CN113322072A - 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法,其蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%,余量为纯水;依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀,再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。

Description

一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法
技术领域
本发明属于蚀刻液技术领域,具体涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法。
背景技术
氧化铟锡(ITO)导电膜是在钠钙基或硅硼玻璃上,利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。ITO导电膜具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有优异的附着性、抗擦伤等性能而广泛应用于面板显示行业。为制备出所需要的电极图形,通常需要对ITO导电膜进行湿法蚀刻。现有行业用作面板过程中ITO蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液等,这些蚀刻液腐蚀能力强,在蚀刻过程中,往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间,难以控制蚀刻精度。
中国专利CN201210206045.5公开了一种新型王水系ITO蚀刻液及制备方法,该ITO蚀刻液包括盐酸、硝酸、纯水和添加剂,其中添加剂包含硝酸盐化合物、氯基化合物及表面活性剂,其蚀刻液腐蚀能力强,在蚀刻过程中,往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间,不适用厚度较小的ITO膜层,且该蚀刻液的制备工艺较为复杂。
中国专利CN201510832036.0公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液,其组分按重量百分比计包括:4~16%的硫酸、7~22%的硝酸、0.1~10%的醋酸、0.01~5%的添加剂、余量的水,采用硫酸/硝酸/醋酸三酸系的ITO蚀刻体系,其所用酸的含量都较高,蚀刻反应剧烈,难以控制蚀刻精度,不适用于厚度较小的ITO膜层,而且蚀刻液成本较高。
因此,亟需一种适用于不同厚度ITO膜层且能保证蚀刻精度的兼容性ITO蚀刻液,在蚀刻过程中只需控制蚀刻时间无需切换蚀刻液。
发明内容
本发明的目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液,其适用于不同厚度的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%-3%,余量为纯水。
进一步的,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%,余量为纯水。
进一步的,所述硝酸为电子级,所述硝酸浓度为71%wt。
进一步的,所述硫酸为电子级,所述硫酸浓度为98%wt。
进一步的,所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾、中的任意一种或多种。
更进一步的,所述金属盐为醋酸钠。
进一步的,所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。
更进一步的,所述铵盐为氟化铵。
本发明的另一目的是提供一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%~30%、10%~20%、1%~10%、0.5%-3%,其余为纯水的配比称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
进一步的,所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌。
进一步的,所述搅拌是在常温常压下进行,所述搅拌速度为50~100r/min。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)本发明的蚀刻液适用于不同厚度(400-1000Å)的ITO膜层,且反应温和稳定,蚀刻精度高,更优先的,硝酸含量需控制在10%~30%、硫酸含量需控制在10%~20%、金属盐含量需控制在1%~10%、铵盐含量需控制在0.5%-3%,可以实现对不同厚度ITO膜层稳定和均匀的蚀刻;针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
(2)本发明同时加入金属盐和铵盐,两者具有协同增效的作用,使得蚀刻速度得到控制,进而实现控制蚀刻角度的要求,避免蚀刻反应剧烈,难以控制蚀刻精度的弊端。
(3)本发明的蚀刻液不仅适用于ITO膜层蚀刻,还适用于铟镓锌氧化物(IGZO)膜层的蚀刻,尤其适用于1000Å厚度的IGZO膜层。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、醋酸钠5%、氟化铵0.5%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、醋酸钠、氟化铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、醋酸钠、氟化铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、醋酸钠、氟化铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为80r/min。
实施例2
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸20%、硫酸15%、硝酸锂5%、氯化铵1%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、硝酸锂、氯化铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、硝酸锂、氯化铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、硝酸锂、氯化铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为100r/min。
实施例3
一种兼容性ITO蚀刻液,所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸15%、醋酸钠3%、氟化氢铵1.5%,余量为纯水。
一种兼容性ITO蚀刻液的制备方法,包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、醋酸钠、氟化氢铵、纯水按以上重量百分比分别称重配置。
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、醋酸钠、氟化氢铵,充分搅拌,混合均匀。
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、醋酸钠、氟化氢铵的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
其中搅拌为在常温常压下进行的机械搅拌,搅拌速度为80r/min。
对比例1
与实施例1的区别仅在于:不加入醋酸钠。
对比例2
与实施例1的区别仅在于:不加入氟化铵。
将实施例1所制备的ITO蚀刻液用于蚀刻不同厚度的ITO膜层、IGZO膜层,其中,蚀刻温度为40℃,蚀刻结果如下表所示:
Figure DEST_PATH_IMAGE001
注:ITO蚀刻液目标要求为:CD lose:单边≤0.25μm,Taper angle<50°,无残留。
从上表看出,实施例1所制备的ITO蚀刻液可以实现对不同厚度ITO膜层稳定和均匀的蚀刻,且针对不同厚度的膜层,只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的,无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
将实施例1-3和对比例1-2所制备的ITO蚀刻液用于蚀刻不同的ITO膜层,蚀刻温度为40℃,蚀刻结果如下表所示:
Figure 406166DEST_PATH_IMAGE002
从上表中可以看出,与实施例1~3的ITO蚀刻液相比,不加入醋酸钠所制备的ITO蚀刻液以及不加入氟化铵所制备的ITO蚀刻液蚀刻精度较差,且从对比例1~2与实施例1~3的蚀刻结果来看,即通过仅加入醋酸钠、仅加入氟化铵以及同时加入醋酸钠和氟化胺的蚀刻效果来看,同时加入醋酸钠和氟化胺的实际蚀刻效果明显大于期望蚀刻效果(仅加入醋酸钠和仅加入氟化铵的蚀刻效果之和),本发明的金属盐和铵盐具有协同增效的作用,并不是两者简单的叠加作用。
除上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸10%~30%、硫酸10%~20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%-3%,余量为纯水。
2.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液的原料按重量百分比计算,包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%,余量为纯水。
3.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述硝酸为电子级,所述硝酸浓度为71%wt。
4.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述硫酸为电子级,所述硫酸浓度为98%wt。
5.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾中的任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。
7.根据权利要求5所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述金属盐为醋酸钠。
8.根据权利要求6所述的兼容性ITO蚀刻液,其特征在于:所述铵盐为氟化铵。
9.一种权利要求1-8任一所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%~30%、10%~20%、1%~10%、0.5%-3%,其余为纯水的配比称重配置;
(2)在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐,充分搅拌,混合均匀;
(3)往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸,充分搅拌,混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。
10.根据权利要求9所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法,其特征在于:所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌,所述搅拌是在常温常压下进行,搅拌速度为50~100r/min。
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