CN106497569A - 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 - Google Patents
蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106497569A CN106497569A CN201610796482.5A CN201610796482A CN106497569A CN 106497569 A CN106497569 A CN 106497569A CN 201610796482 A CN201610796482 A CN 201610796482A CN 106497569 A CN106497569 A CN 106497569A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- weight
- etchant
- ion
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 28
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 88
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- -1 iron ion Chemical class 0.000 claims description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000007715 potassium iodide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 11
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 4
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Inorganic materials [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N [P].[P] Chemical compound [P].[P] QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
Description
技术领域
本发明涉及一种蚀刻液组合物及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。
背景技术发明内容
通常，显示装置中使用的显示基板包括作为用于驱动各个像素区域的开关元件的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号配线以及像素电极。所述信号配线包括：栅极配线，传递栅极驱动信号；数据配线，与所述栅极配线交叉并且传递数据驱动信号。
薄膜晶体管由作为栅极配线的一部分的栅电极和形成沟道的半导体层、以及作为数据配线的一部分的源电极以及漏电极组成。薄膜晶体管是根据通过栅极配线传递的栅极信号，把通过数据配线传递的数据电压传递到像素电极或者切断的开关元件。
在制造薄膜晶体管时，首先在基板上利用栅电极或者源电极/漏电极用配线材料层积金属层，随后进行蚀刻步骤，在蚀刻过程中利用具有腐蚀性的气体或者溶液刮掉这些金属层，由此实现所需要的电路的线路。
并且，需要进行如下步骤：在源电极、漏电极层上利用像素电极材料来层积透明物质后，通过蚀刻这样的透明物质而形成像素电极。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止环境污染的同时具有优秀的蚀刻特性的蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管显示板的制造方法。
为了实现上述目的，根据本发明的实施例的蚀刻液组合物包含：相对于蚀刻液组合物总重量，5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子(H+)、铵离子(NH4 +)、铁离子(Fe2 +、Fe3 +)、铝离子(Al3 +)、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
所述含卤化合物可以是由氯化氢(HCl)、氯化铝(AlCl3)、氟化铵(NH4F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)及氯化铵(NH4Cl)组成的群中选择的一个以上。
所述蚀刻液组合物可蚀刻透明导电性氧化物。
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
根据本发明的一实施例的薄膜晶体管显示板的制造方法包括如下步骤：在基板上形成数据导体；在所述数据导体上沉积透明导电性氧化物；及利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物，其中，所述蚀刻液组合物包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子(H+)、铵离子(NH4 +)、铁离子(Fe2 +、Fe3 +)、铝离子(Al3 +)、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
所述含卤化合物可以是由氯化氢(HCl)、氯化铝(AlCl3)、氟化铵(NH4F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)及氯化铵(NH4Cl)组成的群中选择的一个以上。
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
通过利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物的步骤来形成像素电极，并且所述像素电极具有多个切开部。
如上文所述，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸、醋酸盐、含卤化合物代替了硫酸，从而在预防环境污染并解决发热问题的同时，保留了优秀的蚀刻能力。
附图说明
图1为示出对根据本发明的一实施例的蚀刻液和根据比较例的蚀刻液进行蚀刻轮廓(profile)实验的结果的图。
图2为示出对根据本发明的一实施例的蚀刻液和根据比较例的蚀刻液进行PRcrack test的结果的图。
图3为示出根据本发明的一实施例的薄膜晶体管显示板的平面图。
图4为图3中的薄膜晶体管显示板的沿IV-IV线截取的剖面图。
图5至图9为示出根据本发明的一实施例的薄膜晶体管显示板的制造工序的工序剖面图及布置图。
符号说明
110：绝缘基板 3：液晶层
121：栅极线 124：栅电极
140：栅极绝缘膜 154：半导体层
171：数据线 173：源电极
175：漏电极 180：保护膜
191：像素电极 270：共同电极
具体实施方式
为了使本发明所述技术领域中具有一般知识的人可以容易地实施，参考附图对本发明的实施例进行详细的说明。但是本发明可以以多种不同的形态实现，所以不限于本说明书中说明的实施例。
附图中为了更明确地表现多个层以及区域，放大示出了其厚度。在说明书全文中，对相似的部分附加了相同的附图符号。当提到层、膜、区域、板等部分位于其他部分“上”时，不仅包括位于其他部分“紧上方”的情况，还包括其中间夹设另外的其他部分的情况。相反地，当提到某个部分位于其他部分“仅上方”时，意味着中间没有其他部分。
以下，参考附图对根据本发明的实施例的蚀刻液组合物以及薄膜晶体管显示板的制造方法进行详细的说明。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以蚀刻层积于基板上的透明导电性氧化物。特别是，根据本实施例的蚀刻液可以蚀刻由铟锡氧化物或者铟锌氧化物组成的电极。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包含硝酸、醋酸、醋酸盐以及含卤化合物。含卤化合物指的是包含卤素的化合物。
更具体地，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包含：5重量％以上且20重量％以下的硝酸；1重量％以上且15重量％以下的醋酸；0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐；0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物以及使整体组合物的总重量成为100重量％的水。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物为用于蚀刻像素电极，即透明导电性氧化物的蚀刻液，其因为蚀刻氧化物所以不需要专门的氧化剂。即，可以在没有专门的氧化剂的情况下由硝酸进行蚀刻，其反应过程如下：
In2O3+6HNO3→In2(NO3)6+3H2O
SnO2+4HNO3→Sn(NO3)4+2H2O
ZnO+2HNO3→Zn(NO3)2+2H2O
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物不包含硫酸。通常使用的透明导电性氧化物的蚀刻液中为了调节pH包含硫酸。但是根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸代替硫酸调节pH。
即，蚀刻液中包含硫酸时，使用后的废液可能引起环境污染。但是根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸代替硫酸，从而可以解决这样的环境污染问题。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包含：5重量％至20重量％的硝酸。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物中所包含的硝酸为蚀刻剂(etching agent)。即，如下文所述，通过硝酸和铟氧化物、锡氧化物或者锌氧化物的反应而蚀刻铟锌氧化物或铟锡氧化物等的透明导电性氧化物。
In2O3+6HNO3→In2(NO3)6+3H2O
SnO2+4HNO3→Sn(NO3)4+2H2O
ZnO+2HNO3→Zn(NO3)2+2H2O
所述硝酸的含量优选为5重量％至20重量％之间。硝酸的含量未达到5重量％时，导致蚀刻率降低而可能无法充分地进行蚀刻。并且因为蚀刻液的氧化力低下，可能得到不均的蚀刻轮廓并且减少蚀刻液的寿命。并且，所述硝酸的含量超过20重量％时，导致蚀刻率过快而难以控制蚀刻程度，可能导致过度蚀刻。并且，有可能得到不均的蚀刻轮廓，有可能因硝酸挥发产生烟雾(fume)而污染作业环境。
并且，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包括1重量％以上且15重量％以下的醋酸。本实施例中醋酸为pH调节剂。
即，醋酸的作用为调节蚀刻反应的速度，并且降低蚀刻液的粘度。透明导电性氧化物膜中包含的金属的氧化反应速度很大程度地受蚀刻液的pH的影响，其中作为弱酸的醋酸作为pH缓冲剂而发挥作用，从而起到使蚀刻液维持预定的PH并且提高蚀刻液的寿命的作用。
若所述醋酸的含量未达到1重量％，则缓冲效果低下而缩短蚀刻液的寿命，并导致蚀刻液的粘度的增加而降低蚀刻的均匀性。若所述醋酸的含量超过15重量％，则会降低透明导电性氧化膜的蚀刻速度，导致工艺效率降低。
并且，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包含0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐。
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，所述B可以是氢离子(H+)、铵离子(NH4 +)、铁离子(Fe2 +、Fe3 +)、铝离子(Al3 +)、氧化数为1到3的烷基金属离子中的至少一个离子。
所述醋酸盐为起到所述醋酸的共轭碱(conjugate base)作用的化合物，其与所述醋酸一起发挥pH缓冲剂的作用。即，可以使蚀刻液维持预定的pH且提高蚀刻液的寿命。若所述醋酸盐的含量未达到0.1重量％，则可能形成倒锥形而得到不均的蚀刻轮廓，若所述含量超过5重量％，则导致蚀刻速度变慢而产生残渣或蚀刻不充分。
并且，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物包含0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物。本实施例中的含卤化合物为防腐剂。所述含卤化合物可以是在氯化氢(HCL)、氯化铝(AlCl3)、氟化铵(NH4F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)以及氯化铵(NH4Cl)组成的群中选择的一个以上。
根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸和醋酸盐代替硫酸而作为pH调节剂。并且包含含卤化合物而用作防腐剂。因此，没有使用硫酸从而解决了环境污染问题，同时通过醋酸、醋酸盐及含卤化合物的化学作用而得到了与现有的包含硫酸的蚀刻液组合物同等或水准得到改善的蚀刻性能。
并且，通常应用于像素电极的蚀刻的蚀刻液包含乙二醇(ethylene glycol)而作为防挥发剂。这样的乙二醇与硝酸混合时，会产生H2O并且通过以下机制发热。
乙二醇→酸→发热
即，对于现有蚀刻液组合物而言，除了蚀刻液组合物中已含有的硝酸外，若硝酸在废液处理时被追加混入，则存在发生额外发热的危险。
但是，根据本实施例的蚀刻液组合物不包含乙二醇，所以解决了上述发热问题。即，不使用乙二醇作为防挥发剂，而利用醋酸、醋酸盐及含卤化合物的化学作用防止挥发并保留了蚀刻液的性能。
那么，下文中通过实验比较根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物和根据本发明的比较例的蚀刻液组合物的性能。
表1中示出了根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物(实施例1)、根据本发明的比较例的蚀刻液组合物(比较例1)的组成。
【表1】
如表1所示，根据本发明的实施例的蚀刻液组合物不包含硫酸以及乙二醇，而包含醋酸、醋酸盐及含卤化合物。
首先，对于上述实施例1及比较例1的蚀刻液，对蚀刻轮廓进行了实验，并将其结果示于图1。
如图1所示，对于比较例1的蚀刻液(＝现有蚀刻液)和实施例1的蚀刻液(＝新型蚀刻液)，分别进行80秒、100秒、120秒时间的ITO蚀刻，然后测量了临界尺寸歪斜(CD skew)(Critical Dimension skew)的深度和锥角(taper angle)(°)。
参考图1，可以确认包含硫酸的本发明的比较例和不包含硫酸的本发明的蚀刻液中，CD skew和锥角(taper angle)相同或属于近似水平。
然后，对于上述实施例1及比较例1的蚀刻液，测量金属溶出量，并将其结果示于表2。
【表2】
从上述表2中可以确认，本实施例1的蚀刻液组合物与比较例1的蚀刻液组合物相比，在金属溶出评价中显示出了同等水平的物性。即，实施例1的蚀刻液相比比较例1的蚀刻液组合物，虽然不包含硫酸及乙二醇，但是在醋酸、醋酸盐及含卤化合物的相互作用下，显示出了可以替代以往使用的包含硫酸的蚀刻液的物性。
然后，对实施例1以及比较例1的蚀刻液进行PR(Photo resist)crack test(光刻胶裂痕试验)后，将其结果示于图2中。
如图2中所示，对实施例1和比较1的铟锌氧化物(ITO)以及铟锡氧化物(IZO)进行crack test(裂痕试验)的结果，可以确认是属于同一水平，且不发生PR crack(光刻胶裂痕)。
然后，对实施例1及比较例1的蚀刻液，对基于保管天数的特性变化进行实验后，将其结果示于表3中。
上述实验中，对于各个蚀刻液以及蚀刻对象，在不同的保管天数下蚀刻ITO及IZO后，测量了CD skew的长度。
若蚀刻液的性能随着保管天数发生了变化，则CD skew的长度也会随着保管天数而变化，所以测量这样的CD skew的变化量并将其示于表3的总变化量项中。
【表3】
从上表3中可以确认，相比比较例1的蚀刻液，实施例1的蚀刻液随着保管天数的特性变化更优秀。即，相比比较例1的蚀刻液，实施例1的蚀刻液随着保管天数的特性变化更小，可以更好地维持蚀刻液的性能。
然后，对实施例1及比较例1的蚀刻液进行随着保管天数的特性变化实验后，将其结果示于表4中。
上述实验中，对于各个蚀刻液，在不同的累积天数下蚀刻IZO后，测量了CD skew的长度。
保管天数指的是蚀刻液在使用之前保存于容器的状态下进行保管的天数，累积天数指的是蚀刻液在实际工艺中使用的时间。
如果蚀刻液的性能随着累积天数而变化，则CD skew的长度也会随着保管天数变得不同，据此测量所述CD skew的变化量并示于表4的总变化量项中。
【表4】
从上表4中可以确认，相比比较例1的蚀刻液，实施例1的蚀刻液随着累积天数的特性变化更优秀。即，相比比较例1的蚀刻液，实施例1的蚀刻液随着累积天数的特性变化更小，可以更好地维持蚀刻液的性能。即，可以确认，根据本发明的一实施例的实施例1的蚀刻液即使经过24小时的累积时间，其蚀刻特性也几乎不变。
然后，在实施例1及比较例1的蚀刻液中分别混入硝酸后，测量是否有发热并将结果示于表5中。
【表5】
参考上表5可以确认，比较例1的蚀刻液组合物随着硝酸的混入产生了发热现象，并且发热温度为45℃以上，持续时间为1000分钟以上。但是本发明的实施例1的蚀刻液组合物中即使混入硝酸，也不会产生任何发热。这是因为本实施例1的蚀刻液组合物不包含乙二醇，所以可以预防蚀刻液的废水处理时随着硝酸的混入而产生的发热问题。
那么，以下对将含卤化合物、有机酸(醋酸)及醋酸盐全部都包含的根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物(实施例2至5)和只包含所述组成中的一部分的根据本发明的比较例的蚀刻液组合物(比较例2至4)进行分析，并对结果进行说明。
表6为示出根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物(实施例2至5)以及根据本发明的比较例的蚀刻液组合物(比较例2至4)的组成的表。
【表6】
然后，对所述实施例2至5的蚀刻液组合物及所述比较例2至4的蚀刻液组合物测量蚀刻速度及残渣去除能力后，将结果示于表7中。
【表7】
参考表7，可以确认，相比只包含含卤化合物、有机酸(醋酸)及醋酸盐中的一部分的根据本发明比较例的蚀刻液组合物，将含卤化合物、有机酸(醋酸)及醋酸盐全部都包含的根据本发明的实施例的蚀刻液组合物，显示出了更快的蚀刻速度。并且，可以确认，本发明的实施例2至实施例4的残渣去除能力良好，然而不包含含卤化合物的比较例2的残渣去除能力显著降低。
然后，对于所述实施例2至5的蚀刻液组合物及所述比较例2至4的蚀刻液组合物，测量了各个配线物质的损伤程度，并将其示于表8中。
【表8】
(◎：非常良好、○：良好、X：不良)
参考表8，可以确认，将含卤化合物、有机酸(醋酸)以及醋酸盐全部都包含的根据本发明的实施例的蚀刻液组合物在配线损伤程度方面良好，但是相比只包含含卤化合物、有机酸(醋酸)以及醋酸盐中的一部分的根据本发明的比较例的蚀刻液，配线的损伤明显得小。
如上文所述，根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物用醋酸及醋酸盐替代硫酸，并且还包含含卤化合物。并且，不包含乙二醇。
因此，可以确认，与包含硫酸的比较例1的蚀刻液组合物相比具有如下特性，在蚀刻特性方面维持同等水准的蚀刻性能，同时在随着保管天数和累积天数的特性变化方面更优秀。这是因为，根据本实施例的蚀刻液组合物中包含的醋酸和醋酸盐、含卤化合物的相互作用。
并且，根据本实施例的蚀刻液组合物在蚀刻液中追加混入硝酸时，也不会发生发热现象，因而解决了废水处理时发生的发热问题。
并且，根据本实施例的蚀刻液组合物将含卤化合物、醋酸及醋酸盐全部都包含，所以蚀刻速度和残渣去除能力都很优秀，并且在维持高蚀刻速度的同时最小化了配线的损伤。
那么，以下对使用根据上述实施例的蚀刻液组合物的薄膜晶体管显示板的制造方法进行说明。
图3为示出根据本发明的一实施例的薄膜晶体管的显示板的平面图。图4为对图3薄膜晶体管显示板沿IV-IV线截取而示出的剖面图。参考图3及图4，对薄膜晶体管显示板的构造进行简要的说明。
由透明的玻璃或塑料等构成的绝缘基板110上形成有包括栅极线121的栅极导体。
栅极线121包括栅电极124及用于与其他层或者外部驱动电路连接的宽的末端部分(未图示)。栅极线121可以由铝(Al)或铝合金等铝系金属、银(Ag)或银合金等银系金属、铜(Cu)或铜合金等铜系金属、钼(Mo)或钼合金等钼系金属、铬(Cr)、钽(Ta)以及钛(Ti)等制成。但是，栅极线121也可以具有包括物理性质不同的至少两个导电膜的多重膜结构。
栅导体121上形成有由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等构成的栅极绝缘膜140。栅极绝缘膜140也可以具有包括物理性质不同的至少两个绝缘层的多层膜结构。
栅极绝缘膜140上形成有由非晶质硅或多晶硅等制成的半导体层154。半导体层154可以包括氧化物半导体。
半导体层154上形成有阻抗性接触部件163、165。阻抗性接触部件163、165可以由以高浓度掺杂(doping)有磷(phosphorus)之类的n型杂质的n+氢化非晶质硅之类的物质制成，或由硅化物(silicide)制成。阻抗性接触部件163、165可以成对地布置于半导体层154上。半导体层154为氧化物半导体时，可以省略阻抗性接触部件163、165。
阻抗性接触部件163、165以及栅极绝缘膜140上形成有包括包含源电极173的数据线171和漏电极175的数据导体。
数据线171包含用于与其他层或外部驱动电路连接的宽的末端部分(未图示)。数据线171传递数据信号，并且主要沿着纵向延伸而与栅极线121交叉。
此时，数据线171为了得到液晶显示装置的最高透过率而可以具有弯曲形状的第一弯曲部，并且弯曲部可以在像素区域的中间区域相交而形成V字形态。像素区域的中间区域中还可以包括为了与第一弯曲部形成预定的角度而弯曲的第二弯曲部。
源电极173为数据线171的一部分，并且布置在与数据线171同一条线上。漏电极175以与源电极173并排延伸的方式形成。因此，漏电极175与数据线171的一部分并排。
栅电极124、源电极173及漏电极175与半导体层154一起形成一个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，并且薄膜晶体管的沟道(channel)形成于源电极173和漏电极175之间的半导体层154。
数据线171和漏电极175优选由钼、铬、钽及钛等耐火性金属(refractory metal)或这些的合金制成，并且可以具有包括耐火性金属膜(未图示)和低电阻导电膜(未图示)的多重膜结构。多重膜结构的例子可以举出铬或钼(合金)下部膜和铝(合金)上部膜的双重膜、以及钼(合金)下部膜和铝(合金)中间膜和钼(合金)上部膜的三重膜。但是，数据线171和漏电极175也可以由除此之外的多种多样的金属或导体制成。数据线171的宽度可以为约3.5μm±0.75左右。
数据导体171、173、175、栅极绝缘膜140、以及半导体层154的暴露的部分上布置有第一保护膜180n。第一保护膜180n可以由有机绝缘物质或无机绝缘物质等构成。
第一保护膜180n上布置有第二保护膜180q。第二保护膜180q可以被省略。第二保护膜180q可以是滤色器。第二保护膜180q为滤色器的情况下，第二保护膜180q可以固有地显示基础色(primary color)中的一个，基础色的例子可以举出红色、绿色、蓝色等三原色或黄色(yellow)、蓝绿色(cyan)、紫红色(magenta)等。虽未被图示，滤色器除了显示基础色的滤色器之外还可以包括显示基础色的混合色或白色(white)的滤色器。
第二保护膜180q的上形成有共同电极(common electrode)270。共同电极270为平面型，其可在基板110的前表面上以通板形式形成，并且具有布置在与漏电极175周围对应的区域的开口部(未图示)。即，共同电极270可以具有板形态的平面形态。
位于相邻像素的共同电极270互相连接，从而可以接收从显示区域外部供应的预定大小的共同电压。
共同电极270上配置有第三保护膜180z。第三保护膜180z可以由有机绝缘物质或无机绝缘物质等构成。
在第三保护膜180z上形成有像素电极191。像素电极191包括与数据线171的第一弯曲部及第二弯曲部几乎并排的弯曲边(curved edge)。像素电极191具有多个第一切开部92，并且包括由多个第一切开部92定义的多个第一指形电极192。在形成该像素电极191的弯曲部、切开部等的形状时利用到根据本实施例的蚀刻液。具体的方法在下文中进行说明。
第一保护膜180n、第二保护膜180q、以及第三保护膜180z中形成有露出漏电极175的第一接触孔185。像素电极191通过第一接触孔185与漏电极175物理上电连接，从而从漏电极175接收电压。
虽未图示，但是在像素电极191和第三保护膜180z上涂覆有配向膜(alignmentlayer)，并且配向膜可以是水平配向膜，并且且处于被沿预定方向研磨(rubbing)的状态。但是，根据本发明的另一实施例的液晶显示装置，配向膜包含光反应物质，并且可被光配向。
那么，以下参考图5至图8对根据本发明的一实施例的薄膜晶体管显示板的制造方法进行说明。图5至图7为示出与图4相同的剖面的工艺剖面图。图8为示出像素电极被蚀刻之前的薄膜晶体管显示板的图。
参考图5，首先，在基板110上依次形成包括栅电极124的栅极导体、栅极绝缘膜140、半导体层154、包括源电极173及漏电极175的数据导体。
然后，形成第一保护膜180n及第二保护膜180q后，形成共同电极270.
然后，参考图6，在共同电极270上形成第三保护膜180z后，在其上面沉积像素电极物质层191p。
图6中示出的像素电极物质层191p是在未被图案化的情况下示于像素区域前面的状态。
若示出图6步骤中的薄膜晶体管显示板的布置图，则与图7相同。图7中用阴影示出的部分为像素电极物质。此时，沉积的像素电极物质层的物质为透明导电性氧化物。这样的物质可以是铟锡氧化物或者铟锌氧化物。
然后，利用前述的根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物蚀刻像素电极物质层。此时使用的蚀刻液组合物与前述的蚀刻液组合物相同。即，利用包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水的蚀刻液组合物来蚀刻像素电极。
图8为示出像素电极被蚀刻的薄膜晶体管显示板的剖面的图。通过该蚀刻形成如图9中示出的像素电极，并且完成薄膜晶体管显示板。
以上对本发明的优选的实施例进行了详细的说明，但本发明的范围不限于此，并且本发明的范围包括利用权利要求书中定义的本发明的概念的本领域从业人员的多种变形以及改良形态。
Claims (10)
1.一种蚀刻液组合物，包含：
相对于蚀刻液组合物总重量，
5重量％以上且20重量％以下的硝酸、
1重量％以上且15重量％以下的醋酸、
0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、
0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及
使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，所述B是氢离子、铵离子、铁离子、铝离子、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述含卤化合物是由氯化氢、氯化铝、氟化铵、碘化钾、氯化钾及氯化铵组成的群中选择的一个以上。
4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物用于蚀刻透明导电性氧化物。
5.如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
6.一种薄膜晶体管显示板的制造方法，包括如下步骤：
在基板上形成数据导体；
在所述数据导体上沉积透明导电性氧化物；及
利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物，
其中，所述蚀刻液组合物包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子、铵离子、铁离子、铝离子、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述含卤化合物可以是由氯化氢、氯化铝、氟化铵、碘化钾、氯化钾及氯化铵组成的群中选择的一个以上。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
10.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
通过利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物的步骤来形成像素电极，
所述像素电极具有多个切开部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0124328 | 2015-09-02 | ||
| KR1020150124328A KR102471019B1 (ko) | 2015-09-02 | 2015-09-02 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106497569A true CN106497569A (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=58290392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610796482.5A Pending CN106497569A (zh) | 2015-09-02 | 2016-08-31 | 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102471019B1 (zh) |
| CN (1) | CN106497569A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113322072A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-31 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102178786B1 (ko) | 2017-03-03 | 2020-11-13 | 주식회사 엘지화학 | 카트리지 및 이를 포함하는 배터리 모듈 |
| KR102503788B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1821872A (zh) * | 2005-02-15 | 2006-08-23 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物和薄膜晶体管阵列板的制造方法 |
| KR20080024817A (ko) * | 2006-09-15 | 2008-03-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 몰리브덴으로 이루어진 다층막용 식각용액 조성물 |
| US20130180947A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Soulbrain Co., Ltd. | Etching composition and method of manufacturing a display substrate using the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502796B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-10-24 | 삼성전자주식회사 | 인듐 틴 옥사이드용 식각액 및 이를 이용한액정 표시 장치의제조 방법 |
| KR20090081937A (ko) * | 2008-01-25 | 2009-07-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 |
| KR101531688B1 (ko) * | 2008-11-12 | 2015-06-26 | 솔브레인 주식회사 | 투명도전막 식각용액 |
| KR20150085437A (ko) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2015
- 2015-09-02 KR KR1020150124328A patent/KR102471019B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-08-31 CN CN201610796482.5A patent/CN106497569A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1821872A (zh) * | 2005-02-15 | 2006-08-23 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物和薄膜晶体管阵列板的制造方法 |
| KR20080024817A (ko) * | 2006-09-15 | 2008-03-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 몰리브덴으로 이루어진 다층막용 식각용액 조성물 |
| US20130180947A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Soulbrain Co., Ltd. | Etching composition and method of manufacturing a display substrate using the same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113322072A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-31 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
| CN113322072B (zh) * | 2021-06-25 | 2022-06-03 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102471019B1 (ko) | 2022-11-25 |
| KR20170027931A (ko) | 2017-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100379824B1 (ko) | 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 | |
| CN106676525B (zh) | 银蚀刻液组合物和使用该组合物的显示基板 | |
| JP3961172B2 (ja) | 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 | |
| US8617944B2 (en) | Method of etching a pixel electrode | |
| JP2016167581A5 (zh) | ||
| JP2016167581A (ja) | 銀含有薄膜のエッチング液組成物およびこれを用いた表示装置用アレイ基板の製造方法 | |
| KR101340514B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| JP2001223365A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR102546803B1 (ko) | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 | |
| CN105027296A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JP2008123002A (ja) | 低抵抗配線を有する液晶ディスプレイパネル | |
| JP2008536295A (ja) | 銀被覆電極を有するｌｃｄ装置 | |
| CN106497569A (zh) | 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 | |
| JP6669566B2 (ja) | 銀エッチング液組成物およびこれを用いた表示基板 | |
| KR20140087757A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR20100019233A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR101302827B1 (ko) | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 | |
| CN109423647B (zh) | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 | |
| CN108930037B (zh) | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 | |
| CN109385634A (zh) | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 | |
| KR20220127776A (ko) | 은 식각액 조성물 | |
| CN109423289B (zh) | 含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 | |
| CN109385281A (zh) | 含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 | |
| CN110117792B (zh) | 金属层用蚀刻剂组合物和制造导电图案的方法 | |
| KR102623996B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170315 |