CN106558521A - 传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法 - Google Patents

传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106558521A
CN106558521A CN201610856812.5A CN201610856812A CN106558521A CN 106558521 A CN106558521 A CN 106558521A CN 201610856812 A CN201610856812 A CN 201610856812A CN 106558521 A CN106558521 A CN 106558521A
Authority
CN
China
Prior art keywords
arm
paw
substrate
container
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610856812.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李炫浩
赵明赞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN106558521A publication Critical patent/CN106558521A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供一种用于处理衬底的装置、用于传送衬底的装置和用于传送衬底的方法。衬底处理装置包括具有多个竖直布置的衬底支撑构件的接收单元和具有向所述接收单元传送衬底的上传送构件的传送单元。上传送构件包括彼此竖直间隔并被单独驱动以水平延伸的第一臂和第二臂。多个竖直布置的第一手爪与所述第一臂连接，并且单个第二手爪与所述第二臂连接。根据实施方式，能够将多个衬底传送至正确的位置。

Description

传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法
技术领域
这里公开的本发明涉及用于传送衬底的装置和用于传送衬底的方法。
背景技术
在具有多个处理室的工艺处理单元中可进行多个工序。通过缓冲单元将接收容器中所接收的衬底传送至工艺处理单元。缓冲单元在将衬底传送至工艺处理单元之前或将衬底从工艺处理单元取出之后暂时保存衬底，并且传送单元在接收容器与缓冲单元之间传送衬底。
图1是通常传送单元的立体图。参考图1，传送单元2通常包括多个手爪4。每个手爪4固定连接有臂6与以在水平方向移动。因此，对各个手爪4进行示教操作，并且各个手爪4向示教位置传送衬底。
然而，各个手爪4的示教位置是被不同地设置的，因此，当同时传送多个衬底时，衬底的传送位置与衬底的正确位置之间存在差异。
发明内容
本发明提供将多个衬底同时传送至正确的位置的装置和方法。
另外，本发明提供用于快速传送衬底的装置和方法。
本发明的示例性实施方式提供用于传送衬底的装置和方法。用于处理衬底的装置包括：接收单元，具有支撑基板的支撑构件，支撑构件被竖直地布置；和传送单元，具有用于将衬底传送至接收单元中的上传送构件；其中，传送构件具有在竖直方向上彼此间隔并被彼此独立地驱动以沿水平方向延伸的第一臂和第二臂，并且多个竖直布置的第一手爪与第一臂固定连接，并且单个第二手爪与第二臂连接。支撑距离(其为相邻支撑构件之间的空间)可以被均匀设置，手爪距离(其为相邻第一手爪之间的距离)可以被均匀设置，并且支撑距离可以与手爪距离相同。被最邻近第二手爪放置的第一手爪和第二手爪之间的距离可以与支撑距离相同。传送单元还可以包括支撑第一臂和第二臂的支撑主体，和与支撑主体固定连接可竖直移动的升降轴。传送单元还可以包括位于上传送构件下方并输送衬底的下传送构件。下传送构件包括在竖直方向彼此间隔并被彼此独立地驱动以沿水平方向延伸的第三臂和第四臂。单个第三手爪与第三臂连接，并且多个竖直布置的第四手爪与第四臂固定连接。相邻第四手爪之间的距离与手爪距离相同。第四手爪当中被最邻近第三手爪放置的手爪和第三手爪之间的距离可以与手爪距离相同。第一手爪、第二手爪、第三手爪和第四手爪可以按此次序从上到下布置。第二手爪与第三手爪之间的距离可以比手爪距离更宽。第一手爪和第四手爪分别被设置为N个(N是3以上的自然数)，其中，传送单元还包括控制上传送构件和下传送构件的控制器，其中，控制器控制使得当传送N个衬底时，第一臂或第四臂同时传送N个衬底，并且，其中，控制器控制使得当传送单个衬底时，第二臂或第三臂传送单个衬底。N是3，并且控制器控制使得当传送两个衬底时，第二臂和第三臂传送两个衬底。
用于处理衬底的装置还包括处理衬底的工艺处理单元，其中，接收单元可以包括：接收容器，具有在其内部的接收空间和在一个方向开口的一侧；门，打开和关闭所述开口的一侧；和缓冲容器，具有在其内部的缓冲空间和在一个方向开口的对置的两侧。接收容器、传送单元、缓冲容器和工艺处理单元沿所述一个方向布置，其中，上传送构件可以将衬底从缓冲容器传送至接收容器，并且下传送构件可以将衬底从接收容器传送至缓冲容器。
而且，传送单元还可以包括分别支撑第一臂、第二臂、第三臂和第四臂的支撑主体，和与支撑主体固定连接的可竖直移动的升降轴。第一手爪、第二手爪、第三手爪和第四手爪可以分别由包括陶瓷的材料形成。
传送单元还可以包括控制第一臂和第二臂的控制器，其中，接收单元包括具有在其内部的缓冲空间和开口的两个对置侧的缓冲容器，其中，当向缓冲空间传送多个衬底时，控制器可以控制使得第一臂和第二臂中的一个向缓冲空间传送衬底，然后第一臂和第二臂中的另一个传送衬底。
而且，接收单元可以包括具有在其内部的接收空间和一个开口侧的接收容器，和关闭和打开所述一个开口侧的门。当向接收空间传送多个衬底时，控制器可以控制使得第一臂和第二臂同时向接收空间传送多个衬底。
传送单元具有在竖直方向上彼此间隔并彼此单独地被驱动以沿水平方向延伸的第一臂和第二臂，并且多个竖直布置的第一手爪与第一臂固定连接并且单个第二手爪与第二臂连接。
手爪距离(其为相邻第一手爪之间的距离)可以被均匀设置。第一手爪当中被最邻近第二手爪放置的手爪和第二手爪之间的距离可以与支撑距离相同。传送单元可以包括彼此竖直间隔的第三臂和第四臂。单个第三手爪与第三臂连接，多个竖直布置的第四手爪与第四臂固定连接。第三臂和第四臂可以被驱动以在水平方向上延伸并且第一手爪、第二手爪、第三手爪和第四手爪可以按此次序从上到下布置。相邻第四手爪之间的距离可以与手爪距离相同。第四手爪当中被最邻近第三手爪放置的手爪和第三手爪之间的距离可以与手爪距离相同。第二手爪与第三手爪之间的距离可以比手爪距离更宽。传送单元还可以包括分别支撑第一臂、第二臂、第三臂和第四臂的支撑主体，和与支撑主体固定连接可竖直移动的升降轴。
用于通过使用用于处理衬底的装置传送衬底的方法，传送单元依照第一模式和第二模式传递衬底，其中，第一模式根据接收单元的形状来控制第一臂和第二臂的运动，并且第二模式根据待传送的衬底的数目不同地控制第一臂和第二臂的运动。
接收单元可以包括具有一个开口侧的接收容器和具有开口的两个对置侧的缓冲容器。当向接收容器传送多个衬底时，第一臂和第二臂同时向接收容器传送该多个衬底。当向缓冲容器传送多个衬底时，第一臂和第二臂中的一个向缓冲容器传送衬底，然后第一臂和第二臂中的另一个传送衬底。
而且，第一手爪被设置为N(N是3以上的自然数)个。当传送N个衬底时，第一臂可以同时传输N个衬底，并且当传送单个衬底时，第二臂可以传输该单个衬底。N是3，并且传送单元还可以包括单个第三臂，与离第一手爪相比离第二手爪更近的单个第三手爪与所述单个第三臂连接，并且，当传送两个衬底时，第二臂和第三臂可以传送该两个衬底。
根据本发明的实施方式，多个第一手爪与第一臂固定连接并能够同时移动，因此，能够同时将多个衬底传送至正确的位置。
附图说明
图1是通常传送单元的立体图。
图2是根据本发明实施方式的用于处理衬底的装置的平面图。
图3是图2的转位模块的横截面图。
图4是图2的接收单元的立体图。
图5是图2的传送单元的立体图。
图6是图5的臂和手爪的横截面图。
图7是图2的缓冲单元的立体图。
图8是图6的缓冲单元的竖直横截面图。
图9是图2的处理室的横截面图。
图10是示出在第一模式下传送衬底的过程的横截面图。
图11是示出在第二模式下传送衬底的过程的横截面图。
具体实施方式
下面将参考示出一些示例实施方式的附图更充分地描述各种示例实施方式。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并不应视为受限于这里列出的实施方式。而且提供这些实施方式使得本公开变得全面和完整，并对本领域技术人员充分传达本发明的范围。因此，夸大了附图的特征以强调明确的解释。
下面将参考图2-11详细论述本发明的实施方式。
图2是根据本发明的实施方式用于处理衬底的装置的平面图，且图3是图2的转位模块的横截面图。参考图2和图3，衬底处理装置1包括转位模块10和工艺处理模块20。转位模块10包括装载端口(road port)120和传送架140。装载端口120、传送架140和工艺处理模块20依次排成一行。装载端口120、传送架140和工艺处理模块20依次排列的方向被称为第一方向12，当俯视时，垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，垂直于由第一方向12和第二方向14限定的面的方向被称为第三方向16。
多个装载端口120沿第二方向14设置并排成一行。装载端口120的数目可以根据工艺处理模块20的加工效率和占用面积的需要而增加或减少。在每个装载端口120上，载具130安全就位。根据实施方式，载具130可以被设置为可以在其内部接收衬底W的接收单元。接收单元可以使用前端开口片盒(FOUP)。图4是图2的载具的立体图。参考图4，载具130包括接收容器132和门134。接收容器132具有开口的一侧，例如，接收容器132的一侧是开口的。在接收容器132的内部，形成接收空间136。可以设置接收空间136以接收多个衬底W。在接收容器136中，设置多个支撑构件138。支撑构件138在上下方向上彼此分开布置。例如，支撑构件138可以分别被设置在两个对置的内侧。两个相邻的支撑构件138之间的距离彼此相同设置，即，支撑构件138彼此均匀隔开。支撑构件138可以被设置为多个插槽138以水平地接收衬底W。例如支撑构件138可以包括彼此水平地面对面的两个插槽。每个插槽分别被放在接收容器143的对置的内侧。
传送架140在缓冲单元220与安全坐落在装载端口120上的载具130之间传送衬底。传送架140具有转位轨道142和传送单元400。转位轨道142被设置成使得其长度方向与第二方向14平行。传送单元400和144被可移动地安装在转位轨道142上，使得传送单元可以沿转位轨道142线性移动。
图5是图2的传送单元的立体图并且图6是图5的臂和手爪的横截面图。参考图5和6，传送单元400包括驱动构件410、上传送单元520、下传送单元530和控制器600。驱动构件410将上传送单元520和下传送单元530竖直地移动并轴向地旋转。驱动构件410包括升降构件420和支撑主体440。升降构件420包括连接块424和升降轴422。连接块424被安装在转位轨道142上。连接块424可以沿转位轨道142的长度方向线性移动。升降轴422将支撑主体440与连接块424彼此连接。升降轴422被安装在连接块424的顶侧。升降轴422在上下方向上具有长度方向。升降轴422的长度可以被控制为按上下方向，即，升降轴422可以竖直地延伸。而且，升降轴422可以关于其中心轴旋转。
支撑主体440被固定连接在升降构件420的升降轴422的顶部。支撑主体440可以通过升降轴422竖直(向上和向下)移动并绕竖直轴旋转。在支撑主体440的一侧安装导轨。可以设置多个导轨。导轨具有彼此平行的长度方向。导轨的长度方向被设置成水平方向。每个导轨都被安装在支撑主体440的彼此不同的位置上。在每个导轨中，安装不同的臂522,524,532,534。例如，可以设置四个导轨并且可以在支撑主体440的一侧和另一侧分别设置两个导轨。在设置在支撑主体440的一侧的导轨中，可以安装上传送构件520的臂522,524，并且在设置在支撑主体440的另一侧的导轨中，可以安装下传送构件530的臂532,534。在每个导轨中，安装驱动马达(未图示)，并且每个驱动马达(未图示)可以被单独控制。因此，能够单独驱动多个臂522,524,532,534以在水平方向上延伸。
上传送构件520将衬底W从缓冲单元220传送至载具130，并且下传送构件530将衬底W从载具130传送至缓冲单元220。这可以防止在载入和载出衬底W期间从加工之前的衬底W产生的颗粒被吸附至加工之后的衬底W。
上传送构件520传送一个或多个衬底W。上传送构件520可以通过前后移动沿第一方向12传送衬底W。上传送构件520包括第一臂522和第二臂524。第一臂522具有水平延伸的杆状。第一臂522被可移动地安装在导轨上，并可以沿导轨的长度方向水平移动。在第一臂522的一端，固定连接N(N是3以上的自然数)个第一手爪542。因此，可以通过第一手爪542传送多个衬底W。第一手爪542为具有衬底W安全坐落在其上的座面的板状。例如，第一手爪542可以被设置为“Y”或“U”的板状。第一手爪542被布置成按上下方向分开，即，彼此竖直隔开。当从顶部看时，第一手爪542彼此重叠。相邻第一手爪542之间的手爪距离D1被设置为相同，即，第一手爪彼此均匀隔开。根据实施方式，第一手爪542可以被设置为三个第一手爪。手爪距离可以被设置为与支撑距离相同。手爪距离可以为10mm。
第二臂524可以具有水平延伸的杆状。第二臂524被可移动地安装在导轨上，并可以沿导轨的长度方向水平移动。在第二臂524的一端，固定连接单个第二手爪544。因此，可以通过第二手爪544传送单个衬底W。第二手爪544被放置在第一手爪542当中最底下的第一手爪的下方。第二手爪544面向第一手爪。当从顶部看时，第二手爪544和第一手爪542彼此重叠。第二手爪544与第一手爪542当中最底下的第一手爪之间的距离被设置为与手爪距离相同。第二手爪544具有与第一手爪相同的形状。
下传送构件530在上传送构件520下方传送一个或多个衬底W。下传送构件530可以通过前后移动沿第一方向12传送衬底W。下传送构件530包括第三臂532和第四臂534。第三臂532具有水平延伸的杆状。第三臂532被可移动地安装在导轨上，并可以沿导轨的长度方向水平移动。在第三臂532的一端，固定连接单个第三手爪552。因此，可以通过第三手爪552传送单个衬底W。第三手爪552具有与第一手爪542相同的形状。第三手爪552被放在第二手爪544的下方。第三手爪552面向第二手爪544。当从顶部看时，第三手爪552和第二手爪544彼此重叠。第二手爪544与第三手爪552之间的距离D2被设置为比手爪距离大。
第四臂534具有水平延伸的杆状。第四臂534被可移动地安装在导轨上，并可以沿导轨的长度方向水平移动。在第四臂534的一端，固定连接N(N是3以上的自然数)个第四手爪554。因此，可以通过第四手爪554传送多个衬底W。每个第四手爪554具有与第一手爪542相同的形状。多个第四手爪554低于第三手爪552放置。多个第四手爪554面向第三手爪552。第四手爪554被布置成按上下方向分开，即，第四手爪554彼此竖直隔开。当从顶部看时，第四手爪554彼此重叠。相邻第四手爪554之间的手爪距离D1被设置为彼此相同，即，第四手爪彼此均匀隔开。第三手爪552与第四手爪554当中最高的手爪之间的距离被设置为与第四手爪的手爪距离相同。根据实施方式，第四手爪554可以被设置为三个第四手爪。
第一手爪542、第二手爪544、第三手爪552和第四手爪554按该顺序从上到下设置。例如，第一手爪542、第二手爪544、第三手爪552和第四手爪554可以分别由包括陶瓷的材料形成。
控制器600可以控制上传送构件520和下传送构件530，从而以第一模式或第二模式传送衬底W。第一模式根据接收衬底的单元的类型而不同地控制臂520的运动，并且第二模式根据待传送的衬底W的数目而不同地控制臂520的运动。
回顾图2，工艺处理模块20包括缓冲单元220、传送室240和处理室260。传送室240被布置使得其长度方向与第一方向12平行。在传送室240的两侧，分别布置处理室260。在传送室240的一侧和另一侧，处理室260被设置成基于传送室240对称。在传送室240的一侧，设置多个处理室260。一些处理室260沿传送室240的长度方向布置。而且，一些处理室260被竖直布置，即彼此堆叠。也就是说，在传送室240的一侧，多个处理室240可以被设置为A×B阵列。在这里，A是沿第一方向12设置的处理室260的数目，并且B是沿第三方向16设置的处理室260的数目。当在传送室240的一侧设置四个或六处理室260时，处理室260可以被布置成2×2或3×2阵列。可以增加或减少处理室260的数目。根据实施方式，可以仅在传送室240的一侧设置处理室260。根据实施方式，处理室260可以在传送室240的两侧被设置为单层。
缓冲单元220被布置在传送架140与传送室240之间。在缓冲单元220的内部限定缓冲空间226。缓冲空间226在传送室240与传送架140之间传递衬底之前和之后提供用于衬底W暂时停留的空间。
图7是图2的缓冲单元的立体图，并且图8是图6的缓冲单元的水平横截面图。参考图7和图8，缓冲单元220包括缓冲容器222、支撑构件228和传感器224。缓冲容器222为具有两个对置侧开口以允许衬底进入的箱状。缓冲容器222的两个对置开口侧可以是用于衬底载入和载出缓冲容器222的入口。缓冲容器222的一个开口侧面向传送架140，并且缓冲容器222的另一个开口侧面向传送室240。
支撑构件228在缓冲空间226中支撑衬底。支撑构件228被设置为多个，并且沿上下方向彼此分开布置，即竖直布置。支撑构件228被设置为与各个手爪的总数一样多或更多。在该实施方式中，说明了支撑构件228被设置为与各个手爪524,544,552和544的总数相同的数量。支撑构件228被设置为多个插槽以水平接收衬底W。例如，支撑构件228可以包括两个插槽。插槽分别被放置在缓冲容器222的对置内侧。一些相邻的支撑构件228之间的距离被设置为与手爪距离相同，并且一些相邻的支撑构件228之间的距离被设置为比手爪距离大。根据实施方式，从顶部数的四个支撑构件的相邻的支撑构件之间的距离被设置为与手爪距离相同，且从底部数的四个支撑构件的相邻的支撑构件228之间的距离可以被设置为与手爪距离相同。被放在顶部四个支撑构件与底部四个支撑构件之间的相邻的支撑构件228之间的距离被设置为比手爪距离大。
传感器224感测在缓冲空间226中的衬底的对齐状态。传感器224包括光接收器224a和照射器224b。光接收器224a和照射器224b彼此竖直对置放置。光接收器224a接收来自照射器224b的照射光。光接收器224a和照射器224b中的一个被安装在缓冲容器222的上侧，并且另一个被安装在缓冲容器222的底侧。光接收器224a和照射器224b中的每个可以被设置为多个，并被放在缓冲容器222的每个开口侧附近。可替选地，光接收器224a和照射器224b可以被设置为单个，并可以被放在缓冲容器222的一个开口侧附近。
传送室240在缓冲单元220与处理室260之间以及多个处理室260之间传送衬底W。传送室240具有导轨242和主机械手244(参见图2)。导轨242被布置成导轨242的长度方向与第一方向12平行。主机械手244被安装在导轨上，并在导轨242上沿第一方向12线性移动。主机械手244具有基座244a、主体244b和主臂244c。基座244a被可移动地安装在导轨242上。主体244b与基座244a连接。主体244b被设置为在基座244a上沿第三方向16移动。而且，主体被设置为在基底244a上旋转。主臂244c与主体244b连接，并且被设置为向主体244b向前和向后移动。主臂244c被设置为多个，并且多个主臂彼此单独驱动。主臂244c被竖直布置，即，沿第三方向16彼此间隔。
处理室260被设置为进行对衬底W的清洗工艺的工艺处理单元300。工艺处理单元300可以根据清洗工艺的种类而具有不同的结构。然而，在各个处理室260的内部，可以设置相同结构的装置。处理室260可以被分成多个组，并且相同组的处理室260的装置可以具有相同的结构并且属于不同组的处理室260的装置300可以具有不同的结构。
图9是图2的处理室的横截面图。参考图9，衬底处理装置300包括处理容器320、旋转头340、升降单元360和液体供应单元380。
处理容器320可以具有上侧开口的桶状。处理容器320具有内收集容器322和外收集容器326。每个容器322,326收集在工艺中使用的处理液当中的不同的处理液。内收集容器322被设置为环绕旋转头340的环形，并且外收集容器326被设置为环绕内收集容器322的环形。内部空间322a被限定在内收集容器322中并用作处理液流入内收集容器322的第一入口322a。空间326a被限定在内收集容器322与外收集容器326之间并用作处理液流入外收集容器326的第二入口326a。根据实施方式，每个入口322a,326a可以被放置在彼此不同的高度。收集管线322b,326b分别与入口322,326的底侧连接。流入到各个入口322,326中的处理液可以通过收集管线322b,326b作为外部的处理液再生系统(未图示)被再利用。
旋转头340被设置为在工艺期间旋转并支撑衬底W的衬底支撑单元320。旋转头340具有主体342、支撑销344、卡盘销346和支撑轴348。当从顶部看时，主体342通常被设置为使得顶部主体342的上表面被设置为圆形。可旋转的支撑轴348与主体342的底侧固定连接并且可旋转的支撑轴348被驱动部件349驱动。
支撑销344被设置为多个。多个支撑销344被设置在主体342的上表面的边缘上并彼此间隔，而且从主体342向上突出。支撑销344通常被布置成具有环形。支撑销344支撑衬底W的后侧以与主体342的上表面间隔。
卡盘销346被设置为多个。卡盘销346被布置成比支撑销344离主体342的中心更远。卡盘销346被设置为从主体342向上突出。卡盘销436支撑衬底W的侧部以使衬底W在旋转头340旋转时不侧向偏离正确位置。卡盘销346被设置成沿主体342的半径方向在外侧和内侧之间线性移动。外侧位置比内侧位置离主体342的中心更远。当将衬底W装载到旋转头340上或将其从旋转头340卸下时，卡盘销346被置于外侧位置，而当加工衬底W时，卡盘销346被置于内侧位置。内侧位置是卡盘销346与衬底W的侧部接触之处，并且外侧位置是衬底W与卡盘销346分开之处。
升降单元360在上下方向上线性移动处理容器320。随着处理容器320在上下方向上移动，处理容器320相对于旋转头340的相对高度变化。升降单元360具有支架362、移动轴364和驱动器366。支架362与处理容器320的外壁固定连接，并且通过驱动器366在上下方向上移动的移动轴364与支架362固定连接。当衬底被放在旋转头340上时或当从旋转头340被举起时，处理容器320下降使得旋转头340从处理容器320向上突出。而且，在加工期间，根据在衬底W中供应的处理液的种类来控制处理容器320的高度使得处理液流入预定的收集容器360中。可选择地，升降单元360可以将旋转头340在上下方向上移动。
液体供应单元380向衬底W供应处理液。液体供应单元380被设置为多个，并且每个都可以供应不同种类的处理液。液体供应单元380包括运动构件381和喷嘴390。
运动构件381向加工位置和备用位置移动喷嘴390。在加工位置，喷嘴390位于与被支撑在衬底支撑单元340上的衬底W对置的位置，并且备用位置指喷嘴脱离加工位置的位置。
运动构件381包括支撑轴386、臂382和驱动器388。支撑轴386位于处理容器320的一侧。支撑轴386具有杆状并被设置为使得其长度方向与第三方向平行。支撑轴386被设置为通过驱动器388旋转。支撑轴386被设置成上下移动。臂382支撑轴386的顶部垂直连接。在臂382的末端固定连接喷嘴390。当支撑轴386旋转时，喷嘴390与臂382一起摆动。喷嘴390可以向加工位置和备用位置摆动。当从顶部看时，在加工位置的喷嘴390可以位于与衬底W的中心轴相同的地方。例如，处理液可以是化学品。化学品可以是具有酸性或碱性的蚀刻液。化学品可以包括H2SO4,P2O5和NH4OH。可选择地，臂382可以被设置成沿其长度方向向前或向后移动。
下文中，将描述用于通过使用上述衬底处理装置处理衬底的方法。图10是示出在第一模式下传送衬底的过程的横截面图。根据第一模式，当从缓冲空间226将衬底W载出时，通过第一臂522和第二臂524中的一个然后通过另一个将衬底W载出。根据实施方式，通过第一臂522载出三个衬底W，然后通过第二臂524载出一个衬底W。
虽然衬底W在接收容器132中以未对齐状态接收，但当门关闭接收容器132时，可以将未对齐的衬底W重新对齐。通过此机会，在第一手爪542和第二手爪544接触并将支撑在支撑构件上的衬底对偏的情况下，则门能够将衬底W重新对齐。然而，在缓冲容器中，两个对置侧是开口的，并且无法将缓冲空间226中所接收的衬底W对齐。手爪与缓冲空间226中所接收的衬底W之间的摩擦力能够通过相继操作第一手爪542和第二手爪544被最小化。
而且，当将衬底W运载至缓冲空间226中时，通过第三臂532和第四臂534中的一个然后通过另一个运载衬底W。根据实施方式，通过第三臂532将一个衬底W运载至缓冲空间226中，然后通过第四臂534将三个衬底W运载至缓冲空间226中。
图11是示出在第二模式下传送衬底的过程的横截面图。根据第二模式，当传送三个衬底W时，通过第一臂522或第四臂534同时传送三个衬底W。然而，当传送单个衬底W时，通过第二臂524或第三臂532传送单个衬底W。而且，当传送两个衬底W时，通过第二臂524和第三臂532同时传送两个衬底W。第二手爪544和第三手爪552彼此相邻放置。因此，能够最小化用于载入和载出衬底的第二手爪544和第三手爪552的行进线路。
与上述不同，第一模式可以不同地控制上传送构件和下传送构件的运动以向接收容器传送衬底，并且第二模式可以根据待传送的衬底的数目而不同地控制第一臂、第二臂和第三臂的运动。

Claims (24)

1.一种用于处理衬底的装置，包括：
接收单元，具有支撑构件，所述支撑构件被竖直布置并支撑衬底；和
传送单元，具有用于向所述接收单元传送衬底的上传送构件；
其中，所述上传送构件包括竖直布置的第一臂和第二臂，所述第一臂和所述第二臂被单独驱动以水平延伸，并且多个竖直布置的第一手爪与所述第一臂固定连接，且单个第二手爪与所述第二臂连接。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，相邻两个支撑构件之间的支撑距离被设置为彼此相同，相邻两个第一手爪之间的手爪距离被设置为彼此相同，并且所述支撑距离与手爪距离被设置为相同。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述第二手爪和离所述第二手爪最近的第一手爪之间的距离与所述支撑距离相同。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述传送单元包括：
分别支撑所述第一臂和所述第二臂的支撑主体，和
与所述支撑主体固定连接并竖直移动的升降轴。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述传送单元还包括用于输送衬底的下传送构件，所述下传送构件位于所述上传送构件下方，
其中，所述下传送构件包括竖直布置的第三臂和第四臂，所述第三臂和第四臂被单独驱动以水平延伸，并且，
其中，单个第三手爪与所述第三臂连接，并且多个竖直布置的第四手爪与所述第四臂固定连接。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，相邻两个第四手爪之间的距离被设置为与所述手爪距离相同，并且，在所述第三手爪和离所述第三手爪最近的第四手爪之间的距离与所述手爪距离相同。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一手爪、所述第二手爪、所述第三手爪和所述第四手爪按此次序从上到下竖直布置。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二手爪与所述第三手爪之间的距离比所述手爪距离更宽。
9.根据权利要求5至8中的任一项所述的装置，其中，所述第一手爪和所述第四手爪各自都被设置为N个，其中N是3以上的自然数，并且，
其中，所述传送单元还包括控制所述上传送构件和所述下传送构件的控制器，
所述控制器控制使得：当传送N个衬底时，通过所述第一臂或所述第四臂同时传送N个衬底，并且
所述控制器控制使得：当传送单个衬底时，通过所述第二臂或所述第三臂传送单个衬底。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述N是3，并且所述控制器控制使得：当传送两个衬底时，通过所述第二臂和所述第三臂传送两个衬底。
11.根据权利要求5至8中的任一项所述的装置，其中，所述衬底处理装置还包括处理衬底的工艺处理单元，
其中，所述接收单元包括：
接收容器，具有接收空间和向预定方向开口的一侧，
门，打开和关闭所述开口的一侧，和
缓冲容器，具有缓冲空间和向所述预定方向开口的两个对置侧，
所述接收容器、所述传送单元、所述缓冲容器和所述工艺处理单元沿所述预定方向布置，
所述上传送构件将衬底从所述缓冲容器传送至所述接收容器，并且
所述下传送构件将衬底从所述接收容器传送至所述缓冲容器。
12.根据权利要求5至8中的任一项所述的装置，其中，所述传送单元还包括：支撑所述第一臂、所述第二臂、所述第三臂和所述第四臂的支撑主体，和
与所述支撑主体固定连接并能够竖直移动的升降轴。
13.根据权利要求5至8中的任一项所述的装置，其中，所述第一手爪、所述第二手爪、所述第三手爪和所述第四手爪的每一个由包括陶瓷的材料形成。
14.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，其中，所述传送单元还包括控制所述第一臂和所述第二臂的控制器，
其中，所述接收单元包括缓冲容器，缓冲容器具有缓冲空间和开口的两个对置侧，
当向所述缓冲空间传送多个衬底时，所述控制器控制使得：通过所述第一臂和所述第二臂中的一个传送衬底，然后通过所述第一臂和所述第二臂中的另一个传送衬底。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述接收单元包括具有接收空间和一个开口侧的接收容器，和
关闭和打开所述一个开口侧的门，
其中，当向所述接收空间传送多个衬底时，所述控制器控制使得所述第二臂和所述第一臂同时传送多个衬底。
16.一种传送单元，包括彼此竖直间隔的第一臂和第二臂，所述第一臂和所述第二臂被单独驱动以水平延伸，多个竖直布置的第一手爪与所述第一臂固定连接并且单个第二手爪与所述第二臂连接。
17.根据权利要求16所述的传送单元，其中，相邻两个第一手爪之间的手爪距离被设置为彼此相同，其中，所述第二手爪与离所述第二手爪最近的第一手爪之间的距离与所述手爪距离相同。
18.根据权利要求17所述的传送单元，其中，所述传送单元还包括彼此竖直间隔的第三臂和第四臂，所述第三臂和所述第四臂被单独驱动以水平延伸，单个第三手爪与所述第三臂连接，多个竖直布置的第四手爪与所述第四臂固定连接，并且所述第一手爪、所述第二手爪、所述第三手爪和所述第四手爪按此次序从上到下竖直布置。
19.根据权利要求18所述的传送单元，其中，相邻两个第四手爪之间的距离被设置为与所述手爪距离相同，其中，在所述第三手爪与离所述第三手爪最近的第四手爪之间的距离与所述手爪距离相同，其中，在所述第二手爪与所述第三手爪之间的距离比所述手爪距离更宽。
20.根据权利要求18或19所述的传送单元，其中，所述传送单元还包括支撑所述第一臂、所述第二臂、所述第三臂和所述第四臂的支撑主体，和
与所述支撑主体固定连接并能够竖直移动的升降轴。
21.一种用于通过使用权利要求1至4中的任一项所述的衬底处理装置处理衬底的方法，其中，所述接收单元包括：具有一个开口侧的接收容器，和具有开口的两个对置侧的缓冲容器，
其中，当向所述接收容器传送多个衬底时，传送单元通过第二臂和第一臂同时传送所述多个衬底，
当向所述缓冲容器传送多个衬底时，传送单元通过第一臂和第二臂中的一个传送衬底，然后通过第一臂和第二臂中的另一个传送衬底。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一手爪被设置为N个，其中N是3以上的自然数，其中，当传送N个衬底时，所述第一臂同时传送N个衬底，并且，其中当传送单个衬底时，所述第二臂传输所述单个衬底。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述N是3，其中所述传送单元还包括第三臂，与相距所述第一手爪相比离所述第二手爪更近的单个第三手爪与所述第三臂连接，
其中，当传送两个衬底时，所述第二臂和所述第三臂传送所述两个衬底。
24.根据权利要求5至8中的任一项所述的方法，其中，所述传送单元依照第一模式和第二模式传递衬底，其中，在所述第一模式下，所述上传送构件将衬底载入所述接收单元中，并且所述下传送构件将衬底从所述接收单元载出，
其中，当所述第一手爪被设置为N个时，其中N是3以上的自然数，在所述第二模式下，通过所述第一臂或所述第四臂同时传送N个衬底，其中，当传送单个衬底时，通过所述第二臂或所述第三臂传送所述单个衬底，并且，其中当传送两个衬底时，通过所述第二臂和所述第三臂传送所述两个衬底。
CN201610856812.5A 2015-09-30 2016-09-28 传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法 Pending CN106558521A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0138152 2015-09-30
KR1020150138152A KR101681191B1 (ko) 2015-09-30 2015-09-30 반송 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106558521A true CN106558521A (zh) 2017-04-05

Family

ID=57574122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610856812.5A Pending CN106558521A (zh) 2015-09-30 2016-09-28 传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10199249B2 (zh)
KR (1) KR101681191B1 (zh)
CN (1) CN106558521A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102081056B1 (ko) * 2018-04-04 2020-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN108470708B (zh) * 2018-04-10 2020-12-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种晶圆载具、晶圆清洗系统及方法
KR102240925B1 (ko) * 2019-07-17 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 반송 장치
JP2022025428A (ja) * 2020-07-29 2022-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7465855B2 (ja) * 2021-09-27 2024-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 加熱処理装置、搬入搬出治具、および有機膜の形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040228712A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Seung-Man Nam Transfer apparatus and method for unloading semiconductor substrate from container
CN101192556A (zh) * 2006-11-29 2008-06-04 三星电子株式会社 晶片传送装置
CN102160168A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 细美事有限公司 衬底传输装置、具有其的衬底处理设备及使用该衬底传输装置的传输衬底的方法
JP2015033737A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311912A1 (de) * 1983-03-31 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung fuer fernmeldeanlagen, insbesondere fernsprechvermittlungsanlagen mit informationsverabeitenden schaltwerken und einrichtungen zur abwehr von ueberbelastungen
US5570987A (en) * 1993-12-14 1996-11-05 W. L. Gore & Associates, Inc. Semiconductor wafer transport container
JP3040991B2 (ja) * 1999-04-23 2000-05-15 国際電気株式会社 半導体製造装置
KR101015227B1 (ko) 2008-08-06 2011-02-18 세메스 주식회사 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
KR101094387B1 (ko) * 2008-08-28 2011-12-15 세메스 주식회사 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
KR20100059340A (ko) * 2008-11-26 2010-06-04 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 방법
JP5861677B2 (ja) * 2013-07-08 2016-02-16 株式会社安川電機 吸着構造、ロボットハンドおよびロボット

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040228712A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Seung-Man Nam Transfer apparatus and method for unloading semiconductor substrate from container
CN101192556A (zh) * 2006-11-29 2008-06-04 三星电子株式会社 晶片传送装置
CN102160168A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 细美事有限公司 衬底传输装置、具有其的衬底处理设备及使用该衬底传输装置的传输衬底的方法
JP2015033737A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット

Also Published As

Publication number Publication date
US20170092522A1 (en) 2017-03-30
KR101681191B1 (ko) 2016-12-12
US10199249B2 (en) 2019-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106558521A (zh) 传送单元、用于处理衬底的装置和用于处理衬底的方法
TWI434797B (zh) 用以介接基板容器儲存系統的整合系統
KR101082261B1 (ko) 기판처리장치 및 기판반송방법
US6358128B1 (en) Polishing apparatus
JP4955337B2 (ja) 半導体ワークピースのローディングとアンローディング方法、及びそれを用いた半導体ワークピースの交換方法
KR100646906B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN101673665A (zh) 基板处理装置及在基板处理装置中使用的基板搬运装置
JP2009514235A (ja) 水平方向配列ストッカ
EP3159923B1 (en) Carrier buffering device and buffering method
KR20120050931A (ko) 기판 컨테이너 보관 시스템과 연결하기 위한 일체형 시스템
KR101885107B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP6306813B2 (ja) モジュール式半導体処理システム
CN106816399A (zh) 基板处理装置及方法
EP1738871B1 (en) Polishing apparatus
KR102402297B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US6222339B1 (en) System and method for controlling attitude of substrate
JP2006176255A (ja) 搬送システム
JP2009302477A (ja) 搬送システム
US20230405648A1 (en) Moving assembly for recovery guard and substrate processing apparatus
KR20150058255A (ko) 기판 처리 장치
KR20190019229A (ko) 세정액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 세정액 공급 방법
CN113228239A (zh) 基板处理装置
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR20150069106A (ko) 기판 이송 장치
CN105632986A (zh) 基板输送系统和采用该基板输送系统的热处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170405