域的电流时比特定有限区域更少地加热。

例如，在所示实施例中，在传导层510包括特定有限区域512和联接至远离区域512的传导层510的电极516A-B的情况下，电极516A-B大致延伸穿过层510的总宽度，使得电极与特定有限区域512之间的其余区域517A-B相对于电极516A-B之间的电流流动方向比区域512具有更大的宽度。因此，区域517A-B的对于电极516A-B之间的电流的电阻小于区域512的电阻，这可以使得当在电极516A-B之间感应出给定电位差时导致区域512比区域517A-B更多地被加热。

在一些实施例中，层510被结构化成包括区域512、517A-B，不包括区域514A-B。在一些实施例中，层510包括由不具有电导率的化学物质组成，使得电极516A-B之间的电流被限制流过区域512、517A-B。在一些实施例中，层510包括由至少部分地传导的化学物质组成的区域514A-B。

在一些实施例中，在电极516A-B之间感应电位差导致传导层510的至少特定有限区域512中的热产生。这种热可以传递530至EC膜叠层520的联接至传导层510的一个或多个部分。在传导层510经由一个或多个另外的EC装置层联接至EC膜叠层的情况下，从层510传递530至EC膜叠层520的热可以通过一个或多个中间EC装置层传递。

在一些实施例中，从传导层510的一个或多个区域传递530至EC膜叠层的热被传递至EC膜叠层的对应于传导层510的一个或多个区域的一个或多个特定区域，使得EC膜叠层的这些特定区域相对于EC膜叠层的其他区域被加热。例如，在所示实施例中，在传导层的区域512处产生的热从传导层510的区域512传递530至EC膜叠层520的相应的区域522。相应的区域522可以包括EC膜叠层的与EC装置500中的区域512至少部分地重叠的区域。例如，在所示实施例中，区域512和522在EC装置500中至少部分地竖直重叠，使得区域522包括EC膜叠层520的最靠近层510的区域512的区域，从层510的区域512向下传递至EC装置500的其他层的热相对于区域524主要接收在EC膜叠层520的区域522处。在一些实施例中，传递至EC膜叠层的一个或多个区域的热贯穿EC膜叠层传导，使得至少部分地基于传递至EC膜叠层的一个或多个特定区域的热加热EC膜叠层中的一些或全部。

图6示出根据一些实施例的卵状EC装置的透视图，卵状EC装置被结构化成在EC膜叠层的不同的区域中在分离的透射模式之间切换并且被结构化成选择性地加热传导层的对应于EC膜叠层区域中的一个或多个的一个或多个区域。EC装置600包括至少EC膜叠层602、位于EC膜叠层602的相对侧上的传导层604、606以及联接至传导层中的分离的传导层的电极608A-B、609A-B。在一些实施例中，EC装置600包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图2中示出的EC装置200。

在一些实施例中，EC装置包括在摄像机装置的一个或多个部分中。EC装置可以被结构化成在分离的透射模式之间切换以增加摄像机装置操作。例如，EC装置可以包括在摄像机光圈装置中，在此EC装置可被结构化成在分离的透射模式之间切换以选择性地使摄像机光圈变迹。这种EC装置可被结构化成使EC装置的特定区域切换至与EC装置的其他区域不同的透射水平。在一些实施例中，这种特定区域可以是EC装置的环形区域。在一些实施例中，在需要特定区域的快速和均匀切换的情况下，EC装置被结构化成选择性地加热EC装置的至少特定区域。

在一些实施例中，EC装置600包括在摄像机装置中并且被构造成使穿过摄像机装置的光变迹，使得相对于镜头的中心更少的光穿过摄像机的镜头的外周。变迹法可以包括使EC装置600变迹，在此EC装置包括在摄像机装置的光圈中。这种变迹法导致在捕获在图像中的未对焦元素的边缘处散射。这种散射导致未对焦元素的平顺，并且使得对象能够相对于未对焦元素更加鲜明地引人注意。

在一些实施例中，由于围绕摄像机传感器上的对象的图像的衍射图案可被减小，因此使摄像机光圈变迹能够通过摄像机实现图像的增大的分辨率。例如，减少穿过镜头的外周的光的量的变迹光圈能够产生对象的图像，在此如果不完全去除，则对象的图像周围的爱里图案的强度将降低。另外，光传感器对镜头的色差的灵敏性可被减轻。

在一些实施例中，EC装置600被结构化成在分离的透射水平之间选择性地切换分离的EC区域，使得EC装置可以对摄像机装置的光圈、镜头等等中的一个或多个进行选择性地变迹。

在所示实施例中，例如，EC装置600具有可以包括圆形形状的卵形形状，并且被结构化成在至少两个透射水平之间切换EC膜叠层602，使得EC装置600的特定环形区域614比其余区域612、616切换至更低的透射水平。这种结构化可以包括对应于区域614的传导层之一中的电阻的变化，以将EC膜叠层的相应区域上的电位差结构化成大于对应于区域612、616的EC区域上的电位差。这种结构化可以包括对应于区域612、614、616的区域中的EC膜叠层中的一个或多个层中的离子迁移率的变化。如图所示，电极608A-B、609A-B可被结构化成遵循EC装置600的曲率，以相对于电极直线延伸的一些实施例、相对于层602、604、606的曲率在整个EC装置600上促进增大的电荷分布均匀性。如图所示，传导层604、606中的一个或多个可被结构化成选择性地加热相应的传导层的对应于至少EC区域614的特定有限区域。该特定有限区域可以是环形形状，类似于区域614。该区域可以对应于区域614和616的组合。

在一些实施例中，各种数量的电极组联接至EC装置中的传导层中的一个或多个。分离的传导层可以包括联接至相应传导层的不同数量的电极组。例如，传导层606可以包括单组两个电极609A-B，而对于联接至层604总共四个电极，传导层604可以包括两组每组两个的电极。给定组的电极可以包括联接至传导层的不同区域的两个或更多个电极。在一个例子中，包括如图6所示的例子，一组电极中的分离的电极609A-B可以联接至传导层的相对边缘。将理解的是，如图3所示，一组电极可以联接至层的不同区域，在此不同的区域不是传导层的相对边缘。在一些实施例中，在多组传导层联接至传导层的情况下，一组或多组电极可被结构化成用于在分离的传导层之间以及在EC膜叠层上感应电位差，以使得EC膜叠层切换透射模式，同时分离的一组或多组电极可被结构化成用于在传导层上感应电流、电位差等等，以引起传导层的一个或多个特定有限区域的选择性加热。在一些实施例中，联接至传导层的分离的电极围绕传导层的一个或多个边缘均匀地间隔开，使得在分离的电极之间感应出的电流比电极不均匀间隔时实质上更加均匀。穿过层的电流分布的这种增大的均匀性可以增大相应的EC膜叠层区域的切换的均匀性、各个传导层区域的加热的均匀性等等。如图6所示，联接至卵形或圆形传导层的电极可以联接至层的不同区域，使得电极组接近传导层的边缘周围的圆形电极。在另外的电极组联接至传导层的情况下，例如两组每组两个电极，该组中的电极可以围绕传导层的圆周等间距地间隔开，其中电极以交错电极组围绕圆周联接。将理解的是，所公开的传导层和联接至传导层的电极包括联接至层的任意数量的电极组、联接至层的任意每组电极数、联接层的任意电极布置、任意数量的电极、其组合等等，联接至EC装置中的EC膜叠层的相对侧上的不同的传导层，等等。例如，EC装置600可以包括联接至传导层604、606的八个电极，在此对于总共四个电极的两组每组两个电极联接至层604并且围绕层604的圆周等间距地间隔开，同时对于总共四个电极的两组每组两个电极联接至层606并且围绕层606的圆周等间距地间隔开。

在一些实施例中，EC装置中的传导层中的一个或多个具有与包括在EC装置中的EC膜叠层不同的形状。因此，在一些实施例中，在传导层被结构化成加热相同的特定有限区域的情况下，EC装置的传导层可以大于EC装置的EC膜叠层，使得传导层延伸超过EC膜叠层的边界，并且EC膜叠层联接至传导层的有限部分。在一些实施例中，联接至EC膜叠层的传导层的有限部分可以包括传导层的特定有限区域中的一些或全部。因此，至少部分地基于对传导层的一个或多个特定有限区域的加热而加热EC膜叠层的一个或多个区域可以包括至少部分地基于对传导层的一个或多个特定区域的加热来加热EC膜叠层的整体。例如，EC装置600可以包括被结构化成相对于传导层604的其余区域选择性地加热传导层604的特定有限区域的传导层604，在此传导层604延伸超过EC膜叠层602的边界，类似于图1中的延伸超过EC膜叠层102的层120。因此，传导层604的特定有限区域可以与EC膜叠层602的整体对应(即，“重叠”)，使得至少部分地基于选择性地加热层604的特定有限区域而加热EC膜叠层的整体。

图7A-B示出根据一些实施例的卵状EC装置的分解透视图，卵状EC装置被结构化成至少部分地基于一个传导层的薄层电阻模式在EC膜叠层的不同区域中在分离的透射模式之间切换，并且被结构化成选择性地加热另一个传导层的对应于EC膜叠层区域中的一个或多个的一个或多个区域。EC装置700包括至少EC膜叠层702、位于EC膜叠层702的相对侧上的传导层704、706以及被结构化成切换透射水平的分离的EC区域712-716，使得区域714与区域712、716处于不同的透射水平。在一些实施例中，EC装置700包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分，包括图6中示出的EC装置600。

在一些实施例中，EC装置被结构化成将EC膜叠层(“EC区域”)的各个不同的区域切换至不同的透射水平。某些区域以至少一定的速度切换透射水平的能力可能比其他区域的相似能力更重要。因此，EC装置可被结构化成优先加热某些区域，这可以导致重要区域的提高的切换速度和切换均匀性，同时至少部分地减少加热其他区域的电能的消耗。在一个传导层被结构化成实现各个EC区域的选择性切换的情况下，另一个传导层可被结构化成经由对各个相应的传导层区域的选择性加热实现各个EC区域的选择性加热。

在至少图7A的所示实施例中，例如，EC装置700包括被结构化成在EC区域的不同的区域中切换至不同的透射水平的EC膜叠层702。例如，当在传导层704、706之间的叠层702上感应出电位差时，EC装置700可被结构化成将区域714切换至更低透射水平。在一些实施例中，在各个EC区域上切换的透射水平的这种变化至少部分地基于传导层的联接至EC膜叠层的一个或多个区域中的薄层电阻的变化。例如，如图所示，顶部传导层706可以包括区域732-736，区域732-736各自对应于与相应的区域732-736重叠的叠层的区域712-716中的相应的一个。在所示实施例中，区域734可以比区域732、736具有更大的薄层电阻，使得当分离的净电压应用于分离的传导层704、706中的每一个时，区域714上的电位差大于区域712、716上的电位差。在一些实施例中，如图所示，另一个传导层，底部传导层704可以包括相应的区域722-726，区域722-726可以各自对应于区域712-716中的相应的重叠组。传导层704可被结构化成相对于区域722、726加热至少特定有限区域724，以提高至少相应的区域714中的切换速度和均匀性。在一些实施例中，传导层704中的特定有限区域涵盖包括区域714、716的多个区域。在一些实施例中，传导层704被结构化成贯穿层的各个区域722-726具有共同薄层电阻，使得层704被结构化成在整个区域722-726上被均匀地加热以执行层702的各个区域的加热。

在上述例子中，顶部传导层706被表征为被结构化成使得各个EC膜叠层区域在不同组的透射水平之间切换，以使得EC膜叠层在分离的透射模式之间切换的传导层，同时底部传导层704被表征为被结构化成在一个或多个特定有限区域中选择性地加热以加热EC膜叠层的一个或多个区域的传导层。将理解的是，顶部传导层可被结构化成在特定有限区域中被选择性地加热，底部传导层可被结构化成使得EC膜叠层在分离的透射模式之间切换，其一些组合等等。

在一些实施例中，EC装置700被结构化成至少部分地基于EC膜叠层702的特性的变化使区域712-716切换至不同的透射水平，而非基于传导层704、706的特性的变化。例如，区域714中的离子迁移率可以大于区域712、716的离子迁移率，由此将区域714结构化成切换至比在层702上感应出电位差的区域712、716更低的透射水平。在这些实施例中，传导层704、706中的一个或多个可被结构化成加热一个或多个区域，包括对应于EC区域712-716中的一个或多个的一个或多个区域。

在一些实施例中，区域724是特定环形EC区域，特定环形EC区域包括具有大于至少传导层区域722的薄层电阻的薄层电阻的传导层区域。另外，内部环形区域726可以包括具有比区域724更低的薄层电阻的传导层区域。因此，至少部分地由于电极可被联接区域722，电流在通过区域724分配之前至少部分地基于区域724中相对于区域722的传导层的增大的薄层电阻通过区域722分配。因此，相对于如果区域724包括具有小于区域722的薄层电阻的薄层电阻的传导层区域，从区域722至区域724以及从区域724至内部区域726中的一个或多个的电流分布的均匀性增大。

在一个例子中，区域724包括具有大约500欧/mm²的薄层电阻的传导层区域，区域722包括具有大约50欧/mm²的薄层电阻的传导层区域。围绕区域724的外部边界的较低的薄层电阻使得低薄层电阻区域722能够更加均匀地分配来自电极的电流，这是由于高电阻区域724提供对于EC装置700的电流限制。因此，可以包括一个或多个总线的电极可以在不影响切换速度或均匀性的情况下远离区域724定位。另外，EC装置700中的位差将跨过高薄层电阻环形区域724，因此施加至短路的电压曲线的宽度可以通过改变环形区域724的尺寸来进行调整。

在一些实施例中，EC装置中的传导层中的一个或多个具有与包括在EC装置中的EC膜叠层不同的形状。因此，在一些实施例中，在传导层被结构化成加热相同的特定有限区域的情况下，EC装置的传导层可以大于EC装置的EC膜叠层，使得传导层延伸超过EC膜叠层的边界，并且EC膜叠层联接至传导层的有限部分。在一些实施例中，联接至EC膜叠层的传导层的有限部分可以包括传导层的特定有限区域中的一些或全部。因此，至少部分地基于对传导层的一个或多个特定有限区域的加热而加热EC膜叠层的一个或多个区域可以包括至少部分地基于对传导层的一个或多个特定有限区域的加热来加热EC膜叠层的整体。例如，在图7B的所示实施例中，EC装置750包括被结构化成包括传导层760的特定有限区域764的传导层760，特定有限区域764被结构化成相对于传导层760的其余区域762选择性地加热，在此传导层760延伸超过EC膜叠层702的边界，类似于图1中的延伸超过EC膜叠层102的层120。因此，传导层760的特定有限区域764可以与EC膜叠层702的整体对应(即，“重叠”)，同时区域762可以延伸超过EC膜叠层702的边缘，使得区域762不与叠层702的任何部分重叠，使得至少部分地基于选择性地加热层760的特定有限区域764加热EC膜叠层702的整体。如本文所述，在一些实施例中，层760是包括在EC装置700中并且通过一个或多个层与EC装置700中的EC膜叠层702分离的层，在此一个或多个层可以包括层704以及一个或多个中间层。

图8A-D示出根据一些实施例包括EC膜叠层的位于两个传导层之间的电气短路的EC装置。EC装置800包括至少EC膜叠层802、位于EC膜叠层802的相对侧上的传导层804、806、EC膜叠层802的电气短路808以及联接至分离的传导层的分离的电极组810A-B、812A-B。在一些实施例中，EC装置800包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图6中示出的EC装置600、图7A中示出的装置700、图7B中示出的装置750等等。

在一些实施例中，EC装置包括至少EC膜叠层的电气短路。这种电气短路可以出于一个或多个不同的理由包括在EC装置中，包括当在EC膜叠层上感应出电位差时使EC装置能够切换至一个或多个透射模式。在一些实施例中，本文中也简单称为“短路”的电气短路可被用于实现对EC膜叠层的一个或多个区域的加热。特别地，短路可被结构化成至少部分地基于流过短路的电流将一个或多个EC区域的温度保持在升高的温度下，使得一个或多个EC区域被结构化成比在不保持升高的温度时更加快速地切换透射水平。在一些实施例中，通过流过短路的电流，所述短路被结构化成最小化功率耗损，能够经由对包括在EC装置中的一个或多个传导层的一个或多个区域的加热而加热EC膜叠层。

在所示实施例中，EC装置800包括EC膜叠层802、位于EC膜叠层802的相对侧上的传导层804、806以及通过EC膜叠层802的电气短路808。如图所示，EC装置800的一些实施例可以包括通过EC膜叠层802的中心的短路808。分离的电极组810A-B、812A-B联接至分离的传导层。可以在EC膜叠层802上感应出电位差，由此至少部分地基于与不同的传导层804、806的不同的净电压经由与传导层联接的分离的电极组使得EC膜叠层802的各个区域814-816切换透射水平。如上所述，可以至少部分地基于通过联接至相同传导层的两个或更多个电极之间的给定一个或多个传导层感应出的电流，加热传导层中的一个或多个的一个或多个区域。这种电流可以是交流电流、直流电流等等。

在一些实施例中，电气短路在EC膜叠层中的存在导致当在两个传导层之间感应出电位差时EC膜叠层切换至一个或多个特定透射模式。例如，在传导层804、806之间感应出电位差的情况下，传导层804、806可以包括通过短路808的电流，EC膜叠层802可被从均匀透射水平切换至透射水平作为从短路808至EC膜叠层802的外缘的距离的函数指数地改变的透射模式。在一些实施例中，传导层中的一个或多个包括具有不同薄层电阻的不同区域，以使EC膜叠层结构化成相对于短路从均匀透射状态切换至特定模式。例如，在图示实施例中，传导层804包括区域817A-B以及819A-B，在此区域817A-B包括比区域819A-B更大的薄层电阻。因此，当不同的电压施加至各个电极810A-B、812A-B时，至少部分地基于相应的传导层区域817A-B相对于区域819A-B的更大的薄层电阻，相应的EC膜叠层区域814A-B上的电位差可以大于区域816A-B上的电位差。

在一些实施例中，EC膜叠层的电气短路可被结构化成实现对EC膜叠层的至少一部分的加热。这种加热可以至少部分地基于EC膜叠层的相对侧上的传导层之间的短路上的电流。例如，在所示实施例中，短路808可被结构化成当在传导层804、806之间感应出电位差时使得足够的电流流过短路808，以产生可被传递至EC膜叠层802的至少一部分的热。该部分可以包括EC膜叠层802的邻近短路808的区域814A-B，而叠层802的其余区域816A-B可能不接收来自短路808的热。

在一些实施例中，包括EC膜叠层的短路的EC装置被结构化成实现EC装置的一个或多个部分的两种或更多种加热模式。在一种加热模式中，在包括在EC装置中的一个或多个传导层的一个或多个区域上感应出电位差，以至少部分地基于在电位差基础上对传导层的一个或多个区域的加热，执行对EC膜叠层的一个或多个区域的加热。这种传导层可以与包括短路的EC膜叠层的相对侧上的传导层分离。在另一个加热模式中，短路至少部分地基于由通过短路的电流消耗的功率加热EC膜叠层的一个或多个区域。两种加热模式可以提供不同量和类型的加热。例如，传导层可被加热以将EC膜叠层的一个或多个区域从初始温度加热至目标温度。这种加热可以在本文中称为“初始加热”。在另一个例子中，短路可被结构化成至少部分地基于由通过短路的电流消耗的功率将热传递至EC膜叠层的一个或多个区域，以在一定时间段内保持一个或多个EC膜叠层区域的目标温度。这种加热在此可称为“保持加热”。

在一些实施例中，通过其感应出电位差以执行初始加热的传导层通过可以包括绝缘层的一个或多个中间层与EC膜叠层分离，使得层上的电位差不被EC膜叠层的电气短路所短路。

在一些实施例中，EC装置包括被结构化成用于经由由电气短路消耗的功率加热一个或多个特定区域的传导层和被结构化成使得EC膜叠层在分离的透射模式之间切换的另一个传导层。在一些实施例中，传导层中的一个或多个被结构化成限制通过电气短路的电流以保持在一个或多个阈值极限内。这种传导层可以包括具有与第二传导层的相应的(即“重叠”)区域不同的薄层电阻的区域。例如，在所示实施例中，传导层806可以具有大约100欧/mm²的薄层电阻；当在层802上以及通过短路808感应出大约3.6伏的电位差时，大约35毫安(mA)的电流可以平行于(“跨过”)层806流动，这可以引起对层806的一个或多个区域的加热以及可以进一步导致在大约0.5秒的经过时间内将EC膜叠层区域814-816加热大约20开氏度。另外，传导层804可以包括具有大约1200欧/mm²的薄层电阻的至少一个区域817A-B；使得当层802上的位差为大约3.6伏时，通过短路808的电流被限制为大约4mA，这可以足以通过由4mA电流消耗的功率产生热，4mA电流可以从短路808通过EC膜叠层802径向地传递。这种加热可以在中止初始加热时保持EC膜叠层802的一个或多个区域的升高的温度。在一些实施例中，比层806的一个或多个区域具有更大薄层电阻的区域817A-B也具有比区域819A-B更大的薄层电阻，区域817A-B可被结构化成对应于EC膜叠层可被切换至的特定透射模式。因此，传导层806可被结构化成在一个或多个特定有限区域中被加热，传导层804可以经由改变各个传导层区域817、819中的薄层电阻被结构化成管理通过电气短路808的电流，以经由由通过短路的电流消耗的功率保持在与保持加热有关的一个或多个阈值内。另外，层806可被结构化成管理当在EC膜叠层802上感应出位差时EC膜叠层在其之间切换的分离的透射模式，使得不同的EC膜叠层区域816、814切换至不同的透射水平。在一些实施例中，一个传导层被结构化成独立于对另一个传导层的一个或多个区域的加热管理通过EC膜叠层的电气短路的电流。

在一些实施例中，短路808被结构化成最小化由通过短路的电流消耗的功率，这可以通过最小化能量损失以及保持EC膜叠层的透射模式来优化切换性能。在一些实施例中，短路808被结构化成使得消耗的功率提供足够的热以保持EC膜叠层的至少一部分的目标温度，同时在层802上感应出电位差以保持EC膜叠层802的切换状态。因此，在短路808被结构化成在切换期间保持EC膜叠层的目标温度的情况下，通过一个或多个传导层、热源等等的初始加热可以在切换操作期间中止，在切换操作期间通过短路的电流损耗可以保持经由初始加热实现的目标温度，由此通过利用由通过短路的电流消耗的功率保存对于EC装置消耗的电能，以保持EC膜叠层温度以及放弃在切换操作期间继续加热传导层区域的需求。

在一些实施例中，EC装置中的分离的传导层基于切换性能或加热性能被独立地结构化。例如，层804可被结构化成至少部分地基于具有不同的薄层电阻的层804的各个相应区域817A-B、819A-B选择性地切换EC膜叠层802的各个区域，以使得EC膜叠层的相应区域上的电位差可以至少部分地基于对传导层的薄层电阻的改变而变化。层804的这些区域之一可以包括具有比其他区域更大的薄层电阻的环形区域。这种环形高电阻区域可以至少部分地减轻由传导层804、806的各个区域之间的薄层电阻失配所引起的切换均匀性问题。另外，层806可被结构化成包括不同的区域组，一些区域具有与其他区域不同的薄层电阻，以使层806结构化成选择性地加热传导层的特定有限部分。在一些实施例中，层806包括贯穿该层的均匀薄层电阻。

在一些实施例中，EC装置限制为两个电极。分离的电极可以联接至分离的传导层。例如，装置800可以限制至电极810B和812B，在此分离的单个电极联接至分离的层804、806。

在一些实施例中，联接至装置800的分离的层的电极联接至一组一个或多个电源，一个或多个电源可以引导装置的短路808上的AC信号以感应加热装置的一个或多个部分。在一些实施例中，电极联接至一组一个或多个电源，一个或多个电源可以引导DC信号通过装置以感应装置800的一个或多个部分的透射状态切换。在一些实施例中，电极联接至一组一个或多个电源，一个或多个电源可以同时引导DC信号和AC信号通过装置800的一个或多个部分，使得可以经由AC信号加热装置，同时经由DC信号切换装置800的一个或多个部分的透射状态。

电源中的至少一个可以包括DC分量和AC分量两者。因此，电源中的至少一个可以在一组电极的每个电极中感应特定电压，特定电压以足够高的频率切换极性以基于在电极之间以及在短路808上感应出的AC电位差阻止EC膜叠层802切换透射状态。短路808上的这种交变电位差能够至少部分地基于层的一个或多个特性引起对层802的一个或多个区域的加热，层的一个或多个特性包括包含在层中的一种或多种材料物质的电阻率、层的几何结构、电极在层中的布置等等。另外，传导层处的至少部分地基于高频率交流电流的净电压可以是恒定电压，以及层上的净电流可被忽略。

联接至装置800的一个或多个电源组可以感应联接至一个或多个电源的分离的电极之间的恒定净压差，引起每个分离的电极组联接其上的分离的传导层之间的电位差，这可以使得EC膜叠层的一个或多个区域在分离的透射模式之间切换。

在向电极以及如此向传导层804、806中的一个或多个施加的净电压是净恒定电压时，至少一个电源可以进一步经由切换施加至联接到层的电极组的电压的极性感应通过一个或多个层的交流电流。如上所述，切换频率可以足够大以阻止EC膜叠层802对层上的瞬时电位差做出响应。因此，尽管根据交流电流信号改变瞬时电位差，EC膜叠层802对作为恒定净电压的一个或多个层的净电压做出响应。

在一些实施例中，可以在包括在装置800中的短路808上施加AC信号，AC信号的频率可以足够大以阻止透射状态由于AC信号而在层802中切换。在一些实施例中，AC信号的足够大的频率可以包括超过100Hz的频率。因此，装置800的一个或多个部分可以由于在短路808上具有足够大的频率以减轻透射状态切换的AC信号而被加热，同时由于DC信号而在层804、806之间的净电压差由于DC信号与AC信号同时穿过短路808而可以导致透射状态被控制，包括被切换、保持等等。

在一些实施例中，EC装置包括谐振电路，在此也称为LC电路，谐振电路通过被构造成加热装置的至少一部分的EC装置电气地联接至AC电路。可以包括电气地联接至电路中的电容器的电感器的LC电路可以包括在AC电路中，AC信号可以经由AC电路穿过EC装置的至少一部分。LC电路可以将AC电路频率“调谐”至共振频率，共振频率导致瞬时电压的增大并且因此导致由通过EC装置的至少一部分的AC电流(在此也称为AC信号)感应出的电流的增大。由于AC信号的瞬时电压的增大，LC电路可以导致对EC装置的加热增强。

在一些实施例中，短路808被结构化成用于各种加热模式之一。例如，在EC装置808被结构化成偶尔切换时，EC装置可被结构化成仅执行初始加热。因此，短路可被结构化成优化切换性能以及最小化由通过短路的电流的功率耗损。在另一个例子中，在EC装置808被结构化成经常切换或即刻切换时，EC装置可被结构化成执行至少保持加热。因此，短路808可被结构化成提供由通过短路808的电流消耗的至少一定预定量的功率，以在分离的透射模式之间的EC膜叠层的切换之间加热EC膜叠层802的一个或多个区域，包括邻近短路808的区域814A-B。

在一些实施例中，不包括短路的EC装置包括各自被结构化成执行初始加热或保持加热中的分离的一个的分离的传导层。例如，在不存在短路808的情况下的EC装置800可以包括传导层804，传导层804被结构化成至少部分地基于电极810A-B之间的电势提供初始加热以将EC膜叠层802的至少一些加热至目标温度，同时层806可被结构化成提供保持加热以至少部分地基于电极812A-B之间的电位差保持EC膜叠层802的目标温度。在一些实施例中，初始加热可以利用不同的电极设计实施。例如，用于加热的电流可以是DC或AC。

在一些实施例中，EC装置800包括被构造成加热EC装置的一个或多个部分的层。层在本文中可以称为加热层。在一些实施例中，加热层包括EC装置的可以与传导层分离的传导层，传导层被构造成便于透射状态切换。

加热层可以经由至少一个电容器电气地联接至电源。如图8C所示，包括在EC装置800中的电极811A可以经由包括电容器875的电路872电气地联接至电源870。电容器可以阻止来源于电源870的DC信号通过电路872到达电极811A，同时通过电源870产生的AC信号可以穿过电路872到达EC装置800联接至电极811A的一部分，EC装置800的一部分可以包括加热层。因此，在电源870处产生的AC信号，包括足够大以便于加热EC装置800的一个或多个部分的频率，可以穿过电路872和电极，同时能够通过电容器875阻止DC信号穿过电路872和电极811A，同时DC信号可以经由并联电路874和电极811B进入装置800的至少一个部分内，装置800的至少一个部分可以与装置的AC信号经由电路872和电极811A穿过的部分分离。因此，可以阻止DC信号影响AC信号所穿过的加热层。

DC信号所穿过的电路可以包括装置800中的电气短路808。因此，EC装置800可以包括基于通过短路808的电阻的高电阻电路，DC信号可以经由电极811B、811D穿过高电阻电路。AC信号在装置800中穿过的电路相对于DC信号穿过的电路可以是相对低电阻电路，使得当由电源870产生AC信号时电容器消耗功率。通过短路808的电阻可以增大，使得能够减小用于产生切换透射模式的DC信号的电能。

在一些实施例中，电容器875、电路872、874以及EC装置800包括在经由电路876、878和电极811C-D联接至电源870的共用装置801中，使得电源870经由两个电极811C、811D联接至装置801，电路874、872可以经由电路878和电极811D与电源870并联联接，电容器875可以阻止经由电路878和电极811D从电源870传递的DC信号穿过电路872和电极811A流入EC装置800的特定部分内。

在一些实施例中，EC装置800联接至被构造成加热EC装置800的一个或多个部分的分离的部件880。部件880可以称为加热元件并且可以与EC装置800并联地电气联接，如图8D所示。EC装置800可被构造成最小化通过装置中的电气短路808的电流。加热元件880可以包括能够沿着EC装置800的一个或多个侧面延伸的另外的传导层，EC装置800的一个或多个侧面包括基板的联接至EC装置800的一个或多个侧面。如图8D所示，加热元件880可以经由电极881A和电路872联接至电容器875，元件880可以经由电极881A-B和电路876、878、872、874与EC装置800并联地联接至电源870。可以在AC信号由电源870产生并且穿过元件880时实现经由通过加热元件880的AC信号对EC装置800的一个或多个部分的加热。可以在与AC信号同时产生DC信号时独立于AC信号等等在EC装置中出现透射状态切换，DC信号穿过装置800并且被电容器875阻止穿过元件880。

在至少图6的所示实施例中，电极示出为每个传导层上的对称总线组，在此电极与至少一个特定EC区域614均匀间隔开。将理解的是，在一些实施例中，电极的结构和布置是不对称的，电极可以相对于一个或多个EC区域不均匀地布置。例如，联接至传导层的一组电极的数目可以为奇数(例如三个电极)。在奇数个电极(例如总线)联接至传导层的情况下，可以至少部分地基于被结构化成在不同极性之间切换以使流过层的电流均匀的组中的电极实现对传导层的一个或多个区域的均匀加热。在另一个示例中，一些电极为不对称形状。

图9A-C示出根据一些实施例包括EC膜叠层、位于EC膜叠层的相对侧上的相邻传导层和经由绝缘层联接至相邻传导层之一的分离的传导层的EC装置。EC装置900包括EC叠层910，EC叠层910具有EC膜叠层914和位于EC膜叠层的相对侧上的传导层912、916，EC叠层经由至少一个中间层920联接至一个或多个基板640、950和分离的传导层930。在一些实施例中，EC装置900包括在本文其他地方示出和公开的EC装置的一个或多个部分中，包括图2中示出的EC装置200、图6中示出的EC装置600等等。在一些实施例中，中间层920包括一个或多个绝缘层、粘合层、封装层、防反射层、红外截止滤光层、遮蔽层、其一些组合等等。在一些实施例中，EC装置900包括位于加热层、基板、EC叠层、其一些组合等等中的两者或更多者之间的多个中间层920。

在一些实施例中，EC装置被结构化成至少部分地基于对传导层的通过一个或多个中间层与EC叠层分离的一个或多个特定有限区域的选择性加热来加热EC膜叠层的一个或多个区域。这种在此还称为“分离的”传导层、“加热层”等等的传导层可被结构化成在一个或多个区域中产生热，热经由一个或多个中间层传递至EC叠层以加热EC膜叠层的一个或多个区域。

如所示实施例中所示，EC装置可以包括不同布置的层，包括EC叠层、加热层、中间层、基板等等。例如，在图9A中，加热层930联接至基板940，中间层920联接至基板940的相对侧上的加热层930，EC叠层910联接至中间层920。将理解的是，在加热层930定位在EC叠层910与基板之间的一些实施例中，比如图9A所示，一个或多个中间层可以定位在加热层930与基板940之间。在一些实施例中，加热层930定位在基板940的与EC叠层910的相对侧上。在一些实施例中，如本文中所述，基板是加热层，使得在EC装置中不具有与基板分离的加热层。相反地，在图9B中，EC叠层910联接至基板940，中间层920联接至EC叠层910，加热层930联接至中间层920。如本文中所述，层的联接可以包括在另一层的顶部上沉积一层。如图9C所示，各个层910-930可以定位在两个或更多个基板之间。特别地，图9C示出联接至基板940的EC叠层910、联接至EC叠层910的中间层920、联接至中间层920的加热层930以及联接至加热层930的基板950。

在一些实施例中，包括被结构化成相对于传导层的其余区域被加热的特定有限区域的传导层可以包括EC装置的基板层。例如，在图9B中，加热层930可以包括基板，基板包括被结构化成相对于基板的其余区域被加热的特定有限区域。在另一个例子中，图9A，EC装置900的加热层可以是基板940，在此基板940被结构化成包括特定有限区域，特定有限区域被结构化成相对于基板的其余区域被加热，以及在此EC装置900中不具有分离的加热层930。如本文所述，基板可以包括不同的材料中的一种或多种。在一些实施例中，基板包括透明或反射材料中的一种或多种，包括能够反射至少一个波长的电磁光谱的材料。基板可以包括一种或多种不同的透明材料，包括一种或多种玻璃、晶体材料、聚合物材料等等。晶体材料可以包括蓝宝石、锗、硅等等。聚合物材料可以包括PC、PMMA、PET等等。包括在EC装置中的基板，包括被结构化成在相对于其一个或多个其余区域的一个或多个特定有限区域中被选择性地加热的基板，可以包括在其不同的区域中具有不同的电导率的不同的玻璃。例如，基板可以包括硼硅玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、其一些组合等等中的一个或多个。基板可以具有一个或多个不同的厚度。例如，基板可以具有1微米至数百微米厚(包括端点)之间的一个或多个厚度。EC装置层的一部分的厚度，包括基板层，可以与和该部分相关的电导率、电阻等等中的一者或多者有关。层的厚度可以在层上变化以使该层结构化成具有在层上与改变的厚度一致地变化的电导率、电阻等等。基板可以包括一种或多种热回火材料、化学回火材料等等。例如，基板可以包括GORILLA GLASS^TM。基板可以包括具有一种或多种不同的热膨胀系数的材料。基板可以包括IGU、TGU、层板、整体基板等等中的一者或多者。基板可以朝向待成像的对象背向其中包括EC装置的摄像机装置。在一些实施例中，基板的与其上包括EC装置的表面相对的表面暴露于摄像机装置外部的周围环境。EC装置可以包括各种层，包括一个或多个传导层、EC堆叠层等等，如本公开的其它地方所讨论的。

II.利用基板的受控电致变色加热

图10示出根据一些实施例包括EC膜叠层、位于EC膜叠层的相对侧上的相邻传导层和联接至热源并且被结构化成加热EC膜叠层中的一些或全部的基板的EC装置。EC装置1000包括EC叠层1010、被结构化成在EC叠层1010的相邻表面上均匀地分配所接收的热的热传导层1020以及被结构化成将热1050释放到待均匀分配的热传导层1030内的热源1030。EC装置1000可以包括在本文中其他地方示出的一个或多个不同的EC装置中，包括EC装置900，图9所示。

在一些实施例中，EC装置包括与EC叠层分离的加热层，加热层包括被结构化成在EC叠层的相邻表面上均匀地分配热的热传导层，EC叠层的相邻表面包括在EC叠层中包括的传导层的相邻表面。可以包括基板的热传导层可以从一个或多个不同的热源接收热并且均匀地分配所接收的热。在一些实施例中，在EC装置1000包括在具有热源的装置中的情况下，EC装置可以经由一个或多个粘合层、热传导层等等热联接至热源，以将装置结构化成将来自热源的热传递至层1020。在一些实施例中，专用热源联接至层1020，在此热源被结构化成至少部分地基于供给至热源的电能向层1020内释放热。这种热源可以包括热电热传递装置、热泵装置等等。

在所示实施例中，例如，EC装置1000包括被结构化成经由电源1040接收电流的热电热传递装置1030，在此装置1030被结构化成至少部分地基于由电源1040供给的电流释放热。在所示实施例中，装置1030联接至层1020并且被结构化成向层1020内释放热，在此层1020可以贯穿层1020均匀地分配1050所述热，以将热1050均匀地传递至EC叠层1010。

在一些实施例中，EC装置1000包括位于热传导层与EC叠层之间的一个或多个中间层。如上所述，这些中间层可以包括绝缘层、粘合层、防反射层、红外截止滤光层、遮蔽层、其一些组合等等。

III.电致变色装置加热控制系统

图11A-C示出根据一些实施例包括EC装置和控制系统的终端用户装置，控制系统被结构化成至少部分地基于与和终端用户装置的终端用户交互相关的触发事件控制EC装置的加热。

在一些实施例中，对EC装置的一个或多个区域的加热经由各种方法和系统进行控制。这些方法和系统可以包括向EC装置的各个电极手动控制地施加电压，在此操作人员手动地调整一个或多个部件以手动地调整施加至电极的电压。这些方法和系统可以包括自动地控制向EC装置的各个电极施加的电压。这种自动控制可以包括可以通过一个或多个计算机系统实施的控制系统，控制系统控制电压的判定以施加至EC装置电极，确定是否向EC装置电极施加电压，生成指令信号以施加电压或停止向各个电极施加电压，其一些组合等等。

在一些实施例中，EC装置包括在终端用户装置中并且被结构化成至少部分地基于与终端用户装置相关的一个或多个触发事件选择性地切换透射模式。终端用户装置可以包括控制系统，控制系统可以通过一个或多个计算机系统实施并且可以选择性地控制供给到EC装置的一个或多个部分的功率，从而至少部分地基于一个或多个触发事件控制透射模式切换。触发事件可以包括与终端用户装置的一些用户触发交互、关于终端用户装置的一个或多个部分的状态做出的一个或多个判定等等。

在一些实施例中，终端用户装置包括控制系统，控制系统被结构化成至少部分地基于一个或多个触发事件选择性地控制对终端用户装置中的EC装置的一个或多个区域的加热。例如，在EC装置包括在终端用户装置中的摄像机装置的摄像机光圈中的情况下，控制系统可以至少部分地基于表明迫切使用摄像机装置、图像通过摄像机装置捕获等等的触发事件选择性地控制对EC装置的加热。

图11A-B示出终端用户装置1100的外部透视图，终端用户装置1100包括用户接口1104和位于装置壳体1102中的EC装置1106。在一些实施例中，终端用户装置1100包括一个或多个计算机系统，计算机系统包括智能电话装置、摄像机装置、平板电脑装置、膝上计算机等等。用户接口1104可以包括图形用户界面显示器，包括触屏显示器。

在一些实施例中，终端用户装置1100包括终端用户可以经由与接口1106的交互控制的摄像机装置，在此EC装置1106包括在摄像机装置的摄像机光圈中并且可以在透射状态之间切换以控制摄像机装置操作和捕获的图像质量。另外，EC装置1106可以基于与摄像机装置有关的各个触发事件被选择性地加热。触发事件可以包括某些阈值温度以上或以下的环境温度、与接口1104交互以激活摄像机装置(例如激活摄像机模式)的用户、与接口1104交互以经由摄像机装置捕获图像的用户等等。

图11C示出包括接口装置1104和包含在摄像机装置1110中的EC装置1106的终端用户装置1100的示意图。终端用户装置1100还包括控制系统1112，控制系统1112可以至少部分地通过一个或多个计算机系统实施。终端用户装置1100还包括可以包含电池的电源1108、来自外部电源的电力馈电、其一些组合等等，在此电源1108被结构化成向摄像机装置1110中的至少EC装置1104分配电能。如图所示，控制系统112可以与接口1104、电源1114和摄像机装置1110中的一个或多个部分交互。例如，控制系统112可以从摄像机装置1110接收表明EC装置1106中的EC膜叠层的至少一部分的温度的EC装置温度数据。另外，控制装置1112可以命令摄像机装置1110捕获图像，并且可以捕获摄像机装置或电源中的一者或多者以切换EC装置1106的透射模式、加热EC装置1106中的一个或多个区域等等。在一些实施例中，控制系统1112可以经由接口1104接收来自用户的指令，包括激活摄像机装置1110、经由摄像机装置1110捕获图像的指令等等。基于此类指令、来自摄像机装置1110的数据等等，控制系统1112可以确定触发事件已经发生，在此控制系统1112通过命令摄像机装置1110、电源1114等等中的一个或多个响应于这种判定以选择性地加热EC装置的一个或多个区域。这种指令可以包括向联接至EC装置1106的一个或多个电极施加电压以在传导层上感应电位差、向热源的一个或多个部分施加电压以向EC装置1106的一个或多个层供热等等的指令。

图12示出根据一些实施例被结构化成至少部分地基于对一个或多个触发事件的判定控制EC装置的选择性加热的控制系统。控制系统1200可以包括在本文中公开的控制系统中的一个或多个中，包括图12所示的控制系统1112。控制系统1200可以通过包括图13中示出的计算机系统的一个或多个计算机系统来实施。控制系统1200包括被结构化成执行控制系统1200的各个方面的不同的模块。

控制系统1200包括EC叠层温度监视器模块1204。监视器模块1204可以监控EC装置的EC叠层的一个或多个部分的温度，包括EC膜叠层的一个或多个区域的温度。这种温度监控可以至少部分地基于从联接至EC装置的一个或多个部件接收的温度数据。例如，EC膜叠层的温度可以至少部分地基于电流数据确定，电流数据包括电流损耗、计算的电阻率等等。在另一个例子中，EC膜叠层的温度可以至少部分地基于从联接至EC装置的热电偶装置接收的温度数据确定。

控制系统1200包括触发控制监视器1205。触发控制模块1205可以确定相对于EC装置、EC装置包括其中的装置等等是否已经出现一个或多个特定预定触发事件。在一个例子中，触发事件发生包括EC装置的一个或多个区域的温度小于阈值温度值的判定。在另一个例子中，触发事件发生包括至少部分地基于与接口的用户触发交互的从用户接口接收特定用户指令的判定，所述特定用户指令包括用于包括执行一个或多个特定操作的EC装置的装置的指令。例如，在EC装置包括在摄像机装置中的实施例中，触发事件发生可以包括用户已经指令经由与用户接口的交互激活摄像机装置的判定。

控制系统1200包括EC叠层加热控制模块1206。模块1206可以确定以一个或多个给定时间施加至联接到EC装置的各个电极的特定组的电压，以加热EC装置的一个或多个区域，使得EC装置的一个或多个区域被加热至一个或多个特定目标温度、保持在一个或多个目标温度等等。控制模块1206可以确定是否经由一个或多个不同的加热模式加热EC装置，包括初始加热、保持加热等等。控制模块1206可以至少部分地基于在触发控制模块1205处的触发事件判定向包括EC装置、电气地联接至EC装置的电源等等产生指令信号。

控制系统1200包括EC叠层切换控制模块1207。模块1207可以确定在一个或多个给定时间施加至联接到EC装置的各个电极的特定组的电压，以使EC装置的一个或多个区域在分离的透射模式之间切换。控制模块1207可以至少部分地基于在触发控制模块1205处的触发事件判定向包括EC装置、电气地联接至EC装置的电源等等产生指令信号。

图13是示出可以用于一些实施例的示例计算机系统的框图。

在一些实施例中，实施一项或多项技术中的部分或全部的系统，包括但不限于被结构化成控制EC装置的一些或全部的至少选择性加热的控制系统、被结构化成控制EC装置传导层的一个或多个区域的至少选择性加热的控制系统、包括被结构化成选择性地加热EC装置的一个或多个层的一个或多个区域的EC装置的终端用户装置的部分或全部以及本文中描述的各种方法、系统、部件、装置以及设备，可以包括包含或被构造成访问比如为图13中示出的计算机系统1300的一个或多个计算机可存取介质的通用计算机系统。在所示实施例中，计算机系统1300包括经由输入/输出(I/O)接口1330联接至系统存储器1320的一个或多个处理器1310。计算机系统1300还包括联接至I/O接口1330的网络接口1340。

在各个实施例中，计算机系统1300可以是包括一个处理器1310的单处理器系统或者包括几个处理器1310(例如两个、四个、八个或另一适当的数目)的多处理器系统。处理器1310可以是能够执行指令的任何适当的处理器。例如，在各个实施例中，处理器1310可以是执行各种指令集合系统结构(ISA)的通用或嵌入式处理器，比如x86、PowerPC、SPARC或MIPSISA或者任何其他适当的ISA。在多处理器系统中，处理器1310中的每一个通常可以但非必然地实施同一ISA。

系统存储器1320可被构造成存储能够由处理器1310存取的指令和数据。在各个实施例中，系统存储器1320可以利用任何适当的存储技术实施，比如静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存储器(SDRAM)、非易失性/快闪型存储器或任何其他类型的存储器。在所示实施例中，执行一个或多个所需功能的程序指令和数据，比如被结构化成控制EC装置的一些或全部的至少选择性加热的控制系统、被结构化成控制EC装置传导层的一个或多个区域的至少选择性加热的控制系统、包括被结构化成选择性地加热EC装置的一个或多个层的一个或多个区域的EC装置的终端用户装置的部分或全部、以及本文中描述的各个方法、系统、部件、装置和设备，示出为作为代码1325和数据1326存储在系统存储器1320内。

在一个实施例中，I/O接口1330可被构造成配位处理器1310、系统存储器1320和装置中的包括网络接口1340或其他外围接口的任何外围设备之间的I/O通信量。在一些实施例中，I/O接口1330可以执行任何必要的协议、定时或其他数据转换，以将来自一个部件(例如系统存储器1320)数据信号转换成适用于由另一个部件(例如处理器1310)使用的格式。在一些实施例中，I/O接口1330可以包括用于通过各种类型的外围总线附连的装置的支承件，比如外围设备互连(PCI)总线标准或通用串行总线(USB)标准的变型。在一些实施例中，I/O接口1330的功能可被分成两个或更多个分离的部件，比如北桥接器和南桥接器。此外，在一些实施例中，I/O接口1330的功能的一些或全部，比如连接至系统存储器1320的接口，可以直接结合到处理器1310内。

网络接口1340可被构造成允许数据在计算机系统1300与附连至网络1350的其他装置1360之间交换，其他装置比如为附图1至12中所示的其他计算机系统或装置。在各个实施例中，网络接口1340可以经由任何适当的有线或无线一般数据网络支持通信，比如以太网类型。另外，网络接口1340可以经由比如为模拟语音网络或数字光纤通信网络的通讯/电话网络、经由比如为纤维信道SAN的存储区网络或经由任何其他适当类型的网络和/或协议支持通信。

在一些实施例中，系统存储器1320可以是被构造成存储用于执行如上关于图1-12所述的方法的实施例的程序指令和数据的计算机可存取介质的一个实施例。在其他实施例中，程序指令和/或数据可被接收、发送或存储在不同类型的计算机可存取介质上。一般而言，计算机可存取介质可以包括非暂时存储介质或存储器介质，比如磁或光介质，例如，经由I/O接口1330联接至计算机系统1300的圆盘或DVD/CD。非暂时计算机可存取存储介质还可以包括比如RAM(例如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等的任何易失性或非易失性介质，其可以作为系统存储器1320或另一类型的存储器包括在计算机系统1300的一些实施例中。此外，计算机可存取介质可以包括经由比如为网络和/或无线电线路的通信介质传送的传输介质或信号，比如电气、电磁或数字信号，比如可以经由网络接口1340实施。

各个实施例还可以包括接收、发送或存储根据上述说明在计算机可存取介质上实施的指令和/或数据。一般而言，计算机可存取介质可以包括存储介质或存储器介质(比如磁或光介质，例如圆盘或DVD/CD-ROM)、比如为RAM的易失或非易失介质(例如SDRAM、DDR、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等，以及经由比如为网络和/或无线电线路的通信介质传送的传输介质或信号(比如电气、电磁或数字信号)。

如本文中所使用的，“计算机系统”包括各种计算机系统或其部件中的任一者。计算机系统的一个例子是机架式服务器。如本文中所使用的，术语计算机不限于在本领域参照为计算机的仅那些集成电路，而广泛地指代处理器、服务器、微控制器、微型计算机、可编程逻辑控制器(PLC)、专用集成电路以及其他可编程电路，这些术语在本文中可互换地使用。在各个实施例中，存储器可以包括但不限于计算机可读介质，比如随机存贮器(RAM)。可替代地，还可以采用光盘只读存储器(CD-ROM)、磁光盘(MOD)和/或数码影音光盘(DVD)。此外，另外的输入电路可以包括与操作人员接口有关的计算机外围设备，比如鼠标和键盘。可替代地，还可以采用可以包括例如扫描器的其他计算机外围设备。此外，在一些实施例中，另外的输出通道可以包括操作人员接口监视器和/或打印机。

如本文中所使用的，“模块”是部件或部件的组合。模块可以包括功能元件和系统，比如计算机系统、电路板、机架、风扇、管道和配电单元，以及结构元件，比如基体、框架、壳体或容器。

附图中示出和本文中描述的各种方法代表方法的示例实施例。该方法可以在软件、硬件或其组合中实施。方法的顺序可以改变，各个元素可以增加、重新排序、组合、省略、修改等等。

尽管以上实施例已相当详细地进行了描述，但是本领域技术人员一旦完全理解上述公开将容易想到许多变型和修改。旨在以下权利要求被理解为包括所有这些变型和修改。

在一些实施例中，EC装置包括基板，基板包括薄玻璃层板，包括纸玻璃薄片和粘合剂层。薄玻璃层板可以包括厚度为大约25微米的玻璃薄片。在一些实施例中，薄玻璃层板可以包括一个或多个不同的厚度。例如，薄玻璃层板可以为大约50微米厚。

在一些实施例中，光致变色或热变色材料可被用于设置本文中描述的电致变色(EC)材料或除所述电致变色(EC)材料之外。例如，装置的一些区域可以包括包含EC叠层的电致变色材料，而其他区域可以包括电致变色、光致变色或热变色材料中的至少一种。适当的光致变色材料包括但不限于三芳基甲烷、二苯乙烯、氮杂茋、硝酮、俘精酸酐、螺吡喃、萘并吡喃、螺恶嗪和苯醌。适当的热变色材料包括但不限于液晶体和无色染料。光致变色和热变色材料两者可以以众所周知的方式形成在基板上。由于光和热分别调节材料的特性，因此不需要用于光致变色或热变色动态区域的总线、电极等等。利用光致变色和/或热变色动态区域的一个示例性实施例可以是窗口，该窗口具有朝向被主动地控制用于提供日光的窗口的顶部以选择性地在一个或多个特定透射模式等等之间切换的至少一个电致变色动态区域、当在直射光下朝向窗口的底部自我加深的至少一个光致变色动态区域、以及安置在装置的另一个区域中的至少第二电致变色区域。

在一些实施例中，一个或多个EC装置可被用作用于摄像机装置的光圈滤光片、虹膜等等，并且可被结构化成选择性地变迹，如以上进一步讨论的。在一些实施例中，一个或多个EC装置可以包括在于进一步处理之前可被运输跨过延长距离的建筑‘母板’中。在一些实施例中，一个或多个EC装置可以包括在用于运输应用和重量非常重要的其他用途的一个或多个单方格窗口中。在一些实施例中，一个或多个EC装置，包括包含单个基板的一个或多个EC装置，还可被用于在用于手持式装置、计算机等等的显示器上隐藏或展示信息。在一些实施例中，一个或多个EC装置可被用于动态护眼。

此外，应当理解的是，本文中公开的主题的一个实施例可以包括窗口或利特(lite)，窗口包括建筑窗口并且具有单个窗格，利特包括多个独立地控制的动态区域。本文中公开的主题的另一个实施例包括中空玻璃单元(“IGU”)，中空玻璃单元包括位于一个窗格上的多个电致变色窗口区域和位于另一个窗格上的透明玻璃。本文中公开的主题的又一个实施例包括IGU，IGU包括一个窗格上的多个电致变色窗口区域和位于另一个窗格上的低E、浅色或反射玻璃。本文中公开的主题的仍然另一个实施例包括IGU，IGU包括位于IGU的一个窗格上的多个电致变色窗口区域和位于另一个窗格上的成型或特制玻璃，其中成型或特征可以匹配、互补和/或对照第一窗格上的动态区域的面积。应当理解的是，上述实施例可被构造、结构化等等，使得包括多个动态区域的利特是清晰利特、低E利特、反射和/或部分反射利特。

