CN103872212B - 一种led封装方法 - Google Patents
一种led封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103872212B CN103872212B CN201410038439.3A CN201410038439A CN103872212B CN 103872212 B CN103872212 B CN 103872212B CN 201410038439 A CN201410038439 A CN 201410038439A CN 103872212 B CN103872212 B CN 103872212B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- etching groove
- etching
- glue
- metal etch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Abstract
本发明适用于LED封装技术领域,提供了一种LED封装方法,所述封装方法先于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽,接着将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁,之后于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化,再于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明硅胶并使之固化,然后于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相连通的第二半蚀刻槽,最后切割出各LED。这样封装而成的LED,其晶片电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡,使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度,完全等同于注塑成型的支架使用方式。
Description
技术领域
本发明属于LED封装技术领域,尤其涉及一种LED封装方法。
背景技术
白光LED产品的封装方式是将LED晶片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上,采用金线将晶片的正极连接于支架的正极,晶片的负极连接于支架的负极,再填充符合目标色区的荧光粉。由于支架、晶片胶体的热膨胀系数不同,在支架、固晶胶、金线、胶体等方面容易出现可靠性问题,且LED支架种类繁多,粘接支架正负极的材质为PPA,PCT,EMC材质,在耐高温性,气密性均有较大缺陷,而影响LED产品可靠性;陶瓷支架具有较好的耐高温性和较好的气密性,但支架成本接近晶片成本,且陶瓷支架封装LED制费昂贵,设备投入大,产能小。总之,支架封装结构的LED照明产品在可靠性,使用寿命,产品价格方面均是LED照明产品替代传统照明的较大阻碍。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种LED封装方法,旨在解决现有封装方法所制LED可靠性低的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种LED封装方法,包括以下步骤:
于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽;
将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁;
于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化;
于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化;
于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽;
切割出各LED;
其中,所述第二半蚀刻槽的宽度大于第一半蚀刻槽的宽度,所述第二半蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极。
本发明实施例先于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽,接着将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁,之后于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化,再于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明硅胶并使之固化,然后于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相连通的第二半蚀刻槽,最后切割出各LED。这样封装而成的LED,其晶片电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡,使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度,完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架,而具有极高的可靠性。此外,本LED封装成本极低。
附图说明
图1是本发明实施例提供的LED封装方法的实现流程图;
图2是金属蚀刻片蚀刻出第一半蚀刻槽的结构示意图;
图3是LED覆晶晶片的结构示意图;
图4是LED覆晶晶片共晶焊于第一半蚀刻槽两旁的结构示意图;
图5是于图4所示LED覆晶晶片表面涂覆荧光胶的结构示意图;
图6是于固设LED覆晶晶片的区域周围蚀刻用以规范荧光胶的凹槽的结构示意图;
图7是于图6所示LED覆晶晶片表面涂覆荧光胶的结构示意图;
图8是于图5所示金属蚀刻片上布设透明封装胶的结构示意图(剖视图);
图9是于图5所示金属蚀刻片上布设透明封装胶的结构示意图(俯视图);
图10是于金属蚀刻片底部蚀刻出第二半蚀刻槽的结构示意图;
图11是从图10所示半成品切割出各LED的结构示意图;
图12是于图10所示第二半蚀刻槽内填充防焊材料的结构示意图;
图13是从图12所示半成品切割出各LED的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例先于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽,接着将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁,之后于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化,再于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明硅胶并使之固化,然后于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相连通的第二半蚀刻槽,最后切割出各LED。这样封装而成的LED,其晶片电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡,使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度,完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架,而具有极高的可靠性。此外,本LED封装成本极低。
图1示出了本发明实施例提供的LED封装方法的实现流程,详述如下。
在步骤S101中,于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽。
本发明实施例于金属蚀刻片1上部蚀刻多条相互平行的第一半蚀刻槽2,所述第一半蚀刻槽2的宽度等于LED覆晶晶片3正、负极间的最短距离,便于后续工序焊接所述LED覆晶晶片3,所述第一半蚀刻槽2的深度略大于LED覆晶晶片3正、负极间的最短距离,如图2、3所示。其中,所述金属蚀刻片1的厚度优选为50~500mm。因所制LED产品尺寸决定于蚀刻片的正、负极的尺寸,这样容易制成与常规LED封装产品同等大小的蚀刻片支架的封装产品。
在步骤S102中,将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁。
本发明实施例先获取多个LED覆晶晶片3,然后将各LED覆晶晶片3的正、负电极共晶焊于所述第一半蚀刻槽2的两旁,如图4所示。应当说明的是,所述LED覆晶晶片3的正、负电极均位于其底部,其中一个为正电极,另一个为负电极。
在步骤S103中,于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化。
本发明实施例于所述金属蚀刻片1上涂覆覆盖LED覆晶晶片3的荧光胶4并使之固化,如图5~7所示。具体地,申请人可采用其在文献号为CN102544260A的专利申请文件中公开的在LED覆晶晶片表面涂覆荧光胶的方法。如果采用凹槽6规范所述荧光胶4,在蚀刻所述第一半蚀刻槽2时,于固设所述LED覆晶晶片3的区域周围蚀刻凹槽6,如图6所示。其中,所述荧光胶4的厚度优选为0.03~0.5mm。因所述荧光胶4具有一定粘度及表面张力,其不会沿所述第一半蚀刻槽2往外流。
在步骤S104中,于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化。
本发明实施例于所述金属蚀刻片1上成型覆盖所述荧光胶4的透明封装胶7并使之固化,如图8、9所示。其中,所述透明封装胶7还填充于第一半蚀刻槽2。为增强LED产品的光斑均匀性,于所述透明封装胶7内掺杂一定比例的二氧化硅粉末。此外,各LED8上表面由所述透明封装胶7成型为弧面。同样地,因所述透明封装胶7具有一定粘度及表面张力,其不会沿所述第一半蚀刻槽2往外流。
在步骤S105中,于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽。
为完全分离正、负极,且保证LED产品底部的正、负极之间的距离适合于贴片焊接。此处于所述金属蚀刻片1底部蚀刻与第一半蚀刻槽2相通的第二半蚀刻槽9,如图10所示。其中,所述第二半蚀刻槽9的宽度(0.2~0.5mm)大于第一半蚀刻槽2的宽度,所述第二半蚀刻槽2两旁的金属蚀刻片分别用作LED8的正、负极。
在步骤S106中,切割出各LED。
本发明实施例在切割出各LED8之前,于所述第二半蚀刻槽9内填充防焊材料10(如防焊硅胶),如图11~13所示。首先有助于LED8正、负极金属片的粘接,提升整个LED8的可靠性;其次保证了应用端焊锡膏不会短路。
综上,本发明实施例提供的LED封装方法具有如下优点:
1、LED覆晶晶片底部电极共晶于金属蚀刻片上,封装工艺制程稳定、方便;
2、涂覆、成型荧光胶和透明封装胶在金属蚀刻片上进行,物料利用率高,降低封装成本;
3、由此封装而成的LED仅由硅胶、金属电极片、覆晶晶片及涂覆在晶片表面的荧光胶,物料简单、稳定,相应地LED产品可靠性佳。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种LED封装方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽;
将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁;
于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化;
于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化;
于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽;
切割出各LED;
其中,所述第二半蚀刻槽的宽度大于第一半蚀刻槽的宽度,所述第二半蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极;
切割出各LED之前,于所述第二半蚀刻槽内填充防焊硅胶;所述第一半蚀刻槽的宽度等于LED覆晶晶片正、负极间的距离;所述第一半蚀刻槽的深度略大于LED覆晶晶片的正、负电极之间的最短距离。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在蚀刻所述第一半蚀刻槽时,于固设所述覆晶晶片的区域周围蚀刻用以规范荧光胶的凹槽。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述金属蚀刻片的厚度为50~500μm。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述荧光胶的厚度为30~500μm。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述透明封装胶填充于第一半蚀刻槽。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述透明封装胶内掺杂有二氧化硅粉末。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,各LED上表面由所述透明封装胶成型为弧面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410038439.3A CN103872212B (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | 一种led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410038439.3A CN103872212B (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | 一种led封装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103872212A CN103872212A (zh) | 2014-06-18 |
CN103872212B true CN103872212B (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=50910548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410038439.3A Active CN103872212B (zh) | 2014-01-26 | 2014-01-26 | 一种led封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103872212B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104269488A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-01-07 | 江苏稳润光电有限公司 | 一种高可靠性led封装结构及方法 |
CN105449077B (zh) * | 2015-12-20 | 2018-01-26 | 合肥艾斯克光电科技有限责任公司 | 一种led灌封装置 |
CN105938869A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-14 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 |
CN109728153A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 芯片级封装led光源及其制作方法 |
CN108615803B (zh) * | 2018-06-22 | 2024-03-22 | 东莞长盛光电科技有限公司 | 高效增光型csp led及其制造工艺 |
CN112382712B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-05-17 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102104108A (zh) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管封装及其制造方法 |
CN102142504A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装、led封装的制造方法及包装部件 |
CN102544260A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种于led覆晶晶片表面涂覆荧光胶的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5704168B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-04-22 | Jnc株式会社 | 新規有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物、硬化樹脂および光半導体用封止材料 |
US20120261689A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Bernd Karl Appelt | Semiconductor device packages and related methods |
-
2014
- 2014-01-26 CN CN201410038439.3A patent/CN103872212B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102104108A (zh) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管封装及其制造方法 |
CN102142504A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装、led封装的制造方法及包装部件 |
CN102544260A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种于led覆晶晶片表面涂覆荧光胶的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103872212A (zh) | 2014-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103872212B (zh) | 一种led封装方法 | |
CN103855259B (zh) | Led封装方法 | |
CN104979447B (zh) | 倒装led封装结构及制作方法 | |
CN204130588U (zh) | 一种无封装芯片的cob光源 | |
TW201401565A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
CN102437273B (zh) | 利用表面改性实现无透镜封装的led封装器件及其方法 | |
CN103840063A (zh) | Led封装基板及其制作方法 | |
CN203746898U (zh) | 一种led封装体及照明装置 | |
CN107123721B (zh) | 一种带透镜式led封装结构及封装方法 | |
CN204204900U (zh) | 一种led封装结构 | |
CN209104187U (zh) | 一种led封装体 | |
CN205790054U (zh) | Emc倒装支架加一次封装透镜结构 | |
CN107819065A (zh) | 一种倒装led发光器件及其制备方法 | |
CN204885205U (zh) | 倒装led封装结构 | |
CN203746896U (zh) | Led | |
CN107256911B (zh) | 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法 | |
CN208157452U (zh) | 一种倒装led发光器件 | |
CN205028918U (zh) | 一种led支架及led封装体 | |
CN103855277B (zh) | Led封装方法 | |
CN103855281A (zh) | 一种led及其制备方法 | |
CN107331737A (zh) | 一种 led 封装方法 | |
CN103855293B (zh) | Led | |
CN102569535A (zh) | 发光二极管封装结构的制造方法 | |
CN207021284U (zh) | 一种带透镜式led封装结构 | |
CN103855283A (zh) | 一种led封装体及照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210119 Address after: 518000, 6th floor, building 1, Tianliao community, Gongming office, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Refond Optoelectronics Co.,Ltd. Address before: 201306 room 8650, building 1, 1758, Luchaogang Road, Luchaogang Town, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: SHANGHAI RUIFENG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |