CN105845814A - 一种紫外led封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种紫外LED封装结构及其制作方法，所述封装结构包括紫外LED芯片、玻璃盖板和陶瓷基座。所述玻璃盖板的上、下表面分别设有粗化结构，且所述玻璃盖板外沿设有金属层一；所述陶瓷基座内设有用于放置所述紫外LED芯片的凹槽，所述凹槽的底部形成有电路层，所述凹槽的槽壁的上表面设有金属层二；所述金属层二与金属层一通过感应局部加热工艺焊接在一起，使所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定连接。本发明解决了紫外LED封装中有机材料老化和气密性问题，通过玻璃双面粗化结构，有效降低了反射光损，提高了器件出光效率；采用感应局部加热焊接技术，降低了高温对LED芯片的热影响，提高了器件可靠性。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装技术相关领域，更具体地，涉及一种紫外LED封装结构及其制作方法。所述紫外LED封装结构具有较高的出光率及可靠性，不易被氧化，气密性较好；且其制作方法灵活性高，适用范围较广。
背景技术
紫外发光二极管(LED)相比传统紫外光源(如汞灯)具有节能环保、响应快、波长可控和效率高等优点，可应用于杀菌消毒、医疗美容、隐秘通讯和生化检测等领域。
白光LED封装通常是在LED芯片表面涂覆一层有机封装胶(如环氧树脂、硅胶等)，以保护LED芯片和提高出光效率。如图1所示，白光LED封装结构包括有硅胶层10、荧光粉胶层11、散热基座12、电路层13、金线14及蓝光LED芯片15，所述散热基座12开设有凹槽，所述凹槽的底部设置有所述电路层13。所述蓝光LED芯片15设置在所述凹槽内，且其表面涂覆有所述荧光粉胶层11。所述金线14电性连接所述电路层13及所述蓝光LED芯片15。所述硅胶层10将所述荧光粉胶层11、所述电路层13、所述金线14及所述蓝光LED芯片15封装在所述散热基座12的凹槽内。由于有机封装胶受紫外线影响容易老化且其是非气密的，易导致LED封装结构的性能和可靠性较低，难以满足紫外LED封装要求。
为了解决有机硅胶易老化和气密性问题，业界已经做了一些研究，如采用玻璃作为紫外LED器件的出光材料，采用玻璃透镜和平行焊缝技术，实现了紫外LED器件的气密封装，提高了可靠性，如图2所示。紫外LED封装结构包括玻璃透镜20、焊接件21、金属框22、陶瓷基板23、电路层24、金线25及紫外LED芯片26，所述陶瓷基板23上形成有电路层24，所述紫外LED芯片26设置在所述陶瓷基板23上，所述金线25电性连接所述电路层24及所述紫外LED芯片26。所述金属框22设置在所述陶瓷基板23上且围绕所述电路层24、所述金线25及所述紫外LED芯片26。所述焊接件21设置在所述金属框22远离所述陶瓷基板23的一侧上且固定连接所述金属框22及所述玻璃透镜20，所述玻璃透镜20将所述电路层24、所述金线25及所述紫外LED芯片26封装在所述金属框22与所述陶瓷基板23之间。但制备玻璃透镜的工艺复杂、成本高，且如图2所示的封装方式仅适合含规则外形焊框(如方形)的基板封装，使用局限性较大。对于直接采用玻璃盖板封装紫外LED器件，特别是对于圆片级紫外LED封装或阵列集成器件，由于平面玻璃的上下表面光滑，且玻璃与空气折射率差异较大，界面存在菲涅尔反射，从而影响LED器件出光效率。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种紫外LED封装结构及其制作方法，解决紫外LED器件易老化和气密封装问题，提高紫外LED器件的出光效率与可靠性。
为实现上述目的，本发明的技术方案为：
一种紫外LED封装结构，包括紫外LED芯片、玻璃盖板和陶瓷基座，其特征在于：
所述玻璃盖板的上、下表面分别设有粗化结构，且所述玻璃盖板的外沿设有金属层一；
所述陶瓷基座内设有用于放置所述紫外LED芯片的凹槽，在所述凹槽的底部设有电路层，所述凹槽的槽壁的上表面设有金属层二，所述金属层二与所述金属层一通过感应局部加热工艺焊接在一起，使所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定连接，确保了所述紫外LED封装结构的气密性及可靠性。
进一步的，所述玻璃盖板的材质为紫外玻璃，260-400nm紫外波段的光透过率大于80％，其热膨胀系数为4.5-5.5×10-6/℃，折射率为1.4-1.6。
进一步的，所述粗化结构为周期或随机排布在所述玻璃盖板上、下表面的纳米结构，所述纳米结构的形状为柱状、锥状和蛾眼状中的一种，且所述纳米结构的底部直径和间距均为50-100nm，高度为80-150nm。
进一步的，所述粗化结构为微纳米复合结构，其中微米结构的直径和间隔均为1-10μm，形状为半球状；纳米结构分布在所述微米结构的表面，其形状为柱状、锥状和蛾眼状中的一种，底部直径和间距均为50-100nm，高度为80-150nm。
进一步的，所述金属层二通过共烧工艺制备，其材质为可伐合金或因伐合金，厚度为10-30μm。
一种紫外LED封装结构的制作方法，包括以下步骤：
(1)通过刻蚀工艺在玻璃盖板的上、下表面制备粗化结构；
(2)利用半导体微加工工艺在玻璃盖板的外沿制备金属层一；
(3)通过固晶工艺将紫外LED芯片固定在陶瓷基座的凹槽内，并通过引线键合技术实现紫外LED芯片与电路层间的电互连；
(4)利用感应局部加热工艺将玻璃盖板与陶瓷基座焊接在一起。
进一步的，所述粗化结构的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)在所述玻璃盖板的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为5-10nm；
(3)对沉积有金层的所述玻璃盖板进行快速热退火，退火温度为500-800℃，退火时间为2-10min，以形成金纳米颗粒；
(4)以所述金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板进行干法刻蚀，得到纳米粗化结构。
进一步的，所述粗化结构的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)对所述玻璃盖板进行光刻、显影，并进行干法或湿法刻蚀，以形成微米结构；
(3)在所述微米结构的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为5-10nm；
(4)对沉积有金层的所述玻璃盖板进行快速热退火，退火温度为500-800℃，退火时间为2-10min，以形成金纳米颗粒；
(5)以所述金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板进行干法刻蚀，得到微纳米复合粗化结构。
进一步的，所述金属层一的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)在所述玻璃盖板的表面溅射一层Ti或Cr作为粘结层，所述粘结层的厚度为50-150nm；
(3)在所述粘结层上溅射Cu/Ag或Ni/Au作为结构层，Cu或Ni层厚度为200-500nm，Ag或Au层厚度为60-150nm；
(4)在所述玻璃盖板上进行光刻、显影，并图形电镀锡基焊料层，所述焊料层的材质为以下材质中的一种：Sn、CuSn、AuSn、AgSn、SnAgCu，其厚度为20-50μm；
(5)对电镀后的所述玻璃盖板进行湿法腐蚀，去除多余的所述粘结层和所述结构层，得到金属层一。
进一步的，实现所述金属层一及所述金属层二之间的焊接包括以下步骤：
(1)对玻璃盖板和陶瓷基座进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)将所述玻璃盖板上的金属层一与所述陶瓷基座上的金属层二对准、压紧；
(3)将对准压紧后的所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定在感应线圈中，使用高频感应加热，将金属层一与金属层二的焊接在一起，使所述玻璃盖板及所述陶瓷基座固定连接；
(4)对焊接后的所述玻璃盖板与所述陶瓷基座进行热处理，消除应力。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，主要具备以下的技术优点：
采用玻璃双面粗化结构，提高了紫外LED器件的出光效率；采用感应局部加热焊接技术，实现了紫外LED低温气密封装，提高了封装效率与可靠性；且制作简单，灵活性较高，适用范围较广。
附图说明
图1是现有白光LED封装结构的示意图。
图2是现有紫外LED封装结构的示意图。
图3是本发明第一实施方式提供的紫外LED封装结构的示意图。
图4是本发明第二实施方式提供的紫外LED封装结构的示意图。
在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：10-硅胶层，11-荧光粉胶层，12-散热基座，13、24、36、47-电路层，14、25、37、48-金线，15-蓝光LED芯片，20-玻璃透镜，21-焊接件，22-金属框，23-陶瓷基板，26、38、49-紫外LED芯片，30、40-粗化结构，31、41-玻璃盖板，32、42-金属层一，33、44-金属层二，34、45-凹槽，35、46-陶瓷基座，43-金属焊料环。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例1
请参阅图3，本发明第一实施方式提供的紫外LED封装结构，其包括紫外LED芯片38、玻璃盖板31及陶瓷基座35。所述玻璃盖板31设置在所述陶瓷基板35上，且其将所述紫外LED芯片38封装在所述陶瓷基座35内。
所述陶瓷基座35开设有凹槽34，所述凹槽34的底部形成有电路层36。本实施方式中，所述电路层36与开设于所述陶瓷基座35上的导电通孔电性连接，其通过所述导电通孔与外部实现电性连接。所述紫外LED芯片38设置在所述凹槽34内，所述电路层36通过金线37电性连接所述紫外LED芯片38。
所述凹槽34的槽壁的上表面形成有金属层二33，所述陶瓷基座35通过所述金属层二33与所述玻璃盖板31相连接。本实施方式中，所述金属层二33的形状及位置与所述凹槽34的形状及位置相对应，以使光线自所述玻璃盖板31发出；所述金属层二33是通过共烧工艺制成的，其材质为可伐合金，厚度为10-30μm。优选的，所述金属层二33的厚度为30μm。
本实施方式中，所述玻璃盖板31的材质为紫外玻璃，其热膨胀系数为4.5-5.5×10-6/℃，折射率为1.4-1.6，260-400nm紫外波段的光透过率大于80％。
所述玻璃盖板31的上、下表面分别形成有粗化结构30，所述粗化结构30减小了反射损耗，提高了出光效率。所述粗化结构30为周期或随机排布在所述玻璃盖板31的上、下表面的蛾眼状纳米结构。所述纳米结构底部的直径为50-100nm，间隔为50-100nm，高度为80-150nm。作为优选，所述纳米结构底部的直径为80±10nm，间隔为80±10nm，高度为120±10nm。
所述玻璃盖板31的边缘还设有金属层一32，所述金属层一32与所述金属层二33通过感应局部加热工艺焊接在一起，使所述玻璃盖板31与所述陶瓷基座35可靠的连接在一起，所述玻璃盖板31将所述电路层36、所述金线37及所述紫外LED芯片38封装在所述陶瓷基座35内。本实施方式中，所述金属层一32的形状及尺寸与所述金属层二33的形状及尺寸相对应；所述金属层一32为多层金属结构，其包括依次叠层设置的Ti粘结层、Cu/Ag结构层和CuSn焊料层。
本发明第一实施方式还提供一种紫外LED封装结构的制作方法，其包括以下步骤：
第一步，通过刻蚀工艺在玻璃盖板31的上、下表面形成粗化结构30；
第二步，利用半导体微加工技术在所述玻璃盖板31的外沿制备金属层一；
第三步，提供一个紫外LED芯片38及陶瓷基座35，所述陶瓷基座35开设有凹槽34，所述凹槽34的底部形成有电路层36，通过固晶工艺将紫外LED芯片38固定在所述凹槽34内，并采用引线键合技术将所述紫外LED芯片38及所述电路层36电性连接；
第四步，采用感应局部加热工艺将玻璃盖板31及所述陶瓷基座35焊接在一起。具体的，所述玻璃盖板31及所述陶瓷基座35通过所述金属层一32及所述金属层二33焊接在一起，使所述玻璃盖板31将所述紫外LED芯片38封装在所述凹槽34内。
在本实施例中，采用刻蚀工艺制备所述粗化结构30的步骤如下：
步骤1，将玻璃盖板31进行去油、去污清洗以及干燥处理；
步骤2，在所述玻璃盖板31的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为7±2nm；
步骤3，对有金层的所述玻璃盖板31进行快速热退火，退火温度为600±20℃，退火时间为5±2min，以形成金纳米颗粒；
步骤4，以所述金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板31进行干法刻蚀，得到纳米粗化结构30。
在本实施例中，采用半导体微加工工艺制备所述金属层一32步骤如下：
步骤1，将玻璃盖板31进行去油、去污清洗以及干燥处理；
步骤2，在所述玻璃盖板31的表面溅射一层Ti作为粘结层，所述粘结层的厚度为150±20nm；
步骤3，在所述粘结层上溅射Cu/Ag结构层，Cu层厚度为300±20nm，Ag层厚度为80±20nm；
步骤4，在所述玻璃盖板31上进行光刻、显影，并图形电镀CuSn焊料层，所述焊料层的厚度为30±5μm；可以理解，在其他实施方式中，所述焊料层的材质还可以为Sn、AuSn、AgSn或SnAgCu。
步骤5，对电镀后的所述玻璃盖板31进行湿法腐蚀，去除多余的Ti层和Cu/Ag层，得到金属层一32。
在本实施例中，采用感应局部加热工艺焊接所述金属层一及所述金属层二的步骤如下：
步骤1，将玻璃盖板31上的金属层一32与陶瓷基座35上的金属层二33对准、压紧；
步骤2，将对准压紧后的所述玻璃盖板31与所述陶瓷基座35固定在感应线圈中，使用高频感应加热，将所述金属层一32及所述金属层二33焊接在一起，使所述玻璃盖板31与所述陶瓷基座35固定连接；
步骤3，对焊接后的所述玻璃盖板31与所述陶瓷基座35进行热处理，消除应力。
实施例2
请参阅图4，本发明第二实施方式提供的紫外LED封装结构，其包括紫外LED芯片49、玻璃盖板41及陶瓷基座46。所述玻璃盖板41设置在所述陶瓷基座46上，且其将所述紫外LED芯片49封装在所述陶瓷基座46内。
所述陶瓷基座46开设有凹槽45，所述凹槽45的底部形成有电路层47。本实施方式中，所述电路层47自身与外部电性连接。所述紫外LED芯片49设置在所述凹槽45内，所述电路层47通过金线48电性连接所述紫外LED芯片49。
所述凹槽45的槽壁的上表面形成有金属层二44，所述陶瓷基座46通过所述金属层二44与所述玻璃盖板41相连接。本实施方式中，所述金属层二44的形状及位置与所述凹槽45的形状及位置相对应，以使光线自所述玻璃盖板41发出；所述金属层二44是通过共烧工艺制成的，其材质为因伐合金，厚度为10-30μm。作为优选，所述金属层二44的厚度为10μm。
所述玻璃盖板41的上、下表面分别形成有粗化结构40，所述粗化结构40减小了反射损耗，提高了出光效率。所述粗化结构40为周期排布在所述玻璃盖板41的上、下表面的微纳米结构，所述微纳米结构的微米结构为半球状，其直径及间隔均为1-10μm。作为优选，所述微米结构的直径和间隔均为3μm；纳米锥状结构形成在所述微米结构的表面上，底部直径和间距均为50-100nm，高度为80-150nm。作为优选，所述纳米锥状结构的底部直径和间距均为60±10nm，高度为100±20nm。
所述玻璃盖板41的边缘还设有金属层一42，所述金属层一42与所述金属层二44之间设置有金属焊料环43且两者通过感应局部加热技术焊接在一起，使所述玻璃盖板41与所述陶瓷基座46可靠的连接在一起，所述玻璃盖板41将所述电路层47、所述金线48及所述紫外LED芯片49封装在所述陶瓷基座46内。本实施方式中，所述金属层一42的形状及尺寸与所述金属层二44的形状及尺寸相对应；所述金属层一42为多层金属结构，其包括依次叠层设置的Cr粘结层和Ni/Au结构层。
本发明第二实施方式还提供一种紫外LED封装结构的制作方法，其步骤与本发明第一实施方式提供的紫外LED封装结构的制作方法相似。不同点在于所述粗化结构40的制备、所述金属层一42的制备及所述玻璃盖板41与所述陶瓷基座46的焊接。
在本实施例中，采用刻蚀工艺制备所述粗化结构40的步骤如下：
步骤1，将玻璃盖板41进行去油、去污清洗以及干燥处理；
步骤2，对所述玻璃盖板41进行光刻、显影，并进行干法刻蚀，形成微米结构；
步骤3，在所述微米结构的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为8±2nm；
步骤4，对沉积有金层的所述玻璃盖板41进行快速热退火，退火温度为700±20℃，退火时间为10±2min，以形成金纳米颗粒；
步骤5，以金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板41进行干法刻蚀，得到微纳米复合粗化结构40。
在本实施例中，制备所述金属层一42的工艺为：
步骤1，将玻璃盖板41进行去油、去污清洗以及干燥处理；
步骤2，在所述玻璃盖板41的表面溅射一层Cr作为粘结层，所述粘结层的厚度为180±20nm；
步骤3，在所述粘结层上溅射Ni/Au结构层，Ni层厚度为300±20nm，Au层厚度为100±10nm；
步骤4，在所述玻璃盖板41上进行光刻、显影，形成掩膜图案；
步骤5，对光刻后的所述玻璃盖板41进行湿法腐蚀，去除多余的Cr、Ni和Au，得到金属层一42。
在本实施例中，采用感应局部加热工艺焊接所述玻璃盖板41和所述陶瓷基座46的步骤如下：
步骤1，将玻璃盖板41和陶瓷基座46进行去油、去污清洗以及干燥处理；
步骤2，将所述玻璃盖板41、所述陶瓷基座46和金属焊料环43进行对准、压紧；
步骤3，将对准压紧后的所述玻璃盖板41、所述陶瓷基座46及所述金属焊料环43固定在感应线圈中，使用高频感应加热，将金属层一42及金属层二44焊接在一起，使所述玻璃盖板41与所述陶瓷基座46固定连接；
步骤4，对焊接后的所述玻璃盖板41与所述陶瓷基座46进行热处理，以消除应力。
需要特别指出的是，虽然本发明针对紫外LED封装结构进行了说明和例证，但本发明同样适合不宜采用有机封装胶的白光LED器件封装(如高温、高湿等恶劣环境下的LED器件封装)，可以提高LED器件的出光效率与可靠性。
采用本发明的紫外LED封装结构及其制作方法，所述紫外LED封装结构的玻璃盖板上、下表面分别形成有粗化结构，所述粗化结构减小了反射光损，提高了紫外LED的出光率；所述金属层一与所述金属层二通过感应局部加热技术焊接在一起，进而使所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定连接，实现了紫外LED封装结构低温气密封装，保证了气密性和可靠性，且所述紫外LED封装结构的制作方法简单，灵活性较高，适用范围较广。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种紫外LED封装结构，包括紫外LED芯片、玻璃盖板和陶瓷基座，其特征在于：
所述玻璃盖板的上、下表面分别设有粗化结构，且所述玻璃盖板的外沿设有金属层一；
所述陶瓷基座内设有用于放置所述紫外LED芯片的凹槽，在所述凹槽的底部设有电路层，所述凹槽的槽壁的上表面设有金属层二，所述金属层二与所述金属层一通过感应局部加热工艺焊接在一起，使所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定连接，确保了所述紫外LED封装结构的气密性及可靠性。
2.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于，所述玻璃盖板的材质为紫外玻璃，260-400nm紫外波段的光透过率大于80％，其热膨胀系数为4.5-5.5×10-6/℃，折射率为1.4-1.6。
3.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于，所述粗化结构为周期或随机排布在所述玻璃盖板上、下表面的纳米结构，所述纳米结构的形状为柱状、锥状和蛾眼状中的一种，且所述纳米结构的底部直径和间距均为50-100nm，高度为80-150nm。
4.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于，所述粗化结构为微纳米复合结构，其中微米结构的直径和间隔均为1-10μm，形状为半球状；纳米结构分布在所述微米结构的表面，其形状为柱状、锥状和蛾眼状中的一种，底部直径和间距均为50-100nm，高度为80-150nm。
5.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于，所述金属层二通过共烧工艺制备，其材质为可伐合金或因伐合金，厚度为10-30μm。
6.一种紫外LED封装结构的制作方法，包括以下步骤：
(1)通过刻蚀工艺在玻璃盖板的上、下表面制备粗化结构；
(2)利用半导体微加工工艺在玻璃盖板的外沿制备金属层一；
(3)通过固晶工艺将紫外LED芯片固定在陶瓷基座的凹槽内，并通过引线键合技术实现紫外LED芯片与电路层间的电互连；
(4)利用感应局部加热工艺将玻璃盖板与陶瓷基座焊接在一起。
7.根据权利要求6所述的紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，所述粗化结构的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)在所述玻璃盖板的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为5-10nm；
(3)对沉积有金层的所述玻璃盖板进行快速热退火，退火温度为500-800℃，退火时间为2-10min，以形成金纳米颗粒；
(4)以所述金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板进行干法刻蚀，得到纳米粗化结构。
8.根据权利要求6所述的紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，所述粗化结构的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)对所述玻璃盖板进行光刻、显影，并进行干法或湿法刻蚀，以形成微米结构；
(3)在所述微米结构的表面沉积一层金膜，所述金膜的厚度为5-10nm；
(4)对沉积有金层的所述玻璃盖板进行快速热退火，退火温度为500-800℃，退火时间为2-10min，以形成金纳米颗粒；
(5)以所述金纳米颗粒作为掩膜，对所述玻璃盖板进行干法刻蚀，得到微纳米复合粗化结构。
9.根据权利要求6所述的紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层一的制备包括以下步骤：
(1)将玻璃盖板进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)在所述玻璃盖板的表面溅射一层Ti或Cr作为粘结层，所述粘结层的厚度为50-150nm；
(3)在所述粘结层上溅射Cu/Ag或Ni/Au作为结构层，Cu或Ni层厚度为200-500nm，Ag或Au层厚度为60-150nm；
(4)在所述玻璃盖板上进行光刻、显影，并图形电镀锡基焊料层，所述焊料层的材质为以下材质中的一种：Sn、CuSn、AuSn、AgSn、SnAgCu，其厚度为20-50μm；
(5)对电镀后的所述玻璃盖板进行湿法腐蚀，去除多余的所述粘结层和所述结构层，得到金属层一。
10.根据权利要求6所述的一种紫外LED封装结构的制作方法，其特征在于，实现所述金属层一及所述金属层二之间的焊接包括以下步骤：
(1)对玻璃盖板和陶瓷基座进行去油、去污清洗以及干燥处理；
(2)将所述玻璃盖板上的金属层一与所述陶瓷基座上的金属层二对准、压紧；
(3)将对准压紧后的所述玻璃盖板与所述陶瓷基座固定在感应线圈中，使用高频感应加热，将金属层一与金属层二的焊接在一起，使所述玻璃盖板及所述陶瓷基座固定连接；
(4)对焊接后的所述玻璃盖板与所述陶瓷基座进行热处理，消除应力。
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