在一些实施例中，包括参照附图1-14中的一个或多个所示和所述的EC装置、终端用户装置、控制系统等等中的一个或多个的一个或多个EC装置可以包括在各种应用中，包括EC显示器、输送窗口、建筑玻璃应用等等。

在一些实施例中，一个或多个EC装置包括分离的EC区域，在此EC装置被结构化成至少部分地基于改变对EC装置的各个区域的加热，使得EC区域中的一个或多个比一个或多个其他EC区域更快地切换透射水平。各个区域的加热的这种改变可以包括改变包括在EC装置中的一个或多个传导层的各个区域的加热。

在一些实施例中，一个或多个热电热传递装置可以联接至EC装置，以将EC装置结构化成在不同的透射水平之间切换一个或多个EC区域的同时加热一个或多个EC区域，一个或多个EC区域可以包括被加热的一个或多个EC区域中的至少一些。

在一些实施例中，EC装置包括可被用于控制将EC装置的一个或多个部分加热至一个或多个特定温度的一个或多个热电偶。这种控制可以实现节省能量消耗，例如当EC装置的温度在某个阈值温度以上时阻止加热，并且当EC装置的温度在可以是不同的阈值温度的某个阈值温度以下时启动加热。来自这种热电偶的温度数据可被控制系统使用，以控制EC装置的一个或多个部分的加热，从而在EC装置的一个或多个部分中保持特定恒定的切换温度。这种温度数据可被控制系统使用以至少部分地基于EC装置的一个或多个部分的当前温度确定切换EC装置的时间。

在一些实施例中，EC装置包括在具有终端用户装置并且包括一个或多个热源的装置中。在一些实施例中，这些热源可被用于加热EC装置的一个或多个部分。例如，用于支持终端用户装置的一个或多个其他部件的操作的电流，比如由智能电话装置的电源供给以支持装置的图形用户界面的电流，可被结构化成流过用于EC装置的安装元件，例如加热EC装置，或者将EC装置安装在用于电池的散热器上，等等。

Claims (20)

1.一种设备，包括：

电致变色装置，所述电致变色装置包括位于电致变色(EC)膜叠层的相对侧上的至少两个分离的传导层；

其中所述电致变色装置被结构化成相对于至少一个传导层的其余区域选择性地加热所述至少两个分离的传导层的所述至少一个传导层的特定有限区域。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述至少两个分离的传导层中的每一个包括至少一组电极，所述至少一组电极包括联接至相应的传导层的不同区域的至少两个电极；

所述电致变色装置被结构化成与所述至少一个传导层垂直地在联接至所述至少两个传导层的分离的传导层的分离的电极之间感应电位差，以切换所述EC膜叠层的一个或多个区域的透射水平；和

为了相对于其余区域选择性地加热至少一个传导层的特定有限区域，所述至少一个传导层被结构化成与所述至少一个传导层并联地在联接至所述至少一个传导层的至少两个分离的电极之间感应电位差。

3.根据权利要求2所述的设备，其中：

所述电致变色装置包括EC膜叠层的短路，所述短路被结构化成至少部分地基于通过所述短路感应出的电流加热所述EC膜叠层的邻近所述短路的至少一部分；和

为了相对于所述至少一个传导层的其余区域选择性地加热至少一个传导层的特定有限区域，所述电致变色装置被结构化成至少经由所述至少一个传导层感应通过所述EC膜叠层的所述短路的电流。

4.根据权利要求3所述的设备，其中：

所述至少两个分离的传导层的所述至少一个传导层被结构化成包括与所述EC装置的加热相关的第一薄层电阻；和

所述至少两个分离的传导层的至少一个其他传导层被结构化成限制通过所述EC膜叠层的所述短路的电流，其中为了限制通过所述EC膜叠层的所述短路的电流，所述至少一个其他传导层包括具有大于所述第一薄层电阻的第二薄层电阻的至少一个区域。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述至少两个分离的传导层的所述至少一个传导层通过至少一个中间层和靠近所述EC膜叠层的另一个传导层与所述EC膜叠层分离，其中所述至少一个传导层经由所述中间层联接至所述另一个传导层。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述至少一个传导层包括联接至所述EC膜叠层的基板。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述至少一个传导层包括联接至所述至少一个传导层的至少一组电极，其中每组电极包括联接至所述至少一个传导层的不同区域的至少两个电极；

其中所述特定有限区域的边界至少部分地通过联接至所述至少一个传导层的至少两个电极建立。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述至少一个传导层的所述特定有限区域的薄层电阻大于所述至少一个传导层的其余区域的薄层电阻。

9.根据权利要求8所述的设备，其中：

所述至少一个传导层的所述特定有限区域的所述薄层电阻至少部分地基于所述至少一个传导层的几何结构大于所述至少一个传导层的所述其余区域的薄层电阻。

10.根据权利要求8所述的设备，其中：

所述至少一个传导层的特定有限区域和所述至少一个传导层的其余区域各自包括至少一种化学物质的分离的分布。

11.一种方法，包括：

将包括定位在至少两个传导层之间的电致变色(EC)膜叠层的电致变色装置结构化成选择性地加热至少两个传导层的至少一个传导层的特定有限区域，使得所述电致变色装置被结构化成至少部分地基于所述至少一个传导层的所述特定有限区域的选择性加热提高所述EC膜叠层的至少一部分的透射水平切换速率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

将所述电致变色装置结构化成选择性地加热所述至少两个传导层的至少一个传导层的特定有限区域包括：

将所述特定有限区域结构化成包括特定薄层电阻，和

将其余区域结构化成包括另一个薄层电阻，

其中所述特定薄层电阻大于所述另一个薄层电阻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

至少部分地基于包括在所述至少一个传导层的所述分离的特定有限区域和所述其余区域中的至少一种化学物质的分离的分布，所述特定薄层电阻大于所述另一个薄层电阻。

14.根据权利要求11所述的方法，其中：

将电致变色装置结构化成选择性地加热至少一个传导层的特定有限区域包括：

经由至少一个中间层将所述至少一个传导层联接至另一个传导层，所述另一个传导层联接至所述EC膜叠层。

15.根据权利要求11所述的方法，其中：

将所述电致变色装置结构化成选择性地加热至少一个传导层的特定有限区域包括：

安装所述EC膜叠层的短路；和

将所述电致变色装置结构化成至少经由所述至少一个传导层感应通过所述EC膜叠层的所述短路的电流。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

所述至少两个分离的传导层的所述至少一个传导层被结构化成与所述至少一个传导层并联地感应第一电位差，以感应通过所述EC膜叠层的所述短路的电流以及加热所述EC膜叠层的至少一部分；和

所述至少两个分离的传导层的至少一个另一个传导层被结构化成至少部分地基于所述至少一个另一个传导层的至少一个区域的薄层电阻限制通过所述EC膜叠层的所述短路的电流，所述至少一个另一个传导层的至少一个区域的薄层电阻大于所述至少一个传导层的薄层电阻。

17.一种设备，包括：

传导层，所述传导层被结构化成在所述传导层的特定有限区域中产生热，以选择性地加热电致变色(EC)膜叠层的至少相应区域。

18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述传导层经由中间层通过与另一个传导层的联接被联接至所述EC膜叠层，所述另一个传导层与所述EC膜叠层相邻。

19.根据权利要求17所述的设备，其中：

所述传导层的所述特定有限区域的薄层电阻大于所述传导层的其余区域的薄层电阻。

20.根据权利要求17所述的设备，其中：

所述至少一个传导层的所述特定有限区域的薄层电阻至少部分地基于所述至少一个传导层的几何结构大于所述至少一个传导层的其余区域的薄层电阻。