CN106558510B - 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法 - Google Patents

多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106558510B
CN106558510B CN201510642478.9A CN201510642478A CN106558510B CN 106558510 B CN106558510 B CN 106558510B CN 201510642478 A CN201510642478 A CN 201510642478A CN 106558510 B CN106558510 B CN 106558510B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gate
gate oxide
process monitoring
monitoring structure
oxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510642478.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106558510A (zh
Inventor
高淑荣
顾勇
金兴成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi China Resources Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuxi China Resources Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi China Resources Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuxi China Resources Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201510642478.9A priority Critical patent/CN106558510B/zh
Publication of CN106558510A publication Critical patent/CN106558510A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106558510B publication Critical patent/CN106558510B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Abstract

本发明涉及一种多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法，其中，多栅氧器件工艺监控结构设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中第一栅氧器件对应的第一栅氧层的厚度大于第二栅氧器件对应的第二栅氧层，且该多栅氧工艺监控结构为金属‑氧化物‑半导体并包括栅氧化层，栅氧化层在栅氧化层窗口中生长，打开栅氧化层窗口的工艺与打开第二栅氧层窗口相同。因此，通过测量多栅氧器件工艺监控结构的相关性能，即可无需破坏晶圆的结构而监控打开第二栅氧层窗口工艺的全部过程是否有异常，同时也克服了在线临界尺寸量测监控方法无法监控到因刻蚀不足而引起的残留问题。

Description

多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及多栅氧半导体技术领域，特别是涉及一种多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法。
背景技术
在半导体技术领域中，具有多门限电压的多栅氧器件应用越来越广泛。多栅氧器件包括高门限电压器件和低门限电压器件。其中，低门限电压器件需形成薄栅氧层(以下简称薄栅氧器件)，而高门限电压器件需形成厚栅氧层(以下简称厚栅氧器件)。在多栅氧器件的制造过程中，通常先形成厚栅氧层，然后再用光刻和刻蚀的工艺在厚栅氧层中对应薄栅氧器件的区域打开薄栅氧层窗口，之后即可在薄栅氧层窗口中生长薄栅氧层。由此看来，打开薄栅氧层窗口工艺的好坏直接影响后续生长薄栅氧的情况，因此对打开薄栅氧层窗口工艺进行监控是必不可少的工序。
传统的监控打开薄栅氧层窗口工艺的方法中，在线临界尺寸量测监控方法无法监控因刻蚀不足而引起的残留问题；而切片监控方法需破坏晶圆的结构才能进行监控。
发明内容
基于此，有必要针对上述至少一个技术问题，提供一种既能监控因刻蚀不足而引起的残留问题又无需破坏晶圆结构的多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法。
一种多栅氧器件工艺监控结构，设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中所述第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且所述第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中打开的，所述第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层，所述多栅氧工艺监控结构为金属-氧化物-半导体并包括栅氧化层，所述栅氧化层在栅氧化层窗口中生长，且打开栅氧化层窗口的工艺与打开所述第二栅氧层窗口相同；同时，所述多栅氧工艺监控结构的制造方法中除了打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。
在其中一个实施例中，所述多栅氧器件工艺监控结构为N型金属-氧化物-半导体。
在其中一个实施例中，所述栅氧化层的与沟道电流方向垂直的边缘的长度介于0.5至1微米之间；所述栅氧化层的与沟道电流方向平行的边缘的长度介于0.3至0.7微米之间。
一种多栅氧器件工艺监控方法，基于上述的多栅氧器件工艺监控结构，通过测量所述多栅氧器件工艺监控结构的电性参数来监控所述打开第二栅氧层窗口的工艺。
在其中一个实施例中，所述电性参数为饱和电流。
一种多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其中所述多栅氧器件工艺监控结构设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，所述第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且所述第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中打开的，所述第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层，所述多栅氧器件工艺监控结构为金属-氧化物-半导体并包括栅氧化层；在所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中，制造所述栅氧化层的步骤包括：
在衬底上定义多栅氧器件工艺监控结构区；
在第一栅氧层中打开栅氧化层窗口，其中，在第一栅氧层中利用与所述打开第二栅氧层窗口相同的工艺在所述多栅氧器件工艺监控结构区打开所述栅氧化层窗口；
在所述栅氧化层窗口中生长厚度与所述第二栅氧层相同的栅氧化层；
且在所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中，除了所述打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。
在其中一个实施例中，所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法还包括：在衬底上定义所述多栅氧器件工艺监控结构的有源区区域，所述栅氧化层窗口与所述有源区区域为中心重合且分别位于内部、外部的矩形。
在其中一个实施例中，所述栅氧化层窗口的边缘与所述有源区区域的边缘之间的距离大于0.3微米。
在其中一个实施例中，所述多栅氧器件工艺监控结构为N型金属-氧化物-半导体。
在其中一个实施例中，所述栅氧化层的与沟道电流方向垂直的边缘长度介于0.5至1微米之间；所述栅氧化层的与沟道电流方向平行的边缘长度介于0.3至0.7微米之间。
上述多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法具有的有益效果为：该多栅氧器件工艺监控结构打开栅氧化层窗口的工艺与打开第二栅氧层窗口相同，因此监控该多栅氧器件工艺监控结构的打开栅氧化层窗口的工艺，就相当于监控第二栅氧器件的打开第二栅氧窗口的工艺。同时该多栅氧器件工艺监控结构为金属-氧化物-半导体，且该多栅氧工艺监控结构的制造方法中除了打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控打开所述第二栅氧层窗口工艺的条件下进行，因此只要打开栅氧化层窗口工艺出现任何异常，包括因刻蚀不足而引起的残留问题，都会影响栅氧化层的生长速度，从而最终影响多栅氧器件工艺监控结构的性能。
综上所述，本发明提供的多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法只要测量多栅氧器件工艺监控结构的相关性能，即可通过该多栅氧器件工艺监控结构来监控第二栅氧器件制造过程中的打开第二栅氧层窗口工艺是否有异常，克服了在线临界尺寸量测监控方法无法监控到因刻蚀不足而引起的残留问题；同时无需破坏晶圆的结构即可监控打开第二栅氧层窗口工艺，从而克服了切片监控方法需破坏晶圆的结构才能进行监控的问题。
附图说明
图1为一实施例的多栅氧器件工艺监控结构的立体示意图。
图2为图1所示实施例的多栅氧器件工艺监控结构的栅氧化层的制造方法流程图。
图3为多栅氧器件中不同类型氧化层对应图2各步骤的形成过程示意图。
图4为图2所示实施例的对多栅氧器件工艺监控结构在制造过程中涉及的各部分结构进行布局的位置关系示意图。
具体实施方式
为了更清楚的解释本发明提供的多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法，以下结合实施例作具体的说明。
图1示出了一实施例的多栅氧器件工艺监控结构100的立体示意图。图4为一实施例的对多栅氧器件工艺监控结构100在制造过程中涉及的各部分结构进行布局的位置关系示意图。
多栅氧器件工艺监控结构100设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中，第一栅氧器件、第二栅氧器件分别对应高门限电压器件、低门限电压器件。需要说明的是，图1中仅示出了位于多栅氧器件中的多栅氧器件工艺监控结构100的结构图，而多栅氧器件中的其他区域200设置有第一栅氧器件和第二栅氧器件。在多栅氧器件中，第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中利用光刻和刻蚀的方法打开的，第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层。
其中，该多栅氧器件工艺监控结构100包括栅氧化层120，如图4所示，该栅氧化层120在栅氧化层窗140口中生长，且打开栅氧化层窗口140的工艺与打开第二栅氧层窗口相同。因此监控该栅氧器件工艺监控结构100的打开栅氧化层窗口140的工艺，就相当于监控第二栅氧器件制造过程中的打开第二栅氧层窗口的工艺。
同时，该多栅氧器件工艺监控结构100为金属-氧化物-半导体，优选制作在多栅氧器件中的划片槽内，且多栅氧工艺监控结构的制造方法中除了打开栅氧化层窗口140的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行，因此只要打开栅氧化层窗口140工艺出现任何异常，包括因刻蚀不足而引起的残留问题，都会影响栅氧化层120的生长速度，从而最终影响多栅氧器件工艺监控结构100的相关性能。
综上所述，只要测量多栅氧器件工艺监控结构100的相关性能是否正常，即可通过该栅氧器件工艺监控结构100来监控第二栅氧器件的打开第二栅氧层窗口的工艺的是否有异常，克服了在线临界尺寸量测监控方法无法监控到因刻蚀不足而引起的残留问题；同时无需破坏晶圆的结构即可监控打开第二栅氧层窗口的工艺，从而克服了切片监控方法需破坏晶圆的结构才能进行监控的问题。
在本实施例中，通过测量多栅氧器件工艺监控结构100的电性参数来监控打开第二栅氧层窗口的工艺。
具体的，上述电性参数为饱和电流。若打开第二栅氧层窗口的工艺出现异常，则多栅氧器件工艺监控结构100的打开栅氧化层窗口140的工艺同样会出现异常，进而影响栅氧化层窗口140的大小。其中，栅氧化层窗口140中的与沟道电流方向垂直的边缘即为沟道宽度，因为栅氧化层窗口140中的与沟道电流方向垂直的边缘的长度变化与多栅氧器件工艺监控结构100的饱和电流成正比关系，所以当栅氧化层窗口140的大小异常时，栅氧化层窗口140中的与沟道电流方向垂直的边缘长度也会异常，进而使得多栅氧器件工艺监控结构100的饱和电流发生异常。因此，可以通过利用电性测试仪测量多栅氧器件工艺监控结构100的饱和电流，来监控打开第二栅氧层窗口的工艺。
另外，也可通过测量多栅氧器件工艺监控结构100的其他电性参数来监控打开第二栅氧层窗口的工艺，只要该电性参数与栅氧化层120的变化有直接关系即可，例如通过测量阈值电压。
图2示出了一实施例的多栅氧器件工艺监控结构100的栅氧化层120的制造方法流程图。同时为了便于说明栅氧化层120与多栅氧器件中第一栅氧层、第二栅氧层之间的关系，图3示出了多栅氧器件中不同类型氧化层对应图2各步骤的形成过程示意图。栅氧化层120的制造方法为：
S410、在衬底300上定义多栅氧器件工艺监控结构区230。为了便于说明，如图3中的3a所示，在这一步骤中还定义第一栅氧器件区210、第二栅氧器件区220。需说明的是，在实际布局中，多栅氧器件工艺监控结构区230、第一栅氧器件区210、第二栅氧器件区220应该是相互之间有一定间隔的，本实施例只是为了便于比较，才将以上三个区域相邻放置。
另外，如图3中的3b所示，先在衬底300上形成第一栅氧层，这时在多栅氧器件工艺监控结构区230、第一栅氧器件区210、第二栅氧器件区220中同时形成第一栅氧层。
S420、在第一栅氧层中打开栅氧化层窗口140。具体为，在第一栅氧层中对应多栅氧器件工艺监控结构区230的位置，利用与打开第二栅氧层窗口相同的工艺打开栅氧化层窗140，其中可利用光刻和刻蚀的工艺来打开栅氧化层窗口140。如图3中的3c所示，在对应多栅氧器件工艺监控结构区230和第二栅氧器件区220的位置上都刻蚀掉了第一栅氧层，从而形成对应的栅氧化层窗口140、第二栅氧层窗口。
S430、在栅氧化层窗口140中生长厚度与第二栅氧层厚度相同的栅氧化层120。如图3中的3d所示，在对应多栅氧器件工艺监控结构区230、第一栅氧器件区210、第二栅氧器件区220中，同时生长了栅氧化层120。因此，最终在栅氧化层窗口140和第二栅氧层窗口中形成了相同的栅氧化层120。
需要说明的是，在多栅氧器件工艺监控结构100的制造方法中，除了上述打开栅氧化层窗口140的工艺，其他工艺，例如生长栅氧化层120的工艺、形成第一栅氧层的工艺等，都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构100能准确监控打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。因此，由上述方法制成的多栅氧器件工艺监控结构100，可以通过监控打开栅氧化层窗口140的工艺来准确监控打开第二栅氧层窗口的工艺。
如图4所示，在多栅氧器件工艺监控结构100的制造过程中，还需定义有源区区域130，且栅氧化层窗口140与有源区区域130为中心重合且分别位于内、外的矩形。
具体的，栅氧化层窗口140的边缘与有源区区域130的边缘之间的距离大于0.3微米，即g和f均大于0.3微米。
具体的，多栅氧器件工艺监控结构100为N型金属-氧化物-半导体。
另外，根据实际情况，多栅氧器件工艺监控结构100也可为其他类型的金属-氧化物-半导体，例如P型金属-氧化物-半导体。
具体的，多栅氧器件工艺监控结构100的栅氧化层120的与沟道电流方向垂直的边缘121的长度a介于0.5至1微米之间。在图4中，由于沟道的电流方向为水平方向，所以栅氧化层120的边缘121与水平方向垂直。
具体的，多栅氧器件工艺监控结构100的栅氧化层120的与沟道电流方向平行的边缘122的长度e介于0.5至1微米之间。在图4中，由于沟道的电流方向为水平方向，所以栅氧化层120的边缘122在水平方向上。另外，金属层110在多栅氧器件工艺监控结构100制造完成后，位于栅氧化层120的上方。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种多栅氧器件工艺监控结构，设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中所述第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且所述第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中打开的，所述第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层，其特征在于，所述多栅氧器件制作于所述多栅氧器件中的划片槽内，所述多栅氧器件工艺监控结构为金属-氧化物-半导体并包括栅氧化层，所述栅氧化层在栅氧化层窗口中生长，且打开栅氧化层窗口的工艺与打开所述第二栅氧层窗口相同，所述栅氧层与所述第二栅氧层的厚度相同；同时，所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中除了打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。
2.根据权利要求1所述的多栅氧器件工艺监控结构，其特征在于，所述多栅氧器件工艺监控结构为N型金属-氧化物-半导体。
3.根据权利要求1所述的多栅氧器件工艺监控结构，其特征在于，所述栅氧化层的与沟道电流方向垂直的边缘的长度介于0.5至1微米之间；所述栅氧化层的与沟道电流方向平行的边缘的长度介于0.3至0.7微米之间。
4.一种多栅氧器件工艺监控方法，基于权利要求1所述的多栅氧器件工艺监控结构，其特征在于，通过测量所述多栅氧器件工艺监控结构的电性参数来监控所述打开第二栅氧层窗口的工艺。
5.根据权利要求4所述的多栅氧器件工艺监控方法，其特征在于，所述电性参数为饱和电流。
6.一种多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其中所述多栅氧器件工艺监控结构设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，所述第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且所述第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中打开的，所述第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层，其特征在于，所述多栅氧器件工艺监控结构为金属-氧化物-半导体并包括栅氧化层；在所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中，制造所述栅氧化层的步骤包括：
在衬底上定义多栅氧器件工艺监控结构区，所述工艺监控结构区位于所述多栅氧器件的划片槽内；
在第一栅氧层中打开栅氧化层窗口，其中，在第一栅氧层中利用与所述打开第二栅氧层窗口相同的工艺在所述多栅氧器件工艺监控结构区打开所述栅氧化层窗口；
在所述栅氧化层窗口中生长厚度与所述第二栅氧层相同的栅氧化层；
且在所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中，除了所述打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。
7.根据权利要求6所述的多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其特征在于，还包括：在衬底上定义所述多栅氧器件工艺监控结构的有源区区域，所述栅氧化层窗口与所述有源区区域为中心重合且分别位于内部、外部的矩形。
8.根据权利要求7所述的多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层窗口的边缘与所述有源区区域的边缘之间的距离大于0.3微米。
9.根据权利要求6所述的多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其特征在于，所述多栅氧器件工艺监控结构为N型金属-氧化物-半导体。
10.根据权利要求6所述的多栅氧器件工艺监控结构的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的与沟道电流方向垂直的边缘长度介于0.5至1微米之间；所述栅氧化层的与沟道电流方向平行的边缘长度介于0.3至0.7微米之间。
CN201510642478.9A 2015-09-30 2015-09-30 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法 Active CN106558510B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510642478.9A CN106558510B (zh) 2015-09-30 2015-09-30 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510642478.9A CN106558510B (zh) 2015-09-30 2015-09-30 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106558510A CN106558510A (zh) 2017-04-05
CN106558510B true CN106558510B (zh) 2020-02-11

Family

ID=58417669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510642478.9A Active CN106558510B (zh) 2015-09-30 2015-09-30 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106558510B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537861B1 (en) * 1998-08-29 2003-03-25 International Business Machines Corporation SOI transistor with body contact and method of forming same
CN101819941A (zh) * 2010-04-29 2010-09-01 上海宏力半导体制造有限公司 半导体器件栅氧化层完整性的测试结构
CN102157411A (zh) * 2010-12-31 2011-08-17 上海集成电路研发中心有限公司 Mosfet器件电学特性变化测量结构及测量方法
CN103165437A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 无锡华润上华科技有限公司 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537861B1 (en) * 1998-08-29 2003-03-25 International Business Machines Corporation SOI transistor with body contact and method of forming same
CN101819941A (zh) * 2010-04-29 2010-09-01 上海宏力半导体制造有限公司 半导体器件栅氧化层完整性的测试结构
CN102157411A (zh) * 2010-12-31 2011-08-17 上海集成电路研发中心有限公司 Mosfet器件电学特性变化测量结构及测量方法
CN103165437A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 无锡华润上华科技有限公司 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106558510A (zh) 2017-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103871922A (zh) 采用电压衬度测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法
JP5751531B2 (ja) 半導体基板の評価方法、評価用半導体基板、半導体装置
CN106558510B (zh) 多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法
US9935021B2 (en) Method for evaluating a semiconductor wafer
CN108109933A (zh) 离子注入工艺的监控方法
JP2011100909A (ja) 半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
CN102468273A (zh) 一种测量电荷的装置及方法
CN103904000B (zh) 采用电容衬度测试结构检测多晶硅底部桥连缺陷的方法
US9136127B2 (en) Method of fabricating GOI silicon wafer, GOI silicon wafer and GOI detection method
JP2008147461A (ja) 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子
CN103887195B (zh) 采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法
JP4506181B2 (ja) 半導体ウェーハの評価方法
US20220310462A1 (en) Semiconductor structure
CN103531499B (zh) 监控电子束扫描仪间匹配度的方法
Wu et al. A stain chemical etching rate study and used to detect implant defect
US8906710B2 (en) Monitor test key of epi profile
CN103887202A (zh) 监测方法
CN108010857B (zh) 离子注入工艺对准质量的检验方法
CN105405782B (zh) 一种源漏外延工艺的监测方法
JP2016066760A (ja) Ｓｏｉ基板の評価方法
JP3757728B2 (ja) マスク合わせずれ評価用パターン
JP2015170698A (ja) 半導体装置、その半導体装置の製造方法および検査方法
JP3876846B2 (ja) 絶縁膜の評価方法
CN113223979A (zh) 栅氧化层工艺中的厚度补偿方法
JP2006179521A (ja) ツェナーダイオードの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant