KR102642305B1 - Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102642305B1 KR102642305B1 KR1020180108794A KR20180108794A KR102642305B1 KR 102642305 B1 KR102642305 B1 KR 102642305B1 KR 1020180108794 A KR1020180108794 A KR 1020180108794A KR 20180108794 A KR20180108794 A KR 20180108794A KR 102642305 B1 KR102642305 B1 KR 102642305B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oled
- infrared light
- electrode
- driving transistor
- driving
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N copper manganese Chemical compound [Mn].[Cu] HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/16—Human faces, e.g. facial parts, sketches or expressions
- G06V40/161—Detection; Localisation; Normalisation
- G06V40/166—Detection; Localisation; Normalisation using acquisition arrangements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/18—Eye characteristics, e.g. of the iris
- G06V40/19—Sensors therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14678—Contact-type imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Abstract
OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 생체 인식이 가능한 OLED 패널이 제공된다. OLED 패널은 기판; 상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및 상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부를 포함하고, 상기 구동부는, 상기 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 가시광센서를 포함하고, 상기 가시광센서는 상기 OLED와 중첩한다.
Description
본 발명은 OLED 패널 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 생체 인식이 가능하도록 광센서가 내장된 OLED 패널 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED) 표시 장치는 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하고 컬러 영상의 구현이 가능하다는 장점을 가지고 있어서 다양한 표시 장치에 적용되고 있다.
한편, 최근 들어 금융, 헬스 케어, 모바일 등을 중심으로 인간의 특정 생체 정보나 행동 특징 정보를 자동화된 장치로 추출하여 본인을 인증하는 생체 인식 기술을 구현한 표시 장치에 대한 요구 또한 증대하고 있다. 특히 스마트폰 선두 기업의 지문, 홍채 인식 기술 적용은 생체 인식 기술의 이목을 집중시키고 있다.
애플은 반도체 지문인식센서 제조업체인 AuthenTech를 인수 후, 아이폰, 아이패드에 지문 인식 센서를 지속적으로 탑재하고 있다. US2015-0331508에도 지문 인식을 위한 센서를 형성하는 기술을 개시하고 있다.
그러나 US2015-0331508에서는 지문 인식 센서가 없는 기존의 OLED 발광부 대비 OLED 발광부의 개구율이 감소한다. OLED 발광부의 개구율이 감소하는 문제는 특히 표시 면적이 작은 스마트폰과 같은 모바일 표시 장치에서 표시 특성에 큰 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 실시예는 OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 생체 인식이 가능한 OLED 패널을 제공하기 위함이다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 생체 인식이 가능한 OLED 패널을 포함하는 표시 장치를 제공하기 위함이다.
실시예는 OLED 패널을 제공하고, 이러한 OLED 패널은, 기판; 상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및 상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부를 포함하고, 상기 구동부는, 상기 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 가시광센서를 포함하고, 상기 가시광센서는 상기 OLED와 중첩된다.
또한, 실시예에 따른, 상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 OLED 스위칭 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 가시광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 OLED 스위칭 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성된다.
또한, 실시예에 따른, 상기 OLED 스위칭 트랜지스터 및 상기 OLED 구동 트랜지스터 상부에 상기 OLED가 발광하는 빛을 차단하는 차폐층이 형성된다.
또한, 실시예에 따른 상기 OLED가 발광하는 빛이, 적색광, 녹색광, 및 청색광을 포함하고, 상기 가시광센서가 상기 청색광을 선택적으로 검출한다.
또한, 실시예에 따른, 상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된다.
다른 실시예는 OLED 패널을 제공하고, 이러한 OLED 패널은, 기판; 상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 상기 기판 위에 배치되고 근적외광을 발광하는 근적외광 OLED; 및 상기 기판, 및 상기 OLED와 상기 근적외광 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 구동부를 포함하고, 상기 구동부는, 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 검출하는 근적외광 센서를 포함하고, 상기 근적외광센서는 상기 OLED와 중첩된다.
또한, 다른 실시예에 따른, 상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 근적외광 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성된다.
또한, 다른 실시예에 따른, 상기 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터 상부에 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 차단하는 차폐층이 형성된다.
또한, 다른 실시예에 따른, 상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된다.
또한, 다른 실시예에 따른, 상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터와, 상기 근적외광 OLED가 동일 평면상에 형성된다.
또한, 또 다른 실시예는 복수의 부화소로 구성된 화소를 포함하는 OLED 패널을 제공하고, 이러한 OLED 패널의, 상기 복수의 부화소 각각은, 기판;
상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및 상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부를 포함하고, 상기 복수의 부화소 중 어느 한 부화소에 대응하는 구동부가, 상기 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 가시광센서를 포함하고, 상기 가시광센서가 상기 복수의 부화소 중 어느 한 부화소의 OLED와 중첩된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 OLED 스위칭 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 가시광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 OLED 스위칭 트랜지스터가 동일 평면상에 형성된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 OLED 스위칭 트랜지스터 및 상기 OLED 구동 트랜지스터 상부에 상기 OLED가 발광하는 빛을 차단하는 차폐층이 형성된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 복수의 부화소 각각은 적색광, 녹색광, 및 청색광 중 어느 하나를 발광하고, 상기 가시광센서가 상기 청색광을 선택적으로 검출한다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된다.
또한, 또 다른 실시예는 복수의 부화소로 구성된 화소를 포함하는 OLED 패널을 제공하고, 이러한 OLED 패널의 상기 복수의 부화소 각각은, 기판; 상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및 상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부를 포함하고, 상기 복수의 부화소 중 적어도 하나 이상의 부화소가, 상기 기판 위에 배치되고 근적외광을 발광하는 근적외광 OLED를 더 포함하고, 상기 복수의 부화소 중 적어도 하나 이상의 부화소에 대응하는 구동부 각각이, 상기 근적외광 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 근적외광센서를 포함하고, 상기 근적외광센서가 상기 적어도 하나 이상의 부화소의 OLED와 중첩된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 근적외광 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터 상부에 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 차단하는 차폐층이 형성된다.
또한, 또 다른 실시예에 따른, 상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된다.
본 발명에 따른 실시예는 OLED 발광부 하부에 센서를 포함하여 OLED 발광부의 개구부를 100% 유지하여 표시 특성을 그대로 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 OLED 발광부 하부에 센서를 포함으로써 가시광 또는 근적외광을 이용하여 생체 인식을 할 수 있는 효과가 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널의 다양한 픽셀 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널의 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 패널의 다양한 픽셀 레이아웃을 나타내는 개략도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에의 제1 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 제2 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이다.
도 6a은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서의 단면이고, 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서의 특성을 나타낸 곡선이다.
