CN106601619B - 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成界面层；步骤S4：在所述层间介电层、所述虚拟开口的表面和所述界面层上形成高K介电层和覆盖层；步骤S5：在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位；步骤S6：在所述覆盖层上形成阻挡层；步骤S7：执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
背景技术
集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，特别是当半导体器件尺寸降到22nm或以下时，来自制造和设计方面的挑战已经导致了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。
相对于现有的平面晶体管，所述FinFET器件在沟道控制以及降低浅沟道效应等方面具有更加优越的性能；平面栅极结构设置于所述沟道上方，而在FinFET中所述栅极环绕所述鳍片设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。
随着器件尺寸的不断缩小，其中所述高K金属栅极的制备工艺中，等效氧化层厚度(equipment oxide thickness，EOT)在半导体器件中是必须的，以保持器件静电的完整性。Hf基高K介电材料/金属栅极叠层CMOSFETs器件中相对于常规SiON介电层由于更小的栅极泄露，具有更好的EOT尺寸。但是，HfSiO2中的氧空位缺陷(oxygen vacancy defects)则会降低NMOS的正偏压温度不稳定性(Positive Bias Temperature Instability，PBTI)性能。
因此通常在高K工艺中需要进行氧空位的钝化工艺，但是在钝化过程中过多的氧会造成栅极叠层中的介电层再次生长，使器件的性能降低。
此外，还需要进行高温退火工艺，以提高所述介面层、介电层的密度，改善界面性能，以提高器件的TDDB/NBTI的可靠性。但是氧化形成的Si-O很弱，在高温以及低氮环境下很容易引起分解，使器件性能降低。
因此，目前所述方法存在上述诸多弊端，需要对所述方法进行改进，以便消除所述问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明为了克服目前存在问题，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；
步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；
步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成界面层；
步骤S4：在所述层间介电层、所述虚拟开口的表面和所述界面层上形成高K介电层和覆盖层；
步骤S5：在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位；
步骤S6：在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；
步骤S7：执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
可选地，所述方法还包括：
步骤S8：去除所述阻挡层和所述覆盖层，以露出所述高K介电层；
步骤S9：在所述高K介电层上形成功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S10：在所述功函数层上形成导电层，以形成金属栅极。
可选地，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述步骤S9包括：
步骤S91：在所述高K介电层上形成PMOS功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S92：去除所述NMOS区域中的所述高K介电层上的所述PMOS功函数层，以露出所述高K介电层；
步骤S93：沉积NMOS功函数层，以覆盖露出的所述高K介电层和所述PMO区域中的所述PMOS功函数层。
可选地，在所述步骤S5中，在氧气中进行所述低温退火。
可选地，在所述步骤S5中，所述低温退火的温度为500-700℃。
可选地，在所述步骤S7中，在氮气中进行所述高温退火。
可选地，在所述步骤S7中，所述高温退火的温度为950-1050℃。
可选地，在所述步骤S6中，所述阻挡层选用无定型硅。
本发明还提供了一种基于上述的方法制备得到的半导体器件。
本发明还提供了一种电子装置，包括上述的半导体器件。
本发明为了解决现有技术中存在问题，提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法在去除虚拟栅极氧化物层之后，通过化学氧化物的方法形成界面层，然后在所述界面层上形成高K介电层和覆盖层并进行低温退火，在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位，以提高器件的偏压温度不稳定性(Positive Bias TemperatureInstability，PBTI)，同时在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；并且执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化，在所述步骤中所述阻挡层能阻挡高温退火中的氮进入高K介电层和界面层，以提高所述介面层、介电层的密度，改善界面性能，从而提高负偏压温度不稳定性(NBTI)和与时间有关的击穿性能(TDDB)，使半导体器件的性能和良率均进一步提高。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，
图1a-1n为本发明一具体地实施中所述半导体器件的制备过程示意图；
图2为本发明一具体地实施中所述半导体器件的制备的工艺流程图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
实施例一
本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的半导体器件的制备方法，下面结合附图对本发明所述方法作进一步的说明。
其中，图1a-1n为本发明一具体地实施中所述半导体器件的制备过程示意图。
首先，执行步骤101，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层。
具体地，所述方法包括以下步骤：
步骤1011：提供半导体衬底101并执行离子注入，以形成阱。
具体地，如图1a所示，在该步骤中所述半导体衬底可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。
在该实施例中半导体衬底101选用硅。
其中所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，以在后续的步骤中形成NMOS器件和PMOS器件。
接着在所述半导体衬底上形成垫氧化物层(Pad oxide)，其中所述垫氧化物层(Pad oxide)的形成方法可以通过沉积的方法形成，例如化学气相沉积、原子层沉积等方法，还可以通过热氧化所述半导体衬底的表面形成，在此不再赘述。
进一步，在该步骤中还可以进一步包含执行离子注入的步骤，以在所述半导体衬底中形成阱，其中注入的离子种类以及注入方法可以为本领域中常用的方法，在此不一一赘述。
步骤1012：在半导体衬底上形成多个鳍片，鳍片的宽度全部相同，或者鳍片分为具有不同宽度的多个鳍片组。
具体地，所述鳍片的形成方法并不局限于某一种，下面给出一种示例性的形成方法：在半导体衬底上形成硬掩膜层(图中未示出)，形成所述硬掩膜层可以采用本领域技术人员所熟习的各种适宜的工艺，例如化学气相沉积工艺，所述硬掩膜层可以为自下而上层叠的氧化物层和氮化硅层；图案化所述硬掩膜层，形成用于蚀刻半导体衬底以在其上形成鳍片的多个彼此隔离的掩膜，在一个实施例中，采用自对准双图案(SADP)工艺实施所述图案化过程；蚀刻半导体衬底以在其上形成鳍片结构。
步骤1013：沉积隔离材料层，以覆盖所述鳍片结构。
具体地，沉积隔离材料层，以完全填充鳍片结构之间的间隙。在一个实施例中，采用具有可流动性的化学气相沉积工艺实施所述沉积。隔离材料层的材料可以选择氧化物，例如HARP。
然后回蚀刻所述隔离材料层，至所述鳍片的目标高度。具体地，回蚀刻所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片，进而形成具有特定高度的鳍片。
步骤1014：在所述隔离材料层上形成虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，以覆盖所述鳍片。
具体地，如图1a所示，在该步骤中沉积虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极材料层。
其中，所述虚拟栅极氧化物层可以选用常用的氧化物，例如SiO2，所述虚拟栅极材料层可以选用本领域常用的半导体材料，例如可以选用多晶硅等，并不局限于某一种，在此不再一一列举、
所述栅极材料层的沉积方法可以选用化学气相沉积或者原子层沉积等方法。
然后图案化所述虚拟栅极氧化物层和栅极材料层，以形成环绕所述鳍片的虚拟栅极。具体地，在所述虚拟栅极材料层上形成光刻胶层，然后曝光显影，以形成开口，然后以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述虚拟栅极材料层，以在所述NMOS区域形成NMOS虚拟栅极，在所述PMOS区域形成PMOS虚拟栅极。
步骤1015：在所述虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁和间隙壁。
具体地，所述方法还进一步包括在所述NMOS虚拟栅极以及PMOS虚拟栅极的两侧形成偏移侧墙(offset spacer)。所述偏移侧墙的材料例如是氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等绝缘材料。随着器件尺寸的进一步变小，器件的沟道长度越来越小，源漏极的粒子注入深度也越来越小，偏移侧墙的作用在于以提高形成的晶体管的沟道长度，减小短沟道效应和由于短沟道效应引起的热载流子效应。在栅极结构两侧形成偏移侧墙的工艺可以为化学气相沉积，本实施例中，所述偏移侧墙的厚度可以小到80埃。
可选地，在所述NMOS虚拟栅极以及PMOS虚拟栅极两侧执行LDD离子注入步骤并活化。
可选地，在所述NMOS虚拟栅极的间隙壁上和所述PMOS虚拟栅极的偏移侧墙上形成间隙壁。
具体地，在所形成的偏移侧墙上形成间隙壁(Spacer)，所述间隙壁可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者它们组合构成。作为本实施例的一中实施方式，所述间隙壁为氧化硅、氮化硅共同组成，具体工艺为：在半导体衬底上形成第一氧化硅层、第一氮化硅层以及第二氧化硅层，然后采用蚀刻方法形成间隙壁。
步骤1016：执行源漏LDD注入，并在所述虚拟栅极的两侧外延生长半导体材料层，以形成抬升源漏。
具体地，在该步骤中可以使用本领常用的方法执行源漏LDD注入，在此不再赘述。
可选地，在所述PMOS虚拟栅极两侧的所述半导体衬底中形成第一凹槽，可选地，所述第一凹槽为“∑”形凹槽，在该步骤中可以选用干法蚀刻所述PMOS源漏区，在所述干法蚀刻中可以选用CF4、CHF3，另外加上N2、CO2、O2中的一种作为蚀刻气氛，其中气体流量为CF410-200sccm，CHF310-200sccm，N2或CO2或O210-400sccm，所述蚀刻压力为30-150mTorr，蚀刻时间为5-120s。
接着，在所述第一凹槽中外延生长第一应力层，以形成PMOS源漏。
进一步，在本发明中所述第一应力层选择SiGe，在本发明中所述外延可以选用减压外延、低温外延、选择外延、液相外延、异质外延、分子束外延中的一种。
进一步，在所述NMOS虚拟栅极两侧的所述半导体衬底中形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中外延生长第二应力层，以形成NMOS源漏。
所述第二应力层可以选用SiC层，可以选用减压外延、低温外延、选择外延、液相外延、异质外延、分子束外延中的一种形成所述第二应力层。
此外，所述方法还进一步包括形成接触孔蚀刻停止层的步骤，所述形成方法可以选用本领域常用的各种方法，在此不再赘述。
可选地，在所述步骤106之后还可以再次执行离子注入步骤并进行快速热退火。
在本发明中为了证激活杂质又能抑制杂质的深度和横向扩散，执行完所述离子注入后进行快速热退火，可选地，所述快速热退火温度为1000-1050℃。
步骤1017：沉积所述层间介电层102并平坦化，以填充所述虚拟栅极之间的间隙。
具体地，沉积层间介电层102并平坦化，平坦化所述对层间介电层至所述虚拟栅极的顶部。
其中，所述层间介电层可以选用本领域中常用的介电材料，例如各种氧化物等，在该实施例中层间介电层102可以选用SiO2，其厚度并不局限于某一数值。
所述平坦化处理的非限制性实例包括机械平坦化方法和化学机械抛光平坦化方法。
执行步骤102，去除所述虚拟栅极103。
具体地，如图1b所示，去除所述虚拟栅极，形成沟槽。所述去除的方法可以是光刻和蚀刻。在蚀刻过程中所用的气体包括HBr，其作为主要蚀刻气体；还包括作为刻蚀补充气体的O2或Ar，其可以提高刻蚀的品质。
执行步骤103，选用SiCoNi的方法去除所述虚拟栅极氧化物层104，以露出所述鳍片。
具体地，如图1c所示，在该步骤中为了减小去除所述虚拟栅极氧化物层过程中对其他材料层的损坏，不再选用HF进行蚀刻，而是选用选择性更高的SiCoNi制程，通过所述方法去除所述虚拟栅极氧化物层，不会对器件造成损坏。
可选地，选用SiCoNi制程去除所述虚拟栅极氧化物层102，其中，所述SiCoNi制程的各种参数可以选用常规参数。
执行步骤104，通过化学氧化的方法在所述鳍片的表面形成界面层105。
具体地，如图1d所示，在该步骤中所述化学氧化的方法可以为在含氧的气氛中进行加热，以氧化露出的所述半导体衬底，在所述半导体衬底上形成氧化物层，以作为界面层105。
可选地，所述含氧气氛可以为纯氧、空气、富氧空气或臭氧，并不局限于某一种。
在该实施例中，选用臭氧对所述半导体衬底101进行化学氧化，形成界面层105。
进一步，所述化学氧化物的温度和时间并不局限于某一范围，可以选用常规参数。
执行步骤105，在所述层间介电层102、所述虚拟开口的表面和所述界面层105上形成高K介电层106和覆盖层107。
具体地，如图1e所示，在该步骤中依次沉积高K介电层106和覆盖层107，以覆盖所述层间介电层102、所述虚拟开口的表面和所述界面层105。
其中，所述高K介电层106选用Hf基高K介电层。
所述覆盖层选用TiN。
执行步骤106，在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层105中的氧空位。
具体地，如图1f所示，在该实施例中，可以选用在纯氧中进行所述低温退火。
可选地，在所述步骤S5中，所述低温退火的温度为500-700℃。
在本发明中首先在所述界面层上形成高K介电层和覆盖层，然后进行低温退火，在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位，以提高器件的偏压温度不稳定性(Positive Bias Temperature Instability，PBTI)，所述温度角度同时由于所述高K介电层和覆盖层的保护可以避免所述界面层的再生长。
执行步骤107，在所述覆盖层107上形成阻挡层108，以覆盖所述覆盖层107，并执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
具体地，如图1g-1h所示，所述阻挡层选用无定型硅。
可选地，现有技术中由于Si-O键较弱，在较低气压的N2气氛的高温退火过程中很容易造成Si-O键的分解，使器件的性能降低，为了解决该问题，在本申请中在N2的气氛中进行高温退火。
进一步，所述高温退火选用尖峰退火方法，其中，所述退火温度可以为800-1200℃，例如所述退火温度可以为900-1100℃，进一步，所述退火温度可以为950-1050℃。
在该步骤中通过所述高温退火使界面层105致密化，以提高与时间有关的击穿性能(TDDB)。
在该步骤中所述无定型硅往下扩散与所述覆盖层发生反应由TiN变为TiSiN，从而能阻挡高温退火中的氮进入高K介电层和界面层，以提高所述介面层、介电层的密度，改善界面性能，从而提高负偏压温度不稳定性(NBTI)和与时间有关的击穿性能(TDDB)，使半导体器件的性能和良率均进一步提高。
执行步骤108，去除所述阻挡层108和所述覆盖层107，以露出所述高K介电层，如图1i所示。
所述去除方法可以选用本领域常用的方法并不局限于某一种。
执行步骤109，在所述NMOS区域形成NMOS功函数层，在所述PMOS区域中形成PMOS功函数层。
具体地，在所述NMOS区域形成NMOS功函数层，在所述PMOS区域中形成PMOS功函数层的方法包括：
步骤S1091：在所述高K介电层上形成PMOS功函数层109，以覆盖所述高K介电层，如图1j所示；
其中，所述PMOS功函数层109选用TiN。
步骤S1092：去除所述NMOS区域中的所述高K介电层上的所述PMOS功函数层，以露出所述高K介电层，如图1k所示；
步骤S1093：沉积NMOS功函数层，以覆盖露出的所述高K介电层和所述PMO区域中的所述PMOS功函数层，如图1l所示。
其中，所述NMOS功函数层109选用TiAl。
执行步骤110，在所述功函数层上形成导电层，以形成金属栅极。
具体地，如图1m-1n所述，形成导电层，所述导电层可以是铝层，也可以是铜或钨层。在本发明的一个实施例中使用Al形成所述导电层，可以用PVD的方法进行沉积。在沉积所述导电层之后还进一步包括平坦化的步骤。
至此，完成了本发明实施例的半导体器件制备的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
本发明为了解决现有技术中存在问题，提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法在去除虚拟栅极氧化物层之后，通过化学氧化物的方法形成界面层，然后在所述界面层上形成高K介电层和覆盖层并进行低温退火，在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位，以提高器件的偏压温度不稳定性(Positive Bias TemperatureInstability，PBTI)，同时在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；并且执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化，在所述步骤中所述阻挡层能阻挡高温退火中的氮进入高K介电层和界面层，以提高所述介面层、介电层的密度，改善界面性能，从而提高负偏压温度不稳定性(NBTI)和与时间有关的击穿性能(TDDB)，使半导体器件的性能和良率均进一步提高。
参照图2，其中示出了本发明制备所述半导体器件的工艺流程图，用于简要示出整个制造工艺的流程，包括以下步骤：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；
步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；
步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成界面层；
步骤S4：在所述层间介电层、所述虚拟开口的表面和所述界面层上形成高K介电层和覆盖层；
步骤S5：在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位；
步骤S6：在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；
步骤S7：执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
实施例二
本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件选用实施例一所述的方法制备。
所述半导体器件包括半导体衬底101，所述半导体衬底可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。在该实施例中半导体衬底101选用硅。
其中所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，以在后续的步骤中形成NMOS器件和PMOS器件。
在半导体衬底上形成有多个鳍片，鳍片的宽度全部相同，或者鳍片分为具有不同宽度的多个鳍片组。
所述半导体器件还进一步包括环绕所述鳍片设置的金属栅极结构，所述金属栅结构的侧壁上形成有偏移侧壁和间隙壁。
所述偏移侧墙的材料例如是氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等绝缘材料。随着器件尺寸的进一步变小，器件的沟道长度越来越小，源漏极的粒子注入深度也越来越小，偏移侧墙的作用在于以提高形成的晶体管的沟道长度，减小短沟道效应和由于短沟道效应引起的热载流子效应。
在所形成的偏移侧墙上形成有间隙壁(Spacer)，所述间隙壁可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者它们组合构成。
在所述栅极结构的两侧形成有抬升源漏。其中，PMOS源漏选择SiGe，所述NMOS源漏选用SiC层。
所述栅极结构包括界面层105，在本发明中选用臭氧对所述半导体衬底101进行化学氧化，形成界面层105，以提高半导体器件的性能，特别是提高PMOS器件中负偏压温度不稳定性(NBTI)的性能。
在所述界面层105上形成有高K介电层。其中所述高K介电层可以选用本领域常用的介电材料，例如在Hf02中引入Si、Al、N、La、Ta等元素并优化各元素的比率来得到的高K材料等。形成所述高K介电层的方法可以是物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
在高K介电层上形成有功函数层，在所述NMOS区域形成有NMOS功函数层，在所述PMOS区域中形成有PMOS功函数层。
其中，所述PMOS功函数层109选用TiN。
其中，所述NMOS功函数层109选用TiAl。
最后形成有导电层，所述导电层可以是铝层，也可以是铜或钨层。在本发明的一个实施例中使用Al形成所述导电层，可以用CVD或PVD的方法进行沉积。在该导电层形成之后，在300-500摄氏度温度下进行退火。其在含氮环境中反应的时间为10-60分钟。
本发明所述半导体器件可以提高所述界面层的性能，从而提高负偏压温度不稳定性(NBTI)和与时间有关的击穿性能(TDDB)，使半导体器件的性能和良率均进一步提高。
实施例三
本发明还提供了一种电子装置，包括实施例二所述的半导体器件。其中，半导体器件为实施例二所述的半导体器件，或根据实施例一所述的制备方法得到的半导体器件。
本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述半导体器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
Claims (10)
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；
步骤S2：去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极氧化物层，以形成虚拟开口，露出所述半导体衬底；
步骤S3：将露出的所述半导体衬底进行化学氧化，以形成界面层；
步骤S4：在所述层间介电层、所述虚拟开口的表面和所述界面层上形成高K介电层和覆盖层；
步骤S5：在含氧气氛下低温退火，以钝化所述界面层中的氧空位；
步骤S6：在所述覆盖层上形成阻挡层，以覆盖所述覆盖层；
步骤S7：执行高温退火工艺，以使所述界面层致密化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S8：去除所述阻挡层和所述覆盖层，以露出所述高K介电层；
步骤S9：在所述高K介电层上形成功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S10：在所述功函数层上形成导电层，以形成金属栅极。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述步骤S9包括：
步骤S91：在所述高K介电层上形成PMOS功函数层，以覆盖所述高K介电层；
步骤S92：去除所述NMOS区域中的所述高K介电层上的所述PMOS功函数层，以露出所述高K介电层；
步骤S93：沉积NMOS功函数层，以覆盖露出的所述高K介电层和所述PMOS区域中的所述PMOS功函数层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，在氧气中进行所述低温退火。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述低温退火的温度为500-700℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中，在氮气中进行所述高温退火。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中，所述高温退火的温度为950-1050℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，所述阻挡层选用无定型硅。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。
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