CN106601769A - 有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示装置。实施方式涉及根据本公开的有机发光显示装置，其包括：包括红色、白色、蓝色和绿色子像素的多个像素；驱动晶体管，在每个子像素中布置每个驱动晶体管；以及有机发光二极管，对应于每个子像素来布置每个有机发光二极管，其中，在白色子像素与和其相邻的子像素之间布置第一阶梯部、第一堤层和第二堤层、以及第一阶梯补偿部，由此具有抑制短路缺陷和漏光缺陷的效果。另外，根据本公开的有机发光显示装置包括：红色、白色、蓝色和绿色子像素；子像素之间的至少一个阶梯部；第一堤层和第二堤层；以及阶梯补偿部，由此具有抑制短路缺陷和漏光缺陷的效果。
Description
技术领域
本公开涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
近来，由于响应速度快、发光效率高、亮度高和视角大，有机发光显示装置作为显示装置日益普及。
在这样的有机发光显示装置中，按矩阵形式布置包括有机发光二极管的子像素，并且根据数据的灰度来控制通过扫描信号选择的子像素的亮度。
布置在这样的有机发光显示装置的显示面板中的每个子像素可以大体包括：驱动有机发光二极管的驱动晶体管；将数据电压传输到驱动晶体管的选通节点的开关晶体管；在一个帧周期期间起保持预定电压的作用的存储电容器，等等。
此外，布置在有机发光显示装置中的子像素可被限定为包括作为一个单元的红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)以及白色(W)的子像素的像素。在每个子像素中，布置生成用于实现一种颜色的特定光波长的有机发光二极管，或者通常在每个子像素中布置生成白色(W)光的白色(W)有机发光二极管，并且然后可以布置用于限制特定光波长或移动光的波段的滤色器。
如上所述，当在子像素中布置滤色器时，通常在整个显示面板中布置白色(W)有机发光二极管，并且因此，在其中未设置滤色器的子像素的周边区域可能出现漏光缺陷。
具体地，由于在白色(W)子像素中未布置单独的滤色器，因此漏光缺陷在相邻的子像素之间比在不同的子像素之间发生的更频繁。
如上所述，由于在有机发光显示装置中沿每个子像素的周边出现漏光缺陷，因此已经提出用于抑制该漏光缺陷的技术。例如，去除围绕具有漏光缺陷的子像素的平面膜的一部分，以使得有机发光二极管和基板之间的间隙变窄，从而减少漏光。
然而，当围绕子像素的平面膜被去除时，相对于有机发光二极管的电极和信号线(数据线、基准电压线等)的短路缺陷的风险增加。
发明内容
实施方式涉及有机发光二极管(OLED)装置，其包括：白色子像素、与白色子像素相邻的第一子像素、白色子像素与第一子像素之间的第一区域。所述白色子像素包括第一驱动晶体管、平坦化层的第一部分以及所述平坦化层的所述第一部分上的第一OLED。所述第一子像素包括第二驱动晶体管、第一滤色器的第一部分、所述平坦化层的第二部分以及所述平坦化层的所述第二部分上的第二OLED。所述第一区域包括过滤器层、所述过滤器层上或所述过滤器层上方的第一堤层、以及所述过滤器层上或所述过滤器层上方的第二堤层。所述过滤器层包括第一滤色器的第二部分。
在一个实施方式中，所述第一堤层和所述第二堤层与所述过滤器层相接触。
在一个实施方式中，所述第一堤层在所述第一OLED的电极之上延伸。所述第二堤层在所述第二OLED的电极之上延伸。
在一个实施方式中，所述有机发光二极管(OLED)装置还包括：在所述第一堤层的下面沿所述第一堤层延伸的第一数据线；和在所述第二堤层的下面沿所述第二堤层延伸的第二数据线。
在一个实施方式中，所述过滤器层还包括与所述第一滤色器的颜色不同的第二滤色器。
在一个实施方式中，所述第一层还包括与所述第一滤色器和所述第二滤色器的颜色不同的第三滤色器。
在一个实施方式中，所述第一滤色器的所述第二部分比所述第一滤色器的所述第一部分厚。
在一个实施方式中，所述有机发光二极管还包括：在所述第一子像素的相对侧与所述白色子像素相邻的第二子像素和第二区域。所述第二子像素包括第三驱动晶体管、第二滤色器的第一部分、所述平坦化层的第三部分以及所述平坦化层的所述第三部分上的第三OLED。所述第二区域在所述白色子像素和所述第二子像素之间。所述第二区域包括所述第一OLED的电极上的第一堤层和所述第三OLED的电极上的第二堤层。
在一个实施方式中，所述有机发光二极管包括沿所述第二区域延伸的不透明材料的导电线。
在一个实施方式中，所述第二区域还包括所述第二滤色器的第二部分。
实施方式还涉及一种制造有机发光二极管(OLED)装置的方法。在除白色以外的颜色的子像素中形成滤色器并且在白色子像素与所述除白色以外的颜色的子像素之间的区域中形成过滤器层。至少在所述滤色器的上方形成平坦化层。在所述除白色以外的颜色的子像素中和所述白色子像素中形成第一电极。去除所述白色子像素与所述除白色以外的颜色的子像素之间的区域中的所述平坦化层的部分。在所述过滤器层上或所述过滤器层上方的区域中以及所述第一电极上方的区域中形成堤层。
附图说明
本发明的上述以及其它方面、特征和其它优点将通过下面结合附图所进行的详细描述被更清楚地理解，其中：
图1是示出根据本公开的有机发光显示装置的框图；
图2是示出布置在本公开的有机发光显示装置的显示面板中的像素结构的平面图；
图3A是示出发生在有机发光显示装置中的子像素之间的漏光缺陷的图；
图3B是用于说明当在有机发光显示装置中的子像素之间没有平面膜时发生短路缺陷的图；
图4是沿图2的线I-I′截取的横截面图；
图5是沿图2的线II-II′截取的横截面图；
图6是图5的第一阶梯部区域(X1)的放大横截面图；
图7是图5的第二阶梯部区域(Y2)的放大横截面图；
图8、图9、图10、图11、图12、图13和图14是示出根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的第一阶梯部和第二阶梯部的结构的图；
图15A、图15B、图15C和图15D是示出根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的像素结构的图；
图16是示出布置在根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的显示面板中的像素的结构的平面图；
图17是沿图16的线III-III′截取的横截面图；
图18、图19和图20是示出根据本公开的有机发光显示装置的第三阶梯部区域的结构的图；以及
图21是示出制造根据本公开的一个实施方式的显示面板的过程的流程图。
具体实施方式
将参照稍后利用附图详细描述的实施方式来阐明本公开的优点、特征，以及用于实现它们的方法。然而，本公开不限于在下文中公开的实施方式，并且可以以各种彼此不同的形式来实施，这些实施方式仅仅是用于完成本公开，并且是用于提供给本领域的技术人员以完全了解本公开范围，并且本公开仅由权利要求的范围限定。
附图中所示出的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量是示例性的，并且本公开不限于附图。贯穿说明书，相同的附图标记指示相同的构成元件。此外，在描述本公开的过程中，当确定对相关的公知技术的具体描述可能不必要地模糊了本公开的主旨时，其详细描述被省略。
当使用在说明书中所提及的‘包括’、‘具有’、‘包含’等等时，只要未使用‘仅’，则就可以增加另一部分。当以单数形式表示构成元件时，只要没有具体描述，则其包括：包括复数的情况。
在解释构成元件的过程中，尽管没有单独描述，但包括误差范围。
在描述位置关系的情况下，例如，当通过‘上’、‘上方’、‘下’、‘下方’、‘相邻’等等描述两个部分的位置关系时，只要未使用‘直接地’，则一个或更多个其它部件可以被置于两个部分之间。
在描述时间关系的情况下，例如，当通过‘后’、‘之后’、‘接着’、‘之前’等描述时间顺序关系时，只要未使用‘立即’或‘马上’，则也可以包括不连续的情况。
第一、第二等被用于描述各种构成元件，但是这些构成元件不限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成元件与其它构成元件区分开。因此，在下文中所提及的第一构成元件可以是本公开的技术精神中的第二构成元件。
本公开的各种实施方式的特征可以局部地以及整体地彼此相互联接和组合，可以在技术上执行各种闭锁以及驱动，并且每个实施方式可以彼此独立地被实施，并且可以相关地一起执行。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的实施方式。为方便起见，在附图中，装置的尺寸、厚度等可以被夸大地表示。贯穿说明书，相同的附图标记表示相同的构成元件。
图1是根据本公开的有机发光显示装置的框图，图2是示出布置在本公开的有机发光显示装置的显示面板中的像素的结构的平面图，图3A是用于说明发生在有机发光显示装置中的子像素之间的漏光缺陷的图，以及图3B是用于说明当在有机发光显示装置中的子像素之间没有平面膜时发生短路缺陷的图。
参照图1至图3B，根据本公开的有机发光显示装置100包括：显示面板110，在显示面板110中沿第一方向(例如，列方向)布置多条数据线(DL#1至DL#4M，这里，M是自然数)、沿第二方向(例如，行方向)布置多条选通线(GL#1至GL#N，这里，N是自然数)、并且以矩阵形式布置多个子像素SP；驱动多条数据线(DL#1至DL#4M)的数据驱动器120；驱动多条选通线(GL#1至GL#N)的选通驱动器130；以及控制数据驱动器120和选通驱动器130的时序控制器T-CON140。
数据驱动器120通过将数据电压施加到多条数据线(DL#1至DL#4M)以驱动这些数据线。
选通驱动器130通过顺序地将扫描信号施加到多条选通线(GL#1至GL#N)以顺序地驱动这些选通线。
时序控制器140将各种控制信号施加到数据驱动器120和选通驱动器130以控制数据驱动器120和选通驱动器130。
选通驱动器130根据时序控制器的控制顺序地将接通电压(on-voltage)或者切断电压(off-voltage)的扫描信号施加到多条选通线(GL#1至GL#N)，以驱动这些选通线(GL#1至GL#N)。
可以将选通驱动器130仅置于显示面板110的一侧(如图1所示)或者置于显示面板110的两侧。
数据驱动器120将从时序控制器140接收到的图像数据转换成模拟数据电压，并且将该模拟数据电压施加到多条数据线(DL#1至DL#4M)上，由此驱动这些数据线(DL#1至DL#4M)。
在根据本公开的有机发光显示装置100中，布置在显示面板110中的每个子像素SP包括电路元件，诸如有机发光二极管OLED、两个或更多个晶体管以及至少一个电容器。
可以根据所提供的功能、设计方法等不同地确定构成每个子像素的电路元件的种类和数量。
根据本公开的显示面板110中的每个子像素可以具有用于补偿诸如有机发光二极管OLED的特征值(例如，阀值电压等)和驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管的特征值(例如，阀值电压，迁移率等)的子像素特征值的电路结构。
参照图1和图2，每个子像素被连接到一条数据线DL，并且仅接收一个经由一条选通线GL施加的扫描信号SCAN。
如图2所示，这样的子像素包括有机发光二极管OLED、驱动晶体管DT、第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容器Cst等。如上所述，由于每个子像素包括三个晶体管DT、T1和T2以及一个存储电容器Cst，因此每个子像素都具有3T(晶体管)1C(电容器)结构。
另外，第一晶体管T1由经由选通线GL施加的扫描信号SCAN控制，并且被连接在施加基准电压Vref的基准电压线RVL或者连接到基准电压线RVL的连接模式CP与驱动晶体管DT之间。这样的第一晶体管T1也被称为“传感器晶体管”。
另外，第二晶体管T2由共同地经由选通线GL施加的扫描信号SCAN控制，并且被连接到数据线DL和驱动晶体管DT。这样的第二晶体管T2也被称为“开关晶体管”。
如上所述，第一晶体管T1和第二晶体管T2由经由相同的选通线(公共选通线)施加的一个扫描信号控制。照此，在本公开的实施方式中，由于每个子像素使用一个扫描信号，因此每个子像素具有“基于3T1C的1扫描结构”的基本子像素结构。
然而，针对这样的结构的变型是可能的。例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以被分别连接到选通线和感测线，并且这样的结构被称为“基于3T1C的2扫描结构”。
此外，除了参照图2描述的“基本子像素结构(基于3T1C的1扫描结构)”之外，根据本公开的有机发光显示装置100的子像素结构还包括“信号线连接结构”，其中每个子像素被连接到不同的信号线，诸如数据线DL、选通线GL、驱动电压线DVL、基准电压线RVL等。
本文中，信号线还包括用于将基准电压Vref施加到每个子像素的基准电压线RVL、用于将驱动电压EVDD施加到每个子像素的驱动电压线等，以及用于将数据电压施加到每个子像素的数据线DL和用于施加扫描信号的选通线GL。
另外，在说明书和附图中，作为示例，连接到第(4n-3)条数据线DL(4n-3)的子像素、连接到第(4n-2)条数据线DL(4n-2)的子像素、连接到第(4n-1)条数据线DL(4n-1)的子像素、连接到第4n条数据线DL(4n)的子像素可以分别是红色(R)子像素、白色(W)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素。
然而，各种其它实施方式也是可能的。例如，可以不同地修改和布置红色(R)子像素、白色(W)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素的顺序。本文中，主要参照具有红色(R)子像素SP1、白色(W)子像素SP2、蓝色(B)子像素SP3和绿色(G)子像素SP4的顺序的像素结构来描述实施方式。
如上所述，当信号线连接结构的基本单元是分别连接到四条数据线DL(4n-3)、数据线DL(4n-2)、数据线DL(4n-1)、数据线DL(4n)的四个子像素SP1至SP4时，针对这四个像素SP1至SP4，可以形成一条用于施加基准电压Vref的基准电压线RVL，并且可以形成两条用于施加驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个都包括发射区域EA(其中布置了有机发光二极管)和非发射区域NEA。
此外，非发射区域NEA包括其中布置了基准电压线RVL、驱动电压线DVL和数据线DL的区域。
参照图2，四条数据线DL(4n-3)、DL(4n-2)、DL(4n-1)、DL(4n)分别被连接到四个子像素SP1至SP4。另外，一条选通线GL(m)(1≤m≤M)被连接到四个子像素SP1至SP4。
在本公开中，阶梯补偿部(SCP：step compensation portion)被布置在红色(R)子像素SP1和白色(W)子像素SP2之间，以抑制布置在阶梯部中的红色(R)子像素SP1中的阳极(像素电极)和布置在白色(W)子像素SP2中的阳极(像素电极)之间的短路缺陷。
阶梯补偿部SCP与布置在红色(R)子像素SP1和白色(W)子像素SP2之间的数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)相重叠，并且可以以至少一个彩色图案(color pattem)的层叠结构来形成。下面将详细描述阶梯补偿部SCP的具体结构。
在作为本公开的实施方式的图2中，只在红色(R)子像素SP1和白色(W)子像素SP2之间布置阶梯补偿部SCP。然而，其它实施方式可以使用以不同布置方式布置的阶梯补偿部SCP。例如，如图16和图17所示，阶梯部可以形成在子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间，并且可以在每个阶梯部区域中布置阶梯补偿部SCP。
当在SP1、SP2、SP3和SP4之间布置阶梯补偿部SCP时，阶梯补偿部SCP可以与白色(W)子像素SP2和蓝色(B)子像素SP3之间的基准电压线RVL相重叠、可以与蓝色(B)子像素SP3与绿色(G)子像素SP4之间的数据线DL(4n-1)和DL(4n)相重叠、以及可以与绿色(G)子像素SP4和红色(R)子像素SP1之间的驱动电压线DVL相重叠。
在根据本公开的有机发光显示装置100中，在每个子像素中通常都布置生成白色(W)光的有机发光二极管OLED、在红色(R)子像素SP1中布置红色(R)滤色器、在蓝色(B)子像素SP3中布置蓝色(B)滤色器、在绿色(G)子像素SP4中布置绿色(G)滤色器。在白色(W)子像素SP2中不布置单独的滤色器。
参照图3A，在红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的基板201上布置数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)。在基板201中，层间绝缘膜224和缓冲层202是层压的，并且在数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)上形成保护膜206。另外，在红色(R)子像素区域中布置红色滤色器230，并且在白色(W)子像素区域中不布置滤色器。
在其上形成有红色滤色器230的基板201的正面上布置平面膜208。该平面膜208还具有抑制在布置在子像素中的滤色器中生成的除气被转移到布置在平面膜208上的有机发光二极管214的功能。
如图3A所示，在红色(R)子像素和白色(W)子像素之间存在平面膜208，并且第一堤层216b和第二堤层216c区域以及数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)彼此分隔开。因此，当光在有机发光二极管214中生成的光的红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的方向上传播时，则在光在平面膜208上传播的同时在数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的区域发生漏光。
更具体地，由于数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的区域的高度差以及其中在白色(W)子像素中未布置滤色器的结构，导致在红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的平面膜208的表面上出现阶梯状特征。因此，在红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的区域中，光传播过程中发生的反射、折射、散射等被称为漏光缺陷。为了消除这样的漏光缺陷，如图3B所示，已经提出了通过去除红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的平面膜而形成阶梯部STP的技术。
当如图3B所示形成阶梯部STP时，在其上形成有红色滤色器的基板201的正面上布置平面膜208，在红色(R)子像素和白色(W)子像素之间去除平面膜208，并且保护膜206被露出，由此形成阶梯部STP。在其上形成有平面膜208的基板201的每个子像素区域中，布置包括第一电极211(阳极或像素电极)、有机发光层212以及第二电极213(阴极或公共电极)的有机发光二极管214。
参照图3B，有机发光二极管214的有机发光层212和第二电极213被置于阶梯部STP中，传播到红色(R)子像素和白色(W)子像素之间的交界面的光被朝向对应的子像素反射，由此减少漏光。然而，有机发光层212和第二电极213被置于由于阶梯部STP而被露出的保护膜206上，并因此第二电极213和数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)变得很近并且可能导致数据线和第二电极213的短路。
另外，尽管在附图中未清晰示出，由于在红色(R)子像素区域中布置了红色滤色器并且在白色(W)子像素中未布置滤色器，因此与红色(R)子像素对应的平面膜208的第一表面S1被形成为高于与白色(W)子像素对应的平面膜208的第二表面S2。
因此，在形成有机发光二极管214的第一电极211(像素电极)的情况下，当应用光敏膜时，阶梯部STP和第二表面S2(白色子像素区域)区域中的光敏膜厚于第一表面S1区域中的光敏膜，并且甚至在光刻工艺之后扔残留剩余的光敏膜。这样的剩余的光敏膜导致形成在白色(W)子像素区域中的像素电极(第一电极)在蚀刻工艺过程中朝阶梯部STP区域扩展，并且导致与形成在相邻的红色(R)子像素中的像素电极(第一电极)的短路缺陷。
因此，在根据本公开的有机发光显示装置100中，在红色(R)子像素和白色(W)子像素的阶梯部STP中形成红色(R)滤色器、蓝色(B)滤色器以及绿色(G)滤色器时形成包括彩色图案的阶梯补偿部SCP，以抑制像素电极之间的短路缺陷以及像素电极和数据线之间的短路缺陷。
另外，由于阶梯补偿部SCP包括彩色图案，因此能够减少或消除在阶梯部STP区域中发生的漏光。
图4是沿图2的线I-I′截取的横截面图，图5是沿图2的线II-II′截取的横截面图，图6是图5的第一阶梯部区域X1的放大横截面图，以及图7是图5的第二阶梯部区域Y2的放大横截面图。
返回参照图2，在根据本公开的有机发光显示装置100中，多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4被限定为一个像素，并且这些子像素被以矩阵的形式布置在显示面板110中。
构成像素的每个子像素SP包括其中布置有有机发光二极管OLED 214的发射区域EA，以及其中布置有驱动晶体管DT、第一晶体管T1(即开关晶体管)、第二晶体管T2(即传感器晶体管)和存储电容器Cst的非发射区域NEA。
参照图4和图5，示出了驱动晶体管DT、有机发光二极管214、以及图2的红色(R)子像素SP1的红色(R)滤色器230。在图2的白色(W)子像素SP2中不布置单独的滤色器，并且填充平面膜208。另外，在蓝色(B)子像素SP3和绿色(G)子像素中分别布置蓝色(B)滤色器231和绿色(G)滤色器232。
在根据本公开的有机发光显示装置中，在基板201上布置遮光层LS，并且在该遮光层LS上布置缓冲层202。在缓冲层202上布置包括有源层204、选通图案203、栅极205、层间绝缘膜224以及漏极207a和源极207b的驱动晶体管DT。本文中，漏极207a被连接到驱动电压线DVL，并且源极207b被连接到有机发光二极管214的第一电极211。
另外，有源层204由半导体层形成，并且其中央部包括形成沟道有源区204a以及漏极区204b和源极区204c。在有源区204a的两侧上掺入高浓度杂质。
半导体层可以由硅基材料或者包括锌(Zn)的氧化物半导体材料(例如，可以使用氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO4)等)形成，但不限于此。
根据本公开的有机发光显示装置可以是顶发光类型或者底发光类型，但是为方便起见，本文中描述底发光有机发光显示装置。另外，在本公开中，将主要描述的是，在每个子像素SP1至SP4中都布置生成白色(W)光的有机发光二极管214，并且在红色(R)子像素SP1、蓝色(B)子像素SP3和绿色(G)子像素SP4区域中布置滤色器。
可以在平面膜208和被布置在驱动晶体管DT上的保护膜206之间布置红色(R)滤色器230、蓝色(B)滤色器231和绿色(G)滤色器232。然而，各种不同的实施方式也是可能的。例如，可以在层间绝缘膜224和缓冲层202之间、在缓冲层202和基板201之间、或者在层间绝缘膜224和保护膜206之间形成滤色器。
另外，在被布置在驱动晶体管DT上的平面膜208上布置有机发光二极管214，并且该有机发光二极管214包括由透明导电材料形成的第一电极211、有机发光层212和第二电极213。可以在有机发光二极管214上进一步形成具有多个层压的有机膜和无机膜的密封层(未示出)。另外，可以在基板201的背面上进一步布置偏振片。
有机发光二极管214的第一电极211是充当阳极的像素电极，并且被单独布置在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中。在平面膜208上的用于对子像素SP1至SP4进行分区的堤层的开放区域中布置第一电极211。
另外，有机发光二极管214的第一电极211可以由金属、金属合金、以及金属和金属氧化物的组合形成，并且由于其是低发光类型，因此金属优选地可以是透明导电材料。第一电极211可以由ITO、IZO、ITO/APC/ITO、AlNd/ITO Ag/ITO以及ITO/APC/ITO中的任何一个形成。
为了提高发光效率，可以通过空穴注入层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层次来进行配置有机发光层212。
另外，空穴传输层HTL可以进一步包括电子阻挡层EBL，并且可以使用诸如PBD、TAZ、Alq3、BAlq、TPBI和Bepp2的低分子材料形成电子传输层ETL。
参照图2和图5，在红色(R)子像素SP1和白色(W)子像素SP2以及白色(W)子像素SP2和蓝色(B)子像素SP3之间形成从其上去除平面膜208的第一阶梯部STP1和第二阶梯部STP2。在第一阶梯部STP1区域中，布置双堤层(即，第一堤层216b和第二堤层216c)以分区红色(R)子像素SP1和白色(W)子像素SP2。第一堤层216b和第二堤层216c以与插在它们之间的阶梯部彼此面对的结构形成。
然而，其中不形成第一阶梯部STP1和第二阶梯部STP2的子像素之间(例如，蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素之间)布置单堤层216a，以分区子像素。参照图5，在蓝色(B)子像素SP3和绿色(G)子像素SP4之间以及红色(R)子像素SP1和绿色(G)子像素SP4之间布置单堤层216a，其中不形成阶梯部。
更具体地，在双堤层的结构中，第一堤层216b被布置成与布置在红色(R)子像素SP1中的第一电极211的一部分、与平面层208的上表面、与第一阶梯部STP1的内表面(其中平面膜208被去除的区域的一侧)、以及与布置在第一阶梯部STP1中的阶梯补偿部SCP的上表面相接触。
类似地，第二堤层216c被布置成与布置在白色(W)子像素SP2中的第一电极211的一部分、与平面层208的上表面、与第一阶梯部STP1的内表面、以及与布置在第一阶梯部STP1中的阶梯补偿部SCP的上表面的一部分相接触。第一堤层216b和第二堤层216c的布置结构具有相同的形式，即使在形成在白色(W)子像素SP2和蓝色(B)子像素SP3之间的第二阶梯部STP2区域中，然而，如图5所示，当在第二阶梯部STP2中未布置阶梯补偿部时，第一堤层216b和第二堤层216c的下侧与保护膜206相接触。
另外，布置在第一阶梯部STP1中的阶梯补偿部SCP被置于第一阶梯部STP1的下面，并因此第一阶梯部STP1的深度可以通过阶梯补偿部SCP来调整。因此，数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)与布置在第一阶梯部STP1中的有机发光二极管的第二电极213之间的距离(图6中的L1)通过阶梯补偿部SCP的厚度而增加。
在第一阶梯部STP1和第二阶梯部STP2中以彼此分开的结构形成第一堤层216b和第二堤层216c，并且有机发光二极管OLED214的第二电极213和有机发光层212填充第一堤层216b和第二堤层216c之间的阶梯部STP1和STP2的内部。因此，在第一阶梯部STP1中，在第一堤层216b和第二堤层216c以及阶梯补偿部SCP上布置有机发光层212和第二电极213，并且第二电极213和数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离增加。
如上所述，根据本公开的有机发光显示装置，在其中平面膜208被去除的第一阶梯部STP1区域X1中布置阶梯补偿部SCP，并且能够抑制有机发光二极管的像素电极(第一电极)之间由于阶梯部的形成而出现的短路，或者有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的短路。
如图5所示，本公开的阶梯补偿部SCP包括从红色(R)滤色器230扩展的第一红色图案230a，并且该第一红色图案230a被布置在对应于数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)的保护膜206上。第一红色图案230a可以是利用与红色(R)滤色器230的材料相同的材料一体形成的彩色图案。另外，尽管附图中未示出，但阶梯补偿部SCP可以包括由与红色(R)滤色器分开的另一个蓝色(B)滤色器或者绿色(G)滤色器形成的彩色图案(见图15A至图15D)。本文中，将主要描述从红色(R)滤色器230扩展的第一红色图案。
参照图6，在根据本公开的有机发光显示装置的第一阶梯部STP1区域X1中，布置由第一红色图案230a形成的阶梯补偿部SCP。阶梯补偿部SCP可以被布置成与数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)的局部区域以及数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的区域重叠。
因此，第一阶梯部STP1中的第一堤层216b和第二堤层216c的下侧被置于第一红色图案230a上，并且有机发光层212和第二电极213被置于第一红色图案230a上。换句话说，第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L1通过第一红色图案230a(即阶梯补偿部SCP)的厚度而增加。
因此，在本公开的有机发光显示装置中，由于有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L1通过阶梯补偿部SCP而增加，因此能够抑制第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)的短路缺陷。
另外，在根据本公开的有机发光显示装置中，在第一阶梯部STP1区域X1中布置第一红色图案230a，并且能够减小布置在红色(R)子像素和白色(W)子像素中的平面膜208的高度差。如上所述，当平面膜208的高度差被减小时，能够减少在形成有机发光二极管的第一电极211(像素电极)时第一阶梯部STP1中的剩余的光敏膜的出现，并且能够抑制第一电极211之间的短路缺陷。如上所述，残留以抑制像素电极之间的短路缺陷的剩余的光敏膜类似于下面的在阶梯部区域中布置阶梯补偿部的情况。
另外，由于利用与滤色器的彩色图案相同的彩色图案来实现布置在本公开的第一阶梯部STP1区域X1中的阶梯补偿部SCP，因此能够减少发生在第一阶梯部STP1的数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的漏光。
参照图6，在白色(W)子像素与红色(R)子像素之间形成第一阶梯部STP1，并且在有机发光二极管214中生成的白色光的朝第一阶梯部STP1传播的第一光LL1的强度可能通过阶梯补偿部SCP而增加。如图3B所示，这是因为在第一阶梯部STP1区域中布置了阶梯补偿部SCP，增加了阻挡漏光的第二电极213的高度，并且扩大了光进入所穿过的空间。
然而，由于第一光LL1穿过第一阶梯部STP1中的阶梯补偿部SCP，光强度增加，并且光以第二光LL2的形式输出。如上所述，由于阶梯补偿部SCP包括第一红色图案230a，因此只有仅具有包括蓝色、绿色和红色的所有波段的第一光LL1(白色光)中的551nm至650nm的波段的第二光LL2穿过，而具有其它波段的其它光被吸收，并因此能够减少漏光。
此外，参照图7，第二阶梯部STP2被布置成与比数据线DL的宽度更宽的基准电压线RVL相重叠，该基准电压线RVL具有插在它们之间的保护膜206。如图7所示，由于第二阶梯部STP2的宽度比基准电压线RVL的宽度更窄，因此传播至第二阶梯部STP2的有机发光二极管214的白色光WL在基准电压线RVL处被阻挡。换句话说，当在有机发光二极管214中生成的白色光WL沿第二阶梯部STP2的方向传播时，一些白色光(WL)被位于第二阶梯部STP2中的第二电极213反射，而一些白色光(WL)朝基准电压线RVL传播，并且由于基准电压线RVL由不透明的金属形成，因此不会出现漏光缺陷。
图8至图14是示出根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的第一阶梯部和第二阶梯部的结构的图。连同图2一起参照图8，在相对于本公开的有机发光显示装置100中的白色(W)子像素的左侧和右侧形成第一阶梯部STP1和第二阶梯部STP2。
在根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置中，在第一阶梯部STP1和第二阶梯部STP2的区域X2和Y2中分别布置第一阶梯补偿部SCP1和第二阶梯补偿部SCP2。
第一阶梯补偿部SCP1可以按其中从红色(R)滤色器230扩展的第一红色图案230a和第二蓝色图案231b被层压的结构来形成。在附图中，示出了其中第二蓝色图案231b被层压在第一红色图案230a上的结构，但是这不是固定的，在形成绿色(G)滤色器时形成的绿色图案也可以被层压。
另外，在第二阶梯部STP2中布置第二阶梯补偿部SCP2，并且通过从蓝色(B)滤色器231扩展并形成的第一蓝色图案231a来实现该第二阶梯补偿部SCP2。
图9是第一阶梯部STP1区域X2的放大的横截面图，并且可以看出，第一阶梯补偿部SCP1以其中第一红色图案230a和第二蓝色图案231b被层压的结构来形成。优选的是，第一阶梯补偿部SCP1被布置成与布置在下部的数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)的一部分以及数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)之间的区域相重叠。原因是因为，如果第一阶梯补偿部SCP1不与数据线DL(4n-3)和DL(4n-2)相重叠，则在第一阶梯补偿部SCP1的边缘和数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间可能出现漏光缺陷。
另外，在第一阶梯部STP1中，有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L2增加了第一阶梯补偿部SCP1的厚度。换句话说，第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L2增加了第一红色图案230a与第二蓝色图案231b的厚度的总和，以抑制短路缺陷。
另外，当在从有机发光二极管214生成的光中存在传播至第一阶梯部STP1的白色光WL时，该白色光WL穿过第一阶梯补偿部SCP1的第二蓝色图案231b，并且然后成为具有461nm至550nm的波段的第三光LL3。换句话说，由于第三光LL3是具有461nm至550nm的波段的蓝色光，因此传播至布置在第二蓝色图案231b的下面的第一红色图案230a的第三光LL3不穿过只允许具有551nm至650nm的波段的光穿过的第一红色图案230a，并且整个第三光LL3被吸收。如上所述，本公开的第一阶梯补偿部SCP1具有消除在第一阶梯部STP1区域出现的漏光的效果。
图10是第二阶梯部STP2区域Y2的放大横截面图，并且(在该第二阶梯部STP2区域Y2的结构中)在基准电压线RVL上形成保护膜206，并且第二阶梯补偿部SCP2被布置在该保护膜206上，以与基准电压线RVL相重叠。换句话说，第二阶梯补偿部SCP2包括第一蓝色图案231a，并且被布置在保护膜206上，以与基准电压线RVL相重叠。
因此，第一堤层216b和第二堤层216c被置于第二阶梯补偿部SCP2上，并且位于第二阶梯部STP2中的第二电极213和有机发光层212被布置在第二阶梯补偿部SCP2以及第一堤层216b和第二堤层216c上。因此，即使在第二阶梯部STP2区域Y2中，基准电压线RVL与有机发光二极管214的第二电极213之间的距离L3通过第二补偿部SCP2而增加，并因此能够抑制短路缺陷。
参照图11和图12，在本公开的另一个实施方式中，在第一阶梯部STP1区域X3中布置其中第一红色图案230a、第二蓝色图案231b和第一绿色图案232a被层压的第一阶梯补偿部SCP1。
因此，第一阶梯部STP1的深度增加了第一阶梯补偿部SCP1，该第一阶梯补偿部SCP1的厚度是第一红色图案230a、第二蓝色图案231b和第一绿色图案232a的厚度的总和。
因此，在第一阶梯部STP1区域X3中，有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L4增加了第一阶梯补偿部SCP1，并且能够抑制第二电极213与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的短路缺陷。
另外，有机发光二极管214中生成的光中的传播至阶梯部STP1区域的白色光WL穿过第一阶梯补偿部SCP1的绿色图案232a，并成为第四光LL4。由于第四光LL4是具有461nm至550nm的波段的绿色光，因此该第四光LL4被输入至布置在绿色图案232a下面并且只允许具有461nm至550nm的波段的光穿过的第二蓝色图案231b，不穿过，并且被吸收。因此，能够抑制漏光。
另外，当传播至第一阶梯部STP1区域的白色光WL被直接输入至第一阶梯补偿部SCP1的第二蓝色图案231b时，根据图9中所描述的现象，穿过该第二蓝色图案231b的光只具有蓝色波段，因此不穿过布置在其下面的第一红色图案230a，而被吸收。如上所述，本公开的第一阶梯补偿部SCP1具有抑制布置在第一阶梯部STP1中的每个子像素中的第一电极211之间或者第一电极211与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的短路缺陷以及消除漏光缺陷的效果。
参照图13和图14，在本公开的另一个实施方式中，在第一阶梯部STP1区域X4中布置第一阶梯补偿部SCP1。该第一阶梯补偿部SCP1包括第二红色图案230b，该第二红色图案230b可以是当形成该红色(R)滤色器230时使用半色调掩模或者衍射掩模工艺形成为比红色(R)滤色器230厚的彩色图案。
例如，当在基板201上形成红色(R)树脂以形成红色(R)滤色器230时，该红色(R)树脂被形成为与第二红色图案230b一样厚，并且然后将形成在红色(R)子像素中的红色(R)树脂的一部分去除，以一起形成红色(R)滤色器230和第二红色图案230b。
因此，第二红色图案230b可以被形成为比图6中所描述的第一红色图案230a的厚度更厚。另外，在附图中，第二红色图案230b与红色(R)滤色器230一体形成，但在形成蓝色(B)滤色器231或者绿色(G)滤色器时可以利用蓝色树脂或者绿色树脂来实现。
参照图14，有机发光二极管的第二电极212与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L5通过由布置在第一阶梯部STP1中的第二红色图案230b形成的第一阶梯补偿部SCP1增加了第二红色图案230b的厚度。因此，有机发光二极管的第二电极212与数据线DL(4n-3)以及DL(4n-2)之间的距离L5被增加，并因此能够抑制短路缺陷。
另外，由于第一阶梯补偿部SCP1由比图6中示出的第一红色图案230a更厚的第二彩色图案230b形成，因此具有比穿过第一红色图案230a的第二光LL2的亮度更低的亮度的第五光LL5穿过，并且相比于图6能够进一步抑制漏光。由于包括所有蓝色波段、绿色波段和红色波段的第一光LL1(白色光)穿过第二红色图案230b，因此第五光LL5也成为只具有551nm至650nm的波段的红色光。
图15A至图15D是示出根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的像素结构的图。在附图中，R指示其中布置了红色(R)滤色器的红色(R)子像素区域、B指示其中布置了蓝色(B)滤色器的蓝色(B)子像素区域以及G指示其中布置了绿色(G)滤色器的绿色(G)子像素区域。为了便于描述，R、W、B和G意味着与子像素区域中的滤色器对应的发射区域EA，但是在某些情况下可以被提及包括非发射区域NEA。
另外，在图15A至15B中，示出了在相对于白色(W)子像素的两侧上布置第一阶梯补偿部SCP1和第二阶梯补偿部SCP2，但是(如图2所示)可以只在白色(W)子像素与一个相邻的子像素之间布置阶梯补偿部。
参照图15A至图15D，在图2至图14中，已经主要描述了包括RWBG子像素的像素结构，但是这不是固定的，例如，像素结构可以具有BWRG、GWBR、BWGR以及GWRB。另外，尽管在附图中未示出，但白色(W)子像素的位置可以是四个子像素的第一、第三或者第四，并且红色(R)、蓝色(B)以及绿色(G)子像素可以基于此被布置在相邻的各种位置。
如图15A所示，当像素结构是BEGR时，布置在蓝色(B)子像素与白色(W)子像素之间的第一阶梯部中的第一阶梯补偿部SCP1可以由从蓝色(B)滤色器扩展的蓝色图案形成或者可以是蓝色图案和红色(R)图案或绿色(G)图案的重叠结构。在某些情况下，如图11和图12所示，可以按其中三种不同的彩色图案被层压的结构形成第一阶梯补偿部SCP1。
另外，布置在白色(W)子像素与红色(R)子像素之间的第二阶梯部中的第二阶梯补偿部SCP2可以由与红色(R)滤色器同时形成的红色图案形成。
如上所述，即使在图15B至图15D中，也可以根据与白色(W)子像素相邻的子像素的颜色，按其中至少一个彩色图案被层压的结构形成第一阶梯补偿部SCP1和第二阶梯补偿部SCP2。
如图15A至15D所示，根据本公开的其它实施方式的有机发光显示装置还可以通过布置在子像素之间的阶梯补偿部而具有抑制电极之间或者电极与数据线(或者基准电压线)之间的短路缺陷以及有机发光二极管的电极与信号线之间的短路缺陷的效果。
此外，布置在子像素之间的阶梯补偿部具有彩色图案的层叠结构，并且根据图2和图14中所描述的现象具有减少和阻挡漏光的效果。
图16是示出布置在根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置的显示面板中的像素的结构的平面图，图17是沿图16的线III-III′截取的横截面图，以及图18至图20是示出用于根据本公开的有机发光显示装置的第三阶梯部区域的实施方式的图。
如图5或图8的附图标记的附图标记表示相同的构成元件，并且(在下文中)将主要描述有所区别的第三阶梯部STP3。
参照图16至图20，在根据本公开的另一个实施方式的有机发光显示装置中，在红色(R)子像素SP1与白色(W)子像素SP2之间布置第一阶梯补偿部SCP1，在白色(W)子像素SP2与蓝色(B)子像素SP3之间布置第二阶梯补偿部SCP2，在蓝色(B)子像素SP3与绿色(G)子像素SP4之间布置第三阶梯补偿部SCP3。
具体地，如图18所示，在第三阶梯部STP3区域Z1的结构中，第三阶梯补偿部SCP3被布置成与蓝色(B)子像素SP3和绿色(G)子像素之间的数据线DL(4n-1)和DL(4n)相重叠。
第三阶梯补偿部SCP3以其中从蓝色(B)滤色器扩展和形成的第一蓝色图案231a和第二绿色图案232b被层压的结构来形成。另外，第三阶梯补偿部SCP3被布置成与数据线DL(4n-1)和DL(4n)的一部分以及数据线DL(4n-1)和DL(4n)之间的部分相重叠。
因此，有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的距离L6增加了第三阶梯补偿部SCP3的厚度，以抑制第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的短路缺陷。
另外，传播至第三阶梯部STP3的有机发光二极管214的白色光根据上述漏光阻挡现象穿过第一蓝色图案231a，并且然后在第二绿色图案232b处被阻挡，由此抑制漏光缺陷。
图19示出第三阶梯部STP3区域Z2的另一个实施方式，并且(如附图中所示)以第三红色图案230c、第一蓝色图案231a和第二绿色图案232b的层叠结构形成第三阶梯补偿部SCP3。
因此，有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的距离L7增加了第三阶梯补偿部SCP3，以抑制第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的短路缺陷。
另外，传播至第三阶梯部STP3的白色光根据图11和图12中所描述的现象在第三红色图案230c或者第一蓝色图案231a处被阻挡，以抑制在第三阶梯部STP3区域中出现的漏光缺陷。
图20是示出第三阶梯部STP3区域Z3的另一个实施方式的图，并且(当形成绿色(G)滤色器232时)在第三阶梯部STP3中使用半色调掩模工艺或者衍射掩模工艺形成由第三绿色图案232c形成的第三阶梯补偿部SCP3。
有机发光二极管的第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的距离L8增加了第三绿色图案232c的厚度，以抑制第二电极213与数据线DL(4n-1)以及DL(4n)之间的短路缺陷。
另外，根据图14中所描述的现象，只有沿第三阶梯部STP3传播的白色光的具有461nm至550nm的波段的绿色光穿过第三绿色图案232c，以减少漏光。
图21是示出制造根据本公开的一个实施方式的显示面板的过程的流程图。参照图5的实施方式，在基板201的选择区域上形成遮光层(LS)。
在基板201上形成缓冲层202。随着基板201上的层间绝缘膜224的形成，在基板201上形成驱动晶体管D1的有源层204。
在基板201上形成晶体管D1的漏极207a和源极207b。在形成漏极207a和源极207b的处理过程中可以形成基准电压线RVL和数据线DL(4n)、DL(4n-1)、DL(4n-2)以及DL(4n-3)。
在数据线DL(4n-1)、DL(4n-2)和DL(4n-3)、基准电压线RVL、层间绝缘膜224、漏极207a以及源极207b上形成保护膜206。
然后在除白色以外的颜色的子像素中形成滤色器230、231、232并且在白色子像素与除白色以外的颜色的子像素之间的区域中形成过滤器层(S1201)。针对图13的实施方式，其中滤色器的厚度不同，可以使用半色调掩模或者衍射掩模。
在滤色器和保护膜206上方形成平坦化层208(S1202)。然后，使用掩模工艺将平坦化层208从基板的所选择的部分上去除(S1203)。具体地，例如，可以通过在白色子像素与除白色以外的颜色的子像素之间的区域处进行蚀刻来去除平坦化层208。
形成金属层并然后通过掩模工艺选择性地去除，以形成OLED214的第一电极211(S1204)。该金属层可以包括诸如ITO、IZO、ITO/APC/ITO、AlNd/ITO、Ag/ITO或者ITO/APC/ITO的材料。
然后，在平坦化层208和第一电极211上方所选择的区域上形成堤层216a、216b、216c(S1205)。
在形成堤层216a、216b、216c之后，形成有机发光层212(S1206)。然后在该有机发光层212上形成第二电极213(S1206)，以完成OLED214。
如上所述，在根据本公开的有机发光显示装置中，在子像素之间布置阶梯补偿部，以抑制像素电极之间的短路缺陷以及有机发光二极管的电极与信号线之间的短路缺陷。
另外，在根据本公开的有机发光显示装置中，在形成在子像素之间的阶梯部区域中布置由至少一个彩色图案形成的阶梯补偿部，以抑制短路缺陷和漏光缺陷。
上面的描述和附图只是示例性地表示本公开的技术精神，并且本领域的技术人员可以在不脱离本公开的基本特征的范围内对诸如结合、分离、置换以及配置的变化的配置进行各种修改和改变。因此，本公开中所描述的实施方式并不限制本公开的技术精神，而是为了描述，并且本公开的技术精神的范围不受这样的实施方式的限制。本公开的保护范围应当由下面的权利要求进行解释，并且与其等效范围内的所有的技术精神应解释为被包括在本公开的权利范围内。
虽然已经结合示例性实施方式示出和描述了本发明，但是在不脱离由权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和改变，这对本领域的技术人员是显而易见的。
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2015年10月16日提交的韩国专利申请第10-2015-0144995号的优先权和权益，为了如本文全面阐述的所有目的，该专利申请通过引用并入于此。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管OLED装置，该OLED装置包括：
白色子像素，所述白色子像素包括第一驱动晶体管、平坦化层的第一部分以及所述平坦化层的所述第一部分上的第一OLED；
与所述白色子像素相邻的第一子像素，所述第一子像素包括第二驱动晶体管、第一滤色器的第一部分、所述平坦化层的第二部分以及所述平坦化层的所述第二部分上的第二OLED；以及
所述白色子像素与所述第一子像素之间的第一区域，所述第一区域包括过滤器层、所述过滤器层上或者所述过滤器层上方的第一堤层以及所述过滤器层上或者所述过滤器层上方的第二堤层，所述过滤器层包括所述第一滤色器的第二部分。
2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一堤层和所述第二堤层与所述过滤器层相接触。
3.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第一堤层在所述第一OLED的电极上方延伸，并且所述第二堤层在所述第二OLED的电极上方延伸。
4.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
在所述第一堤层下面沿所述第一堤层延伸的第一数据线；以及
在所述第二堤层下面沿所述第二堤层延伸的第二数据线。
5.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述过滤器层还包括与所述第一滤色器的颜色不同的第二滤色器。
6.根据权利要求5所述的OLED装置，其中，第一层还包括与所述第一滤色器和所述第二滤色器的颜色不同的第三滤色器。
7.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第一滤色器的所述第二部分比所述第一滤色器的所述第一部分厚。
8.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
在所述第一子像素的相对侧与所述白色子像素相邻的第二子像素，所述第二子像素包括第三驱动晶体管、第二滤色器的第一部分、所述平坦化层的第三部分以及所述平坦化层的所述第三部分上的第三OLED；以及
所述白色子像素与所述第二子像素之间的第二区域，所述第二区域包括所述第一OLED的电极上的第一堤层和所述第三OLED的电极上的第二堤层。
9.根据权利要求8所述的OLED装置，该OLED装置还包括沿所述第二区域延伸的不透明材料的导电线。
10.根据权利要求8所述的OLED装置，其中，所述第二区域还包括所述第二滤色器的第二部分。
11.一种有机发光二极管OLED装置中的像素结构，该像素结构包括：
白色子像素，所述白色子像素包括第一驱动晶体管、平坦化层的第一部分以及所述平坦化层的所述第一部分上的第一OLED；
与所述白色子像素相邻的第一子像素，所述第一子像素包括第二驱动晶体管、第一滤色器的第一部分、所述平坦化层的第二部分以及所述平坦化层的所述第二部分上的第二OLED；以及
所述白色子像素与所述第一子像素之间的第一区域，所述第一区域包括过滤器层、所述过滤器层上或者所述过滤器层上方的第一堤层以及所述过滤器层上或者所述过滤器层上方的第二堤层，所述过滤器层包括所述第一滤色器的第二部分。
12.根据权利要求11所述的像素结构，其中，所述第一堤层和所述第二堤层与所述过滤器层相接触。
13.根据权利要求12所述的像素结构，其中，所述第一堤层在所述第一OLED的电极上方延伸，并且所述第二堤层在所述第二OLED的电极上方延伸。
14.根据权利要求12所述的像素结构，该像素结构还包括：
在所述第一堤层下面沿所述第一堤层延伸的第一数据线；以及
在所述第二堤层下面沿所述第二堤层延伸的第二数据线。
15.根据权利要求12所述的像素结构，其中，所述第一滤色器的所述第二部分比所述第一滤色器的所述第一部分厚。
16.根据权利要求12所述的像素结构，该像素结构还包括：
在所述第一子像素的相对侧与所述白色子像素相邻的第二子像素，所述第二子像素包括第三驱动晶体管、第二滤色器的第一部分、所述平坦化层的第三部分以及所述平坦化层的所述第三部分上的第三OLED；
所述白色子像素与所述第二子像素之间的第二区域，所述第二区域包括所述第一OLED的电极上的第一堤层和所述第三OLED的电极上的第二堤层。
17.根据权利要求16所述的像素结构，其中，不透明材料的导电线沿所述第二区域延伸。
18.一种制造有机发光二极管OLED装置的方法，该方法包括以下步骤：
在除白色以外的颜色的子像素中形成滤色器并且在白色子像素与所述除白色以外的颜色的子像素之间的区域中形成过滤器层；
至少在所述滤色器上方形成平坦化层；
在所述除白色以外的颜色的子像素和所述白色子像素中形成第一电极；
去除所述平坦化层的在所述白色子像素与所述除白色以外的颜色的子像素之间的区域中的部分；以及
在所述过滤器层上或所述过滤器层上方的区域以及所述第一电极上方的区域中形成堤层。
19.根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在基板上形成数据线；
在所述数据线和所述基板的上方形成保护层；
在所述第一电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成第二电极。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述滤色器和所述过滤器层的步骤包括使用半色调掩模或衍射掩模以使得滤色器的在所述区域中的一部分比所述滤色器的在所述除白色以外的颜色的子像素中的另一部分厚。
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