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 단면이고, 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 특성을 나타낸 곡선이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 구동부의 구동 회로이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 회로이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널의 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 패널의 다양한 픽셀 레이아웃을 나타내는 개략도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에의 제1 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 제2 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이다.
도 6a은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서의 단면이고, 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서의 특성을 나타낸 곡선이다.
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 단면이고, 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 특성을 나타낸 곡선이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 구동부의 구동 회로이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 회로이다.
이하, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 구현예를 상세히 설명한다. 그러나 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 OLED(OLED) 패널을 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널의 다양한 픽셀 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 구성하는 화소(Px1)는 3개의 부화소(SPx) 및 가시광센서(230)을 포함하고, 3개의 부화소(SPx) 각각은 적색 OLED 부화소(OLED R), 녹색 OLED 부화소(OLED G), 및 청색 OLED 부화소(OLED B) 중 어느 하나 일 수 있다. 가시광센서(230)는 3개의 부화소(SPx) 중 어느 한 부화소의 발광부 하부에 위치하여, 3개의 부화소(SPx) 중 한 부화소와 중첩되어 배치될 수 있다.
구체적으로, 도 1a에 도시된 바와 같이 가시광센서(230)는 적색 OLED 부화소(OLED R)와 중첩되거나, 또는 도 1b에 도시된 바와 같이 가시광센서(230)는 녹색 OLED 부화소(OLED G)와 중첩되거나, 또는 도 1c에 도시된 바와 같이 가시광센서(230)는 청색 OLED 부화소(OLED B)와 중첩될 수 있다.
따라서, 부화소(SPx)와 가시광센서(230)가 오버랩됨으로써, OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 가시광센서(230)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
설명의 편의를 위해 가시광센서(230)는 3개의 부화소(SPx) 중 어느 한 부화소의 발광부 하부에만 위치하는 것으로 개시하였으나, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 가시광센서(230)는 1개 이상의 부화소(SPx) 부화소의 발광부 하부에 위치할 수 있으며, 복수의 가시광센서(230)가 적어도 1개 이상의 부화소(SPx)하부에 위치할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널의 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널(1000)은, 기판(100), 구동부(200), 및 OLED 발광부(300)가 적층된 적층형 패널이고, 기판(100)과 OLED 발광부(300) 사이에 가시광센서(230)을 포함하는 구동부(200)가 적층된다. 즉, OLED 발광부(300) 하부에 가시광센서(230)가 위치하여 OLED 발광부(300)의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 가시광센서(230)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
OLED 패널(1000)은 서로 다른 파장의 가시광(R, G, B)을 발광하는 서브 픽셀(SPx, 도 1참조)이 모여 하나의 단위 픽셀(Px1, 도 1 참조)을 구성하고, 이 단위 픽셀(Px1)이 행렬로 반복하여 배열되어 OLED 패널(1000)을 완성한다.
OLED 발광부(300)는 구동부(200)위에 적층되고 이미지를 디스플레이한다. OLED 발광부(300)는 유기 발광층(312)과 유기 발광층(312)의 상, 하부에 형성된 제1 전극(313) 및 제2 전극(311)으로 이루어진 OLED(310)를 포함한다.
유기 발광층(312)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 어느 하나를 고유하게 기판(100)의 전면 방향(도 2a의 화살표(320) 방향)으로, 즉, 구동부(200)의 반대 방향으로 발광(320)하는 다양한 유기 재료로 형성될 수 있다.
제1 전극(313)은 유기 발광층(312)에서 발광 된 빛이 외부로 잘 표시되도록 반사 전극으로 형성될 수 있다.
제2 전극(311)은, 유기 발광층(312)에서 발광 된 빛이 외부로 잘 표시되도록, 예를 들어, MgAg, ITO, IZO, 10nm 이하 두께의 박막 Ag, AlTO 등과 같은 반투명 또는 투명 전극으로 형성될 수 있다.
제1 전극(313)과 제2 전극(311) 중 어느 하나는 구동전압 라인(Vdd, 도 8 참조)과 출력단(Out Put)에 연결되어 애노드로 작용하고 다른 하나는 캐소드로 작용한다. 제1 전극(313)과 제2 전극(311) 중 어느 하나는 구동부(200)의 OLED 구동 트랜지스터(210)로부터 구동 전압을 인가 받아 가시광을 발광한다.
OLED 발광부(300) 상면에는 점착제(미도시)에 의해 부착된 커버 글라스 (미도시)가 놓여서 하부 구조를 보호하고 디스플레이 표면 및 생체 인식 표면을 형성할 수 있다.
구동부(200)는 기판(100) 위에 형성되고, OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220), 가시광센서(230), 차폐층(black shield, 215, 225) 및 층간 절연막(240)을 포함한다. OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220), 및 가시광센서(230)는 동일 평면상에 형성될 수 있다. 이들이 동일 평면상에 형성될 경우, OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220), 및 가시광센서(230) 형성 공정을 동시에 진행할 수 있어, 다른 평면상에 형성하는 경우 대비 추가 공정 마스크를 제조할 필요가 없고 공정 단계 수를 줄일 수 있다. 또한, 다른 평면상에 형성하는 경우보다 패널의 두께를 얇게 할 수 있어서 플렉서블 패널을 구현하기에 보다 바람직할 수 있다.
OLED 구동 트랜지스터(210)는 게이트 전극(211), 게이트 절연층(212), 전극층(213), 및 전극 절연층(214)을 포함한다. 전극층(213)은 OLED 구동 트랜지스터(210)의 제1 단 또는 제2 단을 형성하며 제1 단 또는 제2 단이 접촉 구멍(216)을 통해 제2 전극(311)과 연결될 수 있다.
설명의 편의를 위해 OLED 구동 트랜지스터(210)의 반도체층(216, 도 7a 참조)은 생략하였으나, 반도체층(216)을 포함한 OLED 구동 트랜지스터(210)구체적인 구조는 후술한다.
OLED 구동 트랜지스터(210)의 상부에는 차폐층(215)이 형성되어, OLED 발광부(300)에서 발광되어 반사 또는 산란된 가시광(330)을 차폐한다.
OLED 스위칭 트랜지스터(220)는 게이트 전극(221), 게이트 절연층(222), 전극층(223), 및 전극 절연층(224)를 포함한다.
OLED 스위칭 트랜지스터(220)의 상부에는 차폐층(225)이 형성되어, OLED 발광부(300)에서 발광되어 반사 또는 산란된 가시광(330)을 차폐한다.
가시광센서(230)는 게이트 전극(231), 게이트 절연층(232), 전극층(233), 전극 절연층(234)을 포함하고, 유기 발광층(312)에서 발광 되어 반사 또는 산란된 가시광(330)(예를 들어, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 어느 하나)을 흡수하여 검출할 수 있다. 가시광센서(230)의 반도체층(235, 도 6a 참조)은 생략하였으나, 반도체층(235)을 포함한 OLED 가시광센서(230)의 구체적인 구조는 후술한다.
설명의 편의를 위해, 구동부(200)는 OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220), 가시광센서(230)만 포함하는 것으로 설명하였으나, 구동부(200)는 가시광센서 스위치 트랜지스터(250), 커패시터(C1)를 더 포함할 수 있다(도 8 참조).
기판(100)은 유리 또는 플라스틱 등의 다양한 재료로 형성될 수 있다. 플라스틱의 경우에는 투명하고 플렉서블한 재료로 형성될 수 있다.
이하, 도 2b를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명한다. 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 디스플레이 패널(1000) 상에 생체 인식 대상, 예컨대 손가락(400)이 놓이면 구동부(200)의 OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220)를 턴 온 시키기 위한 구동 신호가 인가되고, OLED 구동 트랜지스터(210)에 의해 OLED 발광부(300)로부터 가시광(320)이 방출되어 손가락(400)의 지문에 조사된다. 가시광(320)은 손가락(500)의 표면에서 반사 또는 산란될 수 있다. 반사 또는 산란된 가시광(330)은 가시광센서(230)에 수광되어 검출될 수 있다. 이때, 반사 또는 산란된 가시광(330)은 차폐층(215, 225)에 의해 차단되어 OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220)에는 도달하지 않는다.
가시광센서(230)에 수광된 전하는 독출된 후 이미지 프로세서를 거쳐서 손가락(400)의 지문 이미지를 획득하고 이를 통해 지문 인식을 수행할 수 있다.
도 2b에서는 생체 인식의 대상으로 손가락(500)의 지문을 예시하였으나, 손가락 장문, 홍채, 망막, 안면 등 다양한 생체 인식에 적용할 수 있음은 물론이다.
이하, 도 3 내지 5를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED(OLED) 패널을 설명한다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 패널의 다양한 픽셀 레이아웃을 나타내는 개략도이다.
도 3a 내지 도 3e를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널을 구성하는 화소(Px2)는 3개의 부화소(SPx), 근적외광센서(630), 및 근적외광 OLED(710)를 포함한다. 3개의 부화소(SPx) 각각은 적색 OLED 부화소(OLED R), 녹색 OLED 부화소(OLED G), 및 청색 OLED 부화소(OLED B) 중 어느 하나 일 수 있다. 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)는 3개의 부화소(SPx) 중 적어도 어느 한 부화소의 발광부 하부에 위치하여, 3개의 부화소(SPx) 중 적어도 어느 한 부화소와 중첩되어 배치될 수 있다. 구체적으로,
따라서, 부화소(SPx)와 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)가 오버랩됨으로써, OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
구체적으로, 도 3a에 도시된 바와 같이 1쌍의 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)가 적색 OLED 부화소(OLED R), 녹색 OLED 부화소(OLED G), 및 청색 OLED 부화소(OLED B)와 각각 중첩될 수 있다.
또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 1쌍의 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)가 적색 OLED 부화소(OLED R) 및 녹색 OLED 부화소(OLED G)와 각각 중첩될 수 있다.
또한, 도 3c에 도시된 바와 같이, 1쌍의 근적외광센서(630) 및 근적외광 OLED(710)가 적색 OLED 부화소(OLED R)에 중첩될 수 있다. 또한, 도 3d에 도시된 바와 같이, 2개의 근적외광센서(630) 각각이 적색 OLED 부화소(OLED R)와 청색 OLED 부화소(OLED B)와 중첩되고, 1개의 근적외광 OLED(710)가 녹색 OLED 부화소(OLED G)와 중첩될 수 있다. 이때, 도 3d에는 2개의 근적외광센서(630)와 1개의 근적외광 OLED(710)가 서로 다른 열에 배치된 것으로 도시하였으나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 2개의 근적외광센서(630)와 개의 근적외광 OLED(710) 모두가 같은 열에 배치되거나 서로 다른 열에 배치될 수 있다.
또한, 도 3e에 도시된 바와 같이, 1개의 근적외광센서(630)가 적색 OLED 부화소(OLED R)에 중첩되고 1개의 근적외광 OLED(710)가 청색 OLED 부화소(OLED B)와 중첩될 수 있다. 이때, 도 3e에는 1개의 근적외광센서(630)가 적색 OLED 부화소(OLED R)에 중첩되고 1개의 근적외광 OLED(710)가 청색 OLED 부화소(OLED B)와 중첩된 것으로 도시하였으나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 3개의 부화소(SPx) 중 어느 한 부화소 각각에 1개의 근적외광센서(630) 또는 1개의 근적외광 OLED(710)가 중첩될 수 있으며, 개의 근적외광센서(630) 또는 1개의 근적외광 OLED(710)는 필요에 따라 다르게 조합될 수 있다.
따라서, 부화소(SPx)와 가시광센서(230)가 오버랩됨으로써, OLED 발광부의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 가시광센서(230)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 패널을 설명한다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널(2000)은, 기판(500), 구동부(600), 근적외광 발광부(700), 및 OLED 발광부(800)가 적층된 적층형 패널이고, 기판(500)과 OLED 발광부(800) 사이에 근적외광센서(630)를 포함하는 구동부(600) 및 구동부(600) 위에 적층된 근적외광 발광부(700)가 배치된다. 즉, OLED 발광부(800) 하부에 근적외광 발광부(700) 및 근적외광센서(630)가 위치하여 OLED 발광부(800)의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 가시광센서(230)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
OLED 패널(2000)은 서로 다른 파장의 가시광(R, G, B)을 발광하는 서브 픽셀(SPx, 도 3참조)이 모여 하나의 단위 픽셀(Px2, 도 3 참조)을 구성하고, 이 단위 픽셀(Px2)이 행렬로 반복하여 배열되어 OLED 패널(2000)을 완성한다.
OLED 발광부(800)는 근적외광 발광부(700)위에 적층되고 이미지를 디스플레이한다. OLED 발광부(800)는 유기 발광층(812)과 유기 발광층(812)의 상, 하부에 형성된 제1 전극(811) 및 제2 전극(813)으로 이루어진 가시광 OLED(OLED, 810)를 포함한다. 유기 발광층(812)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 어느 하나를 고유하게 기판(500)의 전면 방향(도 4a의 화살표(820) 방향)으로, 즉, 구동부(600)의 반대 방향으로 발광(820)하는 다양한 유기 재료로 형성될 수 있다. 제1 전극(811)과 제2 전극(813) 중 어느 하나는 구동전압 라인(Vdd, 도 9 참조)과 출력단(Out Put)에 연결되어 애노드로 작용하고 다른 하나는 캐소드로 작용한다.
