CN106488995B - 成膜掩模、成膜掩模的制造方法和触摸面板 - Google Patents

成膜掩模、成膜掩模的制造方法和触摸面板 Download PDF

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Abstract

本发明具备：掩模层(1)，其与在显示面板(5)的显示面上成膜形成的透明电极对应而具有与该透明电极的形状尺寸相同的开口图案(4)；以及支撑层(2)，其具有横穿开口图案(4)而设置于掩模层(1)的一个面(1a)的多个支撑线(2a)，支撑层(2)的支撑线(2a)的排列间距设为可抑制由作为成膜的膜厚不匀而转印到透明电极上的支撑线(2a)的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。

Description

成膜掩模、成膜掩模的制造方法和触摸面板
技术领域
本发明涉及用于在基板上成膜而形成薄膜图案的成膜掩模，特别是涉及可实现具备触摸面板的显示装置的显示质量的提高的成膜掩模、成膜掩模的制造方法和触摸面板。
背景技术
在现有的这种成膜掩模中，以横穿上述开口部的方式将加强线连接到至少具有1个以上的开口部的掩模部分的一面，在上述掩模部分的另一面与上述加强线之间存在间隙(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平10－330910号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在这种现有的成膜掩模中，加强线仅是横穿开口部地将多个细线平行地排列设置、或仅形成为网格状，关于加强线的排列间距，没有进行任何考虑。因而，在使用这种成膜掩模进行成膜而形成了例如触摸面板的透明电极的情况下，有可能由于转印到透明电极表面的上述加强线的阴影而产生作为膜厚不匀的莫尔条纹、衍射条纹。因此，有可能使具备触摸面板的显示装置的显示质量降低。
因此，本发明的目的在于应对这种问题，提供能实现提高具备触摸面板的显示装置的显示质量的成膜掩模、成膜掩模的制造方法和触摸面板。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的成膜掩模具备：掩模层，其与在基板上成膜形成的薄膜图案对应地具有与该薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案；以及支撑层，其具有横穿上述开口图案而设置于上述掩模层的一个面的多个细线，上述支撑层的细线的排列间距设为能抑制由于作为成膜的膜厚不匀而转印到上述薄膜图案上的上述细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。
另外，本发明的成膜掩模的制造方法进行：第1步骤，与在基板上成膜形成的薄膜图案对应，在金属母材上通过电镀形成具有与该薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案的磁性金属材料的掩模层；以及第2步骤，其在上述掩模层的一个面通过电镀形成横穿上述开口图案而具有多个细线的磁性金属材料的支撑层，在上述第2步骤中，按能抑制由于作为成膜的膜厚不匀而转印到上述薄膜图案上的上述细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的排列间距形成上述支撑层的细线。
而且，本发明的触摸面板具有使用成膜掩模从上述支撑层侧成膜形成于显示元件的显示面的透明电极，上述成膜掩模具备：掩模层，其具有与成膜形成的透明电极的形状尺寸相同的开口图案；以及支撑层，其具有横穿上述开口图案而设置于上述掩模层的一个面的多个细线，在上述触摸面板中，作为成膜的膜厚不匀而转印到上述透明电极上的上述细线的阴影的排列间距是能抑制由于该细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。
发明效果
根据本发明的成膜掩模，能抑制由成膜的膜厚不匀而转印到薄膜图案上的支撑层的细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生。因而，在使用本发明的成膜掩模形成了触摸面板的透明电极的情况下，也能在显示画面中不产生莫尔条纹、衍射条纹，实现显示装置的显示质量的提高。
附图说明
图1是表示本发明的成膜掩模的一实施方式的图，(a)是平面图，(b)是(a)的中心线截面图，(c)是主要部分放大平面图，(d)是(c)的A－A线截面向视图。
图2是上述实施方式的掩模层的局部放大平面图。
图3是表示上述实施方式的支撑层与显示面板之间的间隙变动时的支撑线的阴影的发生状况的实验例，(a)是表示支撑线的阴影的发生状况的截面图，(b)是表示支撑层与显示面板之间的间隙的变动的截面图。
图4是表示上述实施方式的支撑层与显示面板之间的间隙变大时的支撑线的阴影的发生状况的实验例，(a)是表示支撑线的阴影的发生状况的截面图，(b)是表示在支撑层与显示面板之间存在相当于掩模层的间隙的截面图。
图5是表示支撑线相对于像素图案的排列方向的设置方法的说明图，(a)表示平行排列的多个支撑线以与像素图案的排列方向按90°交叉的方式设置的情况，(b)表示以格子状交叉的多个支撑线以与像素图案的排列方向按45°交叉的方式设置的情况。
图6是表示上述实施方式的支撑层的支撑线的一构成例的平面图。
图7是说明上述支撑层的支撑线的效果的平面图，(a)表示没有支撑层的情况，(b)表示有支撑层的情况。
图8是以支撑线的排列间距为参数表示可视光的波长与产生的干扰条纹的间隔的关系的坐标图。
图9是表示上述实施方式的支撑层的支撑线的其它构成例的图，(a)表示支撑线的阴影的发生状况，(b)是与(a)对应表示的支撑层的截面图。
图10是表示上述实施方式的支撑层的支撑线的另一构成例的平面图。
图11是表示本发明的成膜掩模的制造方法中的掩模层形成工序的说明图。
图12是表示本发明的成膜掩模的制造方法中的支撑层形成工序的说明图。
图13是表示本发明的成膜掩模的制造方法中的框架连接工序的说明图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的成膜掩模的一实施方式的图，(a)是平面图，(b)是(a)的中心线截面图，(c)是主要部分放大平面图，(d)是(c)的A－A线截面向视图。该成膜掩模用于在基板上成膜而形成薄膜图案，构成为具备掩模层1、支撑层2和框架3。此外，在此说明基板是显示装置的显示面板5、薄膜图案是触摸面板的透明电极的情况。
上述掩模层1与在显示面板的显示面上成膜形成的透明电极(薄膜图案)对应而具有与该透明电极的形状尺寸相同的开口图案4，包括例如镍、镍合金、殷钢或者殷钢合金等磁性金属材料。
图2是上述掩模层1的局部放大平面图。在该图中，空白部分是与透明电极对应的开口图案4，相邻的开口图案4的分隔壁4a的宽度最小为10μm程度。此外，具体地说，开口图案4的平面面积大的开口部与触摸面板的电极部对应，从该电极部延伸的细线状开口部与连接到省略图示的控制部的引出线对应。
掩模层1的厚度对形成于透明电极表面的后述的支撑层2的细线(以下称为“支撑线2a”)的阴影的浓度和透明电极的表面电阻带来影响。在此，所谓上述支撑线2a的阴影是指透明导电膜的位于支撑线2a的下侧的部分且膜厚比其它部分的膜厚薄的部分。因而，在位于透明导电膜的支撑线2a的下侧的部分的膜厚与其它部分的膜厚的差变大时，支撑线2a的阴影变浓且清楚。同时，透明电极的表面电阻值变大。另一方面，在上述膜厚的差变小时，支撑线2a的阴影变得模糊且淡。同时，透明电极的表面电阻值变小。
具体地说，在掩模层1的厚度变薄时，支撑线2a与显示面板5的显示面之间的间隙变小，绕到支撑线2a的下侧而附着于显示面的成膜材料变少。由此，透明导电膜的位于支撑线2a的下侧的部分的膜厚与其它部分的膜厚的差变大，形成于透明电极表面的支撑线2a的阴影变浓且清楚。因而，易于发生由支撑线2a的阴影导致的莫尔条纹，并且透明电极的表面电阻值变大。
图3是表示支撑层2与显示面板5的显示面之间的间隙变动时的支撑线2a的阴影的发生状况的实验例。在该图中，示出了这样的情况:在左侧，支撑层2被配置于显示面板5的里面的磁铁14吸引而与显示面板5的显示面贴紧，随着往右侧而在支撑层2与显示面板5的显示面之间产生间隙，在右端该间隙成为约10μm的情况(参照图3(b))。如从图3(a)可知，支撑线2a的阴影越往左侧越清楚，越往在支撑层2与显示面板5的显示面之间产生间隙的右侧，支撑线2a的阴影越模糊。
反之，如图4(b)所示，在掩模层1的厚度变厚时，支撑线2a与显示面板5的显示面之间的间隙变大，绕到支撑线2a的下侧而附着于显示面板5的显示面的成膜材料变多。由此，位于透明导电膜的支撑线2a的下侧的部分的膜厚与其它部分的膜厚的差变小，如图4(a)所示，形成于透明电极表面的支撑线2a的阴影变得模糊且变淡。因而，可抑制由支撑线2a的阴影导致的莫尔条纹的发生，并且透明电极的表面电阻值变小。图4是表示在掩模层1的厚度(支撑层2与显示面板5的显示面之间的间隙)为约40μm时的支撑线2a的阴影的发生状况的实验例。
一般地，触摸面板中的例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)透明电极的表面电阻值只要是40Ω/sq.以下即可，可通过实验适当地决定掩模层1的厚度。在本实施方式中，掩模层1的厚度设定为约40μm。
上述掩模层1包括位于开口图案4的内部且从下支撑支撑层2的支撑线2a的间隔物6(参照图1(c)、(d))。该间隔物6具有与掩模层1相同的厚度(约40μm)，横截面呈约10μm×约30μm的细长的细片状，其长轴与支撑层2的支撑线2a交叉设置(参照图1(c))。由此，能使支撑层2的支撑线2a相对于上述间隔物6的形成位置精度宽松。
另外，优选支撑线2a与间隔物6的交叉角度θ1是0°＜θ1＜180°。在以间隔物6的长轴与支撑线2a的延伸设置方向一致的方式设置间隔物6的情况下，在用磁铁14吸引成膜掩模而使成膜掩模与显示面板5贴紧时，支撑线2a有可能发生弯曲而使间隔物6倾斜。在该情况下，有可能使支撑线2a与显示面板5接近而导致支撑线2a的阴影变得显著。另一方面，在以间隔物6的长轴与支撑线2a按上述角度θ1交叉的方式设置间隔物6的情况下，即使支撑线2a发生弯曲，间隔物6也不易倾斜。因而，支撑线2a不会与显示面板5接近，可抑制支撑线2a的阴影的形成。此外，在本实施方式中设为θ1＝45°。
在上述掩模层1的一个面1a中，覆盖图1(a)的由虚线包围的开口图案4的形成区域而设有支撑层2。该支撑层2用于将开口图案4维持为一定形状，具有横穿开口图案4设置的多个支撑线2a。并且，例如由镍、镍合金、殷钢或者殷钢合金等磁性金属材料形成。在该情况下，优选上述支撑线2a的排列间距是能抑制由于作为向显示面板5的显示面上成膜的透明导电膜的膜厚不匀而转印到透明电极上的上述支撑线2a的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。
而且，如图1(c)所示，更优选在显示面板5和掩模层1被定位的状态下，按大于0度且小于180度的角度θ2(0°＜θ2＜180°)与在显示面板5排列为一列而形成的多个矩形形状像素图案R、G、B的各排列方向交叉的方式设置支撑线2a。图5是表示支撑线2a相对于像素图案R、G、B的各排列方向的设置方法的说明图。此外，在此为了避免附图变得复杂而省略掩模层1。该图(a)表示平行排列的多个支撑线2a以按90°与像素图案R、G、B的各排列方向交叉的方式设置的情况，该图(b)表示以格子状交叉的多个支撑线2a以按45°与像素图案R、G、B的各排列方向交叉的方式设置的情况。由此，可抑制转印到显示面板5的透明电极的支撑线2a的阴影与像素的干涉，可抑制莫尔条纹的发生。
图6是表示支撑层2的支撑线2a的一构成例的平面图。在该图所示的构成例中，支撑层2的多个支撑线2a横竖交叉而呈网格状的构成。由此，如图7(a)所示，在未设有支撑线2a的成膜掩模中，如在图7(a)中用箭头所示，将掩模层1拉伸固定于后述的框架3时，开口图案4的形状有时会变形，但在本发明中，横穿开口图案4而设有网格状的支撑线2a，因此即使对掩模层1和支撑层2如在图7(b)中用箭头所示施加张力，也可维持开口图案4的形状。
图8是将支撑线2a的排列间距作为参数表示透射过显示面板5的显示面的可视光的波长与产生的干涉条纹的间隔的关系的坐标图。一般，如果干涉条纹的间隔是100μm～200μm程度以下，则不易看到干涉条纹。因而，根据图8，优选支撑线2a的排列间距设定为1mm以上。
此外，支撑层2不限于如图6所示支撑线2a形成为网格状，支撑线2a也可以在掩模层1的一个面1a中沿二维平面内的一个方向延伸设置。在该情况下，如图9(b)所示，可以以具有相互不同的间隔的多个支撑线2a为1组按一定的排列间距(例如2mm～3mm程度的长周期)配置有多组。由此，也能抑制由图9(a)所示的上述支撑线2a的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生。
而且，如图10所示，在掩模层1的开口图案4对应于设计为开口图案4的边缘部(分隔壁4a)相对于按各色的像素图案R、G、B的排列方向延伸并形成为条纹状的彩色滤光片不平行而是按预先决定的规定角度交叉的透明电极的情况下，支撑层2也可以使以0°＜θ2＜180°的角度θ2与上述条纹状的彩色滤光片(与像素图案R、G、B的各排列方向一致)交叉的多个支撑线2a平行配置。由此，可抑制彩色滤光片与透明电极之间的莫尔条纹的发生，并且还可抑制彩色滤光片与支撑线2a的阴影之间的莫尔条纹或者衍射条纹的发生。另外，在该情况下，支撑线2a的排列间距即使缩窄为500μm程度，也可抑制莫尔条纹的发生。
在上述掩模层1的一个面1a设有框架3。该框架3用于在使掩模层1与该面平行地伸展的状态下保持掩模层1，是具有内置支撑层2的大小的开口部的框状的殷钢或者殷钢合金等的磁性金属构件，其端面3a与掩模层1的一个面1a的周缘部被点焊连接。
接着，说明这样构成的成膜掩模的制造方法。
进行如下步骤来制造本发明的成膜掩模：第1步骤，与在显示面板5的显示面上成膜形成的透明电极对应地通过电镀在金属母材上形成具有与该透明电极的形状尺寸相同的开口图案4的磁性金属材料的掩模层1；第2步骤，通过电镀在上述掩模层1的一个面1a横穿上述开口图案4而形成具有多个支撑线2a的磁性金属材料的支撑层2；以及第3步骤，将上述掩模层1的一个面1a的周缘部连接到框状的框架3。以下详细说明各步骤。
图11是说明上述第1步骤的图，是表示掩模层形成工序的说明图。
首先，如图11(a)所示，在金属母材7上的平坦面涂敷光致抗蚀剂8。此时，光致抗蚀剂8按与要形成的掩模层1大致相同的40μm程度的厚度涂敷。
接着，如图11(b)所示，使用光掩模对上述光致抗蚀剂8进行曝光和显影，与要形成的开口图案4对应地形成与该开口图案4的形状尺寸相同的岛图案9。同时，在岛图案9的内侧，与要形成的间隔物6对应地按到达金属母材7的表面的深度形成与该间隔物6的形状尺寸相同的槽10。另外，也可以在开口图案形成区域外的预先决定的位置形成用于与显示面板5对齐的对准标记用的岛图案。
接下来，将上述金属母材7浸渍在镍等磁性金属材料的电镀浴中，如图11(c)所示，通过电镀将磁性金属材料11A按40μm程度的厚度形成于在上述岛图案9的外侧9a和槽10内露出的金属母材7的表面。由此，在金属母材7上形成掩模层1。
图12是说明上述第2步骤的图，是表示支撑层形成工序的说明图。
首先，如图12(a)所示，在形成于上述金属母材7上的掩模层1上涂敷光致抗蚀剂8。此时，光致抗蚀剂8按与要形成的支撑层2大致相同的10μm程度的厚度涂敷。
接着，如图12(b)所示，使用光掩模对上述光致抗蚀剂8进行曝光和显影，与如图1(c)所示的例如横竖交叉而延伸的支撑线2a对应地按到达上述掩模层1的深度形成与该支撑线2a的形状尺寸相同的槽12。此外，图12(b)是在与支撑线2a对应地左右延伸的槽12的中央位置截断的截面图。
接下来，将上述金属母材7浸渍在镍等磁性金属材料的电镀浴中，如图12(c)所示，通过电镀将支撑层2的磁性金属材料11B按10μm程度的厚度形成于在上述槽12内露出的掩模层1的磁性金属材料11A的表面(相当于开口图案4的分隔壁4a的上表面和间隔物6的上表面)。由此，通过2阶段的电镀在金属母材7上形成掩模层1和支撑层2。
之后，将金属母材7在溶剂中或者光致抗蚀剂8的剥离液中洗净，使光致抗蚀剂8溶解而除去。而且，从金属母材7一体地剥离掩模层1和支撑层2。由此，形成了图1(c)、(d)所示的掩模片13，在该掩模片13中，形成有开口图案4和间隔物6的掩模层1以及形成有多个支撑线2a的支撑层2成为一体。在该情况下，在设有对准标记用的岛图案时，在掩模片13中还形成有与上述岛图案对应的对准标记的开口。
图13是说明上述第3步骤的图，是表示框架连接工序的说明图。
首先，如图13(a)所示，在使在一个面1a具备支撑层2的掩模层1的该一个面1a与框状的框架3的端面3a面对面的状态下，对掩模片13向与该面平行的侧方(图13(a)所示的箭头方向)赋予一定的张力而沿框架3拉伸掩模片13。
接下来，如图13(b)所示，对掩模片13的周缘区域照射激光L，将掩模片13点焊到框架3的端面3a。由此，本发明的成膜掩模完成。
接着，说明使用了本发明的成膜掩模的触摸面板的制造。
现有的触摸面板的制造实施了如下工序：利用氟酸从两面蚀刻显示面板5而减小厚度，并且通过蚀刻研磨并除去增加了深度的表面损伤；在显示面的整个面中溅射形成ITO的透明导电膜；在该透明导电膜上涂敷光致抗蚀剂，使用光掩模进行曝光和显影而形成抗蚀剂掩模；以及使用该抗蚀剂掩模蚀刻上述透明导电膜，形成透明电极。因而，存在制造工序复杂且运行成本变高的问题。
触摸面板对透明电极的图案不要求高分辨率且位置精度也可以宽松。因此，本发明的触摸面板在利用氟酸从两面蚀刻显示面板5而减小厚度后，使用本发明的成膜掩模溅射形成透明导电膜，在显示面板5的显示面直接形成透明电极。
此外，在本发明的触摸面板的制造中，显示面板5的表面的损伤不会对透明电极的形成带来任何不良影响，因此能省略用于通过蚀刻将使深度增加了的表面损伤除去的研磨工序。因而，在本发明的触摸面板的制造中，有与以往的制造方法相比能缩短制造工序并能降低运行成本的效果。
以下，详细说明本发明的触摸面板的制造，特别是透明电极的形成工序。
首先，将显示面板5以显示面为ITO靶侧设置、固定到例如溅射成膜装置的真空室内的基板支架。在该情况下，在基板支架内置有磁铁14(参照图9)。
另一方面，将本发明的成膜掩模以掩模层1侧为显示面板5侧设置、固定到上述溅射成膜装置的掩模支架。
接着，在使显示面板5与成膜掩模面对面的状态下，例如通过照相机观察而使预先形成于显示面板5的对准标记与成膜掩模的对准标记对齐，进行显示面板5与成膜掩模的对准。
接下来，使内置于基板支架的磁铁14的磁力作用于成膜掩模的磁性金属材料，吸引成膜掩模，使掩模层1与显示面板5的显示面贴紧。
之后，关闭真空室的盖，排出室内的空气直至真空室内的真空度成为规定的真空度为止。在室内的真空度达到规定的真空度时，导入规定量的例如氩(Ar)气等稀有气体。并且，对基板支架与保持有ITO靶的靶支架之间施加高电压。由此，在显示面板5与ITO靶之间生成等离子体，开始透明导电膜的溅射。
由于等离子体的生成而被离子化的氩离子被吸引向靶侧而与靶碰撞，将ITO的靶粒子弹飞。被弹飞的靶粒子朝向显示面板5飞射，通过成膜掩模的相邻的支撑线2a的间隙而堆积到显示面板5的显示面。由此，在显示面板5的显示面上，与掩模层1的开口图案4对应地形成透明导电膜，形成触摸面板的透明电极。在该情况下，在上述支撑线2a与显示面板5的显示面之间存在与掩模层1的厚度相同的约40μm的间隙，因此上述靶粒子还会绕到支撑线2a的下侧，还会堆积到支撑线2a的下侧的显示面。
上述透明电极的与支撑线2a的下侧对应的部分的膜厚比其它部分的膜厚薄。因而，基于上述膜厚的差而在透明电极中形成有支撑线2a的阴影。因此，由于该支撑线2a的阴影而有可能在显示面中产生莫尔条纹或者衍射条纹。但是，在本发明的成膜掩模中，至少上述支撑线2a的排列间距设为能抑制由于作为成膜的膜厚不匀而转印到透明电极上的支撑线2a的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸，因此可抑制上述莫尔条纹或者衍射条纹的发生。因而，能提高使用了本发明的触摸面板的显示装置的显示质量。
此外，在上述实施方式中，溅射装置使基板和ITO靶静止而成膜，但也可以一边使基板和ITO靶相对地移动一边成膜。另外，透明导电膜的成膜不限于溅射，可以应用真空蒸镀等其它公知的成膜技术。而且，透明导电膜不限于ITO(铟锡氧化物)，可以是氧化锌或氧化锡等。
另外，在上述实施方式中说明了成膜掩模具备框架3的情况，但本发明不限于此，也可以没有框架3。在该情况下，可以在对掩模片13的与掩模支架的面平行的侧方赋予一定的张力的状态下将掩模片13保持于掩模支架。
附图标记说明
1：掩模层
1a：掩模层的一个面
2：支撑层
2a：支撑线(细线)
4：开口图案
5：显示面板(基板或者显示元件)
6：间隔物
7：金属母材
14：磁铁
R：与红色对应的像素图案的排列
G：与绿色对应的像素图案的排列
B：与蓝色对应的像素图案的排列。

Claims (10)

1.一种成膜掩模，其特征在于，具备：掩模层，其与在基板成膜形成的薄膜图案对应地具有与该薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案；以及
支撑层，其具有横穿上述开口图案而设置于上述掩模层的一个面的多个细线，
上述支撑层的细线的排列间距是能抑制由于作为成膜的膜厚不匀而转印到上述薄膜图案上的上述细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸，
上述支撑层的细线在上述基板和上述掩模层被定位的状态下，按大于0度且小于180度的角度与在上述基板排列为一列而形成的多个矩形形状图案的排列方向交叉的方式设置。
2.根据权利要求1所述的成膜掩模，其特征在于，
上述支撑层的细线在上述掩模层的一个面中在二维平面内的一个方向延伸设置。
3.根据权利要求1或2所述的成膜掩模，其特征在于，
上述支撑层的细线以具有相互不同的间隔的多个细线为1组，按一定的排列间距配置有多组。
4.根据权利要求1或2所述的成膜掩模，其特征在于，
上述掩模层包括位于上述开口图案的内部而从下支撑上述支撑层的细线的间隔物。
5.根据权利要求4所述的成膜掩模，其特征在于，
上述间隔物呈细长的细片状，其长轴与上述支撑层的细线交叉设置。
6.根据权利要求1或2所述的成膜掩模，其特征在于，
上述掩模层和上述支撑层是通过磁性金属材料的2阶段电镀而形成的。
7.一种成膜掩模的制造方法，进行：第1步骤，与在基板成膜形成的薄膜图案对应，在金属母材上通过电镀形成具有与该薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案的磁性金属材料的掩模层；以及
第2步骤，在上述掩模层的一个面通过电镀形成具有横穿上述开口图案的多个细线的磁性金属材料的支撑层，上述成膜掩模的制造方法的特征在于，
在上述第2步骤中，按能抑制由于作为成膜的膜厚不匀而转印到上述薄膜图案上的上述细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的排列间距并且在上述基板和上述掩模层被定位的状态下，按大于0度且小于180度的角度与在上述基板排列为一列而形成的多个矩形形状图案的排列方向交叉的方式形成上述支撑层的细线。
8.根据权利要求7所述的成膜掩模的制造方法，其特征在于，
上述掩模层包括位于上述开口图案的内部且从下支撑上述支撑层的细线的间隔物。
9.一种触摸面板，其具有使用具备掩模层和支撑层的成膜掩模从上述支撑层侧成膜形成于显示元件的显示面的透明电极，上述掩模层具有与成膜形成的透明电极的形状尺寸相同的开口图案，上述支撑层具有横穿上述开口图案而设置于上述掩模层的一个面的多个细线，上述触摸面板的特征在于，
作为成膜的膜厚不匀而转印到上述透明电极之上的上述细线的阴影的排列间距是能抑制由于该细线的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸，
上述细线的阴影按大于0度且小于180度的角度与在上述显示元件排列为一列而形成的多个像素图案的排列方向交叉。
10.根据权利要求9所述的触摸面板，其特征在于，
上述成膜掩模的上述掩模层和上述支撑层是通过磁性金属材料的2阶段电镀而形成的，
上述透明电极是利用配置于与上述显示元件的上述显示面为相反的一侧的磁铁吸引上述成膜掩模，在使上述掩模层与上述显示面贴紧的状态下成膜而形成的。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102618039B1 (ko) * 2018-08-29 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 포함한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US11493765B2 (en) * 2019-06-14 2022-11-08 Flir Systems Ab Image relay systems and methods for wearable apparatuses
KR20210032586A (ko) 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법
WO2021092759A1 (zh) * 2019-11-12 2021-05-20 京东方科技集团股份有限公司 掩模板
KR20210107217A (ko) 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치, 마스크 어셈블리의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법
KR20220030437A (ko) * 2020-08-31 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330910A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Toray Ind Inc シャドーマスクおよびその製造方法
CN100999811A (zh) * 2006-01-11 2007-07-18 精工爱普生株式会社 掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备
CN101139698A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 Lg电子株式会社 用于制造显示设备的掩模
CN101833246A (zh) * 2008-12-31 2010-09-15 Asml控股股份有限公司 光学补偿的单向掩模版弯曲器
CN102203639A (zh) * 2009-09-02 2011-09-28 索尼公司 导电光学器件及其制造方法、触摸面板器件、显示器和液晶显示装置
CN103207518A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件
CN103268057A (zh) * 2013-04-28 2013-08-28 京东方科技集团股份有限公司 掩模系统、掩模方法、曝光系统和曝光方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3206322A (en) * 1960-10-31 1965-09-14 Morgan John Robert Vacuum deposition means and methods for manufacture of electronic components
JPH10330911A (ja) * 1997-06-05 1998-12-15 Toray Ind Inc シャドーマスクおよびその製造方法
JP3539229B2 (ja) * 1997-10-15 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光装置の製造方法
KR100330910B1 (ko) 1999-03-16 2002-04-03 홍승현 단백질을 이용한 장식품
JP2004318899A (ja) * 2004-05-26 2004-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd タッチパネル
JP5007602B2 (ja) * 2007-05-09 2012-08-22 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US9246101B2 (en) * 2010-03-09 2016-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Deposition mask, deposition apparatus, and deposition method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330910A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Toray Ind Inc シャドーマスクおよびその製造方法
CN100999811A (zh) * 2006-01-11 2007-07-18 精工爱普生株式会社 掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备
CN101139698A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 Lg电子株式会社 用于制造显示设备的掩模
CN101833246A (zh) * 2008-12-31 2010-09-15 Asml控股股份有限公司 光学补偿的单向掩模版弯曲器
CN102203639A (zh) * 2009-09-02 2011-09-28 索尼公司 导电光学器件及其制造方法、触摸面板器件、显示器和液晶显示装置
CN103207518A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件
CN103268057A (zh) * 2013-04-28 2013-08-28 京东方科技集团股份有限公司 掩模系统、掩模方法、曝光系统和曝光方法

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