CN106298417A - 反应腔室及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备。在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座以及压环；所述基座内设置有与背吹气源相连通的背吹管路；所述基座的上表面上设置有环形密封装置；当所述基座带动基片上升并将所述压环顶起时，所述压环叠压在基片的边缘区域，所述环形密封装置与所述基片的背面接触使得所述环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，所述背吹气源提供的背吹气体经由所述背吹管路输送至所述密封空间内。本发明提供的反应腔室，可以在保证对基片有效冷却的前提下大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

Description

反应腔室及半导体加工设备

技术领域

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种反应腔室及半导体加工设备。

背景技术

在半导体制备工艺中，特别是，集成电路(IC)制备工艺、硅穿孔(TSV)工艺和封装(Packaging)工艺，在工艺之前需要先执行预清洗工艺，以去除基片表面的杂质，来保证后续沉积工艺的工艺质量，从而保证半导体器件的性能。预清洗工艺的基本原理为：一般采用电感耦合等离子体发生装置，利用射频电源产生的高压交变电场将腔室内的工艺气体激发形成高反应活性和/或高能量的等离子体，借助该等离子体与基片的表面发生化学反应和/或物理轰击作用，来实现去除基片表面的杂质。

图1a为现有的预清洗腔室处于传片状态的结构示意图；图1b为现有的预清洗腔室处于工艺状态的结构示意图。请一并参阅图1a和图1b，该预清洗腔室内设置有具有冷却功能的基座10和顶针机构。其中，基座10用于承载基片S，且其可在传片位置和工艺位置之间升降，传片位置和工艺位置分别指如图1a和图1b中基座10所在的位置，所谓传片位置是指基座10所在的对其装载基片S的位置；所谓工艺位置是指基座10所在的对其上基片S进行预清洗工艺的位置。图2为现有的顶针机构的结构立体图，请参阅图2，该顶针机构包括用于承载基片S的多个顶针11，基座10上设置有与顶针11一一对应的通孔，每个顶针11贯穿与之对应的通孔，并且，在基座10位于传片位置时，顶针11的顶端高于基座10的上表面，且与预清洗腔室侧壁上设置的传片口12同高度。该预清洗腔室的工艺过程具体为：首先，预清洗腔室处于如图1a所示的状态，承载有基片S的机械手经由传片口12向顶针11上装载基片S；接着，在基片S装载至顶针11上之后，基座10朝向工艺位置上升，在其上升的过程中会将顶针11上的基片S托起，从而实现基片S位于基座10上；基座10将基片S托起之后，并继续上升直至位于工艺位置；最后，在基座10位于工艺位置之后，开始通入工艺气体和加载射频电源等，以进行预清洗工艺，直至工艺结束。

在实际应用中，由于基片S和基座10的接触面具有较低的平面度和粗糙度(机械加工无法实现的原因)，使得二者之间无法充分接触，并且，预清洗工艺的环境压力很低，一般为毫托级，因此，基片S和基座10之间的气体量较少，这使得二者之间的热传递主要依靠热辐射和少量气体的热传导，从而造成基片S与基座10之间的热传递很低，因此，随着预清洗工艺的持续进行，基片S的温度会持续升高，在温度升高至一定时会造成基片S损坏。

为此，现有技术中通常采用以下方式：在预清洗工艺进行一段时间后暂停，开始执行冷却步骤，向预清洗腔室内充气，使腔室压力达到几十托，使得基片S和基座10之间的气体增多，从而加快二者之间的气体热传导，实现基片S快速降温；之后继续进行预清洗工艺，对预清洗腔室进行抽气，使腔室的压力达到毫托级，以进行预清洗工艺；如此在预清洗工艺过程中周期性地暂停预清洗工艺以增加冷却步骤，直至预清洗工艺完成。

然而，在实际应用中，预清洗腔室采用周期性地增加冷却步骤的方式来避免基片的温度过高不可避免地会存在以下问题：由于增加了冷却步骤，使得预清洗工艺的工艺时间较长，从而造成半导体加工设备的产能低，经济效益低；但是，若减少冷却步骤的增加次数，则基片的温度可能会较高，从而影响工艺结果，造成产品良率低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及半导体加工设备，其在工艺的同时可以实现基片的冷却，也就不需要在工艺时周期性地暂停工艺以增加冷却步骤，因而在保证对基片有效冷却的前提下可以大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座以及压环；所述基座内设置有与背吹气源相连通的背吹管路；所述基座的上表面上设置有环形密封装置；当所述基座带动基片上升并将所述压环顶起时，所述压环叠压在基片的边缘区域，所述环形密封装置与所述基片的背面接触使得所述环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，所述背吹气源提供的背吹气体经由所述背吹管路输送至所述密封空间内。

优选地，所述背吹管路具有在所述基座的上表面上设置的多个输出口，且每个所述输出口靠近所述基座的中心位置设置；在所述基座的上表面上设置有沿其周向设置的环形凹槽以及与所述输出口一一对应的条形凹槽，所述环形凹槽位于所述环形密封装置的内侧，每个所述条形凹槽的两端分别与所述环形凹槽以及与之对应的所述输出口相连通。

优选地，所述环形密封装置为环形棱角，所述环形棱角通过在所述基座上表面的边缘区域进行切割形成，所述环形棱角内外侧的所述基座上表面均低于所述环形棱角。

优选地，所述反应腔室内还设置有用于支撑所述压环的支撑件，所述支撑件包括支撑柱、支撑环和多个支撑杆，其中，多个所述支撑杆设置在所述支撑环上，且沿所述支撑环的周向间隔设置，用于支撑所述压环；所述支撑环的内径大于所述基座的直径，围绕所述基座外圆周设置的环形外衬上设置有多个分别与所述支撑杆一一对应的第一通孔，每个所述支撑杆穿过对应的第一通孔后与所述压环配合，且所述支撑杆与所述第一通孔为间隙配合；所述支撑柱用于支撑所述支撑环。

优选地，所述压环的下表面上设置有多个盲孔，且每个所述盲孔设置在所述压环下表面的与所述支撑杆相接触的位置处；每个所述盲孔用于容纳与之对应的所述支撑杆的顶端。

优选地，所述压环的下表面的边缘区域设置有凸部，所述盲孔设置在所述凸部上；当所述压环叠压在基片的边缘区域上时，所述凸部的下端面盖住所述第一通孔。

优选地，还包括多个用于承载基片的顶针；

所述环形外衬上设置有多个分别与所述顶针一一对应的第二通孔，在装卸载基片时，每个所述顶针穿过对应的第二通孔，且所述顶针的顶端高于所述基座的上表面低于所述压环的下表面，所述顶针与所述第二通孔为间隙配合。

优选地，所述多个顶针设置在所述支撑环上，且沿所述支撑环的周向间隔设置。

优选地，所述支撑件作为所述反应腔室的内衬，所述支撑件环绕所述反应腔室的内周壁设置，且所述支撑件具有开口朝上且环绕所述反应腔室的内周壁设置的环形沟槽；所述压环的外径大于所述环形沟槽的内径；所述压环搭接在所述环形沟槽的内环壁上；在所述环形沟槽的槽底和所述压环的外边缘之间还设置有弹性部，通过所述弹性部件在所述压环叠压在所述基片时受到拉伸来实现向所述压环施加向下的弹力。

作为另外一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室采用上述提供反应腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的反应腔室，在装卸载基片时使基座远离压环，以便于向基座装卸载基片；以及，在工艺时使压环叠压在基片的边缘区域，环形密封装置与基片的背面接触使得环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，这不仅可以实现在基片不会被吹飞或吹歪的情况下借助背吹气体实现基片和基座之间的热传导，而且还可以实现借助环形密封装置避免背吹气体泄漏对工艺环境产生影响。因此，本发明提供的反应腔室与现有技术的反应腔室相比，在工艺时增加了基片与基座之间的背吹气体，背吹气体可以使得基片与基座之间进行热传导，即在工艺的同时就可以实现基片的冷却，也就不需要在工艺时周期性地暂停工艺以增加冷却步骤，因而可以在保证对基片有效冷却的前提下大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

本发明提供的半导体加工设备，其采用本发明另一技术方案提供的反应腔室，可以实现在保证对基片有效冷却的前提下可以大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而提高经济效益。

附图说明

图1a为现有的预清洗腔室处于传片状态的结构示意图；

图1b为现有的预清洗腔室处于工艺状态的局部示意图；

图2为现有的顶针机构的结构立体图；

图3a为本发明实施例提供的反应腔室在装卸载基片时的结构示意图；

图3b为本发明实施例提供的反应腔室在工艺时的局部示意图；

图4为图3a和图3b中的支撑件的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的反应腔室中的基座的俯视图；以及

图6为图3b中的局部放大图；

图7为本发明实施例提供的应用另一种支撑件的反应腔室的局部示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的进行反应腔室及半导体加工设备进行详细描述。

图3a为本发明实施例提供的反应腔室在装卸载基片时的结构示意图；图3b为本发明实施例提供的反应腔室在工艺时的局部示意图；图4为图3a和图3b中的支撑件的结构示意图。请一并参阅图3a、图3b和图4，本实施例提供的反应腔室20包括用于承载基片的基座21和压环22。其中，基座21内设置有与背吹气源(图中未示出)相连通的背吹管路211，并且，基座21上表面上设置有环形密封装置，基座21可升降，在装卸载基片S时基座21下降至图3a所示的位置(即，装卸位置)，在工艺时基座21上升并将压环22顶起至如图3b所示的位置(即，工艺位置)，此时，压环22叠压在基片S的边缘区域，环形密封装置与基片S的背面接触使得环形密封装置内侧的基座21上表面与基片S的背面形成密封空间，背吹气源提供的背吹气体经由背吹管路211输送至密封空间内，其中，背吹气体包括惰性气体或工艺气体，以防止背吹气体泄露至反应腔室而对工艺产生影响。

如图5所示，优选地，背吹管路211具有在基座21的上表面上设置的多个输出口214，且每个输出口214靠近基座21的中心位置设置，在基座21的上表面上设置有沿其周向设置的环形凹槽212以及与输出口214一一对应的条形凹槽213，环形凹槽212位于环形密封装置的内侧，每个条形凹槽213的两端分别与环形凹槽212以及与之对应的输出口214相连通。在此情况下，可在一定程度上实现背吹气体在基片S的背面均匀流动，从而可以提高基片S温度的均匀性，提高工艺质量。进一步优选地，多个输出口沿所述基座21的周向间隔且均匀设置，这可以进一步实现背吹气体在基片S背面均匀流动，从而可以进一步提高基片S温度的均匀性。可以理解，由于基座21具有冷却功能，具体地，基座21内设置有冷却管道，冷却媒介经由冷却管道流动实现冷却基座21，因此，设置环形凹槽212和条形凹槽213的深度一般较小，可以提加快背吹气体和基座21之间的热交换效率，从而实现基座21快速地冷却。

如图6所示，另外优选地，环形密封装置为环形棱角215，环形棱角215通过在基座21上表面的边缘区域进行切割形成，环形棱角215内外侧的基座21上表面均低于环形棱角215，可以说，环形密封装置为“密封刀口”。具体地，环形凹槽212以及与条形凹槽213设置在环形棱角215内侧的基座21上表面上，并且，环形凹槽212靠近环形棱角215设置。可以理解，采用上述具有密封刀口的基座21，可以在很大程度上避免背吹气体泄露至反应腔室20内，这不仅可以避免背吹气体进入反应腔室20影响反应腔室20完成工艺的压力(一般为毫托级)，而且还可以使背吹气体的压力能达到几托，使得二者之间具有相对较多的背吹气体从而可以提高热传导效率。

在本实施例中，压环22搭接在支撑件23上，也就是说，压环22与支撑件23之间为动连接，并非固定连接，在这种情况下，基座21自如图3a所示的位置上升至与压环22刚接触的位置之后，继续驱动基座21上升直至将压环22托起，此时，压环22与支撑件23分离，实现利用压环22的自身重力施加在基片S的边缘区域来压住基片S。

另外，反应腔室20的顶壁25为穹顶结构，其采用诸如石英或玻璃等的非金属材料制成，射频电源产生的交变电场经由该顶壁耦合至反应腔室20内实现将工艺气体激发形成等离子体；在反应腔室20靠上位置的内壁内侧套置有筒状结构的环形内衬26，在基座21的外侧壁上设置有与环形内衬26匹配形成封闭反应空间的环形外衬27。

如图4所示，支撑件23包括支撑柱231、支撑环232和多个支撑杆233。其中，支撑环232的内径大于基座21的直径，以实现基座21在支撑环232的环孔内与压环22相对升降；多个支撑杆233设置在支撑环232上，且沿支撑环232的周向间隔设置，用于支撑压环22，具体的，在环形外衬27上设置有多个分别与支撑杆233一一对应的第一通孔，每个支撑杆233穿过对应的第一通孔后与压环22配合，且支撑杆233与第一通孔为间隙配合，使得支撑杆233在第一通孔内与第一通孔可相对升降；支撑柱231用于支撑支撑环232，具体地，支撑柱231的下端固定在反应腔室20的底面上，上端通过螺钉水平固定支撑环232。优选地，多个支撑杆233在支撑环232上沿支撑环232的周向间隔且均匀设置，这可以实现稳定地支撑压环22，从而可以保证工艺的稳定性。

优选地，压环22的下表面上设置有多个盲孔221，且每个盲孔221设置在压环22下表面的与支撑杆233相接触的位置处；每个盲孔221用于容纳与之对应的支撑杆233的顶端。可以理解，在装卸载基片S时支撑杆233的顶端位于与之对应的盲孔221内，如图3a所示，盲孔221不仅可以实现对支撑杆233限位，从而实现稳定地支撑压环22；而且还可以在压环22升降时起到导向作用，从而保证压环22垂直升降。

另外，在本实施例中，压环22的下表面的边缘区域设置有凸部222，盲孔221设置在凸部222上。当压环22叠压在基片S的边缘区域上时，凸部222的下端面盖住环形外衬27上的第一通孔，以防止工艺时刻蚀出的污染物透过该第一通孔漏到基座下方的腔室中。上述凸出部222不仅可以为沿压环22周向设置的环形凸部，在压环22叠压在基片S的边缘区域上时，借助环形凸部的下端面同时盖住多个第一通孔；还可以包括与第一通孔一一对应的子凸部，在压环22叠压在基片S的边缘区域上时，借助每个子凸部的下端面盖住与之对应的第一通孔。

反应腔室20内还包括顶针装置，顶针装置包括多个用于承载基片S的顶针24，顶针24的顶端与预清洗腔室(即，反应腔室)侧壁上设置的传片口29同高度，环形外衬27上设置有多个分别与顶针24一一对应的第二通孔，在装卸载基片S时，环形外衬27随着基座21下降，每个顶针24穿过对应的第二通孔，且顶针24的顶端高于基座21的上表面低于压环22的下表面，顶针24与第二通孔为间隙配合，使得每个顶针24在第二通孔内与第二通孔可相对升降，用以实现基片S在顶针24和基座21之间传输。优选地，每个顶针24的顶端设置有台阶，下台阶面用于承载基片S，台阶还可以对基片S进行限位，防止基片S在水平方向上偏移。

优选地，多个顶针24设置在支撑环232上，且沿支撑环232的周向间隔设置；并且，顶针24的顶端位于压环22的下方。可以理解，顶针24和压环22共用一个支撑件，因此可以省去多个顶针24的支撑件，从而不仅可以简化结构，而且还可以降低成本。进一步优选地，多个顶针24在支撑环232上沿支撑环232的周向间隔且均匀设置，这可以实现稳定地支撑基片S，从而可以防止掉片。

另外，由于顶针24用于承载基片S，因此，顶针24所在圆周的直径小于基片S的直径，而支撑杆233用于支撑压环22，压环22的外径不小于基片S的直径，因此，支撑杆233所在圆周的直径大于基片S的直径。因此，在采用如图4所示的支撑环232时，在支撑环232的内侧壁上设置有向支撑环232的圆心方向延伸的凸部，顶针24设置在凸部上远离支撑环232的一端，以使顶针24所在圆周的直径小于支撑环232的内径；支撑杆233设置在支撑环232的环面上。

下面结合图3a详细描述本实施例提供的反应腔室的整个工作过程。装载过程：借助升降装置驱动基座21下降至低位，使基座21的上表面与压环22下表面的靠近其环孔的环形区域之间具有一定的竖直距离，顶针24的台阶面位于基座21和压环之间，且顶针24的顶端对应传片口29，承载有基片S的机械手自传片口29传入反应腔室20内，并将基片S传输至顶针24的台阶面上。

工艺前：借助升降装置驱动基座21上升，在上升的过程中基座21的上表面先托起基片S，接着基片S的上表面与压环22上表面的靠近其环孔的环形区域相接触，接着基座21带动基片S和压环22继续上升直至工艺位置。

工艺时：向反应腔室内通入一定量的工艺气体，且保证腔室压力为毫托级，此时，由于压环22的重量全部作用于基片S的边缘区域，因此，通过背吹管路211向基座21和基片S之间输送背吹气体，不会造成重量过轻的基片S被吹飞或者吹歪，并且，借助密封刀口可实现基片S和基座21之间形成密封空间，不仅背吹气体的气体压力可以到达几托，能够将基片S的热量及时传导至基座21带走，而且还可以防止背吹气体泄漏对工艺环境产生影响。

卸载过程：首先，借助升降装置驱动基座21下降，直至下降至顶针24顶端的下方，使得基片S位于顶针24上；接着，空载的机械手自传片口29进入反应腔室20，将顶针24上的基片S传出反应腔室20，从而实现卸载基座20上基片S的过程。

需要说明的是，尽管在本实施例中支撑件23为如图4所示的结构，其包括支撑柱231、支撑环232和多个支撑杆233；但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，支撑件23还可以采用其他结构，只要能够实现支撑压环22即可。

还需要说明的是，在本实施例中，压环22搭接在支撑件23上，具体地，压环22搭接在支撑杆233上，以借助压环22的自身重力压住基片S；但是，在实际应用中，压环22还可以固定在支撑件23上，具体地，压环22与支撑杆233固定连接，在这种情况下，可以在压环22与基座21相接触之后再继续相对运动，以实现通过压环22的重力以及支撑杆233向下的拉力来压住基片S。

优选地，为防止采用这种硬连接造成基片S受到压力过大造成其损坏，如图7所示，支撑件23作为反应腔室20的内衬，支撑件23环绕反应腔室20的内周壁设置，且支撑件23具有开口朝上且环绕反应腔室20的内周壁设置的环形沟槽234；压环22的外径大于环形沟槽234的内径，压环22搭接在环形沟槽234的内环壁235上，内环壁235是指形成环形沟槽235的靠近反应腔室20中心的环形壁；在环形沟槽234的槽底和压环22的外边缘之间还设置有弹性部件236，通过弹性部件236在压环22叠压在基片S时受到拉伸来实现向压环22施加向下的弹力。在上述种情况下，可以实现通过压环22的重力和弹性部件236向下的弹力来压住基片S。

优选地，压环22的下表面上设置有环形凹部223，环形凹部223搭接在环形沟槽234的内环壁235上。可以理解，借助环形凹部223可以实现对环形沟槽234的内环壁235进行限位，从而可以提高支撑压环22的可靠性。

此外，还需要说明的是，为实现顶针24和基座21之间基片S的传输，可以通过驱动顶针24和/或基座21相对升降实现。

由上可知，本实施例提供的反应腔室，在装卸载基片S时基座21远离压环22，因此可以实现向基座21装卸载基片S，从而满足工艺的装卸载需求；在工艺时使压环22叠压在基片S的边缘区域，环形密封装置与基片S的背面接触使得环形密封装置内侧的基座21上表面与基片S的背面形成密封空间，这不仅可以实现在基片不会被吹飞或吹歪的情况下借助背吹气体实现基片和基座之间的热传导，而且还可以实现借助环形密封装置避免背吹气体泄漏对工艺环境产生影响。因此，本实施例提供的反应腔室20与现有技术的反应腔室相比，在工艺时增加了基片S与基座21之间的背吹气体，背吹气体可以使得基片S与基座21之间进行热传导，可以实现在工艺的同时就可以实现基片S的冷却，因此不需要在工艺时周期性地暂停工艺以增加冷却步骤，从而可以在保证对基片有效冷却的前提下大大地降低工艺时间，提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

作为另外一个技术方案，本实施例还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，反应腔室采用上述实施例提供的反应腔室，反应腔室包括预清洗腔室。

具体地，半导体加工设备包括物理气相沉积设备、等离子体刻蚀设备和化学气相沉积设备等。

本实施例供的半导体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的反应腔室，可以实现在保证对基片有效冷却的前提下可以大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而提高经济效益。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座以及压环；

所述基座内设置有与背吹气源相连通的背吹管路；

所述基座的上表面上设置有环形密封装置；

当所述基座带动基片上升并将所述压环顶起时，所述压环叠压在基片的边缘区域，所述环形密封装置与所述基片的背面接触使得所述环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，所述背吹气源提供的背吹气体经由所述背吹管路输送至所述密封空间内。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述背吹管路具有在所述基座的上表面上设置的多个输出口，且每个所述输出口靠近所述基座的中心位置设置；

在所述基座的上表面上设置有沿其周向设置的环形凹槽以及与所述输出口一一对应的条形凹槽，所述环形凹槽位于所述环形密封装置的内侧，每个所述条形凹槽的两端分别与所述环形凹槽以及与之对应的所述输出口相连通。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述环形密封装置为环形棱角，所述环形棱角通过在所述基座上表面的边缘区域进行切割形成，所述环形棱角内外侧的所述基座上表面均低于所述环形棱角。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内还设置有用于支撑所述压环的支撑件，所述支撑件包括支撑柱、支撑环和多个支撑杆，其中，

多个所述支撑杆设置在所述支撑环上，且沿所述支撑环的周向间隔设置，用于支撑所述压环；

所述支撑环的内径大于所述基座的直径，围绕所述基座外圆周设置的环形外衬上设置有多个分别与所述支撑杆一一对应的第一通孔，每个所述支撑杆穿过对应的第一通孔后与所述压环配合，且所述支撑杆与所述第一通孔为间隙配合；

所述支撑柱用于支撑所述支撑环。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述压环的下表面上设置有多个盲孔，且每个所述盲孔设置在所述压环下表面的与所述支撑杆相接触的位置处；

每个所述盲孔用于容纳与之对应的所述支撑杆的顶端。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述压环的下表面的边缘区域设置有凸部，所述盲孔设置在所述凸部上；

当所述压环叠压在基片的边缘区域上时，所述凸部的下端面盖住所述第一通孔。

7.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，还包括多个用于承载基片的顶针；

所述环形外衬上设置有多个分别与所述顶针一一对应的第二通孔，在装卸载基片时，每个所述顶针穿过对应的第二通孔，且所述顶针的顶端高于所述基座的上表面低于所述压环的下表面，所述顶针与所述第二通孔为间隙配合。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述多个顶针设置在所述支撑环上，且沿所述支撑环的周向间隔设置。

9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑件作为所述反应腔室的内衬，所述支撑件环绕所述反应腔室的内周壁设置，且所述支撑件具有开口朝上且环绕所述反应腔室的内周壁设置的环形沟槽；

所述压环的外径大于所述环形沟槽的内径；

所述压环搭接在所述环形沟槽的内环壁上；

在所述环形沟槽的槽底和所述压环的外边缘之间还设置有弹性部，通过所述弹性部件在所述压环叠压在所述基片时受到拉伸来实现向所述压环施加向下的弹力。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。