본 발명의 실시예에 따른 OLED 패널(1000)에서는 OLED 발광부(300)의 가시광으로 지문을 인식하나, 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널의 OLED 발광부(800)는 이미지를 디스플레이할 때만 가시광을 발광하고, 지문을 인식하는 데 사용되지 않는다.
제1 전극(811)은 유기 발광층(812)에서 발광 된 빛이 외부로 잘 표시되도록 반사 전극으로 형성될 수 있다.
제2 전극(813)은, 유기 발광층(812)에서 발광 된 빛이 외부로 잘 표시되도록, 예를 들어, MgAg, ITO, IZO, 10nm 이하 두께의 박막 Ag, AlTO 등과 같은 반투명 또는 투명 전극으로 형성될 수 있다.
OLED 발광부(800) 상면에는 점착제(미도시)에 의해 부착된 커버 글라스 (미도시)가 놓여서 하부 구조를 보호하고 디스플레이 표면 및 생체 인식 표면을 형성할 수 있다.
근적외광 발광부(700)는 OLED 발광부(800)와 구동부(600) 사이에 적층되고 근적외광 발광 다이오드(OLED, 710) 및 층간 절연막(740)을 포함한다. 근적외광(NIR) 발광 다이오드(710)는 근적외광 파장의 광을 발광하는 근적외광 발광층(712)과, 근적외광 발광층(712)의 상, 하부에 형성된 제1 전극(713) 및 제2 전극(711)을 포함한다.
근적외광 발광층(712)은 유기 발광층으로서, 800~1500nm 파장대의 근적외광을 발광하기에 적합한 아래 화학식 1에 예시된 재료들 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있으나 이는 예시에 불과하며 원하는 근적외광의 파장을 발광하기에 적합한 재료라면 어느 것이라도 사용 가능하다.
[화학식 1]
제1 전극(713)과 제2 전극(711) 중 어느 하나는 구동전압 라인(Vdd, 도 9 참조)과 출력단(Out Put)에 연결되어 애노드로 작용하고 다른 하나는 캐소드로 작용한다. 제1 전극(713)과 제2 전극(711) 중 어느 하나는 구동부(600)의 근적외광 구동 트랜지스터(620)으로부터 구동 전압을 인가 받아 근적외광을 발광한다.
구동부(600)는 기판(500) 위에 형성되고, OLED 구동 트랜지스터(610), 근적외광 구동 트랜지스터(620), 근적외광센서(630), 차폐층(black shield, 615, 625) 및 층간 절연막(440)을 포함한다. OLED 구동 트랜지스터(610), 근적외광 구동 트랜지스터(620), 및 근적외광센서(630)는 동일 평면상에 형성될 수 있다. 이들이 동일 평면상에 형성될 경우, OLED 구동 트랜지스터(610), 근적외광 구동 트랜지스터(620), 및 근적외광센서(630) 형성 공정을 동시에 진행할 수 있어, 다른 평면상에 형성하는 경우 대비 추가 공정 마스크를 제조할 필요가 없고 공정 단계 수를 줄일 수 있다. 또한, 다른 평면상에 형성하는 경우보다 패널의 두께를 얇게 할 수 있어서 플렉서블 패널을 구현하기에 보다 바람직할 수 있다.
OLED 구동 트랜지스터(610)는 게이트 전극(611), 게이트 절연층(612), 전극층(613), 및 전극 절연층(614)을 포함한다. 전극층(613)은 OLED 구동 트랜지스터(610)의 제1 단 또는 제2 단을 형성하며 접촉 구멍(616)을 통해 제2 전극(811)과 연결될 수 있다.
근적외광 구동 트랜지스터(620)는 게이트 전극(621), 게이트 절연층(622), 전극층(623), 및 전극 절연층(624)을 포함한다. 전극층(623)은 근적외광 구동 트랜지스터(620)의 제1 단 또는 제2 단을 형성하며 접촉 구멍(626)을 통해 제2 전극(711)과 연결될 수 있다.
근적외광센서(630)는 게이트 전극(631), 게이트 절연층(632), 전극층(633), 전극 절연층(634)을 포함하고, 근적외광 발광층(712)에서 발광 되어 반사 또는 산란된 근적외광(730)을 흡수하여 검출할 수 있다.
근적외광센서(630)는 NIR 유기 광 다이오드일 수 있고, 근적외광센서(630)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 NIR 파장을 흡광하기에 적합한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 800~1500㎚ 파장을 흡광하기에 적합한 물질로 형성될 수 있다. 예들 들면, 아래 화학식 2에 예시된 재료들 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있으나 이는 예시에 불과하며 원하는 NIR 파장을 흡수하기에 적합한 재료라면 어느 것이라도 사용 가능하다.
[화학식 2]
근적외광센서(630)의 전극은 입사되는 근적외광을 최대한 흡수하기 위해서 투명전극으로 형성한다. 바람직하게, 투과도가 80% 이상이 되는 투명전극으로 형성한다. 예를 들면, ITO, IZO, AlTO, 카본 나노튜브(CNT), 그래핀(Graphen), 나노 은(Nano Ag) 등으로 형성할 수 있다.
OLED 구동 트랜지스터(610)의 상부에는 차폐층(615)이 형성되고 근적외광 구동 트랜지스터(220)의 상부에는 차폐층(625)이 형성되어, 근적외광 발광층(712)에서 발광되어 반사 또는 산란된 근적외광(730)을 차폐한다.
설명의 편의를 위해, 구동부(600)는 OLED 구동 트랜지스터(610), 근적외광 구동 트랜지스터(620), 근적외광센서(630), 차폐층(615, 625) 및 층간 절연막(440)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 구동부(600)는 OLED 스위칭 트랜지스터(652), 근적외광 스위칭 트랜지스터(651), 근적외광센서 스위칭 트랜지스터(650), 커패시터(C1), 커패시터(C2)를 더 포함할 수 있다(도 9참조).
기판(500)은 유리 또는 플라스틱 등의 다양한 재료로 형성될 수 있다. 플라스틱의 경우에는 투명하고 플렉서블한 재료로 형성될 수 있다.
이하, 도 4b를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명한다. 도 4b는 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정을 설명하기 위한 단면도이다.
디스플레이 패널(2000) 상에 생체 인식 대상, 예컨대 손가락(900)이 놓여지면 구동부(600)의 근적외광 구동 트랜지스터(620) 및 근적외광센서(630)를 턴 온 시키기 위한 구동 신호가 인가된다.
근적외광 구동 트랜지스터(620)에 의해 근적외광 발광부(300)의 유기 발광층(312)으로부터 근적외광(720)이 방출되어 손가락(800)의 지문에 조사된다. 근적외광(720)은 손가락(900)의 표면에서 반사 또는 산란될 수 있다. 반사 또는 산란된 근적외광(730)은 근적외광센서(630)에 수광되어 검출될 수 있다. 이때, 반사 또는 산란된 근적외광(630)은 차폐층(615, 625)에 의해 차단되어 근적외광 구동 트랜지스터(620) 및 근적외광센서(630)에는 도달하지 않는다.
근적외광센서(630)에 수광된 전하는 독출된 후 이미지 프로세서를 거쳐서 손가락(900)의 지문 이미지를 획득하고 이를 통해 지문 인식을 수행할 수 있다.
도 4b에서는 생체 인식의 대상으로 손가락(900)의 지문을 예시하였으나, 손가락 장문, 홍채, 망막, 안면 등 다양한 생체 인식에 적용할 수 있음은 물론이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 제2 양태에 따른 OLED 패널의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예의 제2 양태에 따른 OLED 패널(2200)은, 기판(500), 발광 및 구동부(900), 및 OLED 발광부(800)가 적층된 적층형 패널이고, 기판(500)과 OLED 발광부(800) 사이에 OLED 구동 트랜지스터(910), 근적외광 발광부(920), 근적외광 구동 트랜지스터(930), 및 근적외광센서(940)를 포함하는 발광 및 구동부(900)가 배치된다. 즉, OLED 발광부(800) 하부에 근적외광 발광부(920) 및 근적외광센서(940)가 위치하여 OLED 발광부(800)의 개구율에 영향을 미치지 않으면서 가시광센서(230)를 이용하여 생체 인식이 가능하다.
본 실시예의 OLED 패널(2200)은 제1 양태에 따른 OLED 패널(2000)과 발광 및 구동부(900)의 구성만 상이하며, 기판(500) 및 OLED 발광부(800)의 구성은 동일하다. 따라서, 기판(500) 및 OLED 발광부(800)에 대한 설명은 도 4의 OLED 패널(2000)의 설명 부분을 참조한다.
OLED 패널(2200)은 서로 다른 파장의 가시광(R, G, B)을 발광하는 서브 픽셀(SPx, 도 3참조)이 모여 하나의 단위 픽셀(Px2, 도 3 참조)을 구성하고, 이 단위 픽셀(Px2)이 행렬로 반복하여 배열되어 OLED 패널(2000)을 완성한다.
발광 및 구동부(900)는, OLED 구동 트랜지스터(910), 근적외광 발광부(920), 근적외광 구동 트랜지스터(930), 근적외광센서(940), 차폐층(915, 935), 및 층간 절연층(940)을 포함한다.
OLED 구동 트랜지스터(910), 근적외광 발광부(920), 근적외광 구동 트랜지스터(930), 및 근적외광센서(940)는 동일 평면상에 형성될 수 있다. 이들이 동일 평면상에 형성될 경우, OLED 구동 트랜지스터(910), 근적외광 발광부(920), 근적외광 구동 트랜지스터(930), 및 근적외광센서(940) 형성 공정을 동시에 진행할 수 있어, 다른 평면상에 형성하는 경우 대비 추가 공정 마스크를 제조할 필요가 없고 공정 단계 수를 줄일 수 있다. 또한, 다른 평면상에 형성하는 경우보다 패널의 두께를 얇게 할 수 있어서 플렉서블 패널을 구현하기에 보다 바람직할 수 있다.
OLED 구동 트랜지스터(910)는 게이트 전극(911), 게이트 절연층(912), 전극층(913), 및 전극 절연층(914)을 포함한다. 전극층(913)은 OLED 구동 트랜지스터(910)의 제1 단 또는 제2 단을 형성하며 접촉 구멍(916)을 통해 OLED 발광부(800)의 제2 전극(811)과 연결될 수 있다.
근적외광 발광부(920)는 근적외광(NIR) 발광 다이오드일 수 있고, 근적외광 파장의 광을 발광하는 근적외광 발광층(922)과, 근적외광 발광층(922)의 상, 하부에 형성된 제1 전극(923) 및 제2 전극(921)을 포함한다.
근적외광 발광층(922), 제1 전극(923), 및 제2 전극(921)의 구성 및 재료 등은 상술한 근적외광 발광층(712)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
근적외광 구동 트랜지스터(930)는 게이트 전극(931), 게이트 절연층(932), 전극층(9333), 및 전극 절연층(934)을 포함한다. 전극층(933)은 근적외광 구동 트랜지스터(930)의 제1 단 또는 제2 단을 형성하며 근적외광 발광부(920)의 제2 전극(921)과 연결될 수 있다.
근적외광센서(940)는 게이트 전극(941), 게이트 절연층(942), 전극층(943), 전극 절연층(944)을 포함하고, 근적외광 발광층(812)에서 발광 되어 반사 또는 산란된 근적외광(960)을 흡수하여 검출할 수 있다.
근적외광센서(940)의 구체적 재료 및 특성 등은 제2 양태에 따른 근적외광센서(630)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
OLED 구동 트랜지스터(910)의 상부에는 차폐층(915)이 형성되고 근적외광 구동 트랜지스터(930)의 상부에는 차폐층(935)이 형성되어, 근적외광 발광층(812)에서 발광되어 반사 또는 산란된 근적외광(960)을 차폐한다.
본 발명의 다른 실시예의 제2 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정은 본 발명의 다른 실시예의 제1 양태에 따른 OLED 패널을 이용한 지문 인식 과정과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서의 구조 및 특성을 설명한다.
도 6a은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서(230)의 단면이고, 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서(230)의 특성을 나타낸 곡선이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가시광센서(230)는 기판(100) 위에 형성된 게이트 전극(231), 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연층(232), 게이트 절연층 위에 형성된 반도체층(235), 반도체층(235) 위에 형성된 전극층(233), 및 전극층 위에 형성된 전극 절연층(234)을 포함한다.
전극층(233)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리망간(CuMn)과 같은 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다.
반도체층(235)은 아연(Zn), 인듐(In), Ga(갈륨), 주석(Sn), 하프늄(Hf) 등이 적어도 하나 이상 포함되는 산화물일 수 있다. 예를 들어, 반도체층(235)은 하부(bottom) XIZO층(2351), ZIO층(2352), 및 상부(top) XIZO층(2351)으로 형성될 수 있다. 하부 XIZO층(2351), ZIO층(2352), 및 상부 XIZO층(2351)의 두께는 각각 (270 10, 90)Å, (250, 10, 90)Å, 또는 (200, 20,80)Å 중 어느 하나일 수 있으나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6b를 참조하면, 반도체층(235)은, 반사 또는 산란된 가시광(330, 도 2 참조)이 없는 경우, Vth0=-1.65V이고, 반사 또는 산란된 가시광(330)을 흡수한 경우 Vth1=-0.05V이므로, ΔVth=1.6V가 된다.
따라서, 반도체층(235)은 구동 전압(-5V)에서, 가시광(330)이 없을 때 대비 가시광(330)이 있는 경우 흐르는 전류비 Iph,on/Iph,off >106이므로, 흡수하는 가시광의 유무에 따라 전류는 106배 차이가 난다.
도 6c를 참조하면, 반도체층(635)은 청색 LED를 백라이트로 사용했을 경우, 가시광(330)이 없는 경우(dark)보다 청색(B)을 흡수한 경우 발생하는 전류(Ids)가 105배 이상이다. 따라서, 가시광(330)에 포함된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 청색(B) 만으로 지문을 인식할 수 있어, 광 선택도가 증가한다.
도 6d를 참조하면, 40,000 nit의 휘도에서 Vg: 5V, Vds: 10Vdml 조건으로 3시간 스트레스를 실험한 결과, 가시광(330)이 없는 경우(dark)보다 Vth 시프트(shift)가 0.1V로 매우 미미하다. 따라서, LCD 백라이트 수준(10,00 nit)에서 Vth의 시프트가 거의 없다. 따라서, 반도체층(235)의 광전 안정도 특성이 확보된다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 구조 및 특성을 설명한다.
도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 단면이고, 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 구동 트랜지스터의 특성을 나타낸 곡선이다.
도 7a를 참조하면, OLED 구동 트랜지스터(210)는 기판(100) 위에 형성된 게이트 전극(211), 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연층(212), 게이트 절연층위에 형성된 반도체층(216), 반도체층 위에 형성된 전극층(213), 전극층 위에 형성된 전극 절연층(214), 전극 절연층 위에 형성된 차폐층(215)를 포함한다.
전극층(213)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리망간(CuMn)과 같은 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다.
차폐층(215)은 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속으로 만들어 질 수 있다.
도 7b를 참조하면, 차폐층(215)으로 인해, 가시광(330)이 없는 경우(dark)와 가시광(330)이 있는 경우(Light) 구동 특성은 차이가 없다.
이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 구동부 및 OLED 발광부의 구성을 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 구동부(200)와 OLED 발광부(300)의 구동 회로이다.
구동부(200)는 OLED 구동 트랜지스터(210), OLED 스위칭 트랜지스터(220), 가시광센서(230), 가시광센서 스위치 트랜지스터(250), 커패시터(C1) 를 포함한다.
OLED 발광부(300)는 OLED(310)를 포함한다.
OLED 구동 트랜지스터(210)는 OLED 스위칭 트랜지스터(220)의 타단에 연결된 게이트, 구동 전원(Vdd)에 연결된 일단, 및 OLED(310)의 애노드에 연결된 타단을 포함한다.
OLED 스위칭 트랜지스터(220)는 게이트 라인(n+1)에 연결된 게이트, 데이터 라인(Data)에 연결된 일단, 및 OLED 구동 트랜지스터(210)의 게이트에 연결된 타단을 포함한다.
커패시터(C1) 는 OLED 구동 트랜지스터(210)의 게이트와 OLED(310)의 애노드에 연결되어 있다.
가시광센서(230)는 게이트 라인(n+1)에 연결된 게이트와 제1단 및 가시광센서 스위치 트랜지스터(250)의 일단 에 연결된 타단을 포함한다.
가시광센서 스위치 트랜지스터(250)는 센서 라인(s)에 연결된 게이트, 가시광센서(230)의 타단에 연결된 일단, 출력 라인(OutPut)에 연결된 타단을 포함한다.
첫 번째 시점에 디스플레이 패널(1000) 상에 손가락(400)이 놓여지면, 게이트 라인(n+1)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 게이트 신호로써 OLED 스위칭 트랜지스터(220)가 턴 온 되고, 데이터 라인(Data)을 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 OLED 구동 트랜지스터(620)가 턴 온 되어 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압이 커패시터(C1)에 저장되며, 커패시터(C1)에 저장된 데이터 전압에 대응하여 OLED(310)로부터 가시광(320)이 방출되어 손가락(400)의 지문에 조사된다.
본 발명의 실시예에 따른 구동부 및 OLED 발광부의 구동을 설명한다.
첫 번째 시점(또는 그 이전 시점)에, 센서 라인(s)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 신호에 의해 가시광센서 스위치 트랜지스터(250)가 턴 온 되고, 게이트 라인(n)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 신호에 의해 가시광센서(230)가 턴 온 되어, 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 반사 또는 산란된 가시광(330)은 가시광센서(230)에 수광되어 지문이 검출된다.
이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에의 제1 양태에 따른 구동부, 근적외광 발광부, 및 OLED 발광부의 구성을 설명한다. 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동부(600), 근적외광 발광부(700), 및 OLED 발광부(800)의 구동 회로이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 구동부(600)는 OLED 구동 트랜지스터(610), 근적외광 구동 트랜지스터(620), 근적외광센서(630), OLED 스위칭 트랜지스터(652), 근적외광 스위칭 트랜지스터(651), 근적외광센서 스위칭 트랜지스터(650), 커패시터(C1), 커패시터(C2)를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 근적외광 발광부(700)는 근적외광 OLED(710)를 포함하고, OLED 발광부(800)는 가시광 OLED(810)를 포함한다.
OLED 스위칭 트랜지스터(652)는 게이트 라인(n+2)에 연결된 게이트와 일단, 및 OLED 구동 트랜지스터(610)의 게이트에 연결된 타단을 포함한다.
OLED 구동 트랜지스터(610)는 OLED 스위칭 트랜지스터(652)의 타단에 연결된 게이트, 구동 전원(Vdd)에 연결된 일단, 및 가시광 OLED(810)의 애노드에 연결된 타단을 포함한다.
커패시터(C1)는 OLED 구동 트랜지스터(610)의 게이트와 가시광 OLED(810)의 애노드 사이에 연결된다.
가시광 OLED(810)는 OLED 구동 트랜지스터(610)의 타단에 연결된 애노드 및 구동 전원(Vss)에 연결된 캐소드를 포함한다.
근적외광 스위칭 트랜지스터(651)는 게이트 라인(n+1)에 연결된 게이트와 일단, 및 근적외광 구동 트랜지스터(620)의 게이트에 연결된 타단을 포함한다.
근적외광 구동 트랜지스터(620)는 근적외광 스위칭 트랜지스터(651)의 타단에 연결된 게이트, 구동 전원(Vdd)에 연결된 일단, 및 근적외광 OLED(710)의 애노드에 연결된 타단을 포함한다.
커패시터(C2)는 근적외광 구동 트랜지스터(620)의 게이트와 근적외광 OLED(810)의 애노드 사이에 연결된다.
근적외광 OLED(710)는 근적외광 구동 트랜지스터(620)의 타단과 구동 전원(Vss) 사이에 연결된다.
근적외광센서 스위칭 트랜지스터(650)는 게이트 라인(n)에 연결된 게이트와 제1단, 및 근적외광센서(630)의 타단에 연결된 타단을 포함한다.
근적외광센서(630)는 센서 라인(s)에 연결된 게이트, 근적외광센서 스위칭 트랜지스터(650)의 타단에 연결된 일단, 및 출력 라인(OutPut)에 연결된 타단을 포함한다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에의 제1 양태에 따른 구동부, 근적외광 발광부의 구동을 설명한다.
첫 번째 시점에 디스플레이 패널(2000) 상에 손가락(900, 도 4b 참조)이 놓여지면, 게이트 라인(n+1)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 게이트 신호로써 근적외광 스위칭 트랜지스터(651)가 턴 온 되고, 데이터 라인(Data)을 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 OLED 구동 트랜지스터(620)가 턴 온 되고, 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압이 커패시터(C2)에 저장된다. 이후, 커패시터(C2)에 저장된 데이터 전압에 대응하여 근적외광 OLED(710)로부터 근적외광(720)이 방출되어 손가락(900)의 지문에 조사된다.
첫 번째 시점(또는 그 이전 시점)에, 센서 라인(s)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 신호에 의해 근적외광센서 스위치 트랜지스터(650)가 턴 온 되고, 게이트 라인(n)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 신호에 의해 근적외광센서(630)가 턴 온 되어, 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같이 반사 또는 산란된 근적외광(730)은 근적외광센서(630)에 수광되어 지문이 검출된다.
첫 번째 시점 이후에, 게이트 라인(n+2)을 통해 인가되는 인에이블 레벨의 게이트 신호로써 OLED 스위칭 트랜지스터(652)가 턴 온 되고, 데이터 라인(Data)을 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 OLED 구동 트랜지스터(620)가 턴 온 되고, 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압이 커패시터(C1)에 저장된다. 이후, 커패시터(C1)에 저장된 데이터 전압에 대응하여 가시광 OLED(810)에서 빛이 방출되어 영상이 표시된다.
본 발명의 다른 실시예에의 제2 양태에 따른 구동부, 근적외광 발광부의 구동은 본 발명의 다른 실시예에의 제1 양태에 따른 구동부, 근적외광 발광부의 구동과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 기판 200, 600: 구동부
300: OLED 발광부 700: 근적외광 구동부
800: OLED 발광부 1000, 2000: OLED 패널
300: OLED 발광부 700: 근적외광 구동부
800: OLED 발광부 1000, 2000: OLED 패널
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및
상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부
를 포함하고,
상기 구동부는,
상기 OLED가 발광하는 빛을 검출하고, 상기 OLED와 중첩되는 가시광 센서;
데이터 신호가 인가되는 데이터 라인에 연결된 일단 및 게이트 라인에 연결된 게이트를 포함하는 OLED 스위칭 트랜지스터; 및
상기 OLED 스위칭 트랜지스터의 타단에 연결되어 있는 게이트 및 상기 OLED에 연결되어 있는 일단을 포함하고, 상기 데이터 신호에 따라 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터를 포함하며,
상기 가시광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 OLED 스위칭 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성되고,
상기 OLED 스위칭 트랜지스터 및 상기 OLED 구동 트랜지스터 상부에 상기 OLED가 발광하는 빛을 차단하는 차폐층이 형성된,
OLED 패널. - 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 OLED가 발광하는 빛이, 적색광, 녹색광, 및 청색광을 포함하고,
상기 가시광센서가 상기 청색광을 선택적으로 검출하는, OLED 패널. - 제4 항에 있어서,
상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된, OLED 패널. - 기판;
상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED;
상기 기판 위에 배치되고 근적외광을 발광하는 근적외광 OLED; 및
상기 기판, 및 상기 OLED와 상기 근적외광 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 구동부
를 포함하고,
상기 구동부는, 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 검출하는 근적외광센서를 포함하고, 상기 근적외광센서는 상기 OLED와 중첩되는, OLED 패널. - 제6 항에 있어서,
상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 근적외광 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성되는, OLED 패널. - 제7 항에 있어서,
상기 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터 상부에 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 차단하는 차폐층이 형성된, OLED 패널. - 제8 항에 있어서,
상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된, OLED 패널. - 제9 항에 있어서,
상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터와, 상기 근적외광 OLED가 동일 평면상에 형성된, OLED 패널. - 복수의 부화소로 구성된 화소를 포함하는 OLED 패널로서,
상기 복수의 부화소 각각은,
기판;
상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및
상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부
를 포함하고,
상기 복수의 부화소 중 어느 한 부화소에 대응하는 구동부가, 상기 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 가시광센서를 포함하고, 상기 가시광센서가 상기 복수의 부화소 중 어느 한 부화소의 OLED와 중첩되며,
상기 구동부는,
데이터 신호가 인가되는 데이터 라인에 연결된 일단 및 게이트 라인에 연결된 게이트를 포함하는 OLED 스위칭 트랜지스터; 및
상기 OLED 스위칭 트랜지스터의 타단에 연결되어 있는 게이트 및 상기 OLED에 연결되어 있는 일단을 포함하고, 상기 데이터 신호에 따라 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 가시광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 OLED 스위칭 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성되며,
상기 OLED 스위칭 트랜지스터 및 상기 OLED 구동 트랜지스터 상부에 상기 OLED가 발광하는 빛을 차단하는 차폐층이 형성된, OLED 패널. - 삭제
- 삭제
- 제11 항에 있어서,
상기 복수의 부화소 각각은 적색광, 녹색광, 및 청색광 중 어느 하나를 발광하고, 상기 가시광센서가 상기 청색광을 선택적으로 검출하는, OLED 패널. - 제14 항에 있어서,
상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된, OLED 패널. - 복수의 부화소로 구성된 화소를 포함하는 OLED 패널로서,
상기 복수의 부화소 각각은,
기판;
상기 기판 위에 배치되고 가시광을 발광하는 OLED; 및
상기 기판과 상기 OLED 사이에 배치되어 상기 OLED를 구동하는 구동부
를 포함하고,
상기 복수의 부화소 중 적어도 하나 이상의 부화소가, 상기 기판 위에 배치되고 근적외광을 발광하는 근적외광 OLED를 더 포함하고,
상기 복수의 부화소 중 적어도 하나 이상의 부화소에 대응하는 구동부 각각이, 상기 근적외광 OLED가 발광하는 빛을 검출하는 근적외광센서를 포함하고, 상기 근적외광센서가 상기 적어도 하나 이상의 부화소의 OLED와 중첩되는, OLED 패널. - 제16 항에 있어서,
상기 구동부는 상기 OLED를 구동하는 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 OLED를 구동하는 근적외광 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 근적외광센서, 상기 OLED 구동 트랜지스터, 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터가 동일 평면 상에 형성되는, OLED 패널. - 제17 항에 있어서,
상기 OLED 구동 트랜지스터 및 상기 근적외광 구동 트랜지스터 상부에 상기 근적외광 OLED가 발광하는 근적외광을 차단하는 차폐층이 형성된, OLED 패널. - 제18 항에 있어서,
상기 OLED가 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 반사 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 형성된, OLED 패널.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108794A KR102642305B1 (ko) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US16/225,747 US11239286B2 (en) | 2018-09-12 | 2018-12-19 | Organic light emitting diode panels and display devices including the same |
| EP19164413.7A EP3624194B1 (en) | 2018-09-12 | 2019-03-21 | Organic light emitting diode panel and display device including the same |
| US17/587,295 US11871642B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-01-28 | Organic light emitting diode panels and display devices including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108794A KR102642305B1 (ko) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200030222A KR20200030222A (ko) | 2020-03-20 |
| KR102642305B1 true KR102642305B1 (ko) | 2024-02-28 |
Family
ID=65904212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180108794A KR102642305B1 (ko) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11239286B2 (ko) |
| EP (1) | EP3624194B1 (ko) |
| KR (1) | KR102642305B1 (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109638046B (zh) * | 2018-12-07 | 2020-10-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有屏下指纹识别的oled显示装置 |
| CN109801946B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN112055893B (zh) * | 2019-03-18 | 2024-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112349232A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备及电子设备 |
| CN111312788B (zh) * | 2020-02-28 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| KR102433891B1 (ko) * | 2020-07-09 | 2022-08-19 | (주)씨엔에스디지텍 | 지문 인식용 대중이용시설 사물함 관리 시스템 및 방법 |
| KR20220031402A (ko) * | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 |
| WO2022053908A1 (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| KR20220059209A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| TWI765457B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及掃描影像的方法 |
| JPWO2022167882A1 (ko) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | ||
| JPWO2022219455A1 (ko) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | ||
| US11532175B1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-20 | Qualcomm Incorporated | Imaging an object on a display |
| JPWO2023281347A1 (ko) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | ||
| CN117957598A (zh) * | 2021-09-30 | 2024-04-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040075637A1 (en) | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image input/output device and image information reading method therefor |
| US20040195572A1 (en) | 2003-02-12 | 2004-10-07 | Kiyoshi Kato | Semiconductor device |
| US20080061678A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6708268B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-03-16 | Microchip Technology Incorporated | Microcontroller instruction set |
| KR100897857B1 (ko) | 2003-10-23 | 2009-05-15 | 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드 | 마이크로컨트롤러 명령어 셋트 |
| JP2007124601A (ja) | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Shinichi Todo | 多機能携帯電話機 |
| DE102006040788B4 (de) | 2006-08-31 | 2013-02-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Integrierter Optokoppler mit organischem Lichtemitter und anorganischem Photodetektor |
| KR100841244B1 (ko) | 2006-11-27 | 2008-06-25 | 전자부품연구원 | 광 감지 센서 및 그의 제조 방법 |
| KR20150120043A (ko) | 2014-04-16 | 2015-10-27 | 크루셜텍 (주) | 터치 센싱 기능과 지문 인증 기능을 모두 포함하는 모바일 장치 |
| US9836165B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-12-05 | Apple Inc. | Integrated silicon-OLED display and touch sensor panel |
| KR101721132B1 (ko) | 2015-09-02 | 2017-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 이동단말기 및 그 제어방법 |
| KR102458864B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| US20180032778A1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display with a touch sensor |
| KR20180088099A (ko) | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치에 있어서 광 검출 장치 및 방법 |
-
2018
- 2018-09-12 KR KR1020180108794A patent/KR102642305B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-19 US US16/225,747 patent/US11239286B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-21 EP EP19164413.7A patent/EP3624194B1/en active Active
-
2022
- 2022-01-28 US US17/587,295 patent/US11871642B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040075637A1 (en) | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image input/output device and image information reading method therefor |
| US20040195572A1 (en) | 2003-02-12 | 2004-10-07 | Kiyoshi Kato | Semiconductor device |
| US20080061678A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220157902A1 (en) | 2022-05-19 |
| US11871642B2 (en) | 2024-01-09 |
| EP3624194B1 (en) | 2022-11-09 |
| US20200083302A1 (en) | 2020-03-12 |
| EP3624194A1 (en) | 2020-03-18 |
| US11239286B2 (en) | 2022-02-01 |
| KR20200030222A (ko) | 2020-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102642305B1 (ko) | Oled 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| US9921670B2 (en) | Organic light emitting display | |
| US10175843B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display including touch sensor | |
| US9710084B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display | |
| US10347699B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US9490307B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display | |
| KR20190004678A (ko) | 근적외선 유기 광 센서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20180023097A (ko) | 표시 장치 | |
| KR102160417B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20190043927A1 (en) | Touch sensor in-cell type organic electroluminescent device | |
| US11825705B2 (en) | Display panel including area for component inside display area and display apparatus including the same | |
| US20220367598A1 (en) | Display device | |
| US20240023364A1 (en) | Display apparatus | |
| KR20150131428A (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR102174961B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| US20220069014A1 (en) | Display device | |
| US11943965B2 (en) | Display device including a lower electrode | |
| KR20220041803A (ko) | 플렉서블 표시장치 | |
| KR20170070439A (ko) | 유기발광소자 | |
| US20230232676A1 (en) | Display apparatus | |
| US20240065055A1 (en) | Display apparatus | |
| US11943969B2 (en) | Display device and method of manufacturing the display device | |
| US20220158127A1 (en) | Display panel and electronic device | |
| US20230023524A1 (en) | Display device and method of manufacturing the display device | |
| KR20160078594A (ko) | 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |