KR20150085437A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20150085437A
KR20150085437A KR1020140005308A KR20140005308A KR20150085437A KR 20150085437 A KR20150085437 A KR 20150085437A KR 1020140005308 A KR1020140005308 A KR 1020140005308A KR 20140005308 A KR20140005308 A KR 20140005308A KR 20150085437 A KR20150085437 A KR 20150085437A
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loop layer
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박준홍
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주진호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

액정 표시 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 화소 전극 그리고 상기 화소 전극과 마주보는 루프층을 포함하고, 상기 화소 전극과 상기 루프층 사이에 복수의 미세 공간(Microcavity)이 형성되어 있고, 상기 미세 공간은 액정 물질을 포함하고, 상기 복수의 미세 공간 사이에 격벽이 형성되며, 상기 격벽은 상기 루프층과 수직이다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치 가운데 하나로써, 픽셀 단위로 캐비티(cavity)를 형성하고, 여기에 액정을 채워 디스플레이를 구현하는 기술이 개발되고 있다. 이 기술은 하판 위에 상판을 형성하는 것 대신에 유기 물질 등으로 희생층을 형성하고 상부에 지지 부재를 형성한 후에 희생층을 제거하고, 희생층 제거로 형성된 빈 공간에 액정을 채워 디스플레이를 만드는 기술이다.
하지만, 이러한 기술은 희생층을 제거하는 과정에서 공정 시간이 길어지는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정 시간을 단축할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 화소 전극 그리고 상기 화소 전극과 마주보는 루프층을 포함하고, 상기 화소 전극과 상기 루프층 사이에 복수의 미세 공간(Microcavity)이 형성되어 있고, 상기 미세 공간은 액정 물질을 포함하고, 상기 복수의 미세 공간 사이에 격벽이 형성되며, 상기 격벽은 상기 루프층과 수직이다.
상기 루프층 위에 위치하는 캐핑층을 더 포함하고, 상기 캐핑층은 상기 루프층 상부면과 접촉할 수 있다.
상기 복수의 미세 공간 사이에 액정 주입구 형성 영역이 위치하며, 상기 캐핑층은 상기 액정 주입구 형성 영역을 덮을 수 있다.
상기 액정 주입구 형성 영역에서 상기 캐핑층과 접촉하는 상기 루프층의 측면은 상기 기판에 대해 수직일 수 있다.
상기 화소 전극과의 사이에 보호층이 개재되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 격벽은 상기 루프층에서 돌출되고, 상기 격벽과 상기 루프층은 일체로 형성된 구조일 수 있다.
상기 미세 공간과 상기 루프층 사이에 위치하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 공통 전극은 상기 격벽과 상과 상기 루프층 사이에 위치할 수 있다.
상기 공통 전극은 상기 격벽 부분에서 상기 기판에 평행한 면을 가질 수 있다.
상기 공통 전극과 상기 루프층은 접촉할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 위에 모 루프층을 형성하는 단계, 상기 모 루프층을 몰드를 사용하여 패터닝함으로써 전사 구조체를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터를 포함하는 표시판 위에 상기 전사 구조체를 전사하는 단계, 상기 전사 구조체에서 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 표시판 위에 복수의 미세 공간 및 액정 주입구 형성 영역을 형성하는 단계, 상기 액정 주입구 형성 영역을 통해 상기 복수의 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계 그리고 상기 액정 주입구 형성 영역을 채우도록 상기 루프층 위에 캐핑층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 몰드는 제1 영역과 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 홈으로 구획되어 있고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 두꺼울 수 있다.
상기 전사 구조체를 형성하는 단계는 상기 몰드의 상기 제1 영역에 대응하는 부분에 루프층과 격벽을 형성하고, 상기 몰드의 상기 제2 영역에 대응하는 부분에 트렌치를 형성할 수 있다.
상기 전사 구조체를 전사하는 단계는 상기 표시판의 차광 영역에 대응하는 부분에 상기 격벽이 위치하도록 할 수 있다.
상기 루프층을 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 위에 모 루프층을 형성하는 단계, 상기 모 루프층에 공통 전극을 형성하는 단계, 상기 공통 전극 위에 모 격벽을 형성하는 단계, 상기 모 격벽을 몰드를 사용하여 패터닝함으로써 전사 구조체를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터를 포함하는 표시판 위에 상기 전사 구조체를 전사하는 단계, 상기 전사 구조체에서 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 모 루프층의 일부를 제거하여 상기 공통 전극 일부를 노출하는 단계, 상기 노출된 공통 전극 일부를 식각하는 단계, 상기 표시판 위에 복수의 미세 공간 및 액정 주입구 형성 영역을 형성하는 단계, 상기 액정 주입구 형성 영역을 통해 상기 복수의 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계 그리고 상기 액정 주입구 형성 영역을 채우도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 몰드는 제1 영역과 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 홈으로 구획되어 있고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 동일한 두께를 가질 수 있다.
상기 전사 구조체를 형성하는 단계는 상기 몰드의 상기 제1 영역에 대응하는 부분에 격벽을 형성할 수 있다.
상기 전사 구조체를 전사하는 단계는 상기 표시판의 차광 영역에 대응하는 부분에 상기 격벽이 위치하도록 할 수 있다.
상기 모 루프층의 일부를 제거하여 루프층을 형성하고, 상기 루프층을 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 나노 임프린트 또는 롤 프린팅 공정을 사용하여 캐비티 구조를 형성한 후에 박막 트랜지스터 표시판에 전사함으로써 희생층 및 루프층 형성 공정 없이 캐비티(cavity) 내에 액정을 채워 디스플레이를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 절단선 III-III을 따라 자른 단면도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 사시도들이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 절단선 VI-VI을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 도 5의 절단선 VII-VII을 따라 자른 단면도이다.
도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 사시도들이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "위"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다. 도 3은 도 1의 절단선 III-III을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 기판(110) 위에 게이트선(121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 게이트 전극(124) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다. 게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등으로 이루어지는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171) 하부에 위치하는 반도체층(151), 소스/드레인 전극의 하부 및 박막 트랜지스터(Q)의 채널 부분에 위치하는 반도체층(154)이 형성되어 있다. 반도체층(154)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있고, 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있다.
각 반도체층(151, 154) 위이며, 데이터선(171), 소스/드레인 전극의 사이에는 복수의 저항성 접촉 부재가 형성되어 있을 수 있는데, 도면에서는 생략되어 있다.
각 반도체층(151, 154) 및 게이트 절연막(140) 위에 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 연결되는 데이터선(171), 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173, 175)가 형성되어 있다. 데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다. 데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)의 일부이고, 데이터선(171)과 동일선 상에 배치된다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 나란하게 뻗도록 형성되어 있다. 따라서, 드레인 전극(175)은 데이터선(171)의 일부와 나란하다. 이러한 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)의 구조는 변형될 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 박막 트랜지스터(Q)를 형성하며, 박막 트랜지스터(Q)의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층 부분(154)에 형성된다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다.
데이터 도전체(171, 173, 175) 및 노출된 반도체층(154) 부분 위에는 제1 보호층(180a)이 형성되어 있다. 제1 보호층(180a)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.
제1 보호층(180a) 위에는 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있다.
먼저, 차광 부재(220)는 화상을 표시하는 영역에 대응하는 개구부를 가지는 격자 구조로 이루어져 있으며, 빛이 투과하지 못하는 물질로 형성되어 있다. 차광 부재(220)의 개구부에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 게이트선(121)과 평행한 방향을 따라 형성된 가로 차광 부재(220a)와 데이트선(171)과 평행한 방향을 따라 형성된 세로 차광 부재(220b)를 포함한다.
색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 하나를 표시할 수도 있다. 색필터(230)는 인접하는 화소마다 서로 다른 색을 표시하는 물질로 형성되어 있을 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220)의 위에는 이를 덮는 제2 보호층(180b)이 형성되어 있다. 제2 보호층(180b)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 도 2의 단면도에서 도시된 바와 달리 색필터(230)와 차광 부재(220)의 두께 차이로 인하여 단차가 발생된 경우에는 제2 보호층(180b)을 유기 절연물을 포함하도록 하여 단차를 줄이거나 제거할 수 있다.
색필터(230), 차광 부재(220) 및 보호층(180a, 180b)에는 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
제2 보호층(180b) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 면형(planar shape)으로서 기판(110) 전면 위에 통판으로 형성되어 있을 수 있고, 드레인 전극(175) 주변에 대응하는 영역에 배치되어 있는 개구부(138)를 가진다. 즉, 공통 전극(270)은 판 형태의 평면 형태를 가질 수 있다.
인접 화소에 위치하는 공통 전극(270)은 서로 연결되어, 표시 영역 외부에서 공급되는 일정한 크기의 공통 전압을 전달 받을 수 있다.
공통 전극(270) 위에는 층간 절연층(180c)이 위치한다. 층간 절연층(180c)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다.
층간 절연층(180c) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 화소 전극(191)은 복수의 절개부(91)를 가지며, 이웃하는 절개부 사이에 위치하는 복수의 가지 전극(192)을 포함한다.
제1 보호층(180a), 제2 보호층(180b), 그리고 층간 절연층(180c)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되어, 드레인 전극(175)으로부터 전압을 인가 받는다.
공통 전극(270)은 제1 전기장 생성 전극 또는 제1 전극이고, 화소 전극(191)은 제2 전기장 생성 전극 또는 제2 전극이다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 수평 전계를 형성할 수 있다. 전기장 생성 전극인 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 전기장을 생성함으로써 두 전기장 생성 전극(191, 270) 위에 위치하는 액정 분자(310)는 전기장의 방향과 평행한 방향으로 회전한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 회전 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다.
도시한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 공통 전극(270)이 면형의 평면 형태를 가지고, 화소 전극(191)이 복수의 가지 전극(192)을 가지지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 화소 전극(191)이 면형이 평면 형태를 가지고, 공통 전극(270)이 복수의 가지 전극을 가질 수도 있다.
본 발명은 두 개의 전기장 생성 전극이 기판(110) 위에 절연층을 사이에 두고 중첩하며, 절연층 아래에 형성되어 있는 제1 전기장 생성 전극이 면형의 평면 형태를 가지고, 절연층 위에 형성되어 있는 제2 전기장 생성 전극이 복수의 가지 전극을 가지는 모든 다른 경우에 적용 가능하다.
화소 전극(191) 위에는 하부 배향막(11)이 형성되어 있고, 하부 배향막(11)은 광배향 물질을 포함할 수 있다.
하부 배향막(11)과 대향하는 부분에 상부 배향막(21)이 위치하고, 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21) 사이에는 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 미세 공간(305)에는 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질이 주입되어 있고, 미세 공간(305)은 액정 주입구(307)를 갖는다.
미세 공간(305)은 화소 전극(191)의 열 방향 다시 말해 세로 방향을 따라 형성될 수 있다. 본 실시예에서 배향막(11, 21)을 형성하는 배향 물질과 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질은 모관력(capillary force)을 이용하여 미세 공간(305)에 주입될 수 있다.
미세 공간(305)은 게이트선(121)과 중첩하는 부분에 위치하는 복수의 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 세로 방향으로 나누어지며, 또한 게이트선(121)이 뻗어 있는 방향을 따라 복수개 형성되어 있다. 복수개 형성된 미세 공간(305) 각각은 화소 영역 하나 또는 둘 이상에 대응할 수 있고, 화소 영역은 화면을 표시하는 영역에 대응할 수 있다.
상부 배향막(21) 위에는 루프층(Roof Layer; 360)이 위치한다. 루프층(360)은 미세 공간(305)이 형성될 수 있도록 미세 공간(305)을 지지하는 지지 부재 역할을 한다. 루프층(360)은 포토 레지스트 또는 그 밖의 유기 물질을 포함할 수 있다.
루프층(360) 위에 캐핑층(390)이 위치한다. 본 실시예에서 캐핑층(390)은 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 채우면서 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 노출된 미세 공간(305)의 액정 주입구(307)를 덮는다. 캐핑층(390)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함한다.
본 실시예에서 캐핑층(390)은 루프층(360)의 측면 및 상부면과 접촉할 수 있다. 액정 주입구 형성 영역(307FP)에서 캐핑층(390)과 접촉하는 루프층(360)의 측면은 기판(110)에 대해 실질적으로 수직일 수 있다.
본 실시예에서는 도 3에 도시한 바와 같이, 가로 방향으로 이웃하는 미세 공간(305) 사이에 격벽(360PW)이 형성되어 있다. 격벽(360PW)은 데이터선(171)이 뻗어 있는 방향을 따라 형성될 수 있고, 루프층(360)에서 돌출되어 있다. 격벽(360PW)은 루프층(360)과 동일한 물질로 형성되며, 격벽(360PW)과 루프층(360)은 일체로 형성된 구조이다. 본 실시예에서 격벽(360PW)과 루프층(360)은 실질적으로 수직일 수 있다.
격벽(360PW)은 미세 공간(305)을 구획 또는 정의할 수 있다. 본 실시예에서는 미세 공간(305) 사이에 격벽(360PW)이 형성되어 있기 때문에 기판(110)이 휘더라도 발생하는 스트레스가 적고, 셀 갭(Cell Gap)이 변경되는 정도가 훨씬 감소할 수 있다.
이하에서는 도 4a 내지 도 4i를 참고하여 앞에서 설명한 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대한 일실시예를 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 사시도들이다.
도 4a를 참고하면, 캐리어 기판(310) 위에 모 루프층(360M)을 형성한다. 모 루프층(360M)은 포토 공정이 가능한 유기 물질 등으로 형성할 수 있다.
도 4b를 참고하면, 제1 영역(P)과 제2 영역(Q)을 포함하는 몰드(500)를 모 루프층(360M)과 마주보도록 배치한다. 몰드(500)의 제1 영역(P)에는 길게 뻗은 홈(510)이 복수개 형성되어 있고, 이러한 홈들(510)은 이후 형성되는 이웃하는 화소 영역을 구획할 수 있다.
몰드(500)의 제2 영역(Q)은 제1 영역(P)보다 두껍게 형성되어 있다.
도 4c를 참고하면, 몰드(500)를 사용하여 모 루프층(360M)을 패터닝하여 전사 구조체(400)를 형성한다. 패터닝된 모 루프층(360M)은 몰드(500)의 제1 영역(P)에 대응하는 부분에 루프층(360)을 형성하고, 루프층(360) 위에는 격벽(360PW)이 형성된다. 격벽(360PW)은 몰드(500)의 홈(510)에 대응하여 형성된다. 몰드(500)의 제2 영역(Q)에 대응하는 모 루프층(360M) 부분은 제거되어 트렌치(TC)를 형성한다. 도시하지 않았으나, 격벽(360PW)이 뻗어 있는 방향으로 전사 구조체(400) 반복 형성되어 있다. 따라서, 서로 이웃하는 전사 구조체(400)의 루프층(360) 사이에 트렌치(TC)가 형성되는 것이다.
도 4d를 참고하면, 기판(110) 위에 박막 트랜지스터를 포함하는 표시판(1000)을 준비한다. 표시판(1000)의 제조 방법에 대해서는 도 1 내지 도 3을 다시 참고하여 간략히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 기판(110) 위에 일반적으로 알려진 스위칭 소자를 형성하기 위해 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 게이트 절연막(140)을 형성하고, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(151, 154)을 형성하고, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이 때 소스 전극(173)과 연결된 데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차하면서 세로 방향으로 뻗도록 형성할 수 있다.
소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173, 175) 및 노출된 반도체층(154) 부분 위에는 제1 보호층(180a)을 형성한다.
제1 보호층(180a) 위에 화소 영역에 대응하는 위치에 색필터(230)를 형성하고, 색필터(230) 사이에 차광 부재(220)를 형성한다.
색필터(230) 및 차광 부재(220)의 위에 이를 덮는 제2 보호층(180b)을 형성하고, 제2 보호층(180b)은 화소 전극(191)과 드레인 전극(175)을 전기적, 물리적으로 연결하는 접촉 구멍(185)을 갖도록 형성한다.
이후, 제2 보호층(180b) 위에 면형의 공통 전극(270)을 형성한다. 공통 전극(270)은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 중첩하는 일부분에 위치하는 개구부(138)을 가지지만, 인접 화소에서 서로 연결되도록 형성할 수 있다. 공통 전극(270) 위에 층간 절연층(180c)을 형성하고, 층간 절연층(180c) 위에 화소 전극(191)을 형성한다. 층간 절연층(180c)은 제1 보호층(180a) 및 제2 보호층(180b)과 함께 화소 전극(191)과 드레인 전극(175)을 전기적, 물리적으로 연결하는 접촉 구멍(185)을 갖도록 형성한다.
화소 전극(191)은 복수의 절개부(91)를 가지며, 이웃하는 절개부(91) 사이에 위치하는 복수의 가지 전극(192)을 포함하도록 형성한다.
다시 도 4d를 참고하면, 표시판(1000)과 마주보도록 전사 구조체(400)를 배치한다.
도 4e를 참고하면, 열 또는 압력을 가한 상태에서 전사 구조체(400)를 표시판(1000) 위에 전사한다. 이 때, 표시판(1000)의 차광 영역에 해당하는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 전사 구조체(400)의 격벽(360PW)이 위치하도록 한다.
도 4f를 참고하면, 캐리어 기판(310)을 전사 구조체(400)에서 분리한다. 여기서, 격벽(360PW)에 의해 구획되는 복수의 미세 공간(305)과 액정 주입구 형성 영역(307FP)이 표시판(1000) 위에 형성될 수 있다. 액정 주입구 형성 영역(307FP)은 도 4c에서 형성된 트렌치(TC)에 대응한다.
도 4g를 참고하면, 루프층(360)을 경화하여 루프층(360)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 이 때, 경화하는 온도는 대략 섭씨 150도 내지 섭씨 250도 일 수 있다. 이후, 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 액정 물질을 떨어 뜨리고, 미세 공간(305)의 입구부에 위치하는 액정 주입구(307)를 통해 액정 물질을 미세 공간(305) 내에 주입한다. 액정 물질 주입에 앞서 배향 물질을 미세 공간(305)에 주입할 수 있다.
도 4h를 참고하면, 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 채우도록 캐핑층(390)을 형성한다.
도 4i를 참고하면, 기판(110) 하단과 캐핑층(390) 상단에 편광판(1, 2)을 부착할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 절단선 VI-VI을 따라 자른 단면도이다. 도 7은 도 5의 절단선 VII-VII을 따라 자른 단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 기판(110) 위에 게이트선(121)이 및 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 게이트 전극(124)을 포함한다. 유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 뻗은 한 쌍의 세로부(135a) 및 한 쌍의 세로부(135a)의 끝을 서로 연결하는 가로부(135b)를 포함한다. 유지 전극(135a, 135b)은 화소 전극(191)을 둘러싸는 구조를 가진다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171) 하부에 위치하는 반도체층(151), 소스/드레인 전극의 하부 및 박막 트랜지스터(Q)의 채널 부분에 위치하는 반도체층(154)이 형성되어 있다.
각 반도체층(151, 154) 위이며, 데이터선(171), 소스/드레인 전극의 사이에는 복수의 저항성 접촉 부재가 형성되어 있을 수 있는데, 도면에서는 생략되어 있다.
각 반도체층(151, 154) 및 게이트 절연막(140) 위에 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 연결되는 데이터선(171), 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173, 175)가 형성되어 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 박막 트랜지스터(Q)를 형성하며, 박막 트랜지스터(Q)의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층 부분(154)에 형성된다.
데이터 도전체(171, 173, 175) 및 노출된 반도체층(154) 부분 위에는 제1 층간 절연막(180a)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(180a)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(180a) 위에는 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있다.
먼저, 차광 부재(220)는 화상을 표시하는 영역에 대응하는 개구부를 가지는 격자 구조로 이루어져 있으며, 빛이 투과하지 못하는 물질로 형성되어 있다. 차광 부재(220)의 개구부에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 게이트선(121)과 평행한 방향을 따라 형성된 가로 차광 부재(220a)와 데이트선(171)과 평행한 방향을 따라 형성된 세로 차광 부재(220b)를 포함한다.
색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 하나를 표시할 수도 있다. 색필터(230)는 인접하는 화소마다 서로 다른 색을 표시하는 물질로 형성되어 있을 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220)의 위에는 이를 덮는 제2 층간 절연막(180b)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(180b)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 도 2의 단면도에서 도시된 바와 달리 색필터(230)와 차광 부재(220)의 두께 차이로 인하여 단차가 발생된 경우에는 제2 층간 절연막(180b)을 유기 절연물을 포함하도록 하여 단차를 줄이거나 제거할 수 있다.
색필터(230), 차광 부재(220) 및 층간 절연막(180a, 180b)에는 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
제2 층간 절연막(180b) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 전체적인 모양이 사각형이며 가로 줄기부(191a) 및 이와 교차하는 세로 줄기부(191b)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 가로 줄기부(191a)와 세로 줄기부(191b)에 의해 네 개의 부영역으로 나뉘어지며 각 부영역은 복수의 미세 가지부(191c)를 포함한다. 또한, 본 실시예에서 화소 전극(191)의 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함할 수 있다.
화소 전극(191)의 미세 가지부(191c)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부와 대략 40도 내지 45도의 각을 이룬다. 또한, 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부는 서로 직교할 수 있다. 또한, 미세 가지부의 폭은 점진적으로 넓어지거나 미세 가지부(191c)간의 간격이 다를 수 있다.
화소 전극(191)은 세로 줄기부(191b)의 하단에서 연결되고, 세로 줄기부(191b)보다 넓은 면적을 갖는 연장부(197)를 포함하고, 연장부(197)에서 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
지금까지 설명한 박막 트랜지스터(Q) 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 측면 시인성을 향상시키기 위해 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인을 변형할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 하부 배향막(11)이 형성되어 있고, 하부 배향막(11)은 수직 배향막일 수 있다. 하부 배향막(11)은 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로써 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
하부 배향막(11)과 대향하는 부분에 상부 배향막(21)이 위치하고, 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21) 사이에는 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 미세 공간(305)에는 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질이 주입되어 있고, 미세 공간(305)은 액정 주입구(307)를 갖는다. 미세 공간(305)은 화소 전극(191)의 열 방향 다시 말해 세로 방향을 따라 형성될 수 있다. 본 실시예에서 배향막(11, 21)을 형성하는 배향 물질과 액정 분자(310)를 포함하는 액정 물질은 모관력(capillary force)을 이용하여 미세 공간(305)에 주입될 수 있다.
미세 공간(305)은 게이트선(121)과 중첩하는 부분에 위치하는 복수의 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 세로 방향으로 나누어지며, 또한 게이트선(121)이 뻗어 있는 방향을 따라 복수개 형성되어 있다. 복수개 형성된 미세 공간(305) 각각은 화소 영역 하나 또는 둘 이상에 대응할 수 있고, 화소 영역은 화면을 표시하는 영역에 대응할 수 있다.
상부 배향막(21) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 공통 전압을 인가 받고, 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성하여 두 전극 사이의 미세 공간(305)에 위치하는 액정 분자(310)가 기울어지는 방향을 결정한다. 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
공통 전극(270) 위에 루프층(Roof Layer; 360)이 위치한다. 루프층(360)은 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 사이 공간인 미세 공간(305)이 형성될 수 있도록 지지하는 지지 부재 역할을 한다. 루프층(360)은 포토 레지스트 또는 그 밖의 유기 물질을 포함할 수 있다.
루프층(360) 위에 캐핑층(390)이 위치한다. 본 실시예에서 캐핑층(390)은 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 채우면서 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 의해 노출된 미세 공간(305)의 액정 주입구(307)를 덮는다. 캐핑층(390)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함한다.
본 실시예에서 캐핑층(390)은 루프층(360)의 측면 및 상부면과 접촉할 수 있다. 액정 주입구 형성 영역(307FP)에서 캐핑층(390)과 접촉하는 루프층(360)의 측면은 기판(110)에 대해 실질적으로 수직일 수 있다.
본 실시예에서는 도 7에 도시한 바와 같이, 가로 방향으로 이웃하는 미세 공간(305) 사이에 격벽(360PW)이 형성되어 있다. 격벽(360PW)은 데이터선(171)이 뻗어 있는 방향을 따라 형성될 수 있고, 격벽(360PW)과 루프층(360) 사이에 공통 전극(270)이 개재되어 있다. 본 실시예에서 공통 전극(270)은 복수의 미세 공간(305) 위에 걸쳐서 위치하고 격벽(360PW) 위에도 위치한다. 이 때, 격벽(360PW) 위에 위치하는 공통 전극(270)은 기판(110)과 평행한 면을 가질 수 있다. 본 실시예에서 격벽(360PW)은 공통 전극(270)에 의해 루프층(360)과 비접촉하고, 격벽(360PW)과 루프층(360)은 실질적으로 수직일 수 있다.
격벽(360PW)은 미세 공간(305)을 구획 또는 정의할 수 있다. 본 실시예에서는 미세 공간(305) 사이에 격벽(360PW)이 형성되어 있기 때문에 기판(110)이 휘더라도 발생하는 스트레스가 적고, 셀 갭(Cell Gap)이 변경되는 정도가 훨씬 감소할 수 있다.
이하에서는 도 8a 내지 도 8l을 참고하여 앞에서 설명한 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대한 일실시예를 설명하기로 한다.
도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 사시도들이다.
도 8a를 참고하면, 캐리어 기판(310) 위에 모 루프층(360M)을 형성한다. 모 루프층(360M)은 포토 공정이 가능한 유기 물질 등으로 형성할 수 있다.
도 8b를 참고하면, 모 루프층(360M) 위에 공통 전극(270)을 형성한다. 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 함께 전기장을 형성하는 전극이다.
도 8c를 참고하면, 공통 전극(270) 위에 모 격벽(360PWM)을 형성한다.
도 8d를 참고하면, 제1 영역(P)과 제2 영역(Q)을 포함하는 몰드(600)를 모 격벽(36PWM)과 마주보도록 배치한다. 몰드(600)의 제1 영역(P)에는 길게 뻗은 홈(610)이 복수개 형성되어 있고, 이러한 홈들(610)은 이후 형성되는 이웃하는 화소 영역을 구획할 수 있다.
몰드(600)의 제2 영역(Q)은 제1 영역(P)과 동일한 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
도 8e를 참고하면, 몰드(600)를 사용하여 모 격벽(360PWM)을 패터닝하여 전사 구조체(700)를 형성한다. 패터닝된 모 격벽(360PWM)은 몰드(600)의 제1 영역(P)에 대응하는 부분에 격벽(360PWM)을 형성한다. 격벽(360PW)은 몰드(600)의 홈(610)에 대응하여 형성된다. 몰드(600)의 제2 영역(Q)에 대응하는 모 격벽(360PWM) 부분은 제거된다. 도시하지 않았으나, 격벽(360PW)이 뻗어 있는 방향으로 전사 구조체(700) 반복 형성되어 있다.
도 8f를 참고하면, 기판(110) 위에 박막 트랜지스터를 포함하는 표시판(1000)을 준비한다. 표시판(1000)의 제조 방법에 대해서는 도 5 내지 도 7을 다시 참고하여 간략히 설명하기로 한다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 기판(110) 위에 일반적으로 알려진 스위칭 소자를 형성하기 위해 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 게이트 절연막(140)을 형성하고, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(151, 154)을 형성하고, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이 때 소스 전극(173)과 연결된 데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차하면서 세로 방향으로 뻗도록 형성할 수 있다.
소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173, 175) 및 노출된 반도체층(154) 부분 위에는 제1 층간 절연막(180a)을 형성한다.
제1 층간 절연막(180a) 위에 화소 영역에 대응하는 위치에 색필터(230)를 형성하고, 색필터(230) 사이에 차광 부재(220)를 형성한다.
색필터(230) 및 차광 부재(220)의 위에 이를 덮는 제2 층간 절연층(180b)을 형성하고, 제2 층간 절연막(180b)은 화소 전극(191)과 드레인 전극(175)을 전기적, 물리적으로 연결하는 접촉 구멍(185)을 갖도록 형성한다.
이후, 제2 층간 절연막(180b) 위에 화소 전극(191)을 형성한다.
다시 도 8f를 참고하면, 표시판(1000)과 마주보도록 전사 구조체(700)를 배치한다.
도 8g를 참고하면, 열 또는 압력을 가한 상태에서 전사 구조체(700)를 표시판(1000) 위에 전사한다. 이 때, 표시판(1000)의 차광 영역에 해당하는 세로 차광 부재(220b)에 대응하는 부분에 전사 구조체(700)의 격벽(360PW)이 위치하도록 한다.
도 8h를 참고하면, 캐리어 기판(310)을 전사 구조체(700)에서 분리한다.
도 8i를 참고하면, 모 루프층(360M)을 경화하여 이후 형성되는 루프층(360)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 이 때, 경화하는 온도는 대략 섭씨 150도 내지 섭씨 250도 일 수 있다.
도 8j를 참고하면, 포토 마스크를 사용하여 모 루프층(360M)의 일부를 제거하여 공통 전극(270) 일부를 노출한다. 이 때, 모 루프층(360M)의 일부가 제거되어 루프층(360)을 형성한다.
도 8k를 참고하면, 노출된 공통 전극(270) 부분을 식각하여 제거한다. 여기서, 격벽(360PW)에 의해 구획되는 복수의 미세 공간(305)과 액정 주입구 형성 영역(307FP)이 표시판(1000) 위에 형성될 수 있다. 이후, 액정 주입구 형성 영역(307FP)에 액정 물질을 떨어 뜨리고, 미세 공간(305)의 입구부에 위치하는 액정 주입구(307)를 통해 액정 물질을 미세 공간(305) 내에 주입한다. 액정 물질 주입에 앞서 배향 물질을 미세 공간(305)에 주입할 수 있다.
도 8l을 참고하면, 액정 주입구 형성 영역(307FP)을 채우도록 캐핑층(390)을 형성한다. 도시하지 않았으나, 기판(110) 하단과 캐핑층(390) 상단에 편광판(1, 2)을 부착할 수 있다.
앞에서 전사 구조체(400, 700)를 형성하는 방법으로 나노 임프린팅 방법을 사용하였으나, 이에 한정되지 않고 본 실시예에 따른 전사 구조체(400, 700)를 형성하기 위해 롤 프린팅 방법 등 다양한 방법으로 변형 실시가 가능하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
310 액정 분자 305 미세 공간(microcavity)
307 액정 주입구 360 루프층
360PW 격벽 390 캐핑층

Claims (20)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 화소 전극 그리고
    상기 화소 전극과 마주보는 루프층을 포함하고,
    상기 화소 전극과 상기 루프층 사이에 복수의 미세 공간(Microcavity)이 형성되어 있고, 상기 미세 공간은 액정 물질을 포함하고,
    상기 복수의 미세 공간 사이에 격벽이 형성되며, 상기 격벽은 상기 루프층과 수직인 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 루프층 위에 위치하는 캐핑층을 더 포함하고, 상기 캐핑층은 상기 루프층 상부면과 접촉하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 복수의 미세 공간 사이에 액정 주입구 형성 영역이 위치하며, 상기 캐핑층은 상기 액정 주입구 형성 영역을 덮고 있는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 액정 주입구 형성 영역에서 상기 캐핑층과 접촉하는 상기 루프층의 측면은 상기 기판에 대해 수직인 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 화소 전극과의 사이에 보호층이 개재되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 격벽은 상기 루프층에서 돌출되고, 상기 격벽과 상기 루프층은 일체로 형성된 구조인 액정 표시 장치.
  7. 제4항에서,
    상기 미세 공간과 상기 루프층 사이에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 공통 전극은 상기 격벽과 상과 상기 루프층 사이에 위치하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 공통 전극은 상기 격벽 부분에서 상기 기판에 평행한 면을 갖는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 공통 전극과 상기 루프층은 접촉하는 액정 표시 장치.
  11. 캐리어 기판 위에 모 루프층을 형성하는 단계,
    상기 모 루프층을 몰드를 사용하여 패터닝함으로써 전사 구조체를 형성하는 단계,
    박막 트랜지스터를 포함하는 표시판 위에 상기 전사 구조체를 전사하는 단계,
    상기 전사 구조체에서 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계,
    상기 표시판 위에 복수의 미세 공간 및 액정 주입구 형성 영역을 형성하는 단계,
    상기 액정 주입구 형성 영역을 통해 상기 복수의 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계 그리고
    상기 액정 주입구 형성 영역을 채우도록 상기 루프층 위에 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 몰드는 제1 영역과 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 홈으로 구획되어 있고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 두꺼운 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 전사 구조체를 형성하는 단계는 상기 몰드의 상기 제1 영역에 대응하는 부분에 루프층과 격벽을 형성하고, 상기 몰드의 상기 제2 영역에 대응하는 부분에 트렌치를 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 전사 구조체를 전사하는 단계는 상기 표시판의 차광 영역에 대응하는 부분에 상기 격벽이 위치하도록 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 루프층을 경화하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 캐리어 기판 위에 모 루프층을 형성하는 단계,
    상기 모 루프층에 공통 전극을 형성하는 단계,
    상기 공통 전극 위에 모 격벽을 형성하는 단계,
    상기 모 격벽을 몰드를 사용하여 패터닝함으로써 전사 구조체를 형성하는 단계,
    박막 트랜지스터를 포함하는 표시판 위에 상기 전사 구조체를 전사하는 단계,
    상기 전사 구조체에서 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계,
    상기 모 루프층의 일부를 제거하여 상기 공통 전극 일부를 노출하는 단계,
    상기 노출된 공통 전극 일부를 식각하는 단계,
    상기 표시판 위에 복수의 미세 공간 및 액정 주입구 형성 영역을 형성하는 단계,
    상기 액정 주입구 형성 영역을 통해 상기 복수의 미세 공간에 액정 물질을 주입하는 단계 그리고
    상기 액정 주입구 형성 영역을 채우도록 캐핑층을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 몰드는 제1 영역과 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 홈으로 구획되어 있고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 동일한 두께를 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 전사 구조체를 형성하는 단계는 상기 몰드의 상기 제1 영역에 대응하는 부분에 격벽을 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 전사 구조체를 전사하는 단계는 상기 표시판의 차광 영역에 대응하는 부분에 상기 격벽이 위치하도록 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 모 루프층의 일부를 제거하여 루프층을 형성하고, 상기 루프층을 경화하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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