CN106531858A - 紫外led封装方法 - Google Patents
紫外led封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106531858A CN106531858A CN201611254900.4A CN201611254900A CN106531858A CN 106531858 A CN106531858 A CN 106531858A CN 201611254900 A CN201611254900 A CN 201611254900A CN 106531858 A CN106531858 A CN 106531858A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultraviolet led
- cover plate
- substrate
- plasma
- spraying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 67
- 229940040145 liniment Drugs 0.000 claims description 50
- 239000000865 liniment Substances 0.000 claims description 50
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 22
- -1 carbon fluoride compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 12
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 10
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 10
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N [C].[F] Chemical group [C].[F] PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种紫外LED封装方法，包括以下步骤：（11）、固晶步骤，将紫外LED芯片固设在基板腔体内的固晶区内；（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED芯片表面及基板腔体内进行等离子镀膜；（14）、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。本发明的紫外LED封装方法，能够为紫外LED芯片再次增加一层保护薄膜，可以延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间。采用透紫外光的盖板将基板腔体的口部密封，避免了环氧树脂或者硅胶耐紫外光性能较差出光效率低的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域，具体地说，涉及一种紫外LED封装方法。
背景技术
紫外LED裸芯片封装技术主要有两种形式：一种是板上芯片(Chip On Board,COB)技术，另一种是倒装片技术。就COB工艺而言，半导体芯片是通过固晶程序将晶片交接贴装在基板上，再进行打线将芯片与基板间进行电连接，最后用树脂滴灌在芯片上，当树脂以流体方式完全在芯片及支架表面覆盖后进行固化，完成封装，目前常用的环氧树脂或者硅胶与LED芯片或者基板的连接处长时间使用由于老化等原因容易裂开，导致密封性能丧失，外界空气直接与芯片接触，影响芯片的性能。
此外，就目前的树脂封装工艺来说，例如常用的环氧树脂或者硅胶，但紫外光对材料的老化影响较大，使其工作过程中出现黑斑，影响LED 器件的性能，缩短LED 器件的寿命。
发明内容
本发明为了解决现有紫外LED封装方法所采用的材质易老化，密封性能丧失后直接影响到芯片性能的技术问题，提出了一种紫外LED封装方法，可以解决上述问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种紫外LED封装方法，包括以下步骤：
（11）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物；
（14）、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。
进一步的，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯，的至少一种。
进一步的，步骤（13）中向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
进一步的，步骤（13）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜。
进一步的，步骤（13）中，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。
本发明同时提出了另外一种紫外LED封装方法，包括以下步骤：
（21）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（22）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（23）、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。
（24）、等离子镀膜步骤，将封有盖板的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子镀膜，在所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，所保护薄膜的成分为碳氟类化合物。
进一步的，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
进一步的，所述喷涂剂还添加有二氧化硅，所述二氧化硅在喷涂剂中成份比例为5%-25%。
进一步的，步骤（24）中喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
进一步的，步骤（24）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生等离子体聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积到盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。
与现有技术相比，本发明的优点和积极效果是：本发明的紫外LED封装方法，首先，通过向紫外LED 芯片表面及基板腔体内或者盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处进行等离子体镀膜，能够为紫外LED芯片再次增加一层保护薄膜，当等离子体薄膜附着在紫外LED 芯片表面及基板腔体内时，可以在盖板密封性能丧失时涂层可以防止紫外LED芯片与空气接触，起到二道防线的作用，当等离子体薄膜附着在盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处时，可以延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间。其次，将喷涂剂雾化并生成等离子态，发生等离子体聚合反应，产生的聚合物沉积到芯片和基板表面或者盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处，形成的保护薄膜更加均匀，且保护膜的密度高，保护效果好，通过将喷涂室抽成低压真空状态，减少了空气中杂质的含量，提高了涂层的洁净度。再次，采用透紫外光的盖板将基板腔体的口部密封，避免了环氧树脂或者硅胶耐紫外光性能较差出光效率低的问题。
结合附图阅读本发明实施方式的详细描述后，本发明的其他特点和优点将变得更加清楚。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明所提出的紫外LED封装方法的一种实施例流程图；
图2是实施例一中紫外LED封装的结构示意图；
图3是本发明所提出的紫外LED封装方法的另外一种实施例流程图；
图4是实施例二中紫外LED封装的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
紫外LED具有发光功率低，紫外光对材料的老化影响大的特点，因此，对紫外LED的封装从工艺到选材都受到严格限制，目前常采用的环氧树脂封装，材料在紫外光的照射下极易氧化，导致密封性能丧失，外界空气直接与芯片接触，影响芯片的性能，而且出光效率低，若采用金属与玻璃透镜封装，必须解决盖板与芯片基板间的密封难题。由于焊接前芯片已完成固晶和打线过程，焊接工艺温度受到很大限制(LED芯片承受温度低于260℃，时间低于3秒)，采用粘胶工艺虽然温度低，但难以形成气密封装，影响LED器件性能与可靠性。基于以上种种限制，本发明提出的紫外LED封装方法，可以解决上述问题，下面以具体实施例详细说明。
实施例一
本实施例提出了一种紫外LED封装方法，如图1所示，包括以下步骤：
S11、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
本实施例是采用板上芯片封装技术，如图2所示，包括基板11，基板11上具有用于容置芯片12的腔体13。
S12、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
S13、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物，形成如图2所示的涂层15；
在封装盖板之前，首先，通过向紫外LED 芯片表面及基板腔体内增加等离子体薄膜，具有抗氧化、耐热性、耐低温性的特点，为紫外LED芯片再次增加一层保护薄膜，可以在盖板密封性能丧失时涂层可以防止紫外LED芯片与泄露进来的空气直接接触，起到二道防线的作用，其次，通过将喷涂剂转化成等离子态喷涂，在高频电磁场作用下，使雾化液滴直径变小、变均匀，进而可以提高涂层的密度，同时使得涂层更加均匀。再次，通过在低压真空的环境下喷涂，减少了空气中杂质的含量，提高了涂层的洁净度，附着力强。
S14、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。在喷完喷涂剂后，将基板取出，在常压下封盖板，本实施例的封装方式采用盖板14将腔体13封装，避免了环氧树脂或者硅胶耐紫外光性能较差、容易丧失气密性以及出光效率低的问题。
其中，石英材质具有抗紫外能力强，对紫外光的出光率高的特点，盖板优选采用石英盖板实现。
其中，喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
步骤S13中向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。通过向喷涂室内充入惰性气体，可以进一步减小喷涂时被封入涂层内的空气的含量，相应空气中杂质的含量也减少，而且，可以将部分惰性气体封入至涂层中，可以起到进一步保护芯片的作用，减少芯片与空气接触的可能性，该惰性气体优选采用氦气，当然，也可以采用其他惰性气体实现。
本实施例步骤S13中的喷涂具体实现方式可以为：将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜。
步骤S13中，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，涂层的厚度不易过低，否则将会丧失保护作用或者保护作用差，同样厚度也不宜过高，否则将会影响紫外光的出光率，本实施例中优选使得涂层的厚度为30-70nm，能够实现两者兼顾。
作为一个优选实施例，步骤S13中，真空度抽到20mt，喷涂剂流量为40sccm，处理时间20min，形成的涂层，其紫外出光率为80%。
为了解决盖板的密封问题，还可以在常温下对盖板采用胶粘的方式将其与基板密封固定，然后，再将封装好的紫外LED再次进行等离子镀膜，将封装好的紫外LED置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分同样为碳氟类化合物。通过等离子体镀膜在盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处时，可以延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间。由于本喷涂步骤用于增强盖板的密封性，其喷涂厚度一般较往芯片上喷涂的厚度大，相应作用时间长一些或者喷涂剂的流量大一些。
实施例二
本实施例提出了另外一种紫外LED封装方法，如图3所示，包括以下步骤：
S21、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
本实施例是采用板上芯片封装技术，如图4所示，包括基板11，基板11上具有用于容置芯片12的腔体13。
S22、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
S23、封盖板步骤，将透紫外光的盖板密封在基板腔体的口部。
S24、等离子镀膜步骤，将封有盖板的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，向盖板14的表面以及盖板14与基板11的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子镀膜，在盖板14的表面以及盖板14与基板11的接缝侧壁处形成保护薄膜，所保护薄膜的成分为碳氟类化合物，形成图4所示的涂层15。
与实施例一中不同的是，本方法在常温下对盖板采用胶粘的方式将其与基板密封固定后，直接将喷涂剂喷涂在盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处进行等离子喷涂，用于延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间，解决了常温或者低温（低于LED芯片承受温度260℃）下盖板的密封问题。
由于芯片上没有喷涂涂层，因此，可以提高紫外光的出光率。
喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
为了进一步提高透光率，优选在喷涂剂中还添加有二氧化硅，二氧化硅在喷涂剂中成份比例为5%-25%。
步骤S24中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生等离子体聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积到盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。由于本位置的镀膜主要用于解决盖板的密封问题，可以适当的把厚度较直接在芯片上镀膜时的厚度增加，同时为了保证不影响出光，也不应过高，实验表明，将厚度控制在30-70nm可以既能延缓盖板的老化，延长盖板的密封时间，又不影响出光。
例如：封装好盖板后，对盖板上表面进行等离子喷涂处理，采用未添加二氧化硅的喷涂剂，将真空度抽到10mt，喷涂剂流量为60sccm，处理时间50min，形成的涂层，其透光率为75%。
同样条件下，封装好盖板后，对盖板上表面进行等离子喷涂处理，采用添加二氧化硅的喷涂剂，将真空度抽到10mt，喷涂剂流量为60sccm，处理时间50min，形成的涂层透光率为可达到90%。
采用上述工艺形成的涂层厚度约30-70nm，其耐温范围为-50至300摄氏度。
步骤S24中喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。通过向喷涂室内充入惰性气体，可以进一步减小喷涂时被封入涂层内的空气的含量，相应空气中杂质的含量也减少，而且，可以将部分惰性气体封入至涂层中，可以减缓粘胶的老化，起到进一步增加盖板与基板之间密封性的作用。
当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（11）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物；
（14）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部。
2.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
3.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
4.根据权利要求1-3任一项所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜。
5.根据权利要求4所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。
6.一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（21）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（22）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（23）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部；
（24）、等离子镀膜步骤，将封有盖板的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子镀膜，在所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，所保护薄膜的成分为碳氟类化合物。
7.根据权利要求6所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
8.根据权利要求7所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂还添加有二氧化硅，所述二氧化硅在喷涂剂中成份比例为5%-25%。
9.根据权利要求6所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（24）中喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
10.根据权利要求6-9任一项所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（24）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生等离子体聚合反应，产生的聚合物均匀沉积到盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611254900.4A CN106531858B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 紫外led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611254900.4A CN106531858B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 紫外led封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106531858A true CN106531858A (zh) | 2017-03-22 |
| CN106531858B CN106531858B (zh) | 2019-03-05 |
Family
ID=58335829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611254900.4A Active CN106531858B (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 紫外led封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106531858B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110190157A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有抗硫化液的led防硫化封装工艺 |
| CN110190166A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有脱模剂的led防硫化封装工艺 |
| CN110190165A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有抗硫化液和脱模剂的led防硫化封装工艺 |
| CN110523558A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种涂布机构 |
| CN111110885A (zh) * | 2018-11-01 | 2020-05-08 | 光磊科技股份有限公司 | 紫外线led封装结构 |
| EP3664166A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-10 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting package structure and method of manufacturing the same |
| US11462524B2 (en) | 2019-06-13 | 2022-10-04 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting structure |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1399502A (zh) * | 2001-07-20 | 2003-02-26 | Lg电子株式会社 | 平板显示器及在其中形成保护层的方法 |
| JP2003142475A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20030186537A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating electronic device |
| CN1467798A (zh) * | 2002-06-24 | 2004-01-14 | �����ɷ� | 在图案化材料上形成高分子层的方法 |
| US20080038926A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process |
| CN102881802A (zh) * | 2011-07-11 | 2013-01-16 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN104576414A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-29 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种倒装焊耐潮湿防护工艺方法 |
| CN105679964A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 有机电致发光器件的封装结构及方法 |
| CN105986245A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-10-05 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 改善mocvd反应工艺的部件及改善方法 |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201611254900.4A patent/CN106531858B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1399502A (zh) * | 2001-07-20 | 2003-02-26 | Lg电子株式会社 | 平板显示器及在其中形成保护层的方法 |
| JP2003142475A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20030186537A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating electronic device |
| CN1467798A (zh) * | 2002-06-24 | 2004-01-14 | �����ɷ� | 在图案化材料上形成高分子层的方法 |
| US20080038926A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process |
| US7449414B2 (en) * | 2006-08-07 | 2008-11-11 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process |
| CN102881802A (zh) * | 2011-07-11 | 2013-01-16 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN104576414A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-29 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种倒装焊耐潮湿防护工艺方法 |
| CN105986245A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-10-05 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 改善mocvd反应工艺的部件及改善方法 |
| CN105679964A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 有机电致发光器件的封装结构及方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111110885A (zh) * | 2018-11-01 | 2020-05-08 | 光磊科技股份有限公司 | 紫外线led封装结构 |
| EP3664166A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-10 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting package structure and method of manufacturing the same |
| US11522109B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-12-06 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting package structure and method of manufacturing the same |
| CN110190157A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有抗硫化液的led防硫化封装工艺 |
| CN110190166A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有脱模剂的led防硫化封装工艺 |
| CN110190165A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-30 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种具有抗硫化液和脱模剂的led防硫化封装工艺 |
| US11462524B2 (en) | 2019-06-13 | 2022-10-04 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting structure |
| CN110523558A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种涂布机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106531858B (zh) | 2019-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106531858B (zh) | 紫外led封装方法 | |
| CN104505465B (zh) | Oled封装结构及其封装方法 | |
| US7723162B2 (en) | Method for producing shock and tamper resistant microelectronic devices | |
| CN205406561U (zh) | 一种紫外led器件封装装置 | |
| TWI271833B (en) | Packaging structure of display device and method thereof | |
| CN104505466A (zh) | Oled封装结构及其封装方法 | |
| CN107623085A (zh) | Oled面板的封装方法及封装结构 | |
| CN104979447B (zh) | 倒装led封装结构及制作方法 | |
| CN103137833A (zh) | 一种led封装方法及结构 | |
| WO2014153892A1 (zh) | 基板封装方法 | |
| WO2015180232A1 (zh) | Oled基板的封装方法及oled结构 | |
| CN104576905A (zh) | 芯片安装方法以及芯片封装体 | |
| WO2017000440A1 (zh) | Oled封装方法及oled器件 | |
| CN103943763B (zh) | 一种倒装led芯片的封装结构及方法 | |
| CN102044621B (zh) | 发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法 | |
| CN105280783A (zh) | 一种紫外led器件 | |
| CN106025096B (zh) | 封装结构及封装方法 | |
| CN106449371A (zh) | 等离子体清洗方法、封装方法、功率模块和空调器 | |
| WO2023151379A1 (zh) | 一种紫外灯珠封装结构及其制备方法 | |
| CN110707199A (zh) | 一种深紫外led器件及其封装方法 | |
| CN103346234A (zh) | 一种led封装结构及其封装方法 | |
| CN201478293U (zh) | 芯片倒扣焊封装的气密密封结构 | |
| CN211404527U (zh) | 一种无机灯珠 | |
| CN105098044B (zh) | 具有倒装结构的led封装器件及其制造方法 | |
| CN104485319B (zh) | 用于感光芯片的封装结构及工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |