CN103887195B - 采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立测试结构；将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述测试结构进行刻蚀；对刻蚀后的所述测试结构进行离子击穿；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述测试结构进行检测，判断所述测试结构的底部的多晶硅是否与有源区互联，若是则存在多晶硅底部刻蚀不足缺陷，若否则所述测试结构不存在刻蚀不足缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。

Description

采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造工艺领域，尤其涉及多晶硅刻蚀缺陷的检测。
背景技术
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，能够在线及时检测到极限尺寸的缺陷对良率提升至关重要，为此半导体制造采用多种检测方法，例如：暗场扫描、亮场扫描和电子束（E-beam）扫描等。然而并非所有缺陷均能被检测到，例如处于极限尺寸的多晶硅栅极刻蚀残留缺陷A就不容易被检测出来，如图1a和图1b所示。
其原因在于，该类缺陷的尺寸与厚度超出了光学检测的能力范围，且没有电压衬度的差异，其与背景的二次电子信号差异非常弱，很难被电子束检测仪检测到。但对于产品的良率而言，此种缺陷为绝对的杀手缺陷之一。目前针对此种缺陷，通常需要在工艺结束后的电性测试才能有所反应，但这大大增加了在线分析的难度。如图1a为工艺结束后的电性测试失效的分布图，图1b为造成电性失效的典型的多晶硅刻蚀残留缺陷图。
中国专利（CN103346076A）公开了改善栅氧有源区缺陷的方法,该在衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；进行N型多晶硅栅预掺杂；在多晶硅层上形成包括PEOX层和O3TEOS层的叠层的多晶硅栅掩模层；在多晶硅栅掩模层上形成抗反射层；在抗反射层上形成光刻胶，并利用光刻胶刻蚀多晶硅层以形成多晶硅栅。
该专利供了一种能够在多晶硅栅结构的制作过程中防止有源区产生缺陷的改善栅氧有源区缺陷的方法。但并没有解决处于极限尺寸的多晶硅栅极刻蚀残留缺陷不容易被检测出来的问题。
中国专利（CN102420116B）公开了消除栅极凹形缺陷的方法，其中，在基底上自下而上依次生成第一氧化层、多晶硅层、第二氧化层、氮化硅层、无定形碳层；刻蚀氮化硅层及无定形碳层形成由氮化硅及无定形碳构成的掩膜，以掩膜作为硬掩模对多晶硅层、第二氧化层进行刻蚀，形成栅极及位于栅极之上的部分第二氧化层；之后在栅极的两侧生长侧壁氧化层；清除基底表面的第一氧化层并仅保留位于栅极下方的栅氧化物层；在基底上生长一层硅层；去除氮化硅层。
该专利解决了现有技术中半导体器件中存在凹形缺陷导致器件性能下降的问题，通过在多晶硅层以及多晶硅下的基底增加保护层实现避免栅极凹形缺陷。但并没有解决处于极限尺寸的多晶硅栅极刻蚀残留缺陷不容易被检测出来的问题。
发明内容
本发明为解决目前处于极限尺寸的多晶硅栅极刻蚀残留缺陷不容易被检测出来的问题，从而提供采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法的技术方案。
发明所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，包括下述步骤：
步骤1.建立测试结构；
步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；
步骤3.采用刻蚀工艺对所述测试结构进行刻蚀；
步骤4.对刻蚀后的所述测试结构进行离子击穿；
步骤5.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述测试结构进行检测，判断所述测试结构的底部的多晶硅是否与有源区互联，若是则存在多晶硅底部刻蚀不足缺陷，若否则所述测试结构不存在刻蚀不足缺陷。
优选的，步骤1所述测试结构包括：有源区、多晶硅和栅氧化层，所述有源区上等间距的设有多条所述栅氧化层，每条所述栅氧化层上设有多晶硅，所述多晶硅宽度与栅氧化层的宽度相同。
优选的，所述多晶硅线间距离与监控产品的多晶硅的线间距离相同，所述有源区结构与所述监控产品的有源区结构相同，所述栅氧化层的结构与所述监控产品的栅氧化层结构相同。
优选的，步骤2所述测试位置为切割道的位置。
优选的，步骤2所述掩模层沉积于所述电容测试结构的所述有源区、所述多晶硅和所述栅氧化层表面。
优选的，步骤4所述离子击穿采用的离子杂质为N型。
优选的，所述离子杂质的剂量大于或等于后续正常流程中N型超浅结和N型源漏区离子注入的剂量总和，离子注入的深度与后续N型源流区离子注入的深度相等。
本发明的有益效果：
本发明通过建立测试结构，采用电子束检测仪对该结构和待检测多晶硅栅极进行检测，由于此类缺陷对特殊结构敏感，电子束检测仪对材质表面结构的敏感度很高，同时待检测多晶硅栅极中的多晶硅结构有所差异，连接测试结构的多晶硅在正电势条件下，将更难以达到表面电势平衡，从而在扫描条件下会产生与常规多晶硅的影像差异，存在桥连。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。
附图说明
图1a工艺结束后的电性测试失效分布图；
图1b为造成电性失效的典型的多晶硅刻蚀残留缺陷图；
图2为本发明所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法流程图；
图3a为测试结构俯视示意图；
图3b图3a的剖面示意图；
图4a为多晶硅底部刻蚀不足示意图；
图4b为多晶硅底部刻蚀不足缺陷被离子击穿而与有源区短路的示意图；
图5a为多晶硅底部刻蚀不足缺陷导致的多晶硅与有源区互联俯视示意图；
图5b为图5a的剖面示意图；
附图中：1.多晶硅；2.有源区；3.栅氧化层；4.多晶硅与有源区短路；A.刻蚀残留缺陷B.阱区；C.刻蚀不足；D离子注入；E.多晶硅与有源区互联。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
如图2所示，本发明提供采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，包括下述步骤：
以55纳米逻辑产品建立测试结构为例：
步骤1.根据待检测多晶硅1栅极表面材质结构的敏感特性建立测试结构（如图3a和图3b所示）；
步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；
步骤3.采用刻蚀工艺对测试结构进行刻蚀；
步骤4.对刻蚀后的所述测试结构进行离子击穿（如图4a和图4b所示）；
步骤5.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述测试结构进行检测，在离子击穿步骤后，缺陷将被击穿，从而多晶硅将通过被击穿的缺陷与有源区互联，即多晶硅与有源区互联E,判断所述测试结构的底部的多晶硅是否与有源区互联，若是则存在多晶硅底部刻蚀不足C缺陷，则会改变多晶硅在电子束检测仪描仪下的影像结果（如图5a和图5b所示）；若否则所述测试结构不存在刻蚀不足C缺陷。
本实施例中采用的电子束检测仪参数调节关键在于调整电子束作用于测试结构表面的时间，其中一种实现方法如下：着陆电压能量：1000eV，电流：30nA，像素尺寸：60nm。
本发明的原理为，利用此类缺陷对特殊结构敏感，可以被离子击穿，以及电子束检测仪对表面材质结构敏感的特性，建立测试结构，通过电子束检测仪进行检查。此类缺陷对特殊结构敏感，即此类缺陷在某种特定位置更容易产生，由于此位置为窄的有源区与多晶硅形成的沟槽的结合处，而且多晶硅沟槽在此位置最小，此种结构由于有源区与隔离层之间的高低差较其他位置更大，从而导致后续的抗反射层的厚度更大，最终更容易产生刻蚀的缺陷。该方法能够及时有效地检测在线产品的缺陷问题，减少产品影响。
在优选的实施例中，如图3a和图3b所示，步骤1测试结构包括：有源区2、多晶硅1和栅氧化层3，有源区2上等间距的设有多条栅氧化层3，每条栅氧化层3上设有多晶硅1，多晶硅1宽度与栅氧化层3的宽度相同。
在优选的实施例中，多晶硅1线间距离与监控产品的多晶硅1的线间距离相同，有源区2结构与监控产品的有源区2结构相同，栅氧化层3的结构与监控产品的栅氧化层3结构相同。
在优选的实施例中，步骤2测试位置为不影响正常功能的空闲区，如切割道的位置。
在优选的实施例中，步骤2掩模层沉积于电容测试结构的有源区2、多晶硅1、栅氧化层3和P阱区（图4a中B）离子注入D区表面。
在优选的实施例中，步骤4离子击穿采用的离子杂质为N型或P型。
在优选的实施例中，离子杂质的剂量大于或等于后续正常流程中N型超浅结和N型源漏区离子注入D的剂量总和，离子注入D的深度与后续N型源流区离子注入D的深度相等。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：
步骤1.建立测试结构；
步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；
步骤3.采用刻蚀工艺对所述测试结构进行刻蚀；
步骤4.对刻蚀后的所述测试结构进行离子击穿；
步骤5.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述测试结构进行检测，判断所述测试结构的底部的多晶硅是否与有源区互联，若是则存在多晶硅底部刻蚀不足缺陷，若否则所述测试结构不存在刻蚀不足缺陷；
其中，所述测试位置为不影响正常功能的空闲区。
2.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤1所述测试结构包括：有源区、多晶硅和栅氧化层，所述有源区上等间距的设有多条所述栅氧化层，每条所述栅氧化层上设有多晶硅，所述多晶硅宽度与栅氧化层的宽度相同。
3.如权利要求2所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，所述多晶硅线间距离与监控产品的多晶硅的线间距离相同，所述有源区结构与所述监控产品的有源区结构相同，所述栅氧化层的结构与所述监控产品的栅氧化层结构相同。
4.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤2所述测试位置为切割道的位置。
5.如权利要求2所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤2所述掩模层沉积于所述测试结构的所述有源区、所述多晶硅和所述栅氧化层表面。
6.如权利要求1所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，步骤4所述离子击穿采用的离子杂质为N型。
7.如权利要求6所述采用离子击穿检测多晶硅底部刻蚀不足缺陷的方法，其特征在于，所述离子杂质的剂量大于或等于后续正常流程中N型超浅结和N型源漏区离子注入的剂量总和，离子注入的深度与后续N型源流区离子注入的深度相等。
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