TWI673558B - 用於電致變色裝置之受控加熱 - Google Patents

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TWI673558B TW104124976A TW104124976A TWI673558B TW I673558 B TWI673558 B TW I673558B TW 104124976 A TW104124976 A TW 104124976A TW 104124976 A TW104124976 A TW 104124976A TW I673558 B TWI673558 B TW I673558B
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布萊恩Ｄ 格里爾
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美商塞奇電致變色公司
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Abstract

本發明係關於一種電致變色裝置，其經結構化以選擇性地加熱該電致變色裝置之一或多個特定導電層區域。可跨該導電層誘發電位差以加熱一或多個層區域。該導電層可為電致變色膜堆疊之相對側上的至少兩個導電層之一，且可在導電層之間誘發電位差以使該電致變色膜堆疊中之至少一些改變傳輸位準。該導電層可包括具有不同薄層電阻之區域，以使得當跨該導電層誘發電位差時，一或多個區域經結構化以生成比該導電層之其他區域更多之熱量。單獨層區域可包括單獨化學物質。該導電層可為幾何學上結構化的，以使得一些層區域之薄層電阻比其他區域更大。

Description

用於電致變色裝置之受控加熱
電致變色裝置包括電致變色材料，已知其回應電位差之施加而改變其光學特性(諸如著色)，藉此使得該裝置更透明或不太透明，或反射性更高或更低。典型電致變色(「EC」)裝置分別包括相對電極層(「CE層」)、實質上平行於相對電極層沈積之電致變色材料層(「EC層」)及使相對電極層與電致變色層隔開之離子導電層(「IC層」)。此外，兩個透明導電層(「TC層」)實質上分別平行於CE層及EC層且與其接觸。EC層、IC層及CE層可統稱為EC膜堆疊、EC薄膜堆疊等。EC膜堆疊及EC膜堆疊相對側上之導電層可統稱為「EC堆疊」。
當諸如藉由將相應TC層連接至低壓電源來跨電致變色裝置之分層結構施加電位差異(在本文中亦稱為「電位差」)時，儲存於CE層中之可包括Li+離子之離子自CE層流經IC層且流至EC層。此外，電子圍繞包括低壓電源之外部電路自CE層流至EC層以便在CE層及EC層中保持電中性。離子及電子轉移至EC層導致互補EC裝置中之EC層及視情況存在之CE層光學特徵改變，藉此改變電致變色裝置之著色及因此透明度。
可包括一或多種層、堆疊、裝置等的介質著色之變化可描述為介質「傳輸」之變化。如本文所用，傳輸係指准許可包括可見光之電磁(EM)輻射路徑通過介質，且介質之「傳輸位準」可指介質之透射率。若介質改變傳輸位準，則介質可自清晰傳輸狀態(「完全傳輸位 準」)改變為入射EM輻射通過介質之比例降低之傳輸位準。此類傳輸位準之變化可導致介質之著色改變、透明度改變等。舉例而言，可觀測到自完全傳輸位準改變為較低傳輸位準之介質變得更不透明、著色更深等。
在一些情況下，EC裝置可至少部分地基於跨EC裝置施加電位差(在本文中亦稱為電壓差)而在獨立傳輸位準之間轉換。可包括將一或多個獨立電壓施加至EC裝置之一或多個獨立層之該施加可導致一或多個EC堆疊層(包括EC層、CE層等)改變著色、透明度等。在一些情況下，可能需要EC堆疊之不同區域不同地改變傳輸位準，以使得跨EC堆疊施加電位差導致EC堆疊之獨立區域改變為具有兩種或兩種以上不同傳輸位準之獨立區域。
在一些情況下，一或多個EC堆疊部分改變傳輸位準之速率與EC堆疊之部分之溫度相關。為確保EC堆疊以可接受速度轉換，可加熱EC堆疊。然而，加熱EC堆疊以確保EC堆疊之該效能可能需要大量電力。舉例而言，若常需要EC堆疊轉換傳輸，則可能需要EC堆疊保持於某一溫度以上，其可能需要連續加熱EC堆疊，且可能進一步需要連續消耗電力以實現該連續加熱。在另一實例中，若需要EC堆疊在短時間內轉換傳輸，則可能需要迅速地加熱EC堆疊，其可能需要大量消耗電力。此外在一些情況下，需要均勻加熱一或多個EC堆疊部分。
100‧‧‧EC裝置
102‧‧‧EC膜堆疊/層
110‧‧‧導電層/層
112A‧‧‧電極
112B‧‧‧電極
120‧‧‧導電層/層
122A‧‧‧電極
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130‧‧‧電源
140‧‧‧電源
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200‧‧‧EC裝置
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204‧‧‧導電層/層
206‧‧‧導電層/層
210‧‧‧特定有限區域/區域
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300‧‧‧EC裝置
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314‧‧‧剩餘區域
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320‧‧‧EC膜堆疊
322‧‧‧區域
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330‧‧‧熱量/傳輸
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414A‧‧‧區域
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722‧‧‧區域/低薄層電阻區域
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726‧‧‧區域
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750‧‧‧EC裝置
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800‧‧‧EC裝置/裝置
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806‧‧‧導電層/層
808‧‧‧電短路/短路
810A‧‧‧電極
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811A‧‧‧電極
811B‧‧‧電極
811C‧‧‧電極
811D‧‧‧電極
812A‧‧‧電極
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814B‧‧‧區域
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816B‧‧‧區域
817A‧‧‧區域
817B‧‧‧區域
819A‧‧‧區域
819B‧‧‧區域
870‧‧‧電源
872‧‧‧電路
874‧‧‧電路/平行電路
875‧‧‧電容器
876‧‧‧電路
878‧‧‧電路
880‧‧‧組件/加熱元件/元件
881A‧‧‧電極
881B‧‧‧電極
900‧‧‧EC裝置
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914‧‧‧EC膜堆疊
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920‧‧‧層/中間層
930‧‧‧層/導電層
940‧‧‧基板
950‧‧‧基板
1000‧‧‧EC裝置
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1020‧‧‧導熱層/層
1030‧‧‧熱源
1040‧‧‧電源
1050‧‧‧熱量
1100‧‧‧最終使用者裝置
1102‧‧‧裝置外殼
1104‧‧‧使用者介面/介面/介面裝置/EC裝置
1106‧‧‧EC裝置/介面
1110‧‧‧相機裝置
1112‧‧‧控制系統/控制裝置
1114‧‧‧電力供應器
1200‧‧‧控制系統
1204‧‧‧EC堆疊溫度監測模組/監測模組
1205‧‧‧觸發控制監測器/觸發控制模組
1206‧‧‧EC堆疊加熱控制模組/模組/控制模組
1207‧‧‧EC堆疊轉換控制模組/模組/控制模組
1300‧‧‧電腦系統
1310a‧‧‧處理器
1310b‧‧‧處理器
1310n‧‧‧處理器
1320‧‧‧系統記憶體
1325‧‧‧程式碼
1326‧‧‧資料
1330‧‧‧輸入/輸出介面/I/O介面
1340‧‧‧網路介面
1350‧‧‧網路
1360‧‧‧其他裝置
圖1展示根據一些實施例之EC裝置之透視圖，其包含EC膜堆疊及EC膜堆疊相對側上之導電層，其中一個導電層至少部分地基於跨層之電位差而經結構化以加熱。
圖2展示根據一些實施例之EC裝置之透視圖，其包含EC膜堆疊及EC膜堆疊相對側上之導電層，其中一個導電層經結構化以選擇性地 加熱該導電層之特定有限區域。
圖3展示根據一些實施例之EC膜堆疊及導電層之透視圖，該導電層至少部分地基於導電層電極組態而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。
圖4展示EC膜堆疊及導電層之透視圖，該導電層至少部分地基於該導電層之不同區域之不同薄層電阻而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。
圖5展示根據一些實施例之EC膜堆疊及導電層之透視圖，該導電層至少部分地基於該導電層之幾何結構而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。
圖6展示根據一些實施例之卵形EC裝置之透視圖，其經結構化以在EC膜堆疊不同區域中在獨立傳輸圖案之間轉換且經結構化以選擇性地加熱對應於EC膜堆疊區域中之一或多者的導電層一或多個區域。
圖7A-B展示根據一些實施例之卵形EC裝置之透視分解圖，其至少部分地基於一個導電層之薄層電阻圖案而經結構化以在不同EC膜堆疊區域中在獨立傳輸圖案之間轉換，且經結構化以選擇性地加熱對應於EC膜堆疊區域中之一或多者的另一導電層之一或多個區域。
圖8A-D展示根據一些實施例之EC裝置，其包括兩個導電層之間的EC膜堆疊之電短路。
圖9A-C展示根據一些實施例之EC裝置，其包括EC膜堆疊、EC膜堆疊相對側上之相鄰導電層及經由絕緣層耦接至相鄰導電層中之一者的獨立導電層。
圖10展示根據一些實施例之EC裝置，其包括EC膜堆疊、EC膜堆疊相對側上之相鄰導電層及耦接至熱源且經結構化以加熱EC膜堆疊之部分或全部的基板。
圖11A-C展示根據一些實施例之最終使用者裝置，其包括EC裝置及控制系統，該控制系統至少部分地基於與最終使用者與最終使用者裝置之相互作用相關之觸發事件而經結構化以控制EC裝置之加熱。
圖12展示根據一些實施例之控制系統，其至少部分地基於一或多個觸發事件之判定而經結構化以控制EC裝置之選擇性加熱。
圖13為展示可在一些實施例中使用之例示性電腦系統之方塊圖。
本文所述各種實施例易於具有多種修改及替代形式。特定實施例在圖式中藉由實例展示且將在本文中詳細描述。然而應理解，該等圖式及對其之詳細描述不欲將揭示內容限於所揭示之特定形式，而正相反，本發明意欲涵蓋屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇的所有修改、等效物及替代方案。本文所用之標題僅用於組織性目的，且不意謂用於限制實施方式或申請專利範圍之範疇。如在整個本申請案中所用，字語「可」係以准許意義(亦即，意謂有可能)而非強制性意義(亦即，意謂必須)使用。同樣，字語「包括(include/including/includes)」意謂包括但不限於。
揭示電致變色(EC)裝置及用於組態電致變色裝置之方法之多個實施例。根據一些實施例，EC裝置可經組態以選擇性地加熱包括於EC裝置中之一或多個特定導電層區域。該選擇性加熱可藉由組態耦接至導電層之電極、改變整個導電層中之薄層電阻、改變導電層之幾何結構等來實現。導電層可藉由另一導電層而自EC裝置之EC膜堆疊分離，其與該EC膜堆疊及一或多個其他層(包括絕緣層)相鄰。用於組態EC裝置之方法可包括用於組態EC裝置以相對於一或多個導電層之剩餘區域選擇性地加熱該EC裝置中之一或多個特定導電層區域之方法。根據一些實施例，EC裝置可包括具有耦接熱源之導熱層，其經 組態以耦接至EC堆疊以使得該導熱層可將由熱源產生之熱量分佈至EC堆疊。在一些實施例中，EC裝置包括於亦包括控制系統之裝置中，該控制系統至少部分地基於與該裝置相關之一或多個觸發事件之判定而選擇性地命令加熱EC裝置之一或多個部分。此類觸發事件可包括與裝置相關之一或多種特定最終使用者相互作用、使用者命令等。
如本文所用，「組態」EC裝置、導電層等可互換地稱為「建構」EC裝置、導電層等。「經組態以」執行某事之EC裝置導電層等可互換地稱為「經結構化」以執行某事、「結構上經組態」以執行某事等的EC裝置導電層等。
I.用導電層區域進行受控之電致變色加熱
在一些實施例中，電致變色(EC)裝置包括EC膜堆疊，其至少部分地基於跨EC膜堆疊之電位差異(在本文中亦稱為「電位差」)而經結構化以在獨立傳輸圖案之間轉換。EC裝置可包括EC膜堆疊相對側上之導電層，且施加於相對導電層之獨立電壓可跨EC膜堆疊誘發電位差。
在一些實施例中，EC裝置經結構化以加熱EC膜堆疊之一或多個部分。該加熱可改善EC膜堆疊之傳輸轉換效能。舉例而言，若EC膜堆疊在相對低溫(例如華式溫度20度)下，則當跨EC膜堆疊誘發給定電位差時EC膜堆疊轉換傳輸位準之速率可小於當EC膜堆疊在較高溫度(例如華式溫度72度)下時之速率。
如本文中所提及，EC膜堆疊可包括相對電極(CE)層、電致變色(EC)層及該兩者之間的離子導電(IC)層。在一些實施例中，CE層或EC層中之一者經結構化以可逆地插入離子，諸如包括H+、Li+、D+、Na+、K+中之一或多者之陽離子或包括OH-中之一或多者之陰離子，尤其由陽極(或對應陰極)電致變色材料製成者；且其他CE層或EC層 經結構化以可逆地插入該等離子，尤其由陰極(或對應陽極)電致變色材料製成者。在一些實施例中，IC層經結構化以包括電解質層。EC膜堆疊之特徵可在於CE層或EC層中之至少一者可經結構化以可逆地插入該等離子(包括由陽極或陰極電致變色材料製成之層)，其厚度足以使得全部離子無需該等活性層之電化學失活而插入，因為IC層之電解質功能包含基於選自氧化鉭、氧化鎢、氧化鉬、氧化銻、氧化鈮、氧化鉻、氧化鈷、氧化鈦、氧化錫、氧化鎳、視情況摻有鋁之氧化鋅、氧化鋯、氧化鋁、視情況摻有鋁之氧化矽、視情況摻有鋁或硼之氮化矽、氮化硼、氮化鋁、視情況摻有鋁之氧化釩及氧化錫鋅之材料的至少一個層，此等氧化物中之至少一者視情況經氫化或氮化，由此CE層或EC層中之一或多者包含以下化合物中之至少一者：單獨或作為混合物且視情況包括諸如鈦、錸或鈷之其他金屬的鎢W、鈮Nb、錫Sn、鉍Bi、釩V、鎳Ni、銥Ir、銻Sb及鉭Ta之氧化物，且由此EC層或CE層中之一或多者的厚度在70μm與250μm之間、150μm與220μm之間等。
EC層可包括多種材料，包括鎢氧化物。CE層可包括多種材料，包括一或多種鎢鎳氧化物。IC層可包括多種材料，包括一或多種矽氧化物。電荷可包括多種帶電電解質物質，包括鋰離子。IC層可包括單層區域、多層區域、界面區域、其某一組合或其類似物。包括界面區域之IC層可包括EC或CE層中之一或多者的一或多種組分材料。
在一些實施例中，EC膜堆疊之層中之每一者可以可逆地插入陽離子及電子，由於此等插入/萃取之其氧化程度之改變引起其光學及/或熱特性之改變。特定言之，有可能在可見及/或紅外線之波長下調節其吸收及/或其反射。EC膜堆疊可包括於電解質呈聚合物或凝膠形式之EC裝置中。舉例而言，質子傳導聚合物或導電聚合物藉由鋰離子導電，其中系統之其他層一般具有無機性質。在另一實例中，EC 膜堆疊可包括於堆疊之電解質及其他層具有無機性質之EC裝置中，其可藉由術語稱為「全固態」系統。在另一實例中，EC膜堆疊可包括於所有層基於聚合物之EC裝置中，其可藉由術語「全聚合物」系統表示。
若EC膜堆疊處於「靜置」狀態，其中包括EC膜堆疊之EC裝置稱為處於完全傳輸狀態，則電荷存在於CE層中、使其還原且使其高度透明。當藉由跨EC裝置中EC膜堆疊相對側上之導電層誘發電位差來轉換裝置時，包括鋰離子之電荷自CE層移動至EC層，此導致EC堆疊傳輸位準改變。在一些實施例中，鋰離子中之一些經仍還原CE層但相對於鋰離子傳輸速率相對較低之另一帶電電解質物質替代(在CE層之分子晶格結構內結合更多或更強)。因此，可調節由一或多個CE層區域轉換之傳輸位準之速率及量。調節由CE層區域轉換之傳輸位準之速率及量包括調節由相應EC層轉換之傳輸位準之速率及量。
具有多個輸送速率之電荷電解質物質可包括稀土及鹼金屬。此等為比鋰更重或更緊密結合之物質且應包括例如鈉、鉀、銣、銫、鈁、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇及鐳。
舉例而言，在一些實施例中，EC膜堆疊之CE層可沈積於導電層上，其可包括透明導電層，包括ITO，且可將多種不同帶電電解質物質引入、注入等至獨立CE層區域中。舉例而言，可將鎂離子注入一或多個CE層區域，且可將鈉離子注入一或多個其他CE層區域中。應理解，如在整個揭示內容中所論述，可控制離子注入之圖案、深度及劑量。舉例而言，可利用鋁箔遮蔽以選擇性地使CE層區域之圖案暴露於一或多種特定帶電電解質物質之注入。
在一些實施例中，EC膜堆疊之一或多個部分之加熱經由經EC裝置之一部分誘發之電流、電位差等實現。可經由兩個或兩個以上耦接至給定導電層之電極之間的電位差經EC裝置之一或多個部分誘發電 位差。此類誘發之電位差可使電流流經導電層。在一些實施例中，使電流通過導電層以使熱量至少部分地基於電流流經之導電層區域之電阻在導電層一或多個區域中產生。導電層可包含一或多種不同化學物質，其包括對電流之一或多種不同程度之電阻。因此，使電流通過導電層一或多個區域可使熱至少部分地基於一或多個區域中之導電層電阻在一或多個區域中產生。
加熱導電層區域可導致加熱EC裝置之EC膜堆疊之一或多個區域。此類EC膜堆疊區域可包括對應於經加熱之導電層區域之區域。舉例而言，可將導電層區域中產生之熱量分佈至導電層耦接之EC膜堆疊。
在一些實施例中，導電層(誘發流經其之電流以加熱該一或多個導電層之區域(在本文中亦稱為導電層區域))亦用於跨EC裝置之EC膜堆疊誘發電位差以使EC膜堆疊之一或多個區域(「EC區域」)改變傳輸位準。跨EC膜堆疊在至少兩個導電層之間誘發電位差及經由跨給定導電層誘發獨立電位差來加熱一或多個該等導電層中之一者的區域可同時進行。該同步電流誘發可至少部分地基於跨EC膜堆疊在相對導電層之間誘發直流電及跨導電層中之一者誘發交流電來實現，其中交流電之頻率高至足以阻止EC膜堆疊至少部分地基於交流而轉換傳輸位準。在一些實施例中，此類足夠高之轉換頻率包括等於或大於100Hertz之轉換頻率。
在一些實施例中，EC裝置之EC區域、導電層區域等中之每一者可具有相同或不同大小、體積及/或表面積。在其他實施例中，EC區域、導電層區域等中之每一者可具有相同或不同形狀(包括曲形或弓形)。
圖1展示根據一些實施例之EC裝置之透視圖，其包含EC膜堆疊及EC膜堆疊相對側上之導電層，其中一個導電層至少部分地基於跨層 之電位差而經結構化以經加熱。
EC裝置100包括EC膜堆疊102及耦接至EC膜堆疊102之相對表面之導電層110、120。EC膜堆疊102可包括EC層、IC層及CE層中之一或多者。如本文中所提及，導電層可包括一或多個透明導電(TC)層。各獨立導電層110、120包括一組電極112A-B、122A-B，其各自耦接至獨立電源130、140。電源130為直流電(DC)電源，同時電源140包括DC及交流電(AC)組件。此類電源140可包括半橋接電路，其包括至少兩個電子開關，包括MOSFET，其中該半橋接電路可由脈寬調變器(PWM)控制。因此，電源140可在各電極112A-B中誘發特定電壓，其在足夠高頻下轉換極性以阻止EC膜堆疊102基於電極112A-B之間誘發之AC電位差而轉換傳輸狀態。此類跨層110之交流電位差可至少部分地基於一或多個層特徵而使一或多個層110之區域經加熱，該等特徵包括層110中所包括之一或多種材料物質之電阻率、層110之幾何結構、該層中電極112A-B之排列等。如本文所用，相同層上獨立電極之間的「跨」單層之差，包括所展示層120之電極112A-B之間的電位差，可互換地稱為「與該層平行」之差。此外，至少部分地基於高頻率交流電之導電層110之淨電壓可為恆定電壓且跨層110之淨電流可忽略，其可導致跨EC膜堆疊102在導電層110與導電層120之間誘發電位差。
如所說明之實施例中所示，電源130及140各自誘發耦接至相應電源之電極組之間的恆定淨電壓，在各獨立電極組耦接之獨立導電層之間產生電位差，其可使EC膜堆疊之一或多個區域在獨立傳輸圖案之間轉換。如所示，電源130在耦接至導電層之各電極112A-B處誘發電壓「V2」，且電源140在各電極122A-B處誘發淨電壓「0伏」，因此跨EC膜堆疊102在兩個層110、120之間產生電位差△Vα=(V2-0)=V2。如本文所用，在兩個層之間「跨」單層之差包括所說明之層 110、120之間且跨層102之電位差，其可互換地稱為「垂直於」層110、120、102中之一或多者之差。
如進一步展示於所說明之實施例中，當淨電壓施加於電極122A-B且因此導電層120為零伏之淨電壓時，電源140經由轉換施加於耦接至層120之電極122A-B組之電壓極性而誘發經由層120之交流電。如上所指出，轉換頻率可大至足以阻止EC膜堆疊102回應跨層120之瞬時電位差。因此，EC膜堆疊102回應淨電壓為零伏之層120之淨電壓，但跨層120且電極122A-B之間的瞬時電位差為△Vβ=(V1-(-V1))=2V1。
在一些實施例中，層110包括具有一或多個特徵之一或多個區域，其至少部分地基於經由層110在電極112A-B之間的交流電產生熱量。該產生之熱量可自層110傳輸至EC膜堆疊102以加熱一或多個EC膜堆疊102之相應區域。當跨一或多個EC膜堆疊102之部分誘發電位差時，加熱一或多個EC膜堆疊102之區域可使彼等區域以比該EC膜堆疊之其他區域更快之速率轉換。加熱導電層、EC膜堆疊等中之一或多者的一或多個區域可包括加熱比一或多個其他區域更多之一或多個區域。
在一些實施例中，可加熱整個導電層以加熱EC膜堆疊。該加熱可消耗大量電力。舉例而言，在所說明之實施例中，可至少部分地基於經由層120在電極112A-B之間誘發之均勻交流電來均勻加熱層120之整體。此外，在一些實施例中，EC裝置之某些區域，包括某些EC膜堆疊區域經結構化以相對於其他此類區域更頻繁地將傳輸位準轉換至較高或較低程度等。此外，在一些實施例中，一些EC膜堆疊區域中之轉換速度比其他區域中之轉換速度更重要。因此，當可能需要加熱一些EC區域時，加熱一些其他EC區域可視為浪費電力以達成該加熱，因為不需要該加熱。此外，在一些實施例中，均勻加熱一些EC 區域可優先於均勻加熱其他EC區域。
在一些實施例中，加熱導電層整體以加熱EC膜堆疊之一或多個區域可視為資源之浪費性消耗。舉例而言，在所說明之實施例中，儘管加熱層120之區域170可導致EC膜堆疊102之加熱，但加熱區域172A-B可不導致EC膜堆疊102之顯著加熱；因此，經消耗以加熱區域172A-B之電能可視為電力之浪費。
圖2展示根據一些實施例之EC裝置之透視圖，其包含EC膜堆疊及EC膜堆疊相對側上之導電層，其中一個導電層經結構化以選擇性地加熱該導電層之特定有限區域。EC裝置200包括EC膜堆疊202及EC膜堆疊202相對側上之導電層204、206。此類導電層204、206亦可稱為耦接至EC膜堆疊202之相對相鄰表面。在一些實施例中，EC裝置200之部分或全部可包括於圖1中所展示之EC裝置100中。
在一些實施例中，經由將電位差施加至整個導電層來加熱EC膜堆疊可構成電力之浪費性消耗。舉例而言，儘管可能需要加熱所展示導電層204中之特定有限區域210，但加熱層204之剩餘區域212可包含資源之浪費。可能需要該「針對性」加熱以實現至少部分地與區域210重疊之一或多個EC膜堆疊202之相應區域的針對性加熱。在一些其他實施例中，儘管可能需要層204之區域210、204之整體以實現跨EC膜堆疊202在層204、206之間誘發電位差，但可能需要層204體積之有限部分產生充分熱量以將一或多個EC膜堆疊202之部分，包括堆疊202之整體加熱至一或多個必需溫度以實現堆疊202之一或多個部分的至少一定傳輸轉換速度。如本文中進一步論述，EC裝置之多個實施例可包括多種導電層結構以使EC裝置結構化，來選擇性地加熱導電層之一或多個特定有限區域。
如本文所用，至少部分地基於加熱導電層之一或多個特定有限區域以加熱EC膜堆疊之一或多個區域可包括至少部分地基於加熱一 或多個特定導電層區域以加熱EC膜堆疊之整體。在一些實施例中，EC裝置200可包括於圖1所展示之EC裝置100中，以使得導電層204延伸超出EC膜堆疊202之邊界，此類似於圖1中之層120延伸超出EC膜堆疊102。因此，導電層204之特定有限區域210可對應於(亦即「重疊於」)EC膜堆疊202之整體，以使得EC膜堆疊之整體至少部分地基於選擇性地加熱層204之特定有限區域210而經加熱。
圖3展示根據一些實施例之EC裝置之透視分解圖，其包括EC膜堆疊及導電層，該導電層至少部分地基於耦接至該導電層之電極的特定排列而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。EC裝置300包括導電層310，其耦接至EC膜堆疊320且經結構化以至少使熱量330產生及分佈至EC膜堆疊320之一或多個區域322、324。在一些實施例中，EC裝置300包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖2中所展示之EC裝置200。在一些實施例中，導電層310經由一或多個中間層(包括一或多個絕緣層、黏合層、密封層、抗反射層、紅外線截斷過濾層、模糊層，其某一組合等)耦接至EC膜堆疊320。
在一些實施例中，EC裝置至少部分地基於耦接至導電層之電極之特定排列而經結構化以選擇性地加熱導電層之特定有限區域。舉例而言，一組經結構化以誘發跨給定導電層之電位差的電極可耦接至處於特定排列中之導電層，使得電極在特定有限區域之相鄰側上耦接。因此，流經導電層之電流可至少部分地受限於電極之間的特定有限區域，以使得特定有限區域以外之導電層區域中之加熱至少部分地緩和。
舉例而言，在所說明之實施例中，導電層310包括一組耦接至處於此類排列之導電層之電極316A-B，即兩個電極316A-B在導電層310之特定有限區域312之相對側上。所展示之區域312大致位於導電層 310區域之中央區域，但可理解，區域312可位於導電層310區域之任何區域。舉例而言，在一些實施例中，區域312由導電層310之一或多個邊緣定界。
如所示，定界導電層310之特定有限區域312之相對邊緣的電極316A-B之排列可導致導電層310中電極316A-B之間的電流至少部分地受限於流經電極316A-B之間的區域312之流動。相反地，流經導電層310之剩餘區域314之部分或全部的電流可至少部分地緩和。因此，當在電極316A-B之間誘發電位差時，可相對於剩餘314加熱區域312。相對於另一區域(包括區域314)加熱一個區域(包括區域312)可包括比另一區域更多地加熱一個區域。舉例而言，儘管當在電極316A-B之間誘發電位差時可能出現剩餘區域314之至少一些加熱，但區域312之加熱可大於剩餘區域314之加熱。此外，可相對於區域314而最大化區域312之均勻加熱。可能需要該均勻性，尤其在需要均勻加熱對應於區域312之EC裝置之一或多個特定區域的情況下。因此，儘管可能至少部分地加熱導電層310之其他區域，其可包括整個區域314之不均勻加熱，但當在電極316A-B之間誘發電位差時區域312之加熱可比區域314更均勻。
在一些實施例中，加熱一或多個特定導電層區域可至少部分地基於一或多種包括於特定導電層區域中之化學物質對電流之電阻。舉例而言，導電層310之部分或全部可包含一或多種化學物質，包括對電流具有一定電阻之氧化銦錫(ITO)，由此至少部分地基於該電阻而誘發流經包括可使熱量產生之一或多種化學物質之層之一部分的電流。
在一些實施例中，在電極316A-B之間誘發電位差使得熱量在導電層310之至少特定有限區域312中產生。該熱量可傳輸330至導電層310耦接之EC膜堆疊320之一或多個部分。若導電層310經由一或多個 其他EC裝置層耦接至EC膜堆疊，則自層310傳輸330至EC膜堆疊320之熱量可經由一或多個中間EC裝置層傳輸。
在一些實施例中，自導電層310之一或多個區域傳輸330至EC膜堆疊之熱量經傳輸至EC膜堆疊之一或多個特定區域，其對應於導電層310之一或多個區域，以使得彼等EC膜堆疊之特定區域相對於EC膜堆疊其他區域經加熱。舉例而言，在所說明之實施例中，在導電層之區域312產生之熱量自導電層310之區域312傳輸330至EC膜堆疊320之相應區域322。相應區域322可包括至少部分地與EC裝置300中之區域312重疊之EC膜堆疊區域。舉例而言，在所說明之實施例中，區域312及322在EC裝置300中至少部分地垂直重疊，以使得區域322包含離層310之區域312最近之EC膜堆疊320區域且自層310之區域312向下傳輸至EC裝置300之其他層的熱量主要在EC膜堆疊320之區域322接收。在一些實施例中，將熱量傳輸至EC膜堆疊之一或多個區域在整個EC膜堆疊中進行，以至少部分地基於傳輸至EC膜堆疊一或多個特定區域之熱量而使EC膜堆疊之部分或全部經加熱。
圖4展示EC膜堆疊及導電層之透視圖，該導電層至少部分地基於該導電層之不同區域之不同薄層電阻而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。EC裝置400包括導電層410，其耦接至EC膜堆疊420且經結構化以使熱量430至少產生及分佈至EC膜堆疊420之一或多個區域422、424。在一些實施例中，EC裝置400包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖2中所展示之EC裝置200。在一些實施例中，導電層410經由一或多個中間層耦接至EC膜堆疊420，包括一或多個絕緣層、黏合層、密封層、抗反射層、紅外線截斷過濾層、模糊層、其某一組合等。
在一些實施例中，EC裝置至少部分地基於經結構化以包括對電流具有不同電阻(在本文中亦稱為「薄層電阻」)之不同層區域的導電 層而經結構化以選擇性地加熱導電層之特定有限區域。導電層可經結構化以包括電極在遠離待選擇性地加熱層之特定有限區域之位置耦接至導電層的多個層區域中薄層電阻之此類變化。舉例而言，在所說明之實施例中，導電層410包括區域412、414A-B、417A-B，其中區域412及417A-B在耦接至導電層之電極416-B之間。若區域412為EC裝置400經結構化以選擇性地加熱之特定有限區域，則電極416A-B可經結構化以延伸至區域412之一組邊界；如所示，電極416A-B經由層410在區域412之寬度之間，但不沿層410之整個寬度延伸。因此，電極416A-B不定界區域414A-B，且至少部分地基於在電極416A-B之間誘發之電位差的流經層410之電流可更均勻流動且在一些實施例中，其主要流經層410之區域417A-B、412。
若區域412為特定有限區域，且區域417A-B及414A-B為剩餘區域，則區域417A-B可經結構化以具有低於區域412之薄層電阻的薄層電阻。同樣，在一些實施例中，區域412經結構化以具有大於至少區域417A-B之薄層電阻的薄層電阻。區域417A-B相對於區域412具有降低之薄層電阻的導電層410可使流經電極416A-B之間區域412、417A-B之電流的均勻性提高。
在一些實施例中，區域417A-B之薄層電阻低於區域414A-B中之一或多者的薄層電阻。在一些實施例中，相對於區域414A-B及417A-B具有共同或類似薄層電阻之實施例，薄層電阻之該變化可使流經區域412之電流之均勻性提高，且因此區域412之加熱之均勻性提高。
在一些實施例中，當在電極416A-B之間誘發電位差時，區域412經結構化以具有相對於至少區域417A-B之薄層電阻更大之薄層電阻，來結構化層410以比區域417A-B更多地加熱區域412(亦即，「增強加熱」區域412)。此外，若區域412之薄層電阻大於至少區域417A-B之薄層電阻，則相對於區域412、417A-B具有共同薄層電阻之實施 例可提高流經區域412之電流及因此區域412之加熱的均勻性。
在一些實施例中，跨多個導電層區域之薄層電阻之變化至少部分地基於該多個區域中導電層的一或多個特徵之變化。此類變化特徵可包括多個區域中層之化學物質組成之變化。化學物質可包括多種不同材料、物質、元素、化合物等。不同導電層區域可包括一或多種不同化學物質之不同分佈，在本文中亦稱為一或多種不同化學物質之「獨立」分佈。區域中物質之不同分佈可包括一或多個不同層區域之部分或全部中物質密度之變化、一或多個不同層區域之部分或全部中物質濃度之變化、一或多個不同層區域之部分或全部中存在一或多種物質之導電層之深度的變化等。舉例而言，給定化學物質可以一個特定濃度存在於一個導電層區域中，而相同化學物質可以獨立濃度存在於另一導電層區域中。給定區域中物質之給定分佈可變化。舉例而言，一個層區域中給定物質之分佈可包括層區域之相對邊界之間的物質濃度之變化，其對應於相對邊界之間的常態分佈。區域中物質之不同分佈可包括以一或多種分佈存在於一個區域中之物質及不存在於不同區域中之物質。舉例而言，在所說明之實施例中，區域417A-B可由包括金之至少一種金屬化學物質組成，而區域412可由包括氧化銦錫(ITO)之至少一種獨立化學物質組成。不同物質可具有不同電導率、電阻等：舉例而言，金可為比ITO更導電之物質，以使得包含ITO之導電層區域之薄層電阻比包含金之獨立導電層區域更大。在另一具體實例中，區域412、417A-B可由ITO組成，且區域412可由ITO組成且進一步由包括氧之一或多種氧化化學物質之一或多種不同分佈組成，其使區域412之薄層電阻相對於區域417A-B更大。
化學物質可包括相對於另一區域提高導電層區域氧化程度之一或多種氧化物質以調節導電層區域之薄層電阻。可引入之氧化物質之非限制性實例可包括氧、氮等。在另一實例中，可引入多種金屬物質 中之一或多者以改變導電層區域中之電荷載流子密度、電荷載流子分佈等。此類金屬物質之非限制性實例可包括銦、錫、金、其某一組合等。簡而言之，導電層區域中之一或多種化學物質(其中化學物質可改變導電層區域中之電荷載流子密度、電荷載流子分佈等)可導致導電層區域薄層電阻之調節。導電層區域中之化學物質可包括一或多種化學物質，其可經由熟知離子注入方法來實施。
導電層區域中之化學物質引入可包括離子注入、遮蔽離子束、聚焦離子束等。可跨多種區域改變化學物質分佈以不同地改變多個導電層區域中之薄層電阻。舉例而言，若離子注入系統用於將多種離子注入多個區域中，則可調節各區域之離子劑量、離子能階、離子注入製程之數量等中之一或多者以建立多個區域中不同化學物質之分佈、電荷載流子分佈、電荷載流子密度等，由此建立多個區域中之不同薄層電阻。在一些實施例中，離子注入、遮蔽離子束、聚焦離子束(FIB)等中之一或多者可用於將特定薄層電阻圖案「繪製」至導電層一或多個區域中。在一些實施例中，化學物質「分佈」可包括跨導電層一或多個區域的經由導電層厚度引入之一或多種化學物質之密度、濃度、深度等變化。舉例而言，化學物質引入導電層中之深度可在整個導電層中變化，且導電層之薄層電阻根據物質深度之變化而變化。在另一實例中，所引入化學物質之濃度、密度等可在整個導電層中變化，且導電層之薄層電阻根據物質濃度、密度等之變化而變化。
在一些實施例中，可至少部分地基於在空氣或含氧氣體中將多個導電層區域加熱至高溫來調節多個導電層區域之薄層電阻。此類製程可包括在加熱期間選擇性地使多個導電層區域暴露於大氣，使用諸如雷射或氙氣閃光燈等之方法以特定圖案加熱導電層。將導電層區域加熱至高溫可實現、誘發等一或多種氧化導電層區域之化學反應。在一些實施例中，加熱經圖案化以使得某些導電層區域獨立於可以不同 方式加熱、根本不經加熱等之其他導電層區域而經氧化。因此，可形成一或多種不同氧化圖案，由此建立導電層中之薄層電阻的一或多種圖案，其使得EC裝置經結構化以選擇性地轉換為對應於薄層電阻圖案之傳輸圖案。在一些實施例中，其他導電層氧化產生較高薄層電阻。在一些實施例中，雷射退火可用於加熱特定導電層區域來以一或多種特定「圖案」改變薄層電阻。在一些實施例中，可至少部分地基於在一或多種不同氛圍中將多個導電層區域加熱至高溫來調節多個導電層區域之薄層電阻，該等氛圍包括一或多個大氣壓力下一或多種不同氣體之一或多種混合物等。在一些實施例中，可至少部分地基於在真空中將多個導電層區域加熱至高溫來調節多個導電層區域之薄層電阻。
在一些實施例中，可至少部分地基於調節多個導電層區域之相對厚度來調節多個導電層區域之薄層電阻。舉例而言，可在多個導電層區域中沈積額外量之導電層材料以調節多個導電層區域之薄層電阻。在另一實例中，可實施一或多個移除製程以選擇性地移除導電層(特定言之導電層區域)之至少一部分厚度來調節多個導電層區域中之薄層電阻。移除製程可包括雷射切除製程、雷射切割製程、蝕刻製程等中之一或多者。對給定導電層區域添加或移除厚度可包括根據特定圖案添加或移除導電層區域中之導電層材料，以使得導電層區域中之薄層電阻分佈經圖案化。此類圖案化可使EC裝置結構化以選擇性地轉換為相應傳輸圖案。
在一些實施例中，對給定導電層區域添加或移除厚度可包括添加其他緩衝劑材料以建立包括導電層材料及緩衝劑材料之導電層之均勻總厚度。
在一些實施例中，在電極416A-B之間誘發電位差使熱量在至少導電層410之特定有限區域412中產生。該熱量可傳輸430至導電層410 耦接之EC膜堆疊420之一或多個部分。若導電層410經由一或多個其他EC裝置層耦接至EC膜堆疊，則自層410傳輸430至EC膜堆疊420之熱量可經由一或多個中間EC裝置層傳輸。
在一些實施例中，自導電層410之一或多個區域傳輸430至EC膜堆疊之熱量經傳輸至對應於導電層410之一或多個區域的EC膜堆疊的一或多個特定區域，以使得彼等特定EC膜堆疊區域相對於其他EC膜堆疊區域經加熱。舉例而言，在所說明之實施例中，在導電層之區域412產生之熱量自導電層410之區域412傳輸430至EC膜堆疊420之相應區域422。相應區域422可包括至少部分地與EC裝置400中之區域412重疊之EC膜堆疊區域。舉例而言，在所說明之實施例中，在EC裝置400中區域412及422至少部分地垂直重疊，以使得區域422包含離層410之區域412最近之EC膜堆疊420區域且自層410之區域412向下傳輸至EC裝置400之其他層的熱量主要在相對於區域424之EC膜堆疊420之區域422經接收。在一些實施例中，將熱量傳輸至EC膜堆疊之一或多個區域在整個EC膜堆疊中進行，以至少部分地基於傳輸至EC膜堆疊一或多個特定區域之熱量而使EC膜堆疊之部分或全部經加熱。
圖5展示根據一些實施例之EC膜堆疊及導電層之透視圖，該導電層至少部分地基於該導電層之幾何結構而經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱。EC裝置500包括導電層510，其耦接至EC膜堆疊520且經結構化以使熱量530至少產生及分佈至EC膜堆疊520之一或多個區域522、524。在一些實施例中，EC裝置500包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖2中所展示之EC裝置200。在一些實施例中，導電層510經由一或多個中間層耦接至EC膜堆疊520，包括一或多個絕緣層、黏合層、密封層、抗反射層、紅外線截斷過濾層、模糊層、其某一組合等。
在一些實施例中，EC裝置至少部分地基於導電層之幾何結構而 經結構化以選擇性地加熱導電層之特定有限區域，此舉使導電層之剩餘區域結構化以相對於特定有限區域具有降低之薄層電阻。
平面電阻器之電阻可相對於電流方向隨電阻器之長度而提高且隨寬度而降低。因此，給定量電流流經之較寬導電層區域應具有相對於相同給定量之電流流經之較窄導電層區域降低之電阻及因此減少之加熱。此外，若導電層設計包括在遠離特定有限區域之排列中耦接至導電層之電極，則使導電層、電極等結構化以使得特定有限區域與電極之間的中間剩餘區域寬於特定有限區域(即使各區域之薄層電阻類似)可導致當誘發電流經由中間剩餘區域流經特定有限區域時，中間剩餘區域之加熱少於特定有限區域。
舉例而言，在所說明之實施例中，若導電層510包括特定有限區域512及遠離區域512耦接至導電層510之電極516A-B，則電極516A-B大致延伸至層510之全寬，以使得電極與特定有限區域512之間的剩餘區域517A-B相對於電極516A-B之間的電流流動方向具有比區域512更大之寬度。因此，區域517A-B對電極516A-B之間電流之電阻小於區域512之電阻，其可導致當在電極516A-B之間誘發給定電位差時，區域512比區域517A-B更多地經加熱。
在一些實施例中，層510經結構化以包含區域512、517A-B，且不包含區域514A-B。在一些實施例中，層510包括由不導電之化學物質組成之區域514，以使得電極516A-B之間的電流僅限於流經區域512、517A-B。在一些實施例中，層510包括由至少部分地導電之化學物質組成之區域514A-B。
在一些實施例中，在電極516A-B之間誘發電位差使熱量在至少導電層510之特定有限區域512中產生。該熱量可傳輸530至導電層510耦接之EC膜堆疊520之一或多個部分。若導電層510經由一或多個其他EC裝置層耦接至EC膜堆疊，則自層510傳輸530至EC膜堆疊520之 熱量可經一或多個中間EC裝置層傳輸。
在一些實施例中，自導電層510之一或多個區域傳輸530至EC膜堆疊的熱量經傳輸至對應於導電層510之一或多個區域的EC膜堆疊的一或多個特定區域，以使得EC膜堆疊之彼等特定區域相對於EC膜堆疊其他區域經加熱。舉例而言，在所說明之實施例中，在導電層之區域512產生之熱量自導電層510之區域512傳輸530至EC膜堆疊520之相應區域522。相應區域522可包括至少部分地與EC裝置500中之區域512重疊之EC膜堆疊區域。舉例而言，在所說明之實施例中，區域512及522在EC裝置500中至少部分地垂直重疊，以使得區域522包含離層510之區域512最近之EC膜堆疊520之區域且自層510之區域512向下傳輸至EC裝置500之其他層的熱量主要在相對於區域524的EC膜堆疊520之區域522接收。在一些實施例中，將熱量傳輸至EC膜堆疊之一或多個區域在整個EC膜堆疊中進行，以至少部分地基於傳輸至一或多個特定EC膜堆疊區域之熱量而使EC膜堆疊之部分或全部經加熱。
圖6展示根據一些實施例之卵形EC裝置之透視圖，其經結構化以在EC膜堆疊不同區域中在獨立傳輸圖案之間轉換且經結構化以選擇性地加熱對應於EC膜堆疊區域中之一或多者的導電層一或多個區域。EC裝置600包括至少一個EC膜堆疊602，EC膜堆疊602相對側上之導電層604、606及耦接至導電層之獨立層的電極608A-B、609A-B。在一些實施例中，EC裝置600包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖2中所展示之EC裝置200。
在一些實施例中，EC裝置包括於相機裝置之一或多個部分中。EC裝置可經結構化以在獨立傳輸圖案之間轉換來強化相機裝置操作。舉例而言，EC裝置可包括於相機孔徑裝置中，其中EC裝置經結構化以在獨立傳輸圖案之間轉換來選擇性地使相機孔徑切趾。此類 EC裝置可經結構化以使特定EC裝置區域轉換至與其他EC裝置區域不同之傳輸位準。在一些實施例中，此類特定區域可為EC裝置之環形區域。在一些實施例中，若需要特定區域之快速且均勻轉換，則使EC裝置結構化以選擇性地加熱EC裝置之至少特定區域。
在一些實施例中，EC裝置600包括於相機裝置中且經組態以使通過相機裝置之光切趾，以使得通過相機鏡頭邊緣之光相對於鏡頭中心較少。切趾可包括使EC裝置600切趾，其中EC裝置包含於相機裝置之孔徑中。該切趾導致在a影像中捕獲之離焦要素邊緣處之擴散。該擴散使離焦要素平滑，且使主體能夠相對於離焦要素更生動地突出。
在一些實施例中，使相機孔徑切趾能夠使相機之影像增強解析度，因為可減少相機感測器上圍繞主體影像之繞射圖案。舉例而言，減少通過鏡頭邊緣之光量的經切趾孔徑可產生主體影像，其中圍繞主體影像之Airy圖案得以降低強度或甚至完全移除。此外，可降低光感測器對鏡頭中像差之敏感性。
在一些實施例中，EC裝置600經結構化以選擇性地使獨立EC區域在獨立傳輸位準之間轉換，以使得EC裝置可選擇性地使相機裝置之孔徑、鏡頭等中之一或多者切趾。
舉例而言，在所說明之實施例中，EC裝置600具有卵形形狀，其可包括環形形狀，且經結構化以在至少兩種傳輸位準之間轉換EC膜堆疊602，以使得EC裝置600之特定環形區域614相較於剩餘區域612、616轉換至較低傳輸位準。該結構化可包括對應於區域614之導電層之一的電阻之變化，來使跨EC膜堆疊相應區域之電位差結構化以大於跨對應於區域612、616之EC區域之電位差。該結構化可包括對應於區域612、614、616之區域中EC膜堆疊中之一或多個層的離子遷移率之變化。如所示，相對於電極筆直延伸之一些實施例，相對於層602、604、606之曲率，電極608A-B、609A-B可經結構化以遵循 EC裝置600之曲率，促進整個EC裝置600中電荷分佈之均勻性提高。如所示，導電層604、606中之一或多者可經結構化以選擇性地加熱對應於至少EC區域614之相應導電層之特定有限區域。此類特定有限區域可為環形形狀，類似於區域614。此類區域可對應於區域614及616之組合。
在一些實施例中，不同數量之電極組耦接至EC裝置中導電層中之一或多者。獨立導電層可包括不同數量之耦接至相應導電層之電極組。舉例而言，導電層606可包括單個兩個電極609A-B之組；而導電層604各自可包括兩個各兩個電極之組，即總共四個耦接至層604之電極。給定電極組可包括兩個或兩個以上耦接至導電層不同區域之電極。在一個實施例中，包括如圖6中所示，電極組中之獨立電極609A-B可耦接至導電層之相對邊緣。應理解，如圖3中所示，電極組可耦接至不同層區域，其中不同區域不為導電層之相對邊緣。在多組導電層耦接至導電層之一些實施例中，一或多組電極可經結構化以用於在獨立導電層之間且跨EC膜堆疊誘發電位差，使EC膜堆疊轉換傳輸圖案，同時獨立之一或多組電極可經結構化以用於跨導電層誘發電流、電位差等來使導電層之一或多個特定有限區域選擇性地經加熱。在一些實施例中，耦接至導電層之獨立電極圍繞導電層一或多個邊緣均勻隔開，以使得在獨立電極之間誘發之電流實質上比未均勻隔開之電極更均勻。流經層之電流分佈的該增強之均勻性可增強相應EC膜堆疊區域轉換之均勻性、不同導電層區域加熱之均勻性等。如圖6中所示，耦接至卵形或環形導電層之電極可耦接至不同層區域以使得電極組接近於圍繞導電層邊緣之環形電極。若其他電極組(例如兩個各兩個電極之組)耦接至導電層，則組中之電極可圍繞導電層外周等距離隔開，其中該等電極圍繞交流電極組中之外周耦接。應理解，本發明導電層及耦接至其之電極包涵任何數目之耦接至該層之電極組，每耦 接至該層之組的電極之數量，耦接至該層之電極排列，耦接至EC裝置等中的EC膜堆疊相對側上不同導電層之電極數量、其組等。舉例而言，EC裝置600可包括八個耦接至導電層604、606之電極，其中兩個各兩個電極之組(總共四個電極)耦接至層604且圍繞層604之外周等距離隔開，同時兩個各兩個電極之組(總共四個電極)耦接至層606且圍繞層606之外周等距離隔開。
在一些實施例中，EC裝置中導電層中之一或多者具有與包括於該EC裝置中之EC膜堆疊不同的形狀。因此在一些實施例中，EC裝置之導電層(其中該導電層經結構化以加熱其特定有限區域)可大於EC裝置之EC膜堆疊，以使得該導電層延伸超出EC膜堆疊之邊界，且EC膜堆疊耦接至該導電層之有限部分。在一些實施例中，EC膜堆疊耦接之導電層之有限部分可包括導電層之特定有限區域之部分或全部。因此，至少部分地基於加熱導電層之一或多個特定有限區域來加熱EC膜堆疊之一或多個區域可包括至少部分地基於加熱導電層之一或多個特定有限區域來加熱EC膜堆疊之整體。舉例而言，EC裝置600可包括經結構化以相對於導電層604之剩餘區域選擇性地加熱導電層604之特定有限區域的導電層604，其中導電層604延伸超出EC膜堆疊602之邊界，類似於圖1中之層120延伸超出EC膜堆疊102。因此，導電層604之特定有限區域可對應於(亦即「重疊」)於EC膜堆疊602之整體，以至少部分地基於選擇性地加熱層604之特定有限區域而使EC膜堆疊之整體經加熱。
圖7A-B展示根據一些實施例之卵形EC裝置之透視分解圖，其至少部分地基於一個導電層之薄層電阻圖案而經結構化以在不同EC膜堆疊區域中在獨立傳輸圖案之間轉換，且經結構化以選擇性地加熱對應於EC膜堆疊區域中之一或多者的另一導電層之一或多個區域。EC裝置700包括至少一個EC膜堆疊702、EC膜堆疊702相對側上之導電層 704、706及經結構化以轉換傳輸位準之獨立EC區域712-716，以使得區域714處於與區域712、716不同之傳輸位準。在一些實施例中，EC裝置700包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖6中所展示之EC裝置600。
在一些實施例中，EC裝置經結構化以使EC膜堆疊多個不同區域(「EC區域」)轉換至不同傳輸位準。某些區域以至少一定速度轉換傳輸位準之能力可比其他區域之類似能力更重要。因此，EC裝置可經結構化以優先加熱某些區域，其可使重要區域之轉換速度及均勻性提高，同時至少部分地減少電力之消耗以加熱其他區域。若一個導電層經結構化以實現多個EC區域之選擇性轉換，則另一導電層可經結構化以經由選擇性加熱多個相應導電層區域而實現多個EC區域之選擇性加熱。
舉例而言，在所說明之至少圖7A之實施例中，EC裝置700包括經結構化以在EC區域之不同區域中轉換至不同傳輸位準的EC膜堆疊702。舉例而言，當跨堆疊702在導電層704、706之間誘發電位差時，EC裝置700可經結構化以使區域714轉換至比區域712、716更低之傳輸位準。在一些實施例中，跨多個EC區域轉換之該傳輸位準之變化至少部分地基於耦接至EC膜堆疊之導電層一或多個區域中薄層電阻之變化。舉例而言，如所示，頂部導電層706可包括區域732-736，其各自對應於與相應區域732-736重疊之堆疊區域712-716之相應者。在所說明之實施例中，區域734之薄層電阻可比區域732、736更大，以使得當將獨立淨電壓施加於獨立導電層704、706中之每一者時，跨區域714之電位差大於跨區域712、716之電位差。在一些實施例中且如所示，其他導電層(底部導電層704)可包括相應區域722-726，其可各自對應於區域712-716之相應重疊組。導電層704可經結構化以相對於區域722、726加熱至少特定有限區域724來提高至少相應區域714之轉 換速度及均勻性。在一些實施例中，導電層704中之特定有限區域涵蓋多個區域，包括區域714、716。在一些實施例中，導電層704經結構化以在整個層之多個區域722-726中具有共同薄層電阻，以使得層704經結構化以在整個區域722-726中均勻地經加熱來實施層702之多個區域之加熱。
在以上實例中，頂部導電層706之特徵在於該導電層經結構化以使多個EC膜堆疊區域在不同傳輸位準組之間轉換、使EC膜堆疊在獨立傳輸圖案之間轉換，而底部導電層704之特徵在於該導電層經結構化以在一或多個特定有限區域中選擇性地經加熱來加熱EC膜堆疊之一或多個區域。應理解，頂部導電層可經結構化以在特定有限區域中選擇性地經加熱，底部導電層可經結構化以使EC膜堆疊在獨立傳輸圖案、其某一組合等之間轉換。
在一些實施例中，EC裝置700至少部分地基於EC膜堆疊702之特徵變化，而非導電層704、706之特徵變化而經結構化以使區域712-716轉換至不同傳輸位準。舉例而言，區域714中之離子遷移率可大於區域712、716之離子遷移率，藉此使區域714結構化以轉換至比區域712、716更低之傳輸位準，其電位差跨層702誘發。在此類實施例中，導電層704、706中之一或多者可經結構化以加熱一或多個區域，包括對應於EC區域712-716中之一或多者的一或多個區域。
在一些實施例中，區域724為特定環形EC區域，其包括薄層電阻大於至少導電層區域722之薄層電阻的導電層區域。此外，內部環形區域726可包括薄層電阻比區域724之薄層電阻更低的導電層區域。因此且至少部分地因為電極可耦接至區域722，電流可至少部分地基於相對於區域722的區域724中導電層之提高之薄層電阻而經區域722分佈之後經區域724分佈。因此，相對於包括薄層電阻小於區域722之薄層電阻的導電層區域之區域724，區域722至區域724及區域724至內部 區域726中之一或多者的電流分佈之均勻性提高。
在一個實施例中，區域724包括薄層電阻為大致500歐姆/平方毫米之導電層區域，且區域722包括薄層電阻為大致50歐姆/平方毫米之導電層區域。圍繞區域724外部邊界之較低薄層電阻使低薄層電阻區域722能夠更均勻地分佈來自電極之電流，因為高電阻區域724為EC裝置700提供電流界限值。因此，可包括一或多個匯流排之電極可進一步遠離區域724定位而不影響轉換速度或均勻性。此外，裝置700中之電位差應跨高薄層電阻環形區域724，如此面向短路之電壓分佈之寬度可藉由改變環形區域724之尺寸來調節。
在一些實施例中，EC裝置中導電層中之一或多者具有與包括於該EC裝置中之EC膜堆疊不同的形狀。因此在一些實施例中，EC裝置之導電層(其中該導電層經結構化以加熱其特定有限區域)可大於EC裝置之EC膜堆疊，以使得該導電層延伸超出EC膜堆疊之邊界，且EC膜堆疊耦接至該導電層之有限部分。在一些實施例中，EC膜堆疊耦接之導電層之有限部分可包括導電層之特定有限區域之部分或全部。因此，至少部分地基於加熱導電層之一或多個特定有限區域來加熱EC膜堆疊之一或多個區域可包括至少部分地基於加熱導電層之一或多個特定有限區域來加熱EC膜堆疊之整體。舉例而言，在圖7B所展示之實施例中，EC裝置750包括導電層760，其經結構化以包括導電層760之特定有限區域764，該區域經結構化以相對於導電層760之剩餘區域762而選擇性地經加熱，其中導電層760延伸超出EC膜堆疊702之邊界，類似於圖1中之層120延伸超出EC膜堆疊102。因此，導電層760之特定有限區域764可對應於(亦即「重疊」)於EC膜堆疊702之整體，同時區域762可延伸超出EC膜堆疊702之邊緣以使得區域762不與堆疊702之任何部分重疊，使得至少部分地基於選擇性地加熱層760之特定有限區域764而使EC膜堆疊702之整體經加熱。如本文中所指出，在 一些實施例中，層760為包括於EC裝置700中之層且藉由一或多個層與EC裝置700中之EC膜堆疊702隔開，其中一或多個層可包括層704及一或多個中間層。
圖8A-D展示根據一些實施例之EC裝置，其包括兩個導電層之間的EC膜堆疊之電短路。EC裝置800包括至少一個EC膜堆疊802，EC膜堆疊802相對側上之導電層804、806，EC膜堆疊802之電短路808及耦接至獨立導電層之獨立電極組810A-B、812A-B。在一些實施例中，EC裝置800包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖6中所展示之EC裝置600、圖7A中所展示之裝置700、圖7B中所展示之裝置750等。
在一些實施例中，EC裝置包括至少EC膜堆疊之電短路。此類電短路可包括於EC裝置中，其出於一或多種不同原因，包括在跨EC膜堆疊誘發電位差時使EC裝置能夠轉換為一或多種傳輸圖案。在一些實施例中，電短路(本文中亦僅稱為「短路」)可用於實現EC膜堆疊之一或多個區域之加熱。特定言之，短路可至少部分地基於流經短路之電流而經結構化以使一或多個EC區域之溫度維持於高溫下，以使得一或多個EC區域經結構化以比未維持高溫的情況下更快速地轉換傳輸位準。在一些實施例中，短路經結構化以藉由流經短路之電流使電力消耗降至最低，且EC膜堆疊之加熱經由加熱包括於EC裝置中之一或多個導電層之一或多個區域來實現。
在所說明之實施例中，EC裝置800包括EC膜堆疊802，EC膜堆疊802相對側上之導電層804、806及經由EC膜堆疊802之電短路808。如所示，EC裝置800之一些實施例可包括經由EC膜堆疊802中心之短路808。獨立電極組810A-B、812A-B耦接至獨立導電層。可跨EC膜堆疊802誘發電位差，藉此至少部分地基於經由耦接至不同導電層804、806之獨立電極組將不同淨電壓施加於不同導電層804、806而使EC膜 堆疊802之多個區域814-816轉換傳輸位準。如上所指出，導電層中之一或多者的一或多個區域可至少部分地基於經由耦接至相同導電層之兩個或兩個以上電極之間的給定一或多個導電層誘發電流來經加熱。此類電流可為交流電、直流電等。
在一些實施例中，EC膜堆疊中電短路之存在使得當在兩個導電層之間誘發電位差時，EC膜堆疊轉換為一或多種特定傳輸圖案。舉例而言，若在導電層804、806之間誘發電位差，其可包括流經短路808之電流，則EC膜堆疊802可自均勻傳輸位準轉換至一傳輸圖案，其中傳輸位準以指數方式隨短路808至EC膜堆疊802之外邊緣之距離變化。在一些實施例中，導電層中之一或多者包括具有不同薄層電阻之不同區域來使EC膜堆疊結構化以相對於短路自均勻傳輸狀態轉換至一特定圖案。舉例而言，在所說明之實施例中，導電層804包括區域817A-B及819A-B，其中區域817A-B包括比區域819A-B更大之薄層電阻。因此，當多個電壓施加於多個電極810A-B、812A-B時，跨相應EC膜堆疊區域814A-B之電位差可大於跨區域816A-B之電位差，此至少部分地基於相應導電層區域817A-B相對於區域819A-B更大之薄層電阻。
在一些實施例中，EC膜堆疊之電短路可經結構化以實現至少一部分EC膜堆疊之加熱。該加熱可至少部分地基於跨EC膜堆疊相對側上導電層之間短路之電流。舉例而言，在所說明之實施例中，短路808可經結構化以在導電層804、806之間誘發電位差時使足夠電流能夠流經短路808，以產生可傳輸至EC膜堆疊802之至少一部分的熱量。此類部分可包括接近短路808之EC膜堆疊802之區域814A-B，而堆疊802之剩餘區域816A-B可不接收來自短路808之加熱。
在一些實施例中，包括EC膜堆疊之短路之EC裝置經結構化以實現EC裝置之一或多個部分之兩種或兩種以上加熱模式。在一種加熱 模式中，跨包括於EC裝置中之一或多個導電層的一或多個區域誘發電位差以至少部分地基於基於電位差加熱導電層一或多個區域來實施EC膜堆疊之一或多個區域之加熱。此類導電層可與包括短路之EC膜堆疊相對側上之導電層隔開。在另一加熱模式中，短路至少部分地基於流經該短路之電流消耗之電力來加熱EC膜堆疊之一或多個區域。兩種加熱模式可提供不同量及類型之加熱。舉例而言，可加熱導電層以將EC膜堆疊之一或多個區域自初始溫度加熱至目標溫度。該加熱可在本文中稱為「初始加熱」。在另一實例中，短路可至少部分地基於流經該短路之電流消耗之電力而經結構化以將熱量傳輸至EC膜堆疊之一或多個區域，以使一或多個EC膜堆疊區域之目標溫度維持一段時間。該加熱可在本文中稱為「維持性加熱」。
在一些實施例中，誘發電位差以實施初始加熱之導電層藉由一或多個中間層(其可包括絕緣層)與EC膜堆疊隔開，以使得跨該層之電位差不因EC膜堆疊之電短路而短路。
在一些實施例中，EC裝置包括經結構化以藉助於電短路消耗之電力加熱一或多個特定區域之導電層及經結構化以使EC膜堆疊在獨立傳輸圖案之間轉換之另一導電層。在一些實施例中，導電層中之一或多者經結構化以將流經電短路之電流限制於保持在一或多個臨限界限值內。此類導電層可包括具有與第二導電層之相應(亦即「重疊」)區域不同之薄層電阻的區域。舉例而言，在所說明之實施例中，導電層806之薄層電阻可為大致100歐姆/平方毫米；當跨層802且經由短路808誘發大致3.6伏之電位差時，大致35毫安(mA)之電流可平行於(「跨」)層806流動，其可導致層806之一或多個區域之加熱且可進一步在大致0.5秒經過時間內以大致20克耳文產生EC膜堆疊區域814-816之加熱。此外，導電層804可包括薄層電阻為大致1200歐姆/平方毫米之至少一個區域817A-B；以使得當跨層802之電位差為大致3.6伏時， 流經短路808之電流限制於大致4mA，其可足以經由4mA電流消耗之電力產生熱量，該電流可自短路808徑向傳輸經過EC膜堆疊802。當停止初始加熱時，該加熱可維持EC膜堆疊802之一或多個區域之高溫。在一些實施例中，薄層電阻比層806之一或多個區域更大之區域817A-B之薄層電阻亦比區域819A-B更大，且區域817A-B可經結構化以對應於EC膜堆疊可轉換之特定傳輸圖案。因此，導電層806可經結構化以在一或多個特定有限區域中經加熱，且導電層804可經由改變多個導電層區域817、819中之薄層電阻而經結構化以管理流經電短路808之電流保持在一或多個與經由流經該短路之電流消耗之電力進行維持性加熱相關的臨限值內。此外，層806可經結構化以管理獨立傳輸圖案，當跨EC膜堆疊802誘發電位差時，EC膜堆疊在傳輸圖案之間轉換，以使得不同EC膜堆疊區域816、814轉換至不同傳輸位準。在一些實施例中，一個導電層經結構化以獨立於另一導電層一或多個區域之加熱而管理流經EC膜堆疊電短路之電流。
在一些實施例中，短路808經結構化以使流經該短路之電流消耗之電力降至最低，其可藉由使能量損失降至最低及維持EC膜堆疊之傳輸圖案來優化轉換效能。在一些實施例中，短路808經結構化以使得消耗之電力提供足夠熱量來維持EC膜堆疊至少一部分之目標溫度同時跨層802誘發電位差以維持EC膜堆疊802之轉換狀態。因此，在短路808經結構化以在轉換期間維持EC膜堆疊之目標溫度的情況下，藉由一或多個導電層、熱源等之初始加熱可在轉換操作期間停止，且轉換操作期間流經短路之電流損失可維持經由初始加熱達成之目標溫度，藉此，藉由使用流經短路之電流消耗之電力來節約用於EC裝置之電力消耗，以在轉換操作期間維持EC膜堆疊溫度且不需要繼續加熱導電層區域。
在一些實施例中，EC裝置中之獨立導電層分別基於轉換效能或 加熱效能而經結構化。舉例而言，層804可至少部分地基於具有不同薄層電阻之層804之多個相應區域817A-B、819A-B而經結構化以選擇性地使EC膜堆疊802之多個區域轉換至不同傳輸位準，以使得跨相應EC膜堆疊區域之電位差可至少部分地基於導電層之不同薄層電阻而變化。此類層804之區域之一可包括薄層電阻比其他區域更大之環形區域。此類環形高電阻區域可至少部分地緩和由導電層804、806之多個區域之間的薄層電阻失配所產生之轉換均勻性問題。此外，層806可經結構化以包括一些區域具有與其他區域不同之薄層電阻的不同區域組，以使層806結構化來選擇性地加熱導電層之特定有限部分。在一些實施例中，層806在整個層中包括均勻薄層電阻。
在一些實施例中，EC裝置受限於兩個電極。獨立電極可耦接至獨立導電層。舉例而言，裝置800可受限於電極810B及812B，其中獨立單獨電極耦接至獨立層804、806。
在一些實施例中，耦接至裝置800之獨立層之電極耦接至一組一或多個電源，其可引導AC信號穿過裝置之短路808以誘發裝置之一或多個部分之加熱。在一些實施例中，電極耦接至一組一或多個電源，其可引導DC信號通過裝置以誘發裝置800之一或多個部分之傳輸狀態轉換。在一些實施例中，電極耦接至一組一或多個電源，其可同時引導DC信號及AC信號通過裝置800之一或多個部分，以使得裝置可經由AC信號經加熱，同時裝置800之一或多個部分之傳輸狀態經由DC信號轉換。
電源中之至少一者可包括DC及AC組件兩者。因此，電源中之至少一者可誘發一組電極之各電極中之特定電壓，其在足夠高頻下轉換極性以阻止EC膜堆疊802基於在電極之間且跨短路808誘發之AC電位差而轉換傳輸狀態。此類跨短路808之交流電位差可至少部分地基於層之一或多個特徵導致層802之一或多個區域之加熱，該(等)特徵包 括包括於該層中之一或多種材料物質之電阻率、該層之幾何結構、該層中電極之排列等。此外，至少部分地基於高頻交流電之導電層之淨電壓可為恆定電壓且跨層之淨電流可忽略。
耦接至裝置800之該組一或多個電源可在耦接至一或多個電源之獨立電極之間誘發恆定淨電位差，在各獨立電極組耦接之獨立導電層之間產生電位差，其可使EC膜堆疊之一或多個區域在獨立傳輸圖案之間轉換。
當施加於電極及因此導電層804、806中之一或多者之淨電壓為淨恆定電壓時，至少一個電源可經由轉換施加於耦接至層之電極組之電壓的極性來進一步誘發經由一或多個層之交流電。如上所指出，轉換頻率可足夠大以阻止EC膜堆疊802回應跨層之瞬時電位差。因此，EC膜堆疊802回應一或多個層之淨電壓(其為恆定淨電壓)但瞬時電位差根據交流電信號變化。
在一些實施例中，AC信號可跨包括於裝置800中之短路808而施加，且AC信號之頻率可足夠大以阻止層802中之傳輸狀態因AC信號而轉換。在一些實施例中，AC信號之足夠大頻率可包含超過100Hz之頻率。因此，裝置800之一或多個部分可因跨短路808之AC信號而經加熱，該信號頻率足夠大以緩和傳輸狀態轉換，同時層804、806之間作為DC信號結果之淨電壓差可因同時通過短路808之DC信號與AC信號而使傳輸狀態受控(包括經轉換、維持等)。
在一些實施例中，EC裝置包括諧振電路，在本文中亦稱為LC電路，其經由EC裝置電耦接至AC電路，該電路經組態以加熱裝置之至少一部分。可包括電耦接至電路中之電容器的電感器之LC電路可包括於AC電路中，AC信號經由AC電路可通過EC裝置之至少一部分。LC電路可將AC電路頻率「調節」至共振頻率，其使得由流經EC裝置之至少一部分的AC電流(在本文中亦稱為AC信號)誘發之瞬時電壓及 因此電流增大。由於AC信號之瞬時電壓增大，LC電路可使EC裝置之加熱增強。
在一些實施例中，短路808經結構化用於多種加熱模式中之一者。舉例而言，在EC裝置808經結構化以偶爾轉換的情況下，EC裝置可經結構化以僅實施初始加熱。因此，短路可經結構化以優化轉換效能且使流經短路之電流消耗之電力降至最低。在另一實例中，在EC裝置808經結構化以經常或在短時間內轉換的情況下，EC裝置可經結構化以實施至少維持性加熱。因此，短路808可經結構化以提供至少一些流經短路808之電流消耗之預定電力量來加熱EC膜堆疊802之一或多個區域(包括接近短路808之區域814A-B)，使其在獨立傳輸圖案之間的EC膜堆疊之間轉換。
在一些實施例中，不包括短路之EC裝置包括各自經結構化以實施初始加熱或維持性加熱中之獨立者的獨立導電層。舉例而言，EC裝置800(其中不存在短路808)可包括至少部分地基於電極810A-B之間的電位而經結構化以提供初始加熱之導電層804來將EC膜堆疊802中之至少一些加熱至目標溫度，同時層806可至少部分地基於電極812A-B之間的電位差而經結構化以提供維持EC膜堆疊802之目標溫度之維持性加熱。在一些實施例中，初始加熱可用多種電極設計實施。舉例而言，用於加熱之電流可為DC或AC。
在一些實施例中，EC裝置800包括經配置以加熱EC裝置之一或多個部分之層。該層可在本文中稱為加熱層。在一些實施例中，加熱層包含EC裝置之導電層，其可與導電層隔開，其經組態以促進傳輸狀態轉換。
加熱層可經由至少一個電容器電耦接至電力供應器。如圖8C中所示，包括於EC裝置800中之電極811A可經由包括電容器875之電路872電耦接至電源870。電容器可阻止源自電源870之DC信號通過電路 872至電極811A，同時由來源870產生之AC信號可通過電路872至電極811A耦接之EC裝置800之一部分(其可包括加熱層)。因此，包含頻率足夠大以促進EC裝置800一或多個部分之加熱的在來源870產生之AC信號可通過電路872及電極，同時可藉由電容器875阻止DC信號通過電路872及電極811A，同時DC信號可經由平行電路874及電極811B傳遞至裝置800之至少一部分中，其可與裝置之AC信號經由電路872及電極811A通過之部分隔開。因此，可阻止DC信號影響AC信號通過之加熱層。
DC信號通過之電路可包括裝置800中之電短路808。因此，EC裝置800可包括高電阻電路，其基於經由短路808之電阻，DC信號可經由電極811B、811D而通過該高電阻電路。裝置800中AC信號通過之電路可為相對於DC信號通過之電路電阻相對低之電路，以使得當藉由來源870產生AC信號時，電容器消耗電力。可提高經由短路808之電阻，使得用以產生轉換傳輸圖案之DC信號之電力可降低。
在一些實施例中，電容器875，電路872、874及EC裝置800包括於電源870經由電路876、878及電極811C-D耦接之共同裝置801中，使得電源870經由兩個電極811C、811D耦接至裝置801，電路874、872可經由電路878及電極811D與電源870平行耦接，且電容器875可阻止經由電路878及電極811D自電源870傳輸之DC信號通過電路872及電極811A，傳遞至EC裝置800之特定部分中。
在一些實施例中，EC裝置800耦接至經組態以加熱EC裝置800之一或多個部分之獨立組件880。如圖8D中所示，組件880可稱為加熱元件且可與EC裝置800平行電耦接。EC裝置800可經組態以使流經裝置中電短路808之電流降至最低。加熱元件880可包含可沿EC裝置800之一或多側，包括EC裝置800耦接之基板之一或多側延伸之其他導電層。如圖8D中所示，加熱元件880可經由電極881A及電路872耦接至 電容器875，且元件880可經由電極881A-B及電路876、878、872、874與EC裝置800平行電耦接至電源870。經由通過加熱元件880之AC信號加熱EC裝置800之一或多個部分可在AC信號藉由電源870產生且通過元件880時發生。EC裝置中之傳輸狀態轉換可在DC信號與AC信號同時、獨立於AC信號等產生時發生，且DC信號通過裝置800且藉由電容器875阻止其通過元件880。
在至少圖6說明之實施例中，電極說明為各導電層上匯流條之對稱組，其中電極與至少一個特定EC區域614均勻地隔開。應理解，在一些實施例中，電極在結構及排列方面不對稱，且電極可相對於一或多個EC區域非均勻地配置。舉例而言，耦接至導電層之電極組之數量可為奇數(例如三個電極)。若奇數數量之電極(例如匯流條)耦接至導電層，則可至少部分地基於經結構化以在不同極性之間轉換的組中之電極達成導電層一或多個區域之均勻加熱以使流經該層之電流為均勻的。在另一實例中，一些電極形狀不對稱。
圖9A-C展示根據一些實施例之EC裝置，其包括EC膜堆疊、EC膜堆疊相對側上之相鄰導電層及經由絕緣層耦接至相鄰導電層中之一者的獨立導電層。EC裝置900包括具有EC膜堆疊914及EC膜堆疊相對側上之導電層912、916之EC堆疊910，其中EC堆疊經由至少一個中間層920耦接至一或多個基板940、950及獨立導電層930。在一些實施例中，EC裝置900包括於本文中其他地方所說明且揭示之EC裝置之一或多個部分中，包括圖2中所展示之EC裝置200、圖6中所展示之EC裝置600等。在一些實施例中，中間層920包括一或多個絕緣層、黏合層、密封層、抗反射層、紅外線截斷過濾層、模糊層、其某一組合等。在一些實施例中，EC裝置900包括兩個或兩個以上加熱層、基板、EC堆疊、其某一組合等之間的多個中間層920。
在一些實施例中，EC裝置至少部分地基於選擇性加熱由一或多 個中間層與EC堆疊隔開的導電層之一或多個特定有限區域而經結構化以加熱EC膜堆疊之一或多個區域。在本文中亦稱為「獨立」導電層、「加熱層」等之此類導電層可經結構化以在一或多個區域中產生熱量，其經傳輸至EC堆疊以經由一或多個中間層加熱EC膜堆疊之一或多個區域。
如所說明之實施例中所示，EC裝置可包括多種層排列，包括EC堆疊、加熱層、中間層、基板等。舉例而言，在圖9A中，加熱層930耦接至基板940，中間層920在遠離基板940之相對側上耦接至加熱層930，且EC堆疊910耦接至中間層920。應理解，在一些實施例中，若加熱層930位於EC堆疊910與基板之間(諸如圖9A中所展示)，則一或多個中間層可位於加熱層930與基板940之間。在一些實施例中，加熱層930位於遠離EC堆疊910之基板940之相對側上。在一些實施例中，如本文中所指出，基板為加熱層，以使得與基板隔開之加熱層不存在於EC裝置中。相反地，在圖9B中，EC堆疊910耦接至基板940，中間層920耦接至EC堆疊910，且加熱層930耦接至中間層920。如本文中所提及，層之耦接可包括將一個層沈積於另一個層頂部上。如圖9C中所示，多個層910-930可位於兩個或兩個以上基板之間。特定言之，圖9C展示耦接至基板940之EC堆疊910，耦接至EC堆疊910之中間層920，耦接至中間層920之加熱層930及耦接至加熱層930之基板950。
在一些實施例中，包括經結構化以相對於導電層之剩餘區域經加熱之特定有限區域的導電層可包括EC裝置之基板層。舉例而言，在圖9B中，加熱層930可包含基板，其包括經結構化以相對於基板之剩餘區域經加熱的特定有限區域。在圖9A之另一實例中，EC裝置900之加熱層可為基板940，其中基板940經結構化以包括特定有限區域，其經結構化以相對於基板之剩餘區域經加熱，且其中獨立加熱層930不存在於EC裝置900中。如本文中所提及，基板可包含多種材料中之 一或多者。在一些實施例中，基板包括透明或反射性材料中之一或多者，包括可反射至少一個波長電磁波譜之材料。基板可包括一或多種不同透明材料，包括一或多種玻璃、結晶材料、聚合物材料等。結晶材料可包括藍寶石、鍺、矽等。聚合物材料可包括PC、PMMA、PET等。包括於EC裝置中之基板(包括經結構化以相對於一或多個其剩餘區域在一或多個特定有限區域中選擇性地經加熱之基板)可包括在其不同區域中電導率不同之不同玻璃。舉例而言，基板可包括硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、其某一組合等中之一或多者。基板可具有一或多種不同厚度。舉例而言，基板可具有1微米至數百微米厚(包括在內)之間的一或多種厚度。EC裝置層(包括基板層)之一部分之厚度可與與該部分相關之電導率、電阻等中之一或多者相關。層之厚度可跨層變化以使該層結構化以具有電導率、電阻等，其根據不同厚度而跨層變化。基板可包括一或多種熱回火材料、化學回火材料等。舉例而言，基材可包括GORILLA GLASSTM。基板可包括具有一或多種不同熱膨脹係數之材料。基板可包括IGU、TGU、層合物、整體基板等中之一或多者。基板可在包括EC裝置之相機裝置外面向待成像之主體。在一些實施例中，與包括EC裝置之表面相對的基板表面暴露於相機裝置外部之周圍環境。如本發明其他地方所論述，EC裝置可包括多個層，包括一或多個導電層、EC堆疊層等。
II.用基板進行受控之電致變色加熱
圖10展示根據一些實施例之EC裝置，其包括EC膜堆疊、EC膜堆疊相對側上之相鄰導電層及耦接至熱源且經結構化以加熱EC膜堆疊之部分或全部的基板。EC裝置1000包括EC堆疊1010、經結構化以跨EC堆疊1010之相鄰表面均勻分佈所接收之熱量的導熱層1020及經結構化將待均勻分佈之熱量1050釋放至導熱層1020中之熱源1030。EC裝置1000可包括於本文中其他地方所說明之一或多個不同EC裝置 中，包括圖9中所展示之EC裝置900。
在一些實施例中，EC裝置包括加熱層(其與EC堆疊隔開)，其包括經結構化以跨遠離EC堆疊之相鄰表面(包括包括於EC堆疊中之導電層之相鄰表面)均勻分佈熱量的導熱層。可包括基板之導熱層可接收且均勻分佈自一或多個不同熱源接收之熱量。在一些實施例中，在EC裝置1000包括於包括熱源之裝置的情況下，EC裝置可經由一或多個黏合層、導熱層等熱耦接至熱源以使裝置結構化來將熱量自熱源傳送至層1020。在一些實施例中，專用熱源耦接至層1020，其中該熱源至少部分地基於供應至該熱源之電力而經結構化以將熱量釋放至層1020中。此類熱源可包括熱電熱傳遞裝置、熱泵裝置等。
舉例而言，在所說明之實施例中，EC裝置1000包括經結構化以經由電力源1040接收電力電流之熱電熱傳遞裝置1030，其中裝置1030至少部分地基於由電源1040供應之電流而經結構化以釋放熱量。在所說明之實施例中，裝置1030耦接至層1020且經結構化以將熱量釋放至層1020中，其中層1020可在整個層1020中均勻分佈該熱量1050以將熱量1050均勻傳輸至EC堆疊1010。
在一些實施例中，EC裝置1000包括導熱層與EC堆疊之間的一或多個中間層。如上所指出，此類中間層可包括絕緣層、黏合層、抗反射層、紅外線截斷過濾層、模糊層、其某一組合等。
III.電致變色裝置加熱控制系統
圖11A-C展示根據一些實施例之最終使用者裝置，其包括EC裝置及至少部分地基於與最終使用者與最終使用者裝置之相互作用相關之觸發事件而經結構化以控制EC裝置加熱之控制系統。
在一些實施例中，EC裝置一或多個區域之加熱經由多種方法及系統而受控。此類方法及系統可包括將電壓手控施加於EC裝置之多個電極，其中操作員手動調節一或多個組件以手動調節施加於電極之 電壓。此類方法及系統可包括將電壓自動控制施加於EC裝置之多個電極。此類自動控制可包括控制系統，其可藉由一或多個電腦系統來實施，其控制施加於EC裝置電極之電壓之判定，判定是否將電壓施加於EC裝置電極，產生命令信號以將電壓施加或停止施加於多個電極，其某一組合等。
在一些實施例中，EC裝置包括於最終使用者裝置中且至少部分地基於與最終使用者裝置相關之一或多個觸發事件而經結構化以選擇性地轉換傳輸圖案。最終使用者裝置可包括控制系統，其可藉由一或多個電腦系統實施且可至少部分地基於一或多個觸發事件來選擇性地控制供應至EC裝置之一或多個部分之電力以控制傳輸圖案轉換。觸發事件可包括某些使用者啟動之與最終使用者裝置之相互作用，根據最終使用者裝置等之一或多個部分之狀態作出一或多種判定。
在一些實施例中，最終使用者裝置包括至少部分地基於一或多個觸發事件而經結構化以選擇性地控制最終使用者裝置中EC裝置之一或多個區域之加熱的控制系統。舉例而言，在EC裝置包括於最終使用者裝置中相機裝置之相機孔徑的情況下，控制系統可至少部分地基於指示相機裝置之使用即將發生、影像將由相機裝置捕獲等的觸發事件來選擇性地控制EC裝置之加熱。
圖11A-B展示最終使用者裝置1100之外部透視圖，其包括使用者介面1104及裝置外殼1102中之EC裝置1106。在一些實施例中，最終使用者裝置1100包含一或多個電腦系統，包括智慧型電話裝置、相機裝置、平板計算裝置、膝上型電腦等。使用者介面1104可包括圖形使用者介面顯示器，包括觸控式螢幕顯示器。
在一些實施例中，最終使用者裝置1100包最終使用者可經由與介面1106之相互作用控制的括相機裝置，其中EC裝置1106包括於相機裝置之相機孔徑中且可在傳輸狀態之間轉換以控制相機裝置操作及捕 獲之影像品質。此外，EC裝置1106可基於與相機裝置相關之多個觸發事件而選擇性地經加熱。觸發事件可包括高於或低於某些臨限溫度之環境溫度、與介面1104相互作用以激活相機裝置(例如激活相機模式)之使用者、與介面1104相互作用以經由相機裝置捕獲影像之使用者等。
圖11C展示最終使用者裝置1100之示意圖，包括包括於相機裝置1110中之介面裝置1104及EC裝置1106。最終使用者裝置1100進一步包括控制系統1112，其可至少部分地藉由一或多個電腦系統實施。最終使用者裝置1100進一步包括電力供應器1108，其可包括電池、來自外部電源之電力饋入、其某一組合等，其中電力供應器1108經結構化以將電力分佈至相機裝置1110中之至少EC裝置1104中。如所示，控制系統112可與介面1104之一或多個部分、電力供應器1114及相機裝置1110相互作用。舉例而言，控制系統112可接收EC裝置溫度資料，其指示來自相機裝置1110之EC裝置1106中EC膜堆疊之至少一部分之溫度。此外，控制裝置1112可命令相機裝置1110捕獲影像，且可捕獲相機裝置或電力供應器中之一或多者以轉換EC裝置1106之傳輸圖案、加熱EC裝置1106之一或多個區域等。在一些實施例中，控制系統1112可經由介面1104接收來自使用者之命令，包括激活相機裝置1110、經由相機裝置1110捕獲影像等之命令。基於此類命令、來自相機裝置1110之資料等，控制系統1112可判定已發生觸發事件，其中控制系統1112藉由命令相機裝置1110、電力供應器1114等中之一或多者回應此類判定來選擇性地加熱EC裝置之一或多個區域。此類命令可包括將電壓施加於一或多個耦接至EC裝置1106之電極的命令以跨導電層誘發電位差、將電壓施加於熱源之一或多個部分以將熱量供應至EC裝置1106之一或多個層等。
圖12展示根據一些實施例之控制系統，其至少部分地基於一或 多個觸發事件之判定而經結構化以控制EC裝置之選擇性加熱。控制系統1200可包括於本文所揭示之控制系統中之一或多者中，包括圖12中所展示之控制系統1112。控制系統1200可藉由一或多個電腦系統實施，包括圖13中所展示之電腦系統。控制系統1200包括多個經結構化以實施控制系統1200之多種態樣的模組。
控制系統1200包括EC堆疊溫度監測模組1204。監測模組1204可監測EC裝置之EC堆疊之一或多個部分的溫度，包括EC膜堆疊之一或多個區域之溫度。此類溫度監測可至少部分地基於自一或多個耦接至EC裝置之組件接收到之溫度資料。舉例而言，EC膜堆疊之溫度可至少部分地基於電流資料測定，包括電流損失、經計算電阻率等。在另一實例中，EC膜堆疊之溫度可至少部分地基於自耦接至EC裝置之熱電偶裝置接收到之溫度資料來測定。
控制系統1200包括觸發控制監測器1205。觸發控制模組1205可判定是否已關於EC裝置、包括EC裝置之裝置等發生一或多個特定預定觸發事件。在一個實例中，觸發事件之發生包括判定EC裝置之一或多個區域之溫度是否低於臨限溫度值。在另一實例中，觸發事件之發生包括對於包含EC裝置以進行一或多個特定操作之裝置判定特定使用者命令(包括命令)是否至少部分地基於與介面之使用者啟動相互作用而自使用者介面接收。舉例而言，在EC裝置包括於相機裝置中之實施例中，觸發事件之發生可包括判定使用者是否已經由與使用者介面之相互作用命令相機裝置激活。
控制系統1200包括EC堆疊加熱控制模組1206。模組1206可判定待在一或多個給定時間施加於多個耦接至EC裝置之電極的特定電壓組以加熱EC裝置之一或多個區域，使得EC裝置之一或多個區域加熱至一或多個特定目標溫度、維持於一或多個目標溫度等。控制模組1206可判定是否經由一或多個不同加熱模式加熱EC裝置，包括初始 加熱、維持性加熱等。控制模組1206可至少部分地基於觸發控制模組1205處之觸發事件判定而產生命令信號至一或多個外部裝置，包括EC裝置、電耦接至EC裝置之電力供應器等。
控制系統1200包括EC堆疊轉換控制模組1207。模組1207可測定待在一或多個給定時間施加於多個耦接至EC裝置之電極的特定電壓組以使EC裝置之一或多個區域在獨立傳輸圖案之間轉換。控制模組1207可至少部分地基於觸發控制模組1205處之觸發事件判定而產生命令信號至一或多個外部裝置，包括EC裝置、電耦接至EC裝置之電力供應器等。
圖13為展示可在一些實施例中使用之例示性電腦系統之方塊圖。
在一些實施例中，實施一或多個技術之部分或全部之系統，包括(但不限於)經結構化以控制EC裝置之部分或全部之至少選擇性加熱的控制系統之部分或全部、經結構化以至少控制EC裝置導電層一或多個區域之選擇性加熱的控制系統、包括經結構化以選擇性地加熱EC裝置之一或多個層之一或多個區域的EC裝置之最終使用者裝置及如本文所述之多種方法、系統、組件、裝置及設備，可包括通用電腦系統，其包括一或多個電腦可存取媒體或經組態以接入一或多個電腦可存取媒體(諸如圖13中所展示之電腦系統1300)。在所說明之實施例中，電腦系統1300包括經由輸入/輸出(I/O)介面1330耦接至系統記憶體1320之一或多個處理器1310。電腦系統1300進一步包括耦接至I/O介面1330之網路介面1340。
在多個實施例中，電腦系統1300可為包括一個處理器1310之單處理器系統，或包括數個處理器1310(例如，兩個、四個、八個或另一合適數目個)之多處理器系統。處理器1310可為能夠執行指令之任何適合處理器。舉例而言，在多個實施例中，處理器1310可為實施多 種指令集架構(ISA)中之任一者(諸如x86、PowerPC、SPARC或MIPS ISA或任何其他適合ISA)的通用或嵌入式處理器。在多處理器系統中，處理器1310中之每一者通常可(但不必)實施同一ISA。
系統記憶體1320可經組態以儲存可藉由處理器1310存取之指令及資料。在多個實施例中，系統記憶體1320可使用任何適合記憶體技術(諸如靜態隨機存取記憶體(SRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、非揮發性/快閃型記憶體或任何其他類型之記憶體)實施。在所說明之實施例中，實施一或多個所要功能之程式指令及資料，諸如經結構化以控制EC裝置之部分或全部之至少選擇性加熱的控制系統之部分或全部、經結構化以控制EC裝置導電層一或多個區域之至少選擇性加熱的控制系統、包括經結構化以選擇性地加熱EC裝置之一或多個層之一或多個區域的EC裝置之最終使用者裝置及如本文所述之多種方法、系統、組件、裝置及設備經展示在系統記憶體1320內儲存為程式碼1325及資料1326。
在一個實施例中，I/O介面1330可經組態以在處理器1310、系統記憶體1320及裝置中之任何周邊裝置(包括網路介面1340或其他周邊介面)之間協調I/O流。在一些實施例中，I/O介面1330可執行任何所需協議、時序或其他資料轉化以將來自一個組件(例如系統記憶體1320)之資料信號轉化為適於由另一組件(例如處理器1310)使用之形式。在一些實施例中，I/O介面1330可包括對經由(例如)多種類型之周邊匯流排(諸如周邊組件互連(PCI)匯流排標準或通用串列匯流排(USB)標準)之變化形式連接之裝置的支撐物。在一些實施例中，舉例而言，I/O介面1330之功能可拆分成兩個或兩個以上獨立組件，諸如北橋接器及南橋接器。此外，在一些實施例中，I/O介面1330(諸如系統記憶體1320之介面)之部分或全部功能性可直接併入處理器1310中。
舉例而言，網路介面1340可經組態以使得資料在電腦系統1300 與連接至網路1350之其他裝置1360之間交換，諸如圖1至圖12中所示之其他電腦系統或裝置。舉例而言，在多個實施例中，網路介面1340可經由任何適合有線或無線通用資料網路，諸如乙太網網路類型支持通信。另外，網路介面1340可經由諸如模擬話音網路或數位纖維通信網路之電信/電話網路、經由諸如纖維通道SAN之儲存區網路或經由任何其他適合類型之網路及/或協議支持通信。
在一些實施例中，系統記憶體1320可為經組態以儲存用於實施如上關於圖1至12的所述之方法之實施例的程式指令及資料的電腦可存取媒體之一個實施例。在其他實施例中，程序指令及/或資料可經接收、發送或儲存於不同類型之電腦可存取媒體上。一般而言，電腦可存取媒體可包括非暫時性儲存媒體或記憶媒體，諸如磁性或光學媒體，例如經由I/O介面1330耦接至電腦系統1300之盤或DVD/CD。非暫時性電腦可存取儲存媒體亦可包括任何揮發性或非揮發性媒體，諸如RAM(例如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、SRAM等)、ROM等，其可作為系統記憶體1320或另一類型記憶體包括於電腦系統1300之一些實施例中。另外，電腦可存取媒體可包括經由諸如網路及/或無線鏈路之通信媒體傳送的諸如電、電磁或數位信號之傳輸媒體或信號，其諸如可經由網路介面1340實施。
多個實施例可進一步包括在電腦可存取媒體上接收、發送或儲存根據前述描述實施之指令及/或資料。一般而言，電腦可存取媒體可包括諸如磁性或光學媒體(例如盤或DVD/CD-ROM)之儲存媒體或記憶媒體，諸如RAM(例如SDRAM、DDR、RDRAM、SRAM等)、ROM等之揮發性或非揮發性媒體，以及經由諸如網路及/或無線鏈路之通信媒體傳送的諸如電、電磁或數位信號之傳輸媒體或信號。
如本文所用，「電腦系統」包括多種計算機系統或其組件中之任一者。電腦系統之一個實例為機架安裝之伺服器。如本文所用，術語 電腦不僅限於在此項技術中稱為電腦之彼等積體電路，而廣泛地指處理器、伺服器、微控制器、微電腦、可程式化邏輯控制器(PLC)、特殊應用積體電路及其他可程式化電路及本文中可互換使用之此等術語。在多個實施例中，記憶體可包括但不限於電腦可讀媒體，諸如隨機存取記憶體(RAM)。替代性地，亦可使用緊密光碟-唯讀記憶體(CD-ROM)、磁性-光碟(MOD)及/或數位多功能光碟(DVD)。此外，其他輸入通道可包括與操作者介面相關之電腦外圍配置，諸如滑鼠及鍵盤。替代性地，亦可使用之其他電腦外圍配置可包括例如掃描儀。此外，在一些實施例中，其他輸出通道可包括操作者介面監測器及/或印表機。
如本文所用，「模組」為組件或組件之組合。模組可包括功能性要素及系統，諸如電腦系統、電路板、機架、吹風機、導管及電力分佈單元，以及結構要素，諸如基底、圖框、外殼或容器。
如圖中所示及本文所述之多種方法表示方法之例示性實施例。方法可在軟體、硬體或其組合中實施。方法次序可變化及多個要素可經添加、重新排序、組合、省略、修改等。
儘管上文已相當詳細地描述了實施例，但熟習此項技術者一旦完全理解以上揭示內容便將明顯看出眾多變化及修改。預期將以下申請專利範圍解釋為涵蓋所有此類變化及修改。
在一些實施例中，EC裝置包括包含薄玻璃層合物之基板，包括紙玻璃箔及黏著層。薄玻璃層合物可包括厚度接近25微米之玻璃箔。在一些實施例中，薄玻璃層合物可包括一或多種不同厚度。舉例而言，薄玻璃層合物之厚度可為大致50微米。
在一些實施例中，可就地使用光致變色或熱致變色材料或除本文所揭示之電致變色(EC)材料以外使用光致變色或熱致變色材料。舉例而言，裝置之一些區域可包含電致變色材料(包括EC堆疊)，而其他 區域可包含電致變色、光致變色或熱致變色材料中之至少一者。適合光致變色材料包括(但不限於)三芳基-甲烷、芪、氮雜芪、硝酮、俘精酸酐、螺哌喃、萘并哌喃、螺-噁嗪及醌類。適合熱致變色材料包括(但不限於)液晶及隱色染料。光致變色及熱致變色材料兩者可以熟知方式形成於基板上。不應需要匯流排、電極等用於光致變色或熱致變色動態區域，因為光及熱分別調節材料之特性。使用光致變色及/或熱致變色動態區域之一個例示性實施例可為窗，該窗具有至少一個朝向窗頂部的對於光照主動受控之電致變色動態區域以選擇性地在一或多種特定傳輸圖案等之間轉換，及至少一個朝向窗底部的在直射光下時自動變暗之光致變色動態區域，及至少一個位於裝置另一區域中之第二電致變色區域。
在一些實施例中，如上文進一步論述，一或多個EC裝置可用作用於相機裝置之孔徑過濾器、光圈等，且可經結構化以選擇性地切趾。在一些實施例中，一或多個EC裝置可包括於可經跨延伸之距離運送之後進一步加工的建築「母板」中。在一些實施例中，一或多個EC裝置可包括於一或多個單窗格窗中用於運輸應用及重量重要之其他用途。在一些實施例中，一或多個EC裝置，包括一或多個包括單基板之EC裝置可用於隱藏或展現手持式裝置、電腦等顯示器上之資訊。在一些實施例中，一或多個EC裝置可用於動態護目鏡。
另外，應理解，本文所揭示標的物之一個實施例可包含窗，包括具有單窗格之或精簡版建築窗，其包含複數個獨立受控動態區域。本文所揭示標的物之另一實施例包含隔絕玻璃單元(「IGU」)，其包含一個窗格上之多個電致變色窗區域及其他窗格上之透明玻璃。本文所揭示標的物之另一實施例包含IGU，其包含一個窗格上之多個電致變色窗區域及其他窗格上之低發射率、有色或反射玻璃。本文所揭示標的物之另一實施例包含IGU，其包含IGU一個窗格上之多個電致變 色窗區域及其他窗格上之圖案化或特殊玻璃，其中圖案化或特徵可符合、補充及/或對比第一窗格上之動態區域面積。應理解，先前實施例可經組態、結構化等以使得包含複數個動態區域之精簡版為清晰精簡版、低發射率精簡版、反射及/或部分反射精簡版。
在一些實施例中，一或多個EC裝置，包括根據圖1-14中之一或多者說明且揭示之EC裝置、最終使用者裝置、控制系統等中之一或多者可包括於多種應用中，包括EC顯示器、運輸窗、建築玻璃應用等。
在一些實施例中，一或多個EC裝置包括獨立EC區域，其中EC裝置至少部分地基於改變EC裝置多個區域之加熱而經結構化以使EC區域中之一或多者比一或多個其他EC區域更快地轉換傳輸位準。該多個區域加熱之改變可包括改變包括於EC裝置中之一或多個導電層之多個區域的加熱。
在一些實施例中，一或多個熱電熱傳遞裝置可耦接至EC裝置以使EC裝置結構化來加熱一或多個EC區域同時使一或多個EC區域(其可包括經加熱之一或多個EC區域中之至少一些)在不同傳輸位準之間轉換。
在一些實施例中，EC裝置包括可用於加熱控制EC裝置之一或多個部分至一或多個特定溫度之一或多個熱電偶。該控制可實現能量消耗之節約，例如阻止在EC裝置之溫度高於某一臨限溫度時加熱且在EC裝置之溫度低於某一臨限溫度時實現加熱，該等臨限溫度可為不同臨限溫度。來自此類熱電偶之溫度資料可由控制系統使用以控制EC裝置之一或多個部分之加熱來在EC裝置之一或多個部分中維持特定恆定轉換溫度。該溫度資料可由控制系統使用以至少部分地基於EC裝置之一或多個部分之電流溫度測定EC裝置待轉換之時間。
在一些實施例中，EC裝置包括於包括最終使用者裝置之裝置 中，其包括一或多種熱源。在一些實施例中，可使用此類熱源以加熱EC裝置之一或多個部分。舉例而言，用以藉由最終使用者裝置之一或多個其他組件支持操作的電流(諸如由智慧型電話裝置之電源供應以支持裝置之圖形使用者介面的電流)可經結構化以流經用於EC裝置之安裝元件，例如用於加熱EC裝置或在用於電池之散熱片上安裝EC裝置等。

Claims (20)

  1. 一種電子設備，其包含：電致變色(electro chromic,EC)裝置，其包含至少兩個在電致變色膜堆疊相對側上之獨立導電層；其中該電致變色裝置經結構化以相對於至少一個導電層之剩餘區域而選擇性地加熱該至少兩個獨立導電層中之該至少一個導電層之特定有限區域(particular limited region)。
  2. 如請求項1之電子設備，其中：該至少兩個獨立導電層中之每一者包含至少一組電極，該至少一組電極包含耦接至該各別導電層之不同區域的至少兩個電極；該電致變色裝置經結構化以垂直於該至少一個導電層、在耦接至該至少兩個導電層之獨立導電層的獨立電極之間誘發電位差以轉換該EC膜堆疊之一或多個區域之傳輸位準；且為相對於剩餘區域選擇性地加熱至少一個導電層之特定有限區域，該至少一個導電層經結構化以平行於該至少一個導電層、在耦接至該至少一個導電層的至少兩個獨立電極之間誘發電位差。
  3. 如請求項2之電子設備，其中：該電致變色裝置包含該EC膜堆疊之短路，其至少部分地基於經由該短路誘發之電流而經結構化以加熱接近該短路之該EC膜堆疊之至少一部分；且為相對於該至少一個導電層之剩餘區域選擇性地加熱至少一個導電層之特定有限區域，該電致變色裝置經結構化以至少經由該至少一個導電層而誘發流經該EC膜堆疊之該短路的電流。
  4. 如請求項3之電子設備，其中：該至少兩個獨立導電層中之該至少一個導電層經結構化以包括與該EC裝置之加熱相關的第一薄層電阻；且該至少兩個獨立導電層中之至少一個其他導電層經結構化以限定流經該EC膜堆疊之該短路之該電流，其中，為限定流經該EC膜堆疊之該短路之該電流，該至少一個其他導電層包含至少一個區域，其第二薄層電阻大於該第一薄層電阻。
  5. 如請求項1之電子設備，其中：該至少兩個獨立導電層中之該至少一個導電層藉由至少一個中間層及與該EC膜堆疊相鄰之另一導電層而與該EC膜堆疊隔開，其中該至少一個導電層經由該中間層耦接至該另一導電層。
  6. 如請求項5之電子設備，其中該至少一個導電層包含該EC膜堆疊耦接之基板。
  7. 如請求項1之電子設備，其中：該至少一個導電層包含至少一組耦接至該至少一個導電層之電極，其中各組電極包含耦接至該至少一個導電層之不同區域之至少兩個電極；其中該特定有限區域之邊界至少部分地由耦接至該至少一個導電層之至少兩個電極建立。
  8. 如請求項1之電子設備，其中：該至少一個導電層之該特定有限區域之薄層電阻大於該至少一個導電層之該剩餘區域之薄層電阻。
  9. 如請求項8之電子設備，其中：該至少一個導電層之該特定有限區域之該薄層電阻大於該至少一個導電層之該剩餘區域之該薄層電阻，此至少部分地基於該至少一個導電層之幾何結構。
  10. 如請求項8之電子設備，其中：該至少一個導電層之該特定有限區域及該至少一個導電層之該剩餘區域各自包含至少一種化學物質之獨立分佈。
  11. 一種用於組態一電致變色裝置之方法，該方法包含：使包含位於至少兩個導電層之間的電致變色(EC)膜堆疊之該電致變色裝置結構化，以選擇性地加熱該至少兩個導電層中至少一個導電層之特定有限區域，以使得該電致變色裝置經結構化以提高該EC膜堆疊之至少一部分的傳輸位準轉換率，此至少部分地基於該至少一個導電層之該特定有限區域之選擇性加熱。
  12. 如請求項11之方法，其中：使該電致變色裝置結構化以選擇性地加熱該至少兩個導電層中至少一個導電層之特定有限區域包含：使該特定有限區域結構化以包含特定薄層電阻，及使該剩餘區域結構化以包含另一薄層電阻，其中該特定薄層電阻大於該另一薄層電阻。
  13. 如請求項12之方法，其中：該特定薄層電阻大於該另一薄層電阻，此至少部分地基於包括於該至少一個導電層之該獨立特定有限區域及該剩餘區域中的至少一種化學物質之獨立分佈。
  14. 如請求項11之方法，其中：使電致變色裝置結構化以選擇性地加熱至少一個導電層之特定有限區域包含：使該至少一個導電層耦接至另一導電層，該另一導電層經由至少一個中間層耦接至EC膜堆疊。
  15. 如請求項11之方法，其中：使該電致變色裝置結構化以選擇性地加熱至少一個導電層之特定有限區域包含：安裝該EC膜堆疊之短路；及使該電致變色裝置結構化以至少經由該至少一個導電層誘發流經該EC膜堆疊之該短路之電流。
  16. 如請求項15之方法，其中：該至少兩個獨立導電層中之該至少一個導電層經結構化以平行於該至少一個導電層誘發第一電位差，來誘發流經該EC膜堆疊之該短路之電流且加熱該EC膜堆疊之至少一部分；且該至少兩個獨立導電層中之至少一個其他導電層經結構化以限定流經該EC膜堆疊之該短路之該電流，此至少部分地基於該至少一個其他導電層之至少一個區域之薄層電阻，其大於該至少一個導電層之薄層電阻。
  17. 一種電子設備，其包含：一導電層，經結構化以在該導電層之特定有限區域中產生熱量，來選擇性地加熱電致變色(EC)膜堆疊之至少一個相應區域。
  18. 如請求項17之電子設備，其中該導電層經由與另一導電層耦接而耦接至該EC膜堆疊，該另一導電層經由中間層與該EC膜堆疊相鄰。
  19. 如請求項17之電子設備，其中：該導電層之該特定有限區域之薄層電阻大於該導電層之該剩餘區域之薄層電阻。
  20. 如請求項17之電子設備，其中：該至少一個導電層之該特定有限區域之該薄層電阻大於該至少一個導電層之該剩餘區域之該薄層電阻，此至少部分地基於該至少一個導電層之幾何結構。
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