CN214043701U - 一种半导体陶瓷封装基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体陶瓷封装基板，涉及芯片封装技术领域。本实用新型包括基板，基板上端装设有多个围堰，多个围堰上端粘合有玻璃凸透镜，基板底端设有正极焊盘、负极焊盘，围堰上端装设有齿状台阶，且玻璃凸透镜位于多个齿状台阶之间。本实用新型UVA基板芯片封装后，本封装支架可全部包裹透镜边使其紧密牢固永久不脱落，无漏气现象使用寿命更长。

Description

一种半导体陶瓷封装基板

技术领域

本实用新型属于芯片封装技术领域，特别是涉及一种半导体陶瓷封装基板。

背景技术

随着科技的进步，智能电子产品已逐渐走进人们的生活，智能电子产品中芯片是决定产品性能的决定性因素。芯片在生产完成后，需要进行芯片封装。

然而现有UVA基板芯片封装后，在使用过程中、封装胶易老化、常出现透镜掉落、使用寿命短。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体陶瓷封装基板，UVA基板芯片封装后，本封装支架可全部包裹透镜边使其紧密牢固永久不脱落，无漏气现象使用寿命更长，解决了上述现有技术中存在的问题。

为达上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种半导体陶瓷封装基板，包括基板，基板上端装设有多个围堰，多个围堰上端粘合有玻璃凸透镜，基板底端设有正极焊盘、负极焊盘；

围堰上端装设有齿状台阶，且玻璃凸透镜位于多个齿状台阶之间。

可选的，基板底端设有散热室，基板底端设有阻焊层，围堰高度为500UM，多个围堰组成的环形内径为506UM，多个齿状台阶组成的环形内径为564UM，多个齿状台阶组成的环形外径为604UM，齿状台阶的宽度为18UM0，正极焊盘、负极焊盘的高度均为135UM。

可选的，基板为圆形板结构。

可选的，阻焊层位于正极焊盘、负极焊盘之间。

可选的，散热室位于阻焊层内，阻焊层截面为圆环形。

可选的，散热室、阻焊层位于玻璃凸透镜下方。

可选的，围堰截面为扇形。

可选的，多个围堰环形阵列在基板的上端。

可选的，齿状台阶的高度低于围堰的高度。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

本实用新型的一个实施例UVA基板芯片封装后，本封装支架可全部包裹透镜边使其紧密牢固永久不脱落，无漏气现象使用寿命更长。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型一实施例的剖视图；

图2为本实用新型一实施例的围堰剖视图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

基板1，围堰2，玻璃凸透镜3，正极焊盘4、负极焊盘5，齿状台阶6，散热室7，阻焊层8。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

为了保持本实用新型实施例的以下说明清楚且简明，本实用新型省略了已知功能和已知部件的详细说明。

请参阅图1-2所示，在本实施例中提供了一种半导体陶瓷封装基板，包括：基板1，基板1上端装设有多个围堰2，多个围堰2上端粘合有玻璃凸透镜3，基板1底端设有正极焊盘4、负极焊盘5；

围堰2上端装设有齿状台阶6，且玻璃凸透镜3位于多个齿状台阶6之间。

本实施例一个方面的应用为：在半导体陶瓷基板1的围堰2里面元件面用银胶粘合4颗55″的正装芯片，采用打线机打线1.2MiL纯金线连接负极焊盘5，在高度的围堰2上点封装胶加盖凸透镜，其中，4颗55″的正装芯片位于玻璃凸透镜3下方，用夹具把高600UM宽180UM的齿状台阶6围绕玻璃凸透镜3压制包裹玻璃凸透镜3使其紧密结合、完全牢固不脱落。需要注意的是，本申请中所涉及的所有用电设备均可通过蓄电池供电或外接电源。

UVA基板芯片封装后，本封装支架可全部包裹透镜边使其紧密牢固永久不脱落，无漏气现象使用寿命更长。

本实施例的基板1底端设有散热室7，基板1底端设有阻焊层8，围堰2高度为500UM，多个围堰2组成的环形内径为506UM，多个齿状台阶6组成的环形内径为564UM，多个齿状台阶6组成的环形外径为604UM，齿状台阶6的宽度为18UM0，正极焊盘4、负极焊盘5的高度均为135UM。

本实施例的基板1为圆形板结构。

本实施例的阻焊层8位于正极焊盘4、负极焊盘5之间。

本实施例的散热室7位于阻焊层8内，阻焊层8截面为圆环形。

本实施例的散热室7、阻焊层8位于玻璃凸透镜3下方。

本实施例的围堰2截面为扇形。

本实施例的多个围堰2环形阵列在基板1的上端。

本实施例的齿状台阶6的高度低于围堰2的高度。

其封装工艺包括如下封装步骤；

步骤一，在半导体陶瓷基板的围堰里面元件面用银胶粘合4颗55″的正装芯片；

其中，芯片底部为正级；

步骤二，采用打线机打线1.2MiL纯金线连接负极焊盘，在400UM高度的围堰上点封装胶加盖凸透镜；

步骤三，用夹具把高600UM宽180UM的齿状台阶围绕圆形凸透镜压制包裹凸透镜使其紧密结合、完全牢固不脱落；

如下半导体陶瓷基板支架的制作及封装零件检测步骤；

步骤一，采用高导热氮化铝基板经光纤激光打孔后光学镀膜；

步骤二，在镀好膜的基板上压干膜后做图像转移，图形显影，做好图形线路后镀面铜及通孔填孔研磨；

步骤三，做围堰图形转移及围堰图形显影再做围堰图形电镀研磨；

步骤四，做齿状台阶图形转移及齿状台阶显影再做齿状图形电镀研磨；

步骤五，做阻值测试及表面金处理激光外形品质检验。

上述实施例可以相互结合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

Claims (8)

1.一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，包括：基板(1)，基板(1)上端装设有多个围堰(2)，多个围堰(2)上端粘合有玻璃凸透镜(3)，基板(1)底端设有正极焊盘(4)、负极焊盘(5)；

围堰(2)上端装设有齿状台阶(6)，且玻璃凸透镜(3)位于多个齿状台阶(6)之间。

2.如权利要求1所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，基板(1)底端设有散热室(7)，基板(1)底端设有阻焊层(8)，围堰(2)高度为500UM，多个围堰(2)组成的环形内径为506UM，多个齿状台阶(6)组成的环形内径为564UM，多个齿状台阶(6)组成的环形外径为604UM，齿状台阶(6)的宽度为18UM0，正极焊盘(4)、负极焊盘(5)的高度均为135UM。

3.如权利要求2所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，基板(1)为圆形板结构。

4.如权利要求3所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，阻焊层(8)位于正极焊盘(4)、负极焊盘(5)之间。

5.如权利要求4所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，散热室(7)位于阻焊层(8)内，阻焊层(8)截面为圆环形。

6.如权利要求5所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，散热室(7)、阻焊层(8)位于玻璃凸透镜(3)下方。

7.如权利要求6所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，围堰(2)截面为扇形。

8.如权利要求7所述的一种半导体陶瓷封装基板，其特征在于，多个围堰(2)环形阵列在基板(1)的上端，齿状台阶(6)的高度低于围堰(2)的高度。

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