CN106463520A - 成像探测器模块组件 - Google Patents

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Abstract

一种模块组件设备(402)被配置用于组装用于成像系统(100)的探测器阵列(110)的模块组件(114)。所述模块组件设备包括具有长轴(401)的基底(400)。所述模块组件设备还包括所述基底的第一表面(406)以及从所述第一表面垂直向上凸起并沿着所述基底的至少两侧在长轴的方向上延伸的侧壁(408)。所述第一表面和侧壁形成凹槽(404)，所述凹槽被配置为在所述表面上并且在所述侧壁内接收模块衬底。所述模块组件设备还包括在所述侧壁的方向上从所述侧壁凸起的凸起部(403)。凸起部和侧壁接合以形成壁架，所述壁架充当光探测器阵列单片支撑物(410)，所述光探测器阵列单片支撑物被配置为在ASIC和模块衬底之上接收光探测器阵列单片(118)。

Description

成像探测器模块组件
技术领域
下文总体涉及成像探测器，并且更具体涉及成像探测器模块组件，并且结合计算机断层摄影(CT)来描述。然而，下文还适用于其他成像模态。
背景技术
计算机断层摄影(CT)扫描器通常包括X射线管，所述X射线管被安装在关于z轴围绕检查区域旋转的可旋转机架上。X射线管发射穿过检查区域以及被定位在所述检查区域中的对象或目标的辐射。探测器阵列对向一角度弧，相对于X射线管在检查区域的对侧，探测穿过检查区域的辐射，并生成指示其的信号。重建器处理所述信号，并重建指示其检查区域的体积图像数据。
探测器阵列包括多个探测器模块。每个探测器模块包括被接合到模块衬底的多个光电二极管阵列单片(tile)。每个光电二极管阵列单片包括被光学耦合在辐射接收侧上的闪烁体以及被接合到另一侧的ASIC。为了构建这样的探测器模块，ASIC被耦合到光电二极管阵列单片，并且然后，光电二极管阵列单片(在其上安装有ASIC)被耦合到模块衬底。闪烁体被耦合到光电二极管阵列单片。
利用一种配置，ASIC被焊接到光电二极管阵列单片，并且然后，具有ASIC的光电二极管阵列单片被焊接到模块衬底。该焊接是通过使用回流焊炉的回流焊来实现的。遗憾的是，用于将光电二极管阵列单片与ASIC焊接到模块衬底的热可能危害光电二极管阵列单片与ASIC之间的焊接接合。至少鉴于以上问题，存在对于组合光电二极管阵列单片、ASIC和模块衬底的其他方法的尚未解决的需求。
发明内容
在本文中所描述的各方面解决了上文提到的问题和/或其他问题。
在一个方面中，一种模块组件设备，被配置用于组装用于成像系统的探测器阵列的模块组件。所述模块组件设备包括模块衬底、ASIC、光探测器阵列单片和闪烁体。所述模块组件设备包括具有长轴的基底。所述模块组件设备还包括所述基底的第一表面以及从所述第一表面垂直向上凸起并沿着所述基底的至少两侧在长轴的方向上延伸的侧壁。所述第一表面和侧壁形成凹槽，所述凹槽被配置为在所述表面上并且在所述侧壁内接收模块衬底。所述模块组件设备还包括在所述侧壁的方向上从所述侧壁凸起的凸起部。凸起部和侧壁接合以形成壁架(ledge)，所述壁架充当光探测器阵列单片支撑物，所述光探测器阵列单片支撑物被配置为在ASIC和模块衬底之上接收光探测器阵列单片。
在另一方面中，一种方法，利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件。所述模块组件设备包括：基底，其具有凹槽，所述凹槽具有表面和从其凸起的侧壁；以及从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物。所述方法包括在所述组件设备的表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括开口。所述方法还包括通过所述开口在所述表面上接收ASIC，其中，所述ASIC包括在背向所述表面的一侧上的第一焊料。所述方法还包括在所述模块衬底和ASIC之上接收光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片包括在面向模块衬底的一侧的第一区域中的第二焊料以及在所述模块衬底的第二区域中的焊盘。所述方法还包括同时回流第一焊料和第二焊料以同时地将ASIC接合到光探测器阵列单片并且将光探测器阵列单片接合到模块衬底，这产生模块组件。
在另一方面中，一种方法，利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件。所述模块组件设备包括：基底，其具有第一表面和从其凸起的侧壁；从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物；以及散热器。所述方法包括在所述组件设备的表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括开口。所述方法还包括接收具有安装到其上的ASIC的光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片与所ASIC在模块组件设备的散热器上方的开口中的模块衬底之上被接收，并且所述光探测器阵列单片在面向模块衬底的一侧的区域中包括焊料。所述方法还包括向所述模块组件设备施加热。所述方法还包括同时地利用所述散热器从光探测器阵列单片与ASIC之间的接合移除热并且回流焊料以将光探测器阵列单片接合到模块衬底，这产生模块组件。
在另一方面中，一种方法，利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件。所述模块组件设备包括：具有凹槽的基底，所述基底具有第一表面和从其凸起的侧壁；以及从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物。所述方法包括在所述组件设备的表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括凹槽以及设置在凹槽下方的散热器。所述方法还包括接收具有安装到其上的ASIC的光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片与所述ASIC在模块衬底之上在凹槽中被接收，并且所述光探测器阵列单片在面向所述模块衬底的一侧的区域中包括焊料。所述方法还包括向所述模块组件设备施加热。所述方法还包括同时地利用所述模块衬底的散热器从光探测器阵列单片与所述ASIC之间的接合移除热并且回流焊料以将光探测器阵列单片接合到模块衬底，其产生模块组件。
在另一方面中，一种成像系统，包括具有多个模块组件的探测器阵列。每个模块组件包括模块衬底、被接合到所述模块衬底的多个光探测器阵列单片、以及在光探测器阵列与所述模块衬底之间被接合到每个光探测器阵列单片的不同的ASIC。以下中的一项：模块组件，包括同时形成的在ASIC与光探测器阵列之间以及在光探测器阵列单片与模块衬底之间的焊接接合；或者模块组件，包括顺序形成的在ASIC与光探测器阵列单片之间以及然后在光探测器阵列单片与模块衬底之间的焊接接合，其中，从ASIC/光探测器阵列单片接合移除热。
附图说明
本发明可以采取各种部件和部件布置，以及各种步骤和各步骤安排的形式。附图仅出于图示优选实施例的目的，并且不应被解释为对本发明进行限制。
图1示意性图示了具有探测器阵列的范例成像系统，所述探测器阵列包括多个模块组件，每个模块组件包括模块衬底、光探测器阵列、ASIC和闪烁体。
图2示意性图示了范例模块组件，在所述范例模块组件中，ASIC被设置在模块衬底的开口中。
图3示意性图示了另一范例模块组件，其中，ASIC被设置在模块衬底的凹槽中。
图4-6示意性图示了范例模块组件设备的上下的第一截面和第二不同截面视图。
图7-15示意性图示了使用图4-6的模块组件设备的图2的模块组件的组装。
图16-21示意性图示了使用图4-6的模块组件设备的图3的模块组件的组装。
图22-24示意性图示了另一范例模块组件设备的上下的第一截面和第二不同截面视图。
图25-30示意性图示了使用图16-18的模块组件设备的图2的模块组件的组装。
图31图示了用于利用图4-6的模块组件设备组装图2的模块组件的范例方法。
图32图示了用于利用图4-6的模块组件设备组装图3的模块组件的范例方法。
图33图示了用于利用图22-24的模块组件设备组装图2的模块组件的范例方法。
具体实施方式
公开了一种方法和装置，其在一个非限制实例中，克服了同时组装单片探测器和模块的部件以及逐步地组装它们，以便不使在先前的组装步骤中焊接的部件被拆焊并且克服在焊接组装步骤期间闪烁体的热敏感问题，由此提供了新一代的集成的CT探测器模块。
初始参考图1，图示了成像系统100，例如计算机断层摄影(CT)扫描器。成像系统100包括大体固定机架102和旋转机架104。旋转机架104由静止机架102可旋转地支撑并且关于纵轴或z轴(“Z”)绕检查区域106旋转。诸如X射线管的辐射源108由旋转机架104支撑并且与旋转机架104一起旋转，并且发射辐射。
辐射敏感探测器阵列110在检查区域106对面与辐射源108相对，对向一角度弧，探测穿过检查区域106的辐射，并生成和输出指示其的信号。辐射敏感探测器阵列110包括至少一行模块组件114。在图示的范例中，模块组件114沿着探测器阵列110的长轴顺次地对齐，端对端地布置在x/y平面中。
每个模块组件114包括模块衬底116。多个光探测器阵列单片118被物理地和电气地耦合到所述模块衬底116。不同的电子电路120(例如专用集成芯片(ASIC)等)被物理地和电气地耦合到多个光探测器阵列单片118中的每个的第一侧。一个或多个闪烁体122被物理地和光学地耦合到多个光探测器阵列单片118的第二侧(其与第一侧相对)。
如下文更详细描述的，模块组件114能够通过如下方式来产生：通过同时地回流设置在光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的焊料以及设置在光探测器阵列单片118与模块衬底116之间的焊料，或者通过回流设置在具有已经接合到其上的ASIC 120的光探测器阵列单片118与模块衬底116之间的焊料，同时减轻对在光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的接合的危害。
重建器124重建由探测器阵列110输出的信号并生成体积三维图像数据。诸如卧榻的对象支撑物126支撑检查区域106中的对象或目标。计算系统充当操作者控制台128，操作者控制台128包括诸如显示器和/或打印机的人类可读输出设备以及诸如键盘和/或鼠标的输入设备。驻留在控制台128上的软件允许操作者控制程序成像系统100的操作，包括开始扫描等。
图2示意性示出了接合单个ASIC/单片/闪烁体单元120/118/122的模块组件114的非限制性范例的分解视图。
所图示的模块衬底116包括多个开口202，其延伸完全通过模块衬底116，由壁200接合，壁200沿着模块衬底116的深度延伸。开口202具有的几何结构大于ASIC 120的几何结构，ASIC 120位于开口202内部。光探测器阵列单片188被示为在区域206上具有焊料粘和剂和/或焊料球204(在本文中还被称为焊料204)。模块衬底116被示为在区域210上具有对应的焊盘208。焊料204将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116。
电传导通路(例如，过孔)212将焊盘208电连接到模块衬底116的对侧上的电传导触点214。ASIC 120被示为在区域218上具有焊料粘和剂和/或焊料球216(在本文中还被称为焊料216)。光探测器阵列单片118被示为在区域222上具有对应的焊盘220。焊料216将ASIC 120接合到光探测器阵列单片118。模块衬底116可以针对1、2、4、8、10等个数的ASIC/单片/闪烁体单元120/118/122配置。一个或多个分立电部件能够被焊接到模块衬底116的相对侧。
图3示意性图示了类似地示出接合单个ASIC/单片/闪烁体单元120/118/122的模块组件114的非限制性范例的分解视图的图2的变型。在图2中描述了附图标记200、202、204、206、208、210、212、214、216、218、220和222。
在该变型中，模块衬底116包括替代开口202的多个凹槽302。凹槽302延伸但不完全通过模块衬底116的深度，例如到表面304，其与壁200一起接合凹槽302。此外，模块衬底116包括被设置在凹槽302中的每个凹槽下方的散热器306。在该范例中，散热器306是模块衬底116的一部分。类似地，一个或多个分立电部件能够被焊接到模块衬底116的相对侧。
利用图3和图4的配置，个体ASIC 120、单片118和/或闪烁体122能够从模块组件114的模块衬底116移除，而不影响接合到模块衬底116的其他ASIC 120、单片118和/或闪烁体122。在一个实例中，这允许定位或替换ASIC 120、单片118和/或闪烁体122中的一个或多个，例如，以替换故障和/或性能不佳的ASIC 120、单片118和/或闪烁体122。在一个实例中，这是通过将热施加到(一个或多个)感兴趣ASIC 120、(一个或多个)感兴趣单片118和/或(一个或多个)感兴趣闪烁体122并且不施加到其他ASIC120、单片118和/或闪烁体122来实现的。
图4-6示出了模块组件设备402的子部分的范例。图4描绘了上下视图，图5描绘了沿着线A-A的截面视图，并且图6描绘了沿着线B-B的截面视图。
在该范例中，模块组件设备402被配置用于利用焊料204和216的同时回流或者仅焊料204的回流来组装图2的模块组件。
模块组件设备402包括具有长轴401的基底400。模块组件设备402还包括表面406和侧壁408，侧壁408在表面406的至少两侧上沿着长轴401的方向延伸。侧壁408具有非零高度，其从表面406垂直向上延伸。表面406和侧壁408形成凹槽404，凹槽404被配置为接收模块衬底116。
侧壁408包括凸起部403，凸起部403在与侧壁408相同的方向上向上延伸。侧壁408具有第一厚度，并且凸起部403具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。在第一厚度与第二厚度之间的该偏移形成壁架，其被配置为接收光探测器阵列单片118并且充当光探测器阵列单片支撑物410。
图7-15图示了利用图4-6的模块组件设备402利用焊料204和216的同时回流对图2的模块组件114的组装。附图标记400、401、402、403、404、406、408和410如在图4中所描述。
图7-9示出了具有安装在凹槽404中的模块衬底116的模块组件设备402。模块衬底116置于第一表面406上。图10-12示出了具有被安装在模块衬底116的开口202中的ASIC120的组件设备402。图13-15示出了具有安装在模块衬底116和ASIC 120之上的光探测器阵列单片支撑物410上的光探测器阵列单片118的组件设备402。
模块组件设备402在安装模块衬底116、ASIC 120和光探测器阵列单片118之后被加热，例如，被放置在回流炉中等。所述回流炉被操作以将其中的环境温度带入到预定温度，例如，焊料204和216的熔解温度。一旦焊料204和216达到所述预定温度，则焊料204和216熔解，同时地将ASIC 120接合到光探测器阵列单片118并且将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116。
图16-21图示了利用图4-6的模块组件设备402利用仅焊料204的回流对图3的模块组件114的组装。附图标记400、401、402、403、404、406、408和410如在图4中所描述。
图16-18示出了具有被安装在凹槽404中的模块衬底116的模块组件设备402。模块衬底116置于第一表面406上。图19-21示出了模块组件设备402，其中，具有已经被接合到其上的ASIC 120的光探测器阵列单片118与ASIC 120在凹槽404中被安装在模块衬底116之上的光探测器阵列单片支撑物410上。ASIC 120与散热器306热接触。
在该范例中，一旦在回流炉中的热令焊料204达到预定温度，则焊料204熔解，将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116。散热器306从ASIC 120抽取热，防止光探测器阵列单片118之间的焊料216熔解，并且因此缓解对在光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的接合的危害。
图22-24示出了模块组件设备402的子部分的另一范例。图22描绘了上下视图，图23描绘了沿着线A-A的截面视图，并且图24描绘了沿着线B-B的截面视图。在该范例中，模块组件设备402被配置用于组装图2的模块组件，用于使仅焊料204回流。
所图示的模块组件设备402大致类似于结合图4-6所描述的模块组件设备，除了在该配置中模块组件设备402还包括散热器2202。附图标记400、401、402、403、404、406、408和410如在图4中所描述。
在图示的范例中，散热器2202被集成在模块组件设备402中并且作为模块组件设备402的一部分。在散热器2202上方的区域充当ASIC接收区域。在变型中，散热器2202是安装在模块组件设备402中的分离的部件。此外，所图示的散热器2202延伸通过凹槽404中的模块衬底116的整个深度。在变型中，散热器2202可以延伸通过凹槽404中的模块衬底116的深度的仅子部分。
一般而言，散热器2202被设置为与安装的模块衬底116的至少预定子部分热连通或者进行导热接触。此外，所图示的散热器2202被示为单元件散热器2202。然而，应当意识到，散热器2202中的至少一个可以包括多个个体子散热器(例如，多个导热间隔柱(standoff)等)，其一起形成散热器2202。
图25-30图示了利用图22-24的模块组件设备402对图2的模块组件114的组装。图3的模块组件114能够类似地利用图22-24的模块组件设备402来组装。附图标记400、401、402、403、404、406、408和410如在图4中所描述。
图25-27示出了具有安装在凹槽404中的模块衬底116的模块组件设备402。模块衬底116置于在第一表面406上，其中，散热器2202与开口202对齐。图28-30示出了模块组件设备402，其中，具有已经被接合到其上的ASIC 120的光探测器阵列单片118与ASIC 120在开口202中被安装在模块衬底116之上的光探测器阵列单片支撑物410上。ASIC 120与散热器2202热接触。
在该范例中，一旦在回流炉中的热令焊料204达到预定温度，则焊料204熔解，将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116。散热器2202从ASIC 120抽取热，防止光探测器阵列单片118之间的焊料216熔解，并且因此缓解对在光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的接合的危害。
图31图示了用于利用图4-6的组件设备来产生图2的模块组件114的方法。
应当意识到，在本文中所描述的方法中的动作的排序并非是限制性的。这样，在本文中预期其他排序。另外，可以省略一个或多个动作和/或可以包括一个或多个额外的动作。
在3102处，清洁要焊接的接触表面。
在3104处，助焊剂被施加到ASIC 120上的焊料216以及在光探测器阵列单片118上的焊料204。
在3106处，模块衬底116被安装在组件设备402的凹槽404中。
在3108处，ASIC 120被安装在模块衬底116的开口202中，其中焊料216背向模块衬底116。
在3110处，光探测器阵列单片118被安装在模块衬底116和ASIC 120之上的光探测器阵列单片支撑物410上。
在3112处，焊料粘和剂204和216被同时地回流，同时地将ASIC 120接合到光探测器阵列单片118并且将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116。
在3114处，闪烁体122被例如使用光学粘和剂等物理地和光学地耦合到光探测器阵列单片118，创建模块组件114。
在316处，多个模块组件114被耦合以形成探测器阵列110。
图32图示了用于利用图4-6的组件设备来生产图3的模块组件114的方法。
应当意识到，在本文中所描述的方法中的动作的排序并非是限制性的。这样，在本文中预期其他排序。此外，可以省略一个或多个动作和/或可以包括一个或多个额外的动作。
在3202处，清洁要焊接的接触表面。
在3204处，助焊剂被施加到ASIC 120上的焊料216以及在光探测器阵列单片118上的焊料204。
在3206处，模块衬底116被安装在模块组件设备402的凹槽404中。
在3208处，ASIC 120被通过回流焊料216安装到光探测器阵列单片118。
在3210处，具有ASIC 120的光探测器阵列单片118被安装在凹槽中具有ASIC 120的光探测器阵列单片支撑物410上，并且与模块衬底116的散热器306热接触。
在3212处，焊料204被回流，将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116，同时从接合光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的焊料216抽取热。
在3214处，闪烁体122例如使用光学粘和剂等物理地和光学地耦合到光探测器阵列单片118，创建模块组件114。
在3216处，多个模块组件114被耦合以形成探测器阵列110。
图33图示了用于利用图22-24的组件设备来产生图2的模块组件114的方法。
应当意识到，在本文中所描述的方法中的动作的排序并非是限制性的。因此，本文中预期其他排序。此外，可以省略一个或多个动作和/或可以包括一个或多个额外的动作。
在3202处，清洁要焊接的接触表面。
在3204处，助焊剂被施加到ASIC 120上的焊料216以及在光探测器阵列单片118上的焊料204。
在3306处，模块衬底116被安装在模块组件设备402的凹槽404中。
在3308处，ASIC 120被通过回流焊料216安装到光探测器阵列单片118。
在3310处，具有ASIC 120的光探测器阵列单片118与ASIC 120在开口202中被安装在光探测器阵列单片支撑物410上，并且与模块组件衬底402的散热器2202热接触。
在3312处，焊料204被回流，将光探测器阵列单片118接合到模块衬底116，同时从接合光探测器阵列单片118与ASIC 120之间的焊料216抽取热。
在3314处，闪烁体122被例如使用光学粘和剂等物理地和光学地耦合到光探测器阵列单片118，创建模块组件114。任选地，该动作是在动作3102之前执行的。
在3316处，多个模块组件114被耦合以形成探测器阵列110。
应当意识到，图33的方法能够备选地被用于利用图3的组件设备来产生图22-24的模块组件114。已经参考优选实施例描述了本发明。他人在阅读并理解了前文的详细描述后可以做出多种修改和变动。目的是，本发明被解释为包括所有这样的修改和变动，只要它们落在随附的权利要求或其等价方案的范围内。

Claims (22)

1.一种模块组件设备(402)，被配置为组装用于成像系统(100)的探测器阵列(110)的模块组件(114)，所述模块组件包括模块衬底(116)、ASIC(120)、光探测器阵列单片(118)以及闪烁体(122)，所述模块组件设备包括：
基底(400)，其具有长轴(401)；
所述基底的第一表面(406)；
侧壁(408)，其从所述第一表面垂直向上凸起并沿着所述基底的至少两侧在所述长轴的方向上延伸，其中，所述第一表面和所述侧壁形成凹槽(404)，所述凹槽被配置为在所述表面上并且在所述侧壁内接收所述模块衬底；以及
凸起部(403)，其在所述侧壁的方向上从所述侧壁凸起，所述凸起部与侧壁接合以形成壁架，所述壁架充当光探测器阵列单片支撑物(410)，所述光探测器阵列单片支撑物被配置为在所述ASIC和所述模块衬底之上接收所述光探测器阵列单片(118)。
2.根据权利要求1所述的模块组件设备，还包括：
散热器(2202)，其在所述表面下方被集成在所述基底中。
3.根据权利要求2所述的模块组件设备，还包括：
在所述散热器上方的所述表面的区域上的ASIC接收区域。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的模块组件设备，其中，所述第一表面还被配置为直接接收所述ASIC。
5.根据权利要求4所述的模块组件设备，其中，所述第一表面通过在所述模块衬底中的开口(202)直接接收所述ASIC。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的模块组件设备，其中，所述第一表面还被配置为直接接收仅所述模块衬底。
7.根据权利要求6所述的模块组件设备，其中，所述模块衬底的子部分驻留在所述ASIC与所述第一表面之间。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的模块组件设备，其中，所述光探测器阵列单片支撑物和所述凹槽被配置为接收所述光探测器阵列单片，其中，所述ASIC先前被耦合到所述光探测器阵列单片。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的模块组件设备，其中，所述光探测器阵列单片支撑物和所述凹槽被配置为顺次地接收所述光探测器阵列单片和所述ASIC作为分离的、非耦合的设备。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的模块组件设备，其中，所述侧壁具有第一厚度并且所述凸起部具有第二厚度，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，并且其中，在所述第一厚度与所述第二厚度之间的偏移形成所述壁架。
11.一种用于利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件的方法，其中，所述模块组件设备包括：具有凹槽的基底，所述基底具有表面和从所述表面凸起的侧壁；以及从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物，所述方法包括：
在所述组件设备的所述表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括开口；
通过所述开口在所述表面上接收ASIC，其中，所述ASIC在背向所述表面的一侧上包括第一焊料；
在所述模块衬底和所述ASIC之上接收光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片包括在面向所述模块衬底的一侧的第一区域中的第二焊料以及在所述模块衬底的第二区域中的焊盘；并且
同时地回流所述第一焊料和所述第二焊料，以同时地将所述ASIC接合到所述光探测器阵列单片并且将所述光探测器阵列单片接合到所述模块衬底，这产生所述模块组件。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在回流所述第一焊料和所述第二焊料之后，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在接收所述光探测器阵列单片之前，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
14.一种用于利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件的方法，其中，所述模块组件设备包括：具有凹槽的基底，所述基底具有第一表面和从所述第一表面凸起的侧壁；从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物；以及散热器，所述方法包括：
在所述组件设备的所述表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括开口；
接收具有安装到其上的ASIC的光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片与所述ASIC在所述模块衬底之上在所述模块组件设备的所述散热器上方的所述开口中被接收，并且所述光探测器阵列单片在面向模块衬底的一侧的区域中包括焊料；
向所述模块组件设备施加热；并且
同时地从所述光探测器阵列单片与具有所述散热器的所述ASIC之间的接合移除热并且回流所述焊料以将所述光探测器阵列单片接合到所述模块衬底，这产生所述模块组件。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在回流所述第一焊料和所述第二焊料之后，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在接收所述光探测器阵列单片之前，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
17.一种用于利用模块组件设备来产生成像系统探测器阵列模块组件的方法，其中，所述模块组件设备包括：具有凹槽的基底，所述基底具有第一表面和从所述第一表面凸起的侧壁；以及从所述侧壁延伸的光探测器阵列单片支撑物，所述方法包括：
在所述组件设备的所述表面上接收模块衬底，所述模块衬底包括凹槽以及设置在所述凹槽下方的散热器；
接收具有安装到其上的ASIC的光探测器阵列单片，其中，所述光探测器阵列单片与所述ASIC在所述模块衬底之上在所述凹槽中被接收，并且所述光探测器阵列单片在面向所述模块衬底的一侧的区域中包括焊料；
向所述模块组件设备施加热；并且
同时地利用所述模块衬底的所述散热器从所述光探测器阵列单片与所述ASIC之间的接合移除热并且回流所述焊料以将所述光探测器阵列单片接合到所述模块衬底，这产生所述模块组件。
18.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在回流所述第一焊料和所述第二焊料之后，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
19.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在接收所述光探测器阵列单片之前，将闪烁体耦合到所述光探测器阵列单片的背向所述模块衬底的辐射敏感侧。
20.一种成像系统(100)，包括：
探测器阵列，其具有多个模块组件，每个模块组件包括：
模块衬底(116)；
多个光探测器阵列单片(118)，其被接合到所述模块衬底；以及
不同的ASIC(120)，其被接合到所述光探测器阵列与所述模块衬底之间的每个光探测器阵列单片，
其中，以下中的一项：
模块组件，其包括在ASIC与光探测器阵列之间以及在所述光探测器阵列单片与所述模块衬底之间的同时形成的焊料接合，或者
模块组件，其包括在ASIC与光探测器阵列单片之间并且然后在所述光探测器阵列单片与所述模块衬底之间顺次形成的焊料接合，其中，从所述ASIC/光探测器阵列单片接合移除热。
21.根据权利要求20所述的成像系统，其中，在所述光探测器阵列单片与所述模块衬底之间的所述接合是在具有已经接合到其的ASIC的所述光探测器阵列单片与所述模块衬底之间的接合。
22.根据权利要求19至20中的任一项所述的成像系统，所述模块组件还包括：
闪烁体(122)，其被耦合到所述光探测器阵列一侧，与被耦合到所述模块衬底的一侧相对。
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