CN113322072A - 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 - Google Patents
一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113322072A CN113322072A CN202110708889.9A CN202110708889A CN113322072A CN 113322072 A CN113322072 A CN 113322072A CN 202110708889 A CN202110708889 A CN 202110708889A CN 113322072 A CN113322072 A CN 113322072A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compatible
- ito
- etching solution
- nitric acid
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法,其蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%,余量为纯水;依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀,再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
Description
技术领域
本发明属于蚀刻液技术领域,具体涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法。
背景技术
氧化铟锡(ITO)导电膜是在钠钙基或硅硼玻璃上,利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。ITO导电膜具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有优异的附着性、抗擦伤等性能而广泛应用于面板显示行业。为制备出所需要的电极图形,通常需要对ITO导电膜进行湿法蚀刻。现有行业用作面板过程中ITO蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液等,这些蚀刻液腐蚀能力强,在蚀刻过程中,往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间,难以控制蚀刻精度。
中国专利CN201210206045.5公开了一种新型王水系ITO蚀刻液及制备方法,该ITO蚀刻液包括盐酸、硝酸、纯水和添加剂,其中添加剂包含硝酸盐化合物、氯基化合物及表面活性剂,其蚀刻液腐蚀能力强,在蚀刻过程中,往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间,不适用厚度较小的ITO膜层,且该蚀刻液的制备工艺较为复杂。
中国专利CN201510832036.0公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液,其组分按重量百分比计包括:4~16%的硫酸、7~22%的硝酸、0.1~10%的醋酸、0.01~5%的添加剂、余量的水,采用硫酸/硝酸/醋酸三酸系的ITO蚀刻体系,其所用酸的含量都较高,蚀刻反应剧烈,难以控制蚀刻精度,不适用于厚度较小的ITO膜层,而且蚀刻液成本较高。
因此,亟需一种适用于不同厚度ITO膜层且能保证蚀刻精度的兼容性ITO蚀刻液,在蚀刻过程中只需控制蚀刻时间无需切换蚀刻液。
发明内容
本发明的目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液,其适用于不同厚度的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%-3%,余量为纯水。
进一步的,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%,余量为纯水。
进一步的,所述硝酸为电子级,所述硝酸浓度为71%wt。
进一步的,所述硫酸为电子级,所述硫酸浓度为98%wt。
进一步的,所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾、中的任意一种或多种。
更进一步的,所述金属盐为醋酸钠。
进一步的,所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。
更进一步的,所述铵盐为氟化铵。
本发明的另一目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%~30%、10%~20%、1%~10%、0.5%-3%,其余为纯水的配比称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
进一步的,所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌。
进一步的,所述搅拌是在常温常压下进行,所述搅拌速度为50~100r/min。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)本发明的蚀刻液适用于不同厚度(400-1000Å)的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高,更优先的,硝酸含量需控制在10%~30%、硫酸含量需控制在10%~20%、金属盐含量需控制在1%~10%、铵盐含量需控制在0.5%-3%,可以实现对不同厚度ITO膜层稳定和均匀的蚀刻;针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
(2)本发明同时加入金属盐和铵盐,两者具有协同增效的作用,使得蚀刻速度得到控制,进而实现控制蚀刻角度的要求,避免蚀刻反应剧烈,难以控制蚀刻精度的弊端。
(3)本发明的蚀刻液不仅适用于ITO膜层蚀刻,还适用于铟镓锌氧化物(IGZO)膜层的蚀刻,尤其适用于1000Å厚度的IGZO膜层。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、醋酸钠5%、氟化铵0.5%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、醋酸钠、氟化铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、醋酸钠、氟化铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、醋酸钠、氟化铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为80r/min。
实施例2
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸20%、硫酸15%、硝酸锂5%、氯化铵1%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、硝酸锂、氯化铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、硝酸锂、氯化铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、硝酸锂、氯化铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为100r/min。
实施例3
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸15%、醋酸钠3%、氟化氢铵1.5%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、醋酸钠、氟化氢铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、醋酸钠、氟化氢铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、醋酸钠、氟化氢铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为80r/min。
对比例1
与实施例1的区别仅在于:不加入醋酸钠。
对比例2
与实施例1的区别仅在于:不加入氟化铵。
将实施例1所制备的ITO蚀刻液用于蚀刻不同厚度的ITO膜层、IGZO膜层,其中,蚀刻温度为40℃,蚀刻结果如下表所示:
注:ITO蚀刻液目标要求为:CD lose:单边≤0.25μm,Taper angle<50°,无残留。
从上表看出,实施例1所制备的ITO蚀刻液可以实现对不同厚度ITO膜层稳定和均匀的蚀刻,且针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
将实施例1-3和对比例1-2所制备的ITO蚀刻液用于蚀刻不同的ITO膜层,蚀刻温度为40℃,蚀刻结果如下表所示:
从上表中可以看出,与实施例1~3的ITO蚀刻液相比,不加入醋酸钠所制备的ITO蚀刻液以及不加入氟化铵所制备的ITO蚀刻液蚀刻精度较差,且从对比例1~2与实施例1~3的蚀刻结果来看,即通过仅加入醋酸钠、仅加入氟化铵以及同时加入醋酸钠和氟化胺的蚀刻效果来看,同时加入醋酸钠和氟化胺的实际蚀刻效果明显大于期望蚀刻效果(仅加入醋酸钠和仅加入氟化铵的蚀刻效果之和),本发明的金属盐和铵盐具有协同增效的作用,并不是两者简单的叠加作用。
除上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%-3%,余量为纯水。
2.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%,余量为纯水。
3.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述硝酸为电子级,所述硝酸浓度为71%wt。
4.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述硫酸为电子级,所述硫酸浓度为98%wt。
5.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾中的任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。
7.根据权利要求5所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述金属盐为醋酸钠。
8.根据权利要求6所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述铵盐为氟化铵。
9.一种权利要求1-8任一所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%~30%、10%~20%、1%~10%、0.5%-3%,其余为纯水的配比称重配置;
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐,充分搅拌,混合均匀;
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
10.根据权利要求9所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法,其特征在于:所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌,所述搅拌是在常温常压下进行,搅拌速度为50~100r/min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110708889.9A CN113322072B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110708889.9A CN113322072B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113322072A true CN113322072A (zh) | 2021-08-31 |
CN113322072B CN113322072B (zh) | 2022-06-03 |
Family
ID=77424685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110708889.9A Active CN113322072B (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113322072B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114507529A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-05-17 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法 |
CN114507528A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-05-17 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种硫酸系ito蚀刻液及其制备、应用方法 |
CN114891509A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-08-12 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1760743A (zh) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 东进世美肯株式会社 | 薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物 |
CN1912187A (zh) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 蚀刻剂组合物和用其构图导电层和制造平板显示器的方法 |
JP2009206462A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
CN102177219A (zh) * | 2008-11-12 | 2011-09-07 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 透明导电膜蚀刻剂 |
CN106497569A (zh) * | 2015-09-02 | 2017-03-15 | 三星显示有限公司 | 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 |
CN107164762A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-09-15 | 合肥市惠科精密模具有限公司 | 一种amoled用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺 |
CN109266352A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-25 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种含银复合膜的蚀刻液组合物及蚀刻方法 |
-
2021
- 2021-06-25 CN CN202110708889.9A patent/CN113322072B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1760743A (zh) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 东进世美肯株式会社 | 薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物 |
CN1912187A (zh) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 蚀刻剂组合物和用其构图导电层和制造平板显示器的方法 |
JP2009206462A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
CN102177219A (zh) * | 2008-11-12 | 2011-09-07 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 透明导电膜蚀刻剂 |
CN106497569A (zh) * | 2015-09-02 | 2017-03-15 | 三星显示有限公司 | 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法 |
CN107164762A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-09-15 | 合肥市惠科精密模具有限公司 | 一种amoled用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺 |
CN109266352A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-25 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种含银复合膜的蚀刻液组合物及蚀刻方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114507529A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-05-17 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法 |
CN114507528A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-05-17 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种硫酸系ito蚀刻液及其制备、应用方法 |
CN114507529B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-08-08 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法 |
CN114507528B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-08-08 | 福建中安高新材料研究院有限公司 | 一种硫酸系ito蚀刻液及其制备、应用方法 |
CN114891509A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-08-12 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113322072B (zh) | 2022-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113322072B (zh) | 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 | |
US6042752A (en) | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate | |
US5045235A (en) | Transparent conductive film | |
CN110563341A (zh) | 高铝玻璃蒙砂液及其制备方法 | |
CN111423883B (zh) | 一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液 | |
KR20130068579A (ko) | 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 | |
CN105463463A (zh) | 一种AMOLED用ITO-Ag-ITO蚀刻液 | |
TWI550061B (zh) | 蝕刻液組成物及蝕刻方法 | |
CN111334298B (zh) | 一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法 | |
CN106479504B (zh) | 一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法 | |
JP4779798B2 (ja) | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜 | |
JPH0935535A (ja) | ZnO−SnO2 系透明導電性膜 | |
CN102277573B (zh) | 液晶显示屏用铬蚀刻液及其制备方法 | |
JP4904934B2 (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット | |
CN106479505A (zh) | 一种用于ito导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法 | |
CN106283058A (zh) | 一种调控钼铝钼蚀刻形貌的蚀刻液 | |
CN101834009B (zh) | 一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法 | |
CN114772632A (zh) | 一种精准控制酸碱度促进ito粉一致性的方法 | |
JPH0343911A (ja) | 透明導電膜 | |
CN110564420A (zh) | 一种高世代平板用ito蚀刻液 | |
JP2000129427A (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
CN112981404A (zh) | 一种钛合金蚀刻液组合物及其使用方法 | |
CN115093854B (zh) | 一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用 | |
WO2016132825A1 (ja) | スパッタリングターゲット、及び、積層膜 | |
JP3352772B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |