CN106495167B - 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法 - Google Patents

一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106495167B
CN106495167B CN201610947124.XA CN201610947124A CN106495167B CN 106495167 B CN106495167 B CN 106495167B CN 201610947124 A CN201610947124 A CN 201610947124A CN 106495167 B CN106495167 B CN 106495167B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
sio
bead string
nano bead
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610947124.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106495167A (zh
Inventor
李翠艳
黎桂标
欧阳海波
黄剑锋
李子怡
费杰
许钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi University of Science and Technology
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN201610947124.XA priority Critical patent/CN106495167B/zh
Publication of CN106495167A publication Critical patent/CN106495167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106495167B publication Critical patent/CN106495167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，将葡萄糖溶液与硅溶胶均匀混合并用醋酸进行pH调节使其实现硅溶胶向硅凝胶转变，将凝胶置于低温环境下进行干燥以实现多孔化，最后在等离子火焰下进行焙烧，冷却后得到SiC/SiO2纳米串珠。本发明具有工艺简单，制备周期短，成本低等优点且该方法具有产物产量高、串珠结构明显等优点。另外，本发明制备的制备SiC/SiO2纳米串珠有利于实现对基体的高效增韧作用，同时由于SiC/SiO2纳米串珠的特殊结构，有利于减少出现SiC/SiO2纳米串珠从基体内拔出的现象，进而提高其增韧效果。

Description

一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法。
背景技术
随着复合材料技术的发展，其性能不仅受到复合材料的组成、结构、结合方式的影响，而且受到增强材料结构的影响。复合材料被应用于酸性、碱性或高温环境时，不仅需要基体具有良好的物理化学性质稳定性，而且需要增强材料同样具有良好的物理化学稳定性。 SiC/SiO2纳米串珠是一种具有良好物理化学稳定性、高温稳定性、强度与硬度高等特点的增强材料。SiC/SiO2纳米串珠中由于结构呈现串珠状，因此其在复合材料中会与基体具有特殊的耦合方式，在复合材料中与基体的结合既可以是化学键结合（Si-O、O-H），还可以在基体中形成“结”，进而使物理结合增强，所以其可以作为良好的增强材料。此外，还可以作为热流体传热系数的增强剂。
目前，制备SiC/SiO2纳米串珠的方法鲜有报道，更多集中在SiC纳米线、SiC纳米棒、 SiC纳米晶须的制备。而SiC纳米线的制备方法主要有：化学气相沉积、碳纳米管模板生长法、碳热还原法、高频感应加热法等。
Li等将摩尔比为1.2：1的Si与SiO2粉末均匀混合并加入活化后的碳纤维，在1450℃下处理30min，冷却至室温后得到SiC/SiO2纳米串珠，由于所制得的SiC/SiO2纳米串珠具有高的吸光率，所以其光响应范围可以扩展到可见光领域，同时与纯的SiC纳米线相比具有更强的光催化活性[Materials Letters(2014)125-128]。但该方法制备纳米串珠存在能耗高、制备周期长等缺点。
Sun等以Si粉、SiO2为硅源，葡萄糖、乙炔黑、活性碳、石墨等为碳源，Fe2O3为添加剂。葡萄糖在900℃、N2气氛下热处理1h后得到碳前驱体。将摩尔比为4：1的Si与SiO2粉均匀混合，并加入碳前驱体，并使碳与硅的摩尔比为4：1，在1500℃下热处理2h，冷却至室温后得到直径为50nm的并具有大长径比的β-SiC/SiO2纳米串珠[Advanced Powder Technology(2016)1552-1559]。但该方法制备纳米串珠存在产物不纯、能耗高、制备周期长等缺点。
Wei等利用氨水作为催化剂使正硅酸乙酯在水-乙醇混合溶液中水解得到SiO2。将摩尔比为1：1：2将Si、SiO2与炭均匀混合并置于微波炉中央，氩气保护气氛下进行两次间歇性加热处理，冷却至室温后将产物在600℃空气中热处理8h，以去除残留的碳，最终得到SiC/SiO2纳米串珠[Crystal Growth&Design(2009)1431-1435]。该方法制备纳米串珠存在工艺复杂、制备周期长等缺点。
鉴于以上缺陷，实有必要提供一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法以解决以上技术问题。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的在于提出一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，该方法具有工艺简单、制备周期短、不需要气氛保护等优点且通过该方法能够得到产量高、串珠结构明显的SiC/SiO2纳米串珠，从而实现SiC/SiO2纳米串珠作为增强材料时的增强功能因为纳米串珠的结构而增强。
为实现上述目的，本发明是通过以下技术方案来实现：
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）将碳源配制成溶液后与硅源均匀混合，得到混合溶液，调节pH值使混合溶液由溶胶转变为凝胶；
2）将步骤1）中得到的凝胶进行干燥，最后在等离子火焰下进行焙烧，待冷却后，在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本发明进一步的改进在于，所述碳源为葡萄糖、淀粉或蔗糖。
本发明进一步的改进在于，所述硅源为硅溶胶。
本发明进一步的改进在于，所述采用醋酸调节pH值使混合溶液由溶胶转变为凝胶。
本发明进一步的改进在于，所述碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为（1.0～5.0）：1。
本发明进一步的改进在于，所述pH值为5.0～7.0。
本发明进一步的改进在于，所述干燥的温度为100℃～180℃，干燥时间为2h～10h。
本发明进一步的改进在于，所述等离子火焰的温度为2100℃～2500℃，烧蚀时间为 20～60s。
本发明进一步的改进在于，所述等离子火焰由便携式多功能等离子焊接切割机以水为原料产生的等离子火焰，便携式多功能等离子焊接切割机工作电压为120～200V，电流为5A～7A，凝胶距离喷嘴的距离为8～12mm。
本发明进一步的改进在于，该方法制备的SiC/SiO2纳米串珠的长度为10～50μm。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果：本发明采用SiC/SiO2纳米串珠不仅能充分发挥SiC/SiO2优异的物理化学稳定性、高温稳定性、强度与硬度高等特点，且SiC/SiO2纳米串珠中由于结构呈现串珠状，因此其在复合材料中会与基体具有特殊的耦合方式，在基体中形成“结”，减少出现SiC/SiO2纳米串珠从基体内拔出的现象，提高纳米串珠的增韧效果。此外，本方法中不需要在保护气氛条件下长时间加热制备，只需要在大气环境下经等离子火焰焙烧20～60s，因此工艺简单，并且制备周期短。
进一步的，将凝胶在低温下进行干燥的目的是为了实现凝胶的多孔化。
附图说明
图1是本发明制备的SiC/SiO2纳米串珠的X-ray射线衍射分析（XRD）照片；
图2是本发明制备的SiC/SiO2纳米串珠的扫描电镜（SEM）照片；
图3为图2中部分的放大图。
图4是本发明制备的SiC/SiO2纳米串珠的透射电镜（TEM）照片。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
实施例1
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用葡萄糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为1.0： 1。
2）将步骤1）中的葡萄糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对酸碱度进行调节，使其pH=5.0，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在100℃低温下进行干燥2h，最后在电压为120V、电流为5.0A、凝胶距喷嘴距离为8mm、温度为2100℃的等离子火焰下进行焙烧60s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本实施例所制得的SiC/SiO2纳米串珠长度约为10μm。
实施例2
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用葡萄糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为2.0： 1。
2）将步骤1）中的葡萄糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对混合溶液酸碱度进行调节，使其pH=5.5，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在120℃低温下进行干燥4h，最后在电压为140V、电流为5.5A、凝胶距喷嘴距离为9mm、温度为2200℃的等离子火焰下进行焙烧50s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本实施例所制得的SiC/SiO2纳米串珠长度约为20μm。
实施例3
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用葡萄糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为3.0： 1。
2）将步骤1）中的葡萄糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对混合溶液酸碱度进行调节，使其pH=6.0，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在140℃低温下进行干燥6h，最后在电压为160V、电流为6.0A、凝胶距喷嘴距离为10mm、温度为2300℃的等离子火焰下进行焙烧40s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本实施例所制得的SiC/SiO2纳米串珠长度约为30μm。
实施例4
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用淀粉作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为4.0：1。
2）将步骤1）中的淀粉配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对混合溶液酸碱度进行调节，使其pH=6.5，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在160℃低温下进行干燥8h，最后在电压为180V、电流为6.5A、凝胶距喷嘴距离为11mm、温度为2400℃的等离子火焰下进行焙烧30s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本实施例所制得的SiC/SiO2纳米串珠长度约为40μm。
实施例5
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用蔗糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为5.0：1。
2）将步骤1）中的蔗糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对混合溶液酸碱度进行调节，使其pH=7.0，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在200℃低温下进行干燥10h，最后在电压为200V、电流为7.0A、凝胶距喷嘴距离为12mm、温度为2500℃的等离子火焰下进行焙烧20s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
本实施例所制得的SiC/SiO2纳米串珠长度约为50μm。
实施例6
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用葡萄糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为1.5： 1。
2）将步骤1）中的葡萄糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对酸碱度进行调节，使其pH=5.0，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在100℃低温下进行干燥10h，最后在电压为120V、电流为5.0A、凝胶距喷嘴距离为8mm、温度为2300℃的等离子火焰下进行焙烧60s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
实施例7
一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，包括以下步骤：
1）选用葡萄糖作为碳源，硅溶胶作为硅源。碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为4：1。
2）将步骤1）中的葡萄糖配制成溶液并与硅溶胶均匀混合，然后采用醋酸对酸碱度进行调节，使其pH=7.0，陈化后得到凝胶。
3）将步骤2）中干燥后得到的凝胶在180℃低温下进行干燥2h，最后在电压为120V、电流为5.0A、凝胶距喷嘴距离为8mm、温度为2500℃的等离子火焰下进行焙烧20s。待冷却后即可在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠。
请参阅图1所示，其是本发明实施例3制备的SiC/SiO2纳米串珠的X-ray射线衍射分析（XRD）照片。由图1可以看出：本发明制备的纳米串珠为SiC/SiO2。
请参阅图2和图3所示，其是本发明实施例3制备的SiC/SiO2纳米串珠的扫描电镜（SEM）照片。由图2和图3可以看出：本发明制备的SiC/SiO2纳米串珠结构明显。
请参阅图4所示，其是本发明实施例3制备的SiC/SiO2纳米串珠的透射电镜（TEM）照片；由图4可以看出：本发明制备的SiC/SiO2纳米串珠链中珠与连接杆的界面结合紧密。
本发明制备SiC/SiO2纳米串珠的方法至少具有以下优点：本发明采用SiC/SiO2纳米串珠不仅能充分发挥SiC/SiO2优异的物理化学稳定性、高温稳定性、强度与硬度高等特点，且 SiC/SiO2纳米串珠中由于结构呈现串珠状，因此其在复合材料中会与基体具有特殊的耦合方式，在基体中形成“结”，减少出现SiC/SiO2纳米串珠从基体内拔出的现象，提高纳米串珠的增韧效果。此外，该方法制备SiC/SiO2纳米串珠具有工艺简单、制备周期短等优点。

Claims (6)

1.一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将碳源配制成溶液后与硅源均匀混合，得到混合溶液，采用醋酸调节pH值使混合溶液由溶胶转变为凝胶；
2)将步骤1)中得到的凝胶进行干燥，最后在等离子火焰下进行焙烧，待冷却后，在凝胶表面制得SiC/SiO2纳米串珠；
所述碳源为葡萄糖、淀粉或蔗糖；
所述硅源为硅溶胶；
所述干燥的温度为100℃～180℃，干燥时间为2h～10h。
2.根据权利要求1所述的一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，所述碳源中的C与硅源中的Si的摩尔比为(1.0～5.0)：1。
3.根据权利要求1所述的一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，所述pH值为5.0～7.0。
4.根据权利要求1所述的一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，所述等离子火焰的温度为2100℃～2500℃，烧蚀时间为20～60s。
5.根据权利要求1所述的一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，所述等离子火焰由便携式多功能等离子焊接切割机以水为原料产生的等离子火焰，便携式多功能等离子焊接切割机工作电压为120～200V，电流为5A～7A，凝胶距离喷嘴的距离为8～12mm。
6.根据权利要求1所述的一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法，其特征在于，该方法制备的SiC/SiO2纳米串珠的长度为10～50μm。
CN201610947124.XA 2016-10-26 2016-10-26 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法 Active CN106495167B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610947124.XA CN106495167B (zh) 2016-10-26 2016-10-26 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610947124.XA CN106495167B (zh) 2016-10-26 2016-10-26 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106495167A CN106495167A (zh) 2017-03-15
CN106495167B true CN106495167B (zh) 2018-06-19

Family

ID=58322193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610947124.XA Active CN106495167B (zh) 2016-10-26 2016-10-26 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106495167B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115636414A (zh) * 2022-10-31 2023-01-24 常州永蓁材料科技有限公司 一种高比表面积碳化硅复合物颗粒及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1472751A (zh) * 2003-06-27 2004-02-04 西北工业大学 非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法
CN1892978A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 同济大学 一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
CN102810359A (zh) * 2012-07-13 2012-12-05 西北工业大学 化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法
CN103011166A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 哈尔滨工业大学 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法
CN103738964A (zh) * 2013-12-30 2014-04-23 张家港市东大工业技术研究院 一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法
CN104733132A (zh) * 2014-08-23 2015-06-24 青岛科技大学 一种获得SiC@SiO2 同轴纳米电缆超疏水表面的改性方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013066445A1 (en) * 2011-07-28 2013-05-10 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for production of nanostructures using a plasma generator

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1472751A (zh) * 2003-06-27 2004-02-04 西北工业大学 非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法
CN1892978A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 同济大学 一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
CN102810359A (zh) * 2012-07-13 2012-12-05 西北工业大学 化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法
CN103011166A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 哈尔滨工业大学 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法
CN103738964A (zh) * 2013-12-30 2014-04-23 张家港市东大工业技术研究院 一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法
CN104733132A (zh) * 2014-08-23 2015-06-24 青岛科技大学 一种获得SiC@SiO2 同轴纳米电缆超疏水表面的改性方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Synthesis of SiC/SiO2 nanochains by carbonthermal reduction process and its optimization";Zhi Gang Sun et al;《Advanced Powder Technology》;20160530;第27卷;第1552-1559页 *
"不同纳米结构SiC的光催化性能研究";欧阳海波等;《陕西科技大学学报》;20150831;第33卷(第4期);第45-50页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106495167A (zh) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105329876B (zh) 一种硼、氮共掺杂碳量子点的制备方法
CN107353017A (zh) 一种石墨烯包覆氧化铝陶瓷粉体及其制备方法与应用
CN107081165B (zh) 一种类石墨烯氮化碳材料及其制备方法和用途
CN105126886B (zh) 一种TiO2/WO3/g-C3N4全介孔纳米纤维的制备方法
CN110148760B (zh) 一种多孔碳-碳纳米管复合材料及其制备方法和应用
CN102730687A (zh) 以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法
CN103738964B (zh) 一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法
CN105800602B (zh) 铜颗粒远程催化直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法
CN102019429A (zh) 一种纳米钨粉体的制备方法
CN106915961A (zh) 一种石墨烯‑氧化锆复合材料及其制备方法
CN110548528B (zh) 一种核壳结构SiO2/SiC材料及其制备方法与用途
CN103834988A (zh) 一种制备纳米碳化硅晶须的方法
CN105000562B (zh) 一种碳化硅空心球的制备方法
CN100488873C (zh) 一维SiC纳米线的制备方法
CN106495167B (zh) 一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法
CN110028057A (zh) 一种具有稳定分散性的石墨烯浆料及其制备方法
CN105350294B (zh) 一种镀碳化硅层的短切碳纤维及其制备方法
CN101613881B (zh) 一种制备SiC纳米线阵列的方法
CN107602154A (zh) 一种珠串状SiC/SiO2异质结构及其合成方法
CN105148965B (zh) 一种TiO2/WO3/g-C3N4全介孔纳米纤维
CN102432060A (zh) 一种空气气氛下快速制备氧化锌纳米带的方法
CN107200331B (zh) 一种开放体系SiC纳米线的制备方法
CN107010938A (zh) 一种抑制镁铝尖晶石纳米颗粒高温下长大的方法
CN103086406A (zh) 一种氧化镁纳米带-碳纳米管复合材料的制备方法
CN102249216A (zh) 一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant