CN106479500B - 一种发光玻璃陶瓷及其制法与在led照明器件中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于无机发光材料领域,公开了一种发光玻璃陶瓷及其制法与在LED照明器件中的应用。该发光陶瓷由质量比为100:0~99.1:0.9的硅酸盐红色发光玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+构成,其中硅酸盐红色发光玻璃粉由以下摩尔分数的组分组成:50~60%SiO2;20‑30%Na2CO3;9%Al2O3;6%CaO;Eu2O35%。由于所使用的荧光粉的发射波长范围在450~550nm都有覆盖,而前驱体玻璃粉同时能提供红光的部分,由此得到的发光玻璃陶瓷能够在385nm的紫外芯片激发下得到暖白光。通过调控荧光粉和玻璃粉的比例,暖白光的种类也有所不同,拓展了发光材料的种类领域和应用范围。
Description
技术领域
本发明属于无机发光材料领域,特别涉及一种发光玻璃陶瓷及其制法与在LED照明器件中的应用。
背景技术
目前,固体照明由于其污染少、节省资源以及较长的寿命而广受人们而推崇,而市场上应用最广的是由蓝光GaN芯片和Ce3+:YAG荧光粉所封装而成白光LED。首次,这种类型的白光LED往往色温比较高(>5000K),在长时间照明下容易造成眼睛的疲倦,不利于一般生活的照明。其次,市场常见的封装方法是把荧光粉与环氧树脂直接混合后涂覆在蓝光芯片上。这种办法虽然简便,但是产品在使用一段时间后,所发出的光容易产生色差现象,这是由于所使用的环氧树脂的热导率较低,产品在工作时所产生热量会使得环氧树脂老化,久而久之就会影响产品的质量。最后,随着大功率LED产品面世,芯片所生的热量大幅升高,对封装材料的要求更为严峻。
发光玻璃陶瓷,不仅拥有较高的热导率和优秀的稳定性,而且直接掺入不同的稀土离子或者与荧光粉复合后能发出各种颜色的光,这样的属性使其作为转光材料而成功地应用于大功率远程LED上。现有的文献报道的发光玻璃陶瓷可以分为稀土玻璃陶瓷和荧光粉复合玻璃陶瓷两种。相比于前者,后者更容易得到想要的发光效果。而荧光粉复合玻璃陶瓷研究较多的主要是把Ce3+:YAG荧光粉与前驱体玻璃粉混合后在低温条件下(<1000℃)进行烧结后得到块状的荧光粉复合玻璃陶瓷。这样子形成的玻璃陶瓷不仅稳定,而且荧光粉不会受到影响,已经被成功应用于大功率远程LED上。但是由于只是把封装材料从环氧树脂更换成玻璃陶瓷,并不能改变其发出的光偏冷,高色温的缺点。为解决这一问题,大部分文献报道是向其中添加红色荧光粉以改善其色温,这无疑增加了制备的难度和成本。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点与不足,本发明的首要目的在于提供一种发光玻璃陶瓷,该发光玻璃陶瓷色泽均匀,且具有良好发光性能,与现有市场上的紫外发光芯片可以封装成大功率远程暖白光LED,丰富现有的发光材料,并且弥补现有技术的不足。
本发明另一目的在于提供上述发光玻璃陶瓷的制备方法。
本发明再一目的在于提供上述发光玻璃陶瓷在制备LED照明器件中的应用。
本发明的目的通过下述方案实现:
一种发光玻璃陶瓷,其由质量比为100:0~99.1:0.9的硅酸盐红色发光玻璃粉和天青蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+构成。
其中,所述的硅酸盐红色发光玻璃粉由以下摩尔分数的组分组成:
一种上述的发光玻璃陶瓷的制备方法,具体包括以下步骤:
(1)将SiO2、Na2CO3、Al2O3、CaO和Eu2O3混合均匀,然后置于高温箱式电阻炉中,升温反应,待反应完成后随炉冷却至室温后,将反应产物研磨即得到硅酸盐红色发光玻璃粉;
(2)将步骤(1)中得到的硅酸盐红色发光玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉混合均匀,然后将其压片并置于高温箱式电阻炉中,升温反应,反应结束后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
步骤(1)中所述的升温反应是指以5~10℃/min升温至1300~1500℃,然后保温反应3~6h。
优选的,步骤(1)中所述的升温反应是指以5℃/min升温至1300℃,然后保温反应3h。
步骤(1)中所使用的SiO2、Na2CO3、Al2O3、CaO和Eu2O3的摩尔比为(50~60):(20~30):9:6:5。
步骤(2)中所使用的硅酸盐红色发光玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉的质量比为100:0~99.1:0.9。
步骤(2)中所述的压片是指在20~40MPa压力下压制成片,优选在20MPa下压制成片。
步骤(2)中所述的升温反应是指以5~10℃/min升温至650~700℃,保温反应0.5~10h。
优选的,步骤(2)中所述的升温反应是指以5℃/min升温至680℃,保温反应0.5h。
上述的发光玻璃陶瓷在制备LED照明器件中的应用,具体包括以下步骤:在385nm紫外发光芯片上直接覆盖上述的发光玻璃陶瓷,使用耐高温封装胶于周边进行固定后记得到LED照明器件。
本发明的机理为:
本发明通过把天青蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+和硅酸盐红色发光玻璃粉混合后在低温烧结,从而得到一种紫外激发的发光玻璃陶瓷。由于所使用的荧光粉的发射波长范围在450~550nm都有覆盖,而前驱体玻璃粉同时能提供红光的部分,由此得到的发光玻璃陶瓷能够在385nm的紫外芯片激发下得到暖白光。通过调控荧光粉和玻璃粉的比例,暖白光的种类也有所不同,这为实际应用提供更多的选择。
本发明相对于现有技术,具有如下的优点及有益效果:
(1)本发明采用发光玻璃陶瓷材料包覆,很大程度地隔绝了荧光粉与外界接触从而减少荧光粉被侵蚀的几率,且由于发光玻璃陶瓷拥有较高的热导率,使其能很好地应用在大功率远程LED上。
(2)本发明采用的玻璃粉经过特殊设计,通过加入铕元素达到自身也能在一定波长的激发下发射红光,与荧光粉复合后更利于低色温的暖白光LED的应用,且调节两者的比例能得到色温不同的暖白光LED。
(3)本发明所述发光玻璃陶瓷的制备方法工艺简单,节约成本,有利于工业化生产的需求,拓展了发光材料的种类领域和应用范围,拥有广阔的应用前景。
(4)本发明所述发光玻璃陶瓷的性质稳定,能够抵抗高温高压的环境并保持较高的发光效果,使用其与紫外芯片封装而成的大功率远程暖白光LED在不同的输入电流和运行时间下均能维持较好的性能。
附图说明
图1为实施例4所使用的Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉和硅酸盐红色发光玻璃粉的激发和发射光谱图以及所制备的发光玻璃陶瓷的发射光谱图。
图2为实施例1~6所制备的发光玻璃陶瓷的发射光谱图。
图3为实施例1~6封装得到的大功率远程LED的发射光谱。
图4为实施例1~6封装得到的大功率远程LED工作时所对应的色坐标以及其工作效果图。
图5为实施例11中大功率远程LED在不同电流时工作所对应的色坐标变化图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
实施例中所用实际均可从市场常规购得。
实施例1
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为100:0的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例2
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.9:0.1的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例3
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.7:0.3的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例4
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.5:0.5的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例4所使用的Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉和硅酸盐红色发光玻璃粉的激发和发射光谱图以及所制备的发光玻璃陶瓷的发射光谱图如图1所示,从图1中可以看出Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉和硅酸盐红色发光玻璃粉拥有公共的激发范围(例如385nm),通过同一波长的激发后可以得到两者的混合光。
实施例5
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.3:0.7的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例6
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.1:0.9的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例1~6中得到的发光玻璃陶瓷的发射光谱图如图2所示,从图2中可以看出:随着荧光粉的含量增大,其发射峰也随其增大,有利于调控发光颜色,实施例1~6中得到的发光玻璃陶瓷的光学性能数据如下表1所示:
表1实施例1~6发光玻璃陶瓷的光学性能数据
由上述表1可以得到,实施例1~6发光玻璃陶瓷由于原料比例不同而发光颜色也从红色向天青蓝色变换,同时相对应波长处的量子效率也是呈现规律性变化,可以满足实际应用的需要。
实施例1~6中封装得到的大功率远程LED的发射光谱如图3所示,从图3中可以看出,获得的LED发射光谱与玻璃陶瓷的发射光谱能很好地对应。实施例1~6中封装得到的大功率远程LED工作时所对应的色坐标以及其工作效果图如图4所示,从图4中可以看出,随着荧光粉的含量增大,能获得不同种类的暖白光LED。
实施例1~6中封装得到的大功率远程LED的光学性能数据如下表2所示:
表2实施例1~6的LED的组分及其光学性能数据
组成 | 色坐标X | 色坐标Y | 色温 |
紫外芯片+实施例1发光玻璃陶瓷 | 0.5651 | 0.2624 | 56930 |
紫外芯片+实施例2发光玻璃陶瓷 | 0.5024 | 0.3061 | 3116 |
紫外芯片+实施例3发光玻璃陶瓷 | 0.4301 | 0.3508 | 2496 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 0.3706 | 0.3861 | 4320 |
紫外芯片+实施例5发光玻璃陶瓷 | 0.3575 | 0.3961 | 4752 |
紫外芯片+实施例6发光玻璃陶瓷 | 0.3329 | 0.4131 | 5531 |
由上述表2可以得到,实施例1~6所封装的大功率远程LED的发光颜色可以实现从红光向暖白光的变换,并且可以得到不同种类的色温,极大的提高其应用的范围。
实施例7
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按50%的SiO2、30%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.5:0.5的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例8
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按50%的SiO2、30%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以10℃/min升温至1500℃,保温5h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.5:0.5的比例充分混合,在20MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至680℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例9
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.5:0.5的比例充分混合,在40MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以10℃/min升温至650℃烧结0.5h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例10
根据各原料在硅酸盐红色发光玻璃粉中的摩尔百分含量,按60%的SiO2、20%的Na2CO3、9%的Al2O3、6%的CaO、5%的Eu2O3的配比充分混合,置于高温箱式电阻炉中,以5℃/min升温至1300℃,保温3h后随炉冷却至室温后,研磨,得到硅酸盐红色发光玻璃粉。
按照玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉质量百分比为99.5:0.5的比例充分混合,在40MPa压力下压制成片,置于高温箱式电阻炉中,以10℃/min升温至700℃烧结1h后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
获得的发光玻璃陶瓷直接覆盖在发射波长为385nm的紫外发光芯片上,使用耐高温封装胶于周边进行固定后得到大功率远程LED,在90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例11
将本发明实施例4获得的发光玻璃陶瓷与发射波长为385nm的紫外发光芯片封装成大功率远程LED,在20~90mA输入电流和16V输入电压工作0.5h并测试其光色性能。
实施例11大功率远程LED在不同电流时工作所对应的色坐标变化图如图5所示,从图5中可以看出:随着电流的变化,获得的LED发光颜色有所变化,但在可接受范围之内。
实施例11中封装得到的大功率远程LED的光学性能数据如下表3所示:
表3实施例11中LED的组分及其光学性能数据
组成 | 输入电流 | 色坐标X | 色坐标Y |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 20 | 0.3708 | 0.4107 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 30 | 0.3706 | 0.4075 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 40 | 0.3705 | 0.4041 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 50 | 0.371 | 0.4008 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 60 | 0.3715 | 0.3972 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 70 | 0.3726 | 0.3935 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 80 | 0.3739 | 0.3896 |
紫外芯片+实施例4发光玻璃陶瓷 | 90 | 0.3756 | 0.3855 |
由上述表3可以得到,实施例11所封装的大功率远程LED的色坐标随输入电流的升高而改变幅度较小,从而说明所封装的LED具有较好的稳定性。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种发光玻璃陶瓷,其特征在于由质量比为100:0~99.1:0.9的硅酸盐红色发光玻璃粉和天青蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+构成;
所述的硅酸盐红色发光玻璃粉由以下摩尔分数的组分组成:
2.一种根据权利要求1所述的发光玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将SiO2、Na2CO3、Al2O3、CaO和Eu2O3混合均匀,然后置于高温箱式电阻炉中,升温反应,待反应完成后随炉冷却至室温后,将反应产物研磨即得到硅酸盐红色发光玻璃粉;
(2将步骤(1)中得到的硅酸盐红色发光玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉混合均匀,然后将其压片并置于高温箱式电阻炉中,升温反应,反应结束后随炉冷却至室温,经过打磨、抛光后得到发光玻璃陶瓷。
3.根据权利要求2所述的发光玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于:
步骤(1)中所述的升温反应是指以5~10℃/min升温至1300~1500℃,然后保温反应3~6h;
步骤(2)中所述的升温反应是指以5~10℃/min升温至650~700℃,保温反应0.5~1h;
步骤(2)中所述的压片是指在20~40MPa压力下压制成片。
4.根据权利要求2所述的发光玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于:
步骤(1)中所述的升温反应是指以5℃/min升温至1300℃,然后保温反应3h;
步骤(2)中所述的升温反应是指以5℃/min升温至680℃,保温反应0.5h;
步骤(2)中所述的压片是指在20MPa压力下压制成片。
5.根据权利要求2所述的发光玻璃陶瓷的制备方法,其特征在于:
步骤(1)中所使用的SiO2、Na2CO3、Al2O3、CaO和Eu2O3的摩尔比为(50~60):(20~30):9:6:5;
步骤(2)中所使用的硅酸盐红色发光玻璃粉和Sr4Al14O25:Eu2+荧光粉的质量比为100:0~99.1:0.9。
6.根据权利要求1所述的发光玻璃陶瓷在制备LED照明器件中的应用,具体包括以下步骤:在385nm紫外发光芯片上直接覆盖权利要求1所述的发光玻璃陶瓷,使用耐高温封装胶于周边进行固定后即得到LED照明器件。
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