CN106328797A - 一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 - Google Patents
一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106328797A CN106328797A CN201610815577.7A CN201610815577A CN106328797A CN 106328797 A CN106328797 A CN 106328797A CN 201610815577 A CN201610815577 A CN 201610815577A CN 106328797 A CN106328797 A CN 106328797A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistant
- resistance
- heating
- sulfuration
- seconds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000007984 tetrahydrofuranes Chemical group 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N Osalmid Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1O LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明属于LED封装领域，尤其涉及一种LED封装用耐硫化耐UV涂层及其制备方法。本发明的全氢聚硅氮烷溶解于溶剂中，采用UV与加热的方式后，在芯片表面形成一层致密的二氧化硅排列结构，使得芯片的耐硫化和耐UV性能得到大大改善，光通量大大提高。
Description
技术领域
本发明属于LED封装领域，尤其涉及一种LED封装用耐硫化耐UV涂层及其制备方法。
背景技术
LED目前所用封装材料有环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有机硅等高透明材料，其中环氧树脂与有机硅材料作为主要的封装材料，环氧树脂内应力过大，黄变、耐高低温性能差，耐老化性能差；而有机硅材料内应力小，耐高低温性能好，不黄变，透光率也高于环氧树脂，因此有机硅材料取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域。但是有机硅材料，特别是低折射率有机硅材料，因其低交联密度导致透氧透湿，在含硫气体作用下，会部分穿透封装材料，在银层与硅胶界面无粘接性，易生成硫化银，导致银层发黑。另外，有机硅材料在经过UV照射后，光通量迅速下降。因此制备高致密、耐硫化耐UV涂层迫在眉睫。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的不足，提供一种LED封装用耐硫化耐UV涂层及其制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种LED封装用耐硫化耐UV涂层，包括20-25重量份的全氢聚硅氮烷和75-80重量份的溶剂；其中，所述的全氢聚硅氮烷结构式为所述的溶剂为四氢呋喃、乙醚或乙酸甲酯。
上述LED封装用耐硫化耐UV涂层的制备方法，步骤如下：
(1)将20-25重量份的全氢聚硅氮烷溶解于75-80重量份的溶剂中，混合均匀；
(2)将步骤(1)的混合物采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，控制UV固化时间为60秒，控制加热温度为100-120℃、加热时间为60秒；
(3)去除多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型。
本发明的LED封装用耐硫化耐UV涂层的固化机理为：
其中，n＝20-30。
本发明的有益效果是：本发明的全氢聚硅氮烷溶解于溶剂中，采用UV与加热的方式后，在芯片表面形成一层致密的二氧化硅排列结构，使得芯片的耐硫化和耐UV性能得到大大改善，光通量大大提高。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明实施例的耐硫化耐UV性能测试方法为：取固化后成品10pcs测试光通量作为初始数据，用双面胶贴在保鲜盒盒盖上，支架胶面朝下，取尺寸为10cm*10cm*5cm的保鲜盒，将双面胶一侧贴在保鲜盒盒盖内侧，另一侧粘贴胶面。在保鲜盒内加入硫粉2g，硫粉均匀铺在盒子底部且成粉状而非块状，将盒盖盖在盒体上，使保鲜盒密封。将保鲜盒置于80℃烘箱中,8h后取出；再将样品放入UV老化箱中，温度为50℃，波长280-400nm，放置24h后取出，测试光通量，计算光衰。
实施例1
将25份全氢聚硅氮烷溶解于75份无水乙醚中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为100℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
实施例2
将23份全氢聚硅氮烷溶解于77份无水四氢呋喃中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为110℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
实施例3
将20份全氢聚硅氮烷溶解于80份无水乙酸甲酯中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为115℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
实施例4
将21份全氢聚硅氮烷溶解于79份无水四氢呋喃中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为120℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
实施例5
将22份全氢聚硅氮烷溶解于78份无水乙酸甲酯中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为105℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
实施例6
将25份全氢聚硅氮烷溶解于75份无水乙醚中，混合均匀后，采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，UV固化时间为60秒，加热温度为120℃，加热时间为60秒。清除去多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型，测试耐硫化耐UV性能。
表1为采用实施例1-6制得的涂层与未采用本发明涂层的光通量数据对照。
表1
| 未采用涂层 | 实施例涂层 | |
| 实施例1 | 88.2％ | 99.5％ |
| 实施例2 | 88.1％ | 99.1％ |
| 实施例3 | 88.3％ | 99.0％ |
| 实施例4 | 88.0％ | 99.1％ |
| 实施例5 | 88.4％ | 99.2％ |
| 实施例6 | 88.4％ | 99.4％ |
由表1可以看出，采用本发明实施例制得的涂层，其光通量得到大大提高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种LED封装用耐硫化耐UV涂层，其特征在于，包括20-25重量份的全氢聚硅氮烷和75-80重量份的溶剂；其中，所述的全氢聚硅氮烷结构式为所述的溶剂为四氢呋喃、乙醚或乙酸甲酯；
其中，所述的n＝20-30。
2.一种权利要求1所述的LED封装用耐硫化耐UV涂层的制备方法，其特征在于，步骤如下：
(1)将20-25重量份的全氢聚硅氮烷溶解于75-80重量份的溶剂中，混合均匀；
(2)将步骤(1)的混合物采用喷涂的方式喷涂至芯片表面,采用UV与加热的方式分阶段固化，控制UV固化时间为60秒，控制加热温度为100-120℃、加热时间为60秒；
(3)去除多余涂层材料，再点上LED封装胶，加热成型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610815577.7A CN106328797A (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610815577.7A CN106328797A (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106328797A true CN106328797A (zh) | 2017-01-11 |
Family
ID=57787936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610815577.7A Pending CN106328797A (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106328797A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108329506A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-07-27 | 苏州维洛克电子科技有限公司 | 含全氢聚硅氮烷-尿素涂层的聚酯薄膜的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1386391A (zh) * | 2000-07-24 | 2002-12-18 | Tdk株式会社 | 发光元件 |
| CN102414827A (zh) * | 2009-03-19 | 2012-04-11 | Az电子材料卢森堡有限公司 | 具有基于聚硅氮烷的包封层的太阳能电池 |
| CN105451984A (zh) * | 2013-07-01 | 2016-03-30 | 柯尼卡美能达株式会社 | 阻气性膜及其制造方法以及使用该阻气性膜的电子器件 |
-
2016
- 2016-09-08 CN CN201610815577.7A patent/CN106328797A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1386391A (zh) * | 2000-07-24 | 2002-12-18 | Tdk株式会社 | 发光元件 |
| CN102414827A (zh) * | 2009-03-19 | 2012-04-11 | Az电子材料卢森堡有限公司 | 具有基于聚硅氮烷的包封层的太阳能电池 |
| CN105451984A (zh) * | 2013-07-01 | 2016-03-30 | 柯尼卡美能达株式会社 | 阻气性膜及其制造方法以及使用该阻气性膜的电子器件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108329506A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-07-27 | 苏州维洛克电子科技有限公司 | 含全氢聚硅氮烷-尿素涂层的聚酯薄膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104476874B (zh) | 防眩和防蓝光保护膜 | |
| CN104804688B (zh) | 一种户外led封装用哑光型环氧树脂封装胶及其制备方法 | |
| CN108300286B (zh) | 掺锆二氧化硅聚合物溶胶及其增透减反镀膜液的制备应用 | |
| WO2011111293A1 (ja) | Ｌｅｄ封止樹脂体、ｌｅｄ装置およびｌｅｄ装置の製造方法 | |
| CN102127301B (zh) | 一种耐光老化复合绝缘子用混炼胶及其制备方法 | |
| CN106058012A (zh) | 一种复合白光led及其制备方法 | |
| TWI476257B (zh) | 無機黏著劑組成物及使用其之氣密式密封方法 | |
| TWI480345B (zh) | 塗料及其製備方法及塗料所形成之薄膜 | |
| KR101824581B1 (ko) | Uv/습기 이중 경화 유기 실리콘 접착제 | |
| CN106065317A (zh) | 快速固化无挥发led球泡灯粘接用胶及其制备方法 | |
| CN106328797A (zh) | 一种led封装用耐硫化耐uv涂层及其制备方法 | |
| CN108662553A (zh) | 一种具有低生物危害阻蓝涂层及使用该涂层的led灯具 | |
| CN102339934A (zh) | 一种以硅胶配制荧光粉为散热抗光衰的实用封装白光技术 | |
| CN104710964A (zh) | 一种led封装硅胶及其制备方法 | |
| CN203103352U (zh) | 一种uv硅胶封装led | |
| CN108102101B (zh) | 一种光可逆交联有机硅树脂及其制备方法 | |
| CN106784270A (zh) | 一种提高led封装用的有机硅材料耐硫化耐uv性能的方法 | |
| CN103682053A (zh) | Led用蓝色荧光胶 | |
| CN102738372A (zh) | 一种新型led 集成光源模组及其制备方法 | |
| CN105936739A (zh) | 一种应用于led植物生长灯芯片封装的导热聚光室温固化改性环氧树脂胶 | |
| CN106084661A (zh) | 一种应用于led植物生长灯芯片封装的增透防污改性环氧树脂胶 | |
| CN209344122U (zh) | 一种量子点led封装器件 | |
| CN105862017B (zh) | 一种led银支架防银变色剂及制备和成膜方法 | |
| CN110903767B (zh) | 一种具有转光功能的紫外光固化胶黏剂及其制备方法 | |
| CN112420893A (zh) | 一种使用硅氮烷进行封装的紫外led灯珠及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170111 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |