CN103943763B - 一种倒装led芯片的封装结构及方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 10
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 description 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种倒装LED芯片的封装结构及方法，封装结构其特征在于：包括芯片、基板，所述芯片P、N接触层通过导电胶与基板粘结形成导电区域，所述导电胶周围和P、N接触层交汇处通过非导电胶与基板粘结形成非导电区域，非导电区域将P、N接触层的两导电区域隔离。采取本发明的封装结构的LED芯片具有内部应力小、与基板间的传热效率高、使用寿命长的优点。
Description
技术领域
本发明涉及LED制造领域，具体地指一种倒装LED芯片的封装结构及方法。
背景技术
LED由于其亮度高、功耗低、寿命长的优点，广泛应用于广告牌、节日灯饰、电子产品显示屏等领域。大功率LED发光技术日益成熟，已经显示出取代白炽灯和其它类型节能灯的趋势。在LED的制造过程中，其封装工艺对产品性能起着重要的作用，现在较为典型的工艺是将大功率LED芯片进行正面贴装，正在开发且以后有可能成为主流的是将LED芯片进行倒装。
中国发明专利CN1787242中公开了一种倒装LED芯片的封装方法：利用厚Cu及Au凸点把倒装焊芯片与Al印刷电路板直接焊接键合，省略了硅基板制作工艺，增加了散热效率。
中国实用新型专利CN202067828中公开了一种倒装LED芯片的封装结构：将LED芯片置于基板背面的电极上并与散热基板一起进行共晶处理，散热基板可将来自共晶部位的热量快速导出。
现有技术的倒装LED封装结构如图1所示，该LED芯片的P接触层和N接触层分别通过一凸起电极倒装焊接在基板上。倒装结构中芯片与基板间存在较大空隙，当大功率LED芯片发热时热量仅能通过电极导出，导热效率较差，无法满足使用要求。而且无论现有倒装LED芯片封装方法采用的是共晶焊接还是焊锡焊接，需要达到的温度均在260℃以上，冷却后在芯片上产生较大应力，导致使用中易发生断裂，严重影响芯片的使用寿命。同时，共晶焊接或焊锡焊接时对电极间的距离要求较高：距离太近，两电极回流焊接时易发生短路；距离太远，由于芯片与基板的热膨胀系数不同，在温差过大环境下芯片易发生断裂。
发明内容
本发明的目的就是要解决上述背景技术的不足，提供一种应力小、导热好、结构稳定、配合良好的大功率倒装LED芯片的封装结构。
本发明的另一目的是提供制作所述倒装LED芯片结构的方法。
本发明内容如下：一种倒装LED芯片的封装结构，其特征在于：包括芯片、基板，所述芯片P、N接触层通过导电胶与基板粘结形成导电区域，所述导电胶周围和P、N接触层交汇处通过非导电胶与基板粘结形成非导电区域，非导电区域将P、N接触层的两导电区域隔离。
优选的，所述非导电胶边界与芯片边缘平齐或超过芯片边缘。
优选的，所述涂布导电胶的形状为圆形、十字形或米字型。
本发明还提供所述倒装LED芯片结构的制作方法，包括如下步骤：
a.在芯片P、N接触层中心处或基板上与芯片P、N接触层中心对应处涂布导电胶；
b.在导电胶周围与P、N接触层交汇处或基板上P、N接触层交汇对应处均涂布非导电胶，所述导电胶与非导电胶等厚或比非导电胶厚；
c.将芯片对应放置在基板上，施压至芯片与基板间厚度为5～50μm。
d.将粘接的芯片与基板在100～150℃环境下停留30～60分钟，使导电胶和非导电胶固化。
优选的，所述非导电胶边界与芯片边缘平齐或超过芯片边缘。
优选的，涂布导电胶的形状为圆形、十字形或米字型。
优选的，涂布的导电胶比非导电胶厚5～25μm。
优选的，涂布的导电胶的触变指数比非导电胶高。
优选的，涂布的导电胶的导热系数为大于2W/(m·K)，非导电胶的导热系数为0.5～2W/(m·K)。
优选的，在基板上与芯片P、N接触层中心对应处均涂布导电胶，在基板上导电胶周围与P、N接触层交汇对应处均涂布非导电胶。
本发明采用芯片与基板间充满导电胶与非导电胶的结构，在保证导电前提下增加了散热面积，且芯片与基板间无空隙，二者配合更好。
制造方法中采用导电胶连通芯片和基板，并在导电胶周围涂布非导电胶，使处于P、N接触层上的导电区域相互隔离，该方法中胶的固化温度远远小于现有技术中焊接温度，使芯片在与基板连接过程中产生的应力大大减小，芯片内部结构更趋于稳定，增加其使用寿命。
芯片上或基板上涂布的导电胶比非导电胶厚，粘接时基板或芯片将先与导电胶接触，形成导电区域。施压时导电胶先被挤压发生形变与周围的非导电胶平齐，之后导电胶非导电胶同时受压发生形变，将芯片与基板间空隙填满。导电胶与非导电胶将芯片与基板粘接，扩大了导热面积，加快了散热速率。P、N接触层交汇处被非导电胶覆盖，将P、N接触层之间完全隔绝，避免其发生短路。
芯片或基板上涂布的导电胶的触变指数比非导电胶高，使导电胶在涂布时能比非导电胶更好地维持形状，施加应力时，比非导电胶更易铺展，使导电胶与非导电胶涂布效果更好。
本发明的倒装LED芯片的封装方法可使封装后的LED芯片内部应力小、与基板间的传热效率高、使用寿命长，具有工艺简单、操作方便的优点。
附图说明
图1为现有技术封装倒装LED芯片的结构示意图。
图2为采用本发明方法封装倒装LED芯片的结构示意图。
图3为本发明中芯片上导电胶涂布成圆形示意图。
图4为本发明中基板上导电胶涂布成十字形示意图。
图5为本发明中芯片上导电胶涂布成米字形示意图。
其中：1.芯片 2.凸起电极 3.基板 4.导电胶 5.非导电胶 6.P接触层7.N接触层。
具体实施方式
实施例1
如图3所示，一种倒装LED芯片的封装结构包括芯片1、基板3，芯片P、N接触层6、7通过导电胶4与基板3粘结形成导电区域4，导电胶4在P、N接触层6、7中心处涂布为圆形，圆形面积为各自所在接触层面积的1/2，导电胶4周围和P、N接触层6、7交汇处通过非导电胶5与基板3粘结形成非导电区域，非导电胶5边界与芯片边缘平齐。
本实施例中倒装LED芯片的封装方法，包括以下步骤：
a.在芯片1的P、N接触层6、7中心处均涂布含有质量分数80％金属粒子的环氧类导电胶4，导电胶4涂布的形状为圆形；
b.在环氧导电胶4周围与P、N接触层交汇处涂布环氧类非导电胶5，非导电胶5边界与芯片边缘平齐。导电胶4的触变指数比非导电胶5高2，导电胶4比非导电胶5厚15μm；导电胶胶导热系数为5W/(m·K)，非导电胶的导热系数为0.5W/(m·K)。
c.将芯片1涂胶面对应放置在基板3上，施压至芯片1与基板3间厚度为20μm；
d.将芯片1与基板3在110℃下加热50分钟，使导电胶4和非导电胶5固化。
实施例2
如图4和图5所示，一种倒装LED芯片的封装结构包括芯片1、基板3，芯片P、N接触层6、7通过导电胶4与基板3粘结形成导电区域4，导电胶4在基板3上P、N接触层6、7中心对应处涂布为十字形，十字形面积为各自所在接触层面积的1/3，导电胶4周围和P、N接触层6、7交汇处通过非导电胶5与基板3粘结形成非导电区域，非导电胶5边界超过芯片边缘。
本实施例中倒装LED芯片的封装方法，包括以下步骤：
a.在基板3的P、N接触层6、7中心对应处均涂布含有质量分数60％金属粒子的环氧类导电胶4，导电胶4涂布的形状为十字形；
b.在环氧导电胶4周围与基板3的P、N接触层交汇对应处涂布环氧类非导电胶5，非导电胶5边界超过芯片在基板3上放置时对应的边缘，导电胶4的触变指数比非导电胶5高1，导电胶4比非导电胶5厚20μm；导电胶胶导热系数为3W/(m·K)，非导电胶5的导热系数为1W/(m·K)。
c.将芯片1对应放置在基板3涂胶面上，施压至芯片1与基板3间厚度为25μm；
d.将芯片1与基板3在140℃下加热50分钟，使导电胶4和非导电胶5固化。
实施例3
如图5所示，一种倒装LED芯片的封装结构包括芯片1、基板3，芯片P、N接触层6、7通过导电胶4与基板3粘结形成导电区域4，导电胶4在P、N接触层6、7中心处涂布为米字形，十字形面积为各自所在接触层面积的1/4，导电胶4周围和P、N接触层6、7交汇处通过非导电胶5与基板3粘结形成非导电区域，非导电胶5边界与芯片1边缘平齐。
本实施例中倒装LED芯片的封装方法，包括以下步骤：
a.在芯片1的P、N接触层6、7中心处均涂布含有质量分数85％金属粒子的环氧类导电胶4，导电胶4涂布的形状为米字形；
b.在环氧导电胶4周围涂布环氧类非导电胶5，在P、N接触层交汇处涂布环氧类非导电胶5，非导电胶5边界与芯片1边缘平齐。导电胶4的触变指数比非导电胶5高3，导电胶4比非导电胶5厚20μm；导电胶胶导热系数为8W/(m·K)，非导电胶5的导热系数为2W/(m·K)。
c.将芯片1涂胶面对应放置在基板3上，施压至芯片1与基板3间厚度为20μm；
d.将芯片1与基板3在120℃下加热50分钟，使导电胶4和非导电胶5固化。
如图1所示倒装LED芯片的封装结构，已在背景技术中作了详细说明，于此不再赘述。本实施例中，导电胶4涂布在芯片1上的形状为米字形，如图5所示，也可如实施例1和2中所述为圆形或十字形，如图3、4所示。非导电胶5将导电胶4周围和P、N接触层6、7交汇处覆盖，非导电胶5涂布的形状不限定，但覆盖的面积越大越有利于芯片1的散热。将芯片1涂胶面对应放置在基板3上，由于导电胶4比非导电胶5厚，且导电胶4的触变指数比非导电胶5高，导致其比非导电胶更易铺展，对芯片1施加垂直于其表面的压力时，导电胶4先被挤压发生形变与非导电胶5平齐，之后导电胶4与非导电胶5同时受压发生形变向四周扩展，将芯片1与基板3之间空隙填满，如图2所示且非导电胶5将P、N接触层6、7的两导电区域完全隔离，在避免两导电区域短路的前提下增加了散热面积。导电胶4与非导电胶5可以分别为环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯、硅树脂中的一种，本实施例中为环氧树脂，在120℃下加热50分钟即可完成固化，使其芯片1内部产生的应力小且分布均匀，芯片1结构更趋于稳定，增加其使用寿命。
以上所述，仅为发明的具体实施方式，应当指出，任何熟悉本领域的技术人员在发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种倒装LED芯片的封装方法，其特征在于包括以下步骤：
a.在芯片(1)P、N接触层(6)、(7)中心处或基板(3)上与芯片(1)P、N接触层中心对应处涂布导电胶(4)；
b.在导电胶(4)周围与P、N接触层(6)、(7)交汇处或基板(3)上P、N接触层(6)、(7)交汇对应处均涂布非导电胶(5)，所述导电胶(4)比非导电胶(5)厚15～20μm，涂布的非导电胶边界与芯片(1)边缘平齐；
c.将芯片(1)对应放置在基板(3)上，施压至芯片(1)与基板(3)间厚度为5～50μm；
d.将芯片(1)与基板(3)在100～150℃环境下停留30～60分钟，使导电胶(4)和非导电胶(5)固化；
得到倒装LED芯片的封装结构，包括芯片(1)、基板(3)，所述芯片P、N接触层(6)、(7)通过导电胶(4)与基板(3)粘结形成导电区域，所述导电胶(4)周围和P、N接触层交汇处通过非导电胶(5)与基板(3)粘结形成非导电区域，非导电区域将P、N接触层(6)、(7)的两导电区域隔离开，非导电胶边界与芯片(1)边缘平齐或超过芯片(1)边缘。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：涂布导电胶(4)的形状为圆形、十字形或米字型。
3.如权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：涂布的导电胶(4)的触变指数比非导电胶(5)高。
4.如权利要求1所述的倒装LED芯片的封装方法，其特征在于：涂布的导电胶(4)的导热系数大于2W/(m·K)，非导电胶(5)的导热系数为0.5～2W/(m·K)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410120775.2A CN103943763B (zh) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 一种倒装led芯片的封装结构及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410120775.2A CN103943763B (zh) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 一种倒装led芯片的封装结构及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103943763A CN103943763A (zh) | 2014-07-23 |
| CN103943763B true CN103943763B (zh) | 2019-07-16 |
Family
ID=51191347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410120775.2A Active CN103943763B (zh) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 一种倒装led芯片的封装结构及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103943763B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106129212A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-16 | 厦门忠信达工贸有限公司 | 正装覆晶led芯片封装体、封装方法及其应用 |
| CN106328789A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-01-11 | 广东德力光电有限公司 | 具有良好散热结构的led芯片及其封装方法 |
| CN106159063A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-23 | 广东德力光电有限公司 | 一种新型倒装芯片发光器件及其制备方法 |
| CN107123718B (zh) * | 2017-04-21 | 2019-03-26 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种倒装大功率led封装结构及其制备方法和用途 |
| CN110493954B (zh) * | 2019-08-28 | 2024-03-22 | 成都傅立叶电子科技有限公司 | 一种qfn器件内埋pcb结构及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101364626A (zh) * | 2007-08-07 | 2009-02-11 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置 |
| CN101937950A (zh) * | 2009-07-01 | 2011-01-05 | 吕联祥 | 覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100442554C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-12-10 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管与其制造方法 |
| CN100521269C (zh) * | 2006-08-03 | 2009-07-29 | 丰田合成株式会社 | 固态器件 |
| CN101840866A (zh) * | 2009-03-16 | 2010-09-22 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 芯片级尺寸封装结构及其制造方法 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101364626A (zh) * | 2007-08-07 | 2009-02-11 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置 |
| CN101937950A (zh) * | 2009-07-01 | 2011-01-05 | 吕联祥 | 覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| CN103943763A (zh) | 2014-07-23 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |