CN105280783A - 一种紫外led器件 - Google Patents
一种紫外led器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105280783A CN105280783A CN201510795975.2A CN201510795975A CN105280783A CN 105280783 A CN105280783 A CN 105280783A CN 201510795975 A CN201510795975 A CN 201510795975A CN 105280783 A CN105280783 A CN 105280783A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led device
- metal level
- glass cover
- plate
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical group CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 3
- -1 UV LED chip Substances 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000037351 starvation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种紫外LED器件,包括陶瓷基座、紫外LED芯片、玻璃盖板,所述陶瓷基座具有一容腔,容腔上部设有一凹槽,所述紫外LED芯片固定于容腔底部,所述玻璃盖板位于所述凹槽内,所述陶瓷基座的凹槽侧壁设有金属层一,所述玻璃盖板的外周具有金属层二,通过金属层一和金属层二的熔封实现紫外LED器件的气密封接。本发明通过在陶瓷基座和玻璃盖板的结合部,设置金属层,通过金属层的低温熔封可以实现紫外LED芯片的全无机封装,进一步的,配合容腔内的真空处理或者保护气体保护,气密性好,耐腐蚀,耐紫外,延长了器件使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于LED封装技术,具体涉及一种紫外LED器件结构,可提高紫外LED封装效率与可靠性。
背景技术
对于大功率LED封装而言,为了保护LED芯片,同时降低界面全反射,提高LED出光效率,通常在LED芯片表面涂覆一层折射率较高的封装胶(环氧树脂或硅胶)。此外,为了得到白光LED,一般将荧光粉与封装胶混合,然后涂覆在蓝光LED芯片上。但对于紫外LED芯片封装而言,封装胶很容易受到紫外光辐射而老化,使发光效率降低,影响LED器件性能与可靠性。因此,对于紫外LED封装(特别是波长小于300nm的深紫外LED的封装),必须采用无胶的封装方案。由于玻璃具有物化性能稳定(如耐热性和抗湿性好,透明度高,耐腐蚀等)、生产工艺简单、成本低等优点,是一种非常理想的光学材料。近年来,国内外开始采用玻璃取代高分子胶来封装LED,特别是紫外LED器件封装。但对于采用玻璃封装LED芯片而言,必须解决玻璃片与芯片基座间的焊接难题。由于焊接前LED芯片已完成固晶和打线过程,焊接工艺温度受到很大限制(LED芯片承受温度低于260℃,时间低于3秒)。采用粘胶工艺虽然温度低,但难以形成气密封装,影响LED器件性能与可靠性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:本发明提供一种紫外LED器件,所述紫外LED器件实现全无机气密封装,耐紫外、耐潮湿、耐腐蚀,气密性好。
本发明解决其技术问题的解决方案是:一种紫外LED器件,包括陶瓷基座、紫外LED芯片、玻璃盖板,所述陶瓷基座具有一容腔,容腔上部设有一凹槽,所述紫外LED芯片固定于容腔底部,所述玻璃盖板位于所述凹槽内,所述陶瓷基座的凹槽侧壁设有金属层一,所述玻璃盖板的外周具有金属层二,通过金属层一和金属层二的熔封实现紫外LED器件的气密封接。
作为对本发明所述技术方案的一种改进,所述陶瓷基座的容腔内填充有保护性气体或真空。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述玻璃盖板为透过率>80%,折射率为1.4~1.6的玻璃盖板,以便减少折射率差别,提高出光率。
作为本发明上述技术方案的一种改进,所述玻璃盖板为硼硅玻璃盖板或钠钙硅玻璃盖板。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述金属层一通过共烧、溅射或蒸镀方法形成,为铜膜层、锡膜层或银膜层。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述金属层一的厚度为10-30μm。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述金属层二通过压合、电镀或化学镀形成,为锡基合金材料。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述金属层二为Sn、CuSn、SnAgCu、AuSn或AgSn金属层。
作为本发明所述技术方案的一种改进,所述金属层二的厚度为10~200μm。
本发明的有益效果是:本发明通过在陶瓷基座和玻璃盖板的结合部,设置金属层,通过金属层的低温熔封可以实现紫外LED芯片的全无机封装,进一步的,配合容腔内的真空处理或者保护气体保护,气密性好,耐腐蚀,耐紫外,延长了器件使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然,所描述的附图只是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。
图1是本发明的紫外LED器件结构示意图;
图2是本发明的紫外LED器件装配示意图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述,以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本发明的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本发明保护的范围。另外,文中所提到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
参照图1~2,一种紫外LED器件,包括陶瓷基座2、紫外LED芯片3、玻璃盖板1,陶瓷基座2具有一容腔4,容腔4上部设有一凹槽5,紫外LED芯片3固定于容腔4底部,玻璃盖板1位于凹槽5内,陶瓷基座的凹槽5的侧壁设有金属层一6,玻璃盖板1的外周具有金属层二7,通过金属层一6和金属层二7的熔封实现紫外LED器件的气密封接。
陶瓷基座2的容腔4内可以是空气,优选填充有保护性气体或者真空,其起到保护芯片,隔绝氧气和水汽对芯片的损害的作用。如保护性气体可以是氮气、氩气等。
陶瓷基座2可以是常用于LED封装的任意陶瓷基座,优选为氧化铝陶瓷基座,强度、散热、耐腐蚀等各方面综合性能较佳。
玻璃盖板1优选为透过率>80%,折射率为1.4~1.6的玻璃盖板,以便减少折射率差别,保证最终封装后器件的出光率。可以但不限于,钠钙硅玻璃、硼硅玻璃等。
陶瓷基座2凹槽5侧壁的金属层一6,可以通过共烧、溅射或蒸镀方法形成,为铜膜层、锡膜层或银膜层。此处所述的铜膜层、锡膜层、银膜层并不包括仅仅由铜、锡或银形成的金属层,还包括以铜、锡、银为主要成分的合金形成的膜层。优选地,金属层一6的厚度为10-30μm,如可以是10μm、20μm、25μm、30μm等。
所述的共烧是在陶瓷基座烧制过程中,引入金属,然后和陶瓷共烧,最后得到金属层一。或者通过真空溅射、蒸镀等方法在烧成后的陶瓷基座表面形成金属层一。
玻璃盖板1外周的金属层二7,可以通过压合、电镀或化学镀形成,优选为锡基合金材料,以具有交底的熔点,便于焊接。优选地,金属层二7为Sn、CuSn、SnAgCu、AuSn或AgSn金属层。厚度可以在10-200μm,根据采用的工艺、材料及配合金属层一6的材料来选择。
本发明的紫外LED器件装配时,可以按照以下步骤:
1)烧制陶瓷基座2;
2)对陶瓷基座2进行金属化处理,使得其凹槽5侧表面具有金属层一6;
3)将紫外LED芯片3通过固晶、打线工艺固定在陶瓷基座2的容腔4内;
4)制备玻璃盖板1,玻璃盖板1的尺寸与凹槽5的尺寸相当,并在其外周设置金属层二7,金属层二7为锡基合金形成;
5)通过激光加热或者高频感应加热局部熔融金属层一6和金属层二7,实现玻璃盖板1和陶瓷基座2的气密封装。同时可以在熔封过程中,对容腔4内进行抽真空,或者填充保护性气体处理。
需要特别说明的是,虽然本发明只针对紫外LED封装进行了说明和例证,但本发明的封装结构同样适合不宜采用有机材料(如环氧和硅胶)封装的白光LED器件制造,解决这些白光LED器件在恶劣环境(如高温、高湿等)下材料易老化变质的问题。
以上对本发明的较佳实施方式进行了具体说明,但本发明创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换,这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种紫外LED器件,包括陶瓷基座、紫外LED芯片、玻璃盖板,其特征在于,所述陶瓷基座具有一容腔,容腔上部设有一凹槽,所述紫外LED芯片固定于容腔底部,所述玻璃盖板位于所述凹槽内,所述陶瓷基座的凹槽侧壁设有金属层一,所述玻璃盖板的外周具有金属层二,通过金属层一和金属层二的熔封实现紫外LED器件的气密封接。
2.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述陶瓷基座的容腔内填充有保护性气体或真空。
3.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座。
4.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述玻璃盖板为透过率>80%,折射率为1.4~1.6的玻璃盖板。
5.根据权利要求4所述的紫外LED器件,其特征在于,所述玻璃盖板为硼硅玻璃盖板或钠钙硅玻璃盖板。
6.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述金属层一通过共烧、溅射或蒸镀方法形成,为铜膜层、锡膜层或银膜层。
7.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述金属层一的厚度为10-30μm。
8.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述金属层二通过压合、电镀或化学镀形成,为锡基合金材料金属层。
9.根据权利要求8所述的紫外LED器件,所述金属层二为Sn、CuSn、SnAgCu、AuSn或AgSn金属层。
10.根据权利要求1所述的紫外LED器件,其特征在于,所述金属层二的厚度为10~200μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510795975.2A CN105280783A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 一种紫外led器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510795975.2A CN105280783A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 一种紫外led器件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105280783A true CN105280783A (zh) | 2016-01-27 |
Family
ID=55149454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510795975.2A Pending CN105280783A (zh) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 一种紫外led器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105280783A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845814A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-10 | 华中科技大学 | 一种紫外led封装结构及其制作方法 |
CN106935695A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-07-07 | 广东工业大学 | 一种紫外led器件 |
CN107104155A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-08-29 | 苏州苏纳光电有限公司 | 探测器及其封装方法 |
CN109075231A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-12-21 | 日机装株式会社 | 光半导体装置的制造方法 |
CN110645490A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 周孔礼 | 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103137833A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-05 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led封装方法及结构 |
CN103325923A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-09-25 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led及其封装方法 |
CN104037316A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-09-10 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led无机封装支架及其封装方法 |
CN104037280A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-09-10 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种全无机贴片led封装方法及封装结构 |
CN205319182U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-06-15 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 一种紫外led器件 |
-
2015
- 2015-11-18 CN CN201510795975.2A patent/CN105280783A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103137833A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-05 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led封装方法及结构 |
CN103325923A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-09-25 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led及其封装方法 |
CN104037316A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-09-10 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led无机封装支架及其封装方法 |
CN104037280A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-09-10 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种全无机贴片led封装方法及封装结构 |
CN205319182U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-06-15 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 一种紫外led器件 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845814A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-10 | 华中科技大学 | 一种紫外led封装结构及其制作方法 |
CN105845814B (zh) * | 2016-05-04 | 2019-03-05 | 华中科技大学 | 一种紫外led封装结构及其制作方法 |
CN109075231A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-12-21 | 日机装株式会社 | 光半导体装置的制造方法 |
CN109075231B (zh) * | 2016-12-07 | 2021-02-12 | 日机装株式会社 | 光半导体装置的制造方法 |
CN106935695A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-07-07 | 广东工业大学 | 一种紫外led器件 |
CN107104155A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-08-29 | 苏州苏纳光电有限公司 | 探测器及其封装方法 |
CN110645490A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 周孔礼 | 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN205319182U (zh) | 一种紫外led器件 | |
CN105428472A (zh) | 一种紫外led器件的制造方法 | |
CN203857313U (zh) | 一种高光效的led球泡灯 | |
CN105280783A (zh) | 一种紫外led器件 | |
CN106299084B (zh) | Led封装结构 | |
JP4979299B2 (ja) | 光学装置及びその製造方法 | |
CN204130585U (zh) | 一种紫外led器件 | |
CN209896097U (zh) | 一种深紫外led全无机气密封装结构 | |
CN103994349A (zh) | 高光效的led球泡灯 | |
CN204333010U (zh) | 发光元件封装结构 | |
CN105789411B (zh) | 发光器件封装和具有发光器件封装的照明装置 | |
CN106935695A (zh) | 一种紫外led器件 | |
CN102751274A (zh) | 一种立体包覆封装的led芯片 | |
JP5307364B2 (ja) | 蛍光体含有ガラスの製造方法及び固体素子デバイスの製造方法 | |
CN106784243B (zh) | 一种深紫外led封装器件及其制备方法 | |
CN103972378A (zh) | 一种led发光装置及其封装方法 | |
CN109473512B (zh) | 一种全无机led灯及其封装方法 | |
CN103682047B (zh) | 一种led无机封装用盖板 | |
CN103325923B (zh) | 一种led及其封装方法 | |
CN103137833A (zh) | 一种led封装方法及结构 | |
CN105895781A (zh) | 一种蓝光led倒装芯片的封装结构和封装方法 | |
CN108365075A (zh) | 具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法 | |
CN103872212B (zh) | 一种led封装方法 | |
CN103985807B (zh) | 无机基板及其制造方法 | |
CN104037302B (zh) | 一种led封装组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160127 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |