CN106784270A - 一种提高led封装用的有机硅材料耐硫化耐uv性能的方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims abstract description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 abstract description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
本发明涉及一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括清洁LED支架表面；配制涂层：将含氢硅树脂和溶剂均匀混合，其中，含氢硅树脂的重量分数为20～25wt％；将所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；向所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。本发明的有益效果是：使用本发明的方法制备得到的封装后的LED克服了传统有机硅材料封装后的透气透湿，含硫气体作用下会部分穿透封装材料的弊端，耐硫化性好；经长时间紫外线UV照射后，光通量仍能保持稳定；银层与硅胶界面粘结性好，不易生成硫化银。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，属于LED封装技术领域。
背景技术
LED目前所用封装材料有环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有机硅等高透明材料，其中环氧树脂与有机硅材料作为主要的封装材料，环氧树脂内应力过大，黄变，耐高低温性能差，耐老化性能差，而目前的有机硅材料，内应力小，耐高低温性能好，不黄变，透光率也高于环氧树脂，因此迅速取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域，但是有机硅材料特别是低折射率有机硅材料因为低交联密度导致透氧透湿，在含硫气体作用下，会部分穿透封装材料，在银层与硅胶界面因为无粘接性，易生成硫化银，导致银层发黑，另外，uv照射后，光通量迅速下降。因此，提高LED封装用有机硅材料的耐硫化耐UV性能迫在眉睫。
发明内容
本发明针对现有LED封装用有机硅材料在使用过程中存在的不足，提供一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：
一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)清洁LED支架表面；
2)配制涂层：将含氢硅树脂和溶剂均匀混合，其中，含氢硅树脂的重量分数为20～25wt％；
3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；
4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；
5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。
进一步，所述含氢硅树脂的结构式如下：
进一步，所述电子束为500-1000mW，电子束的照射时间为3-5秒。
进一步，所述的溶剂是指正庚烷、乙醚或丙酮中的一种。
本发明的有益效果是：
1)使用本发明的方法制备得到的封装后的LED克服了传统有机硅材料封装后的透气透湿，含硫气体作用下会部分穿透封装材料的弊端，耐硫化性好；
2)经长时间紫外线UV照射后，光通量仍能保持稳定；
3)银层与硅胶界面粘结性好，不易生成硫化银。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明实施例1-3中所使用的含氢硅树脂的结构式如下：
实施例1：
一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：
1)清洁LED支架表面；
2)配制涂层：将25份含氢硅树脂和75份溶剂无水乙醚均匀混合得涂层；
3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；
4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为500mW，照射时间为5秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；
5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。
实施例2：
一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：
1)清洁LED支架表面；
2)配制涂层：将23份含氢硅树脂和77份溶剂无水正庚烷均匀混合得涂层；
3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；
4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为700mW，照射时间为4秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；
5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。
实施例3：
一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：
1)清洁LED支架表面；
2)配制涂层：将20份含氢硅树脂和80份溶剂无水丙酮均匀混合得涂层；
3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；
4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为1000mW，照射时间为3秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；
5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。
对比例：
清洁LED支架表面后直接点上封装用的有机硅材料，固化成型。
为了验证本发明提供的方法的有益效果，我们对使用本发明的方法固化后的产品进行了耐硫和耐UV的测试，具体测试方法如下：
耐硫化：固化后成品，取10pcs测试光通量作为初始数据，用双面胶贴在保鲜盒盒子盖上，支架胶面朝下，保鲜盒尺寸是10cm*10cm*5cm，加入硫粉2g，硫粉均匀铺在盒子底部且成粉状而非块状，盒子要密封性好，置于80℃烘箱,8H后取出。
耐UV：将样品放入UV老化箱中，温度为50℃，波长280-400nm，放置24h后取出，测试光通量，计算光衰。
实施例1-3与对比例所得产品的光通量及光衰测试结果如表1所示：
表1：实施例1-3及对比例所得产品的光通量和光衰数据
| 光通量(％) | 光衰(％) | |
| 实施例1 | 99.4 | 0.6 |
| 实施例2 | 99.2 | 0.8 |
| 实施例3 | 99.1 | 0.9 |
| 对比例 | 88.2 | 11.8 |
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种提高LED封装用的有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)清洁LED支架表面；
2)配制涂层：将含氢硅树脂和溶剂均匀混合，其中，含氢硅树脂的重量分数为20～25wt％；
3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；
4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；
5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。
2.根据权利要求1所述的提高LED封装用的有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，所述含氢硅树脂的结构式如下：
3.根据权利要求1所述的提高LED封装用的有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，所述电子束为500-1000mW，电子束的照射时间为3-5秒。
4.根据权利要求1所述的提高LED封装用的有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，所述的溶剂是指正庚烷、乙醚或丙酮中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201611048518.8A CN106784270A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 一种提高led封装用的有机硅材料耐硫化耐uv性能的方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611048518.8A CN106784270A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 一种提高led封装用的有机硅材料耐硫化耐uv性能的方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN106784270A true CN106784270A (zh) | 2017-05-31 |
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ID=58974594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611048518.8A Pending CN106784270A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 一种提高led封装用的有机硅材料耐硫化耐uv性能的方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN106784270A (zh) |
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