CN112501579A - 一种半导体反应腔室 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体反应腔室，涉及半导体技术领域。该半导体反应腔室包括腔体以及设置于腔体内的承载装置和密封组件，其中，承载装置包括承载基台和环绕承载基台的承载面设置的限位件，限位件与承载基台围成用于容置待加工工件的容置空间；承载基台内设有输气通道，限位件内设有与输气通道连通的导气通道，导气通道与容置空间连通；密封组件包括第一驱动结构和密封盘，第一驱动结构用于驱动密封盘运动，密封盘用于在第一驱动结构驱动至承载基台上方时与限位件接触，以密封容置空间。该半导体反应腔室对待加工工件的加工质量高、冷却效率及加工效率均较高。

Description

一种半导体反应腔室

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体反应腔室。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是采用物理方法制备薄膜的薄膜 制备工艺，在对待加工工件进行PVD工艺的过程中，待加工工件一般会聚集一定热量，而在真空的腔室内，热量很难传递出去。而现有半导体装置中，通过背吹冷却的方式对 待加工工件进行降温，且为了进一步固定待加工工件并提高降温效果，采用卡盘等部件 对待加工工件进行固定，而该方式不仅降温效果有限且会对待加工工件的加工面造成遮 挡，严重影响加工质量。

发明内容

本发明的目的包括提供一种半导体反应腔室，以解决现有半导体装置对待加工工件 的降温效果差、加工质量差的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔体以及设置于所述腔体 内的承载装置和密封组件，其中，所述承载装置包括承载基台和环绕所述承载基台的承载面设置的限位件，所述限位件与所述承载基台围成用于容置待加工工件的容置空 间；所述承载基台内设有输气通道，所述限位件内设有与所述输气通道连通的导气通道， 所述导气通道与所述容置空间连通；所述密封组件包括第一驱动结构和密封盘，所述第 一驱动结构用于驱动所述密封盘运动，所述密封盘用于被所述第一驱动结构驱动至所述 承载基台上方时与所述限位件接触，以密封所述容置空间。

可选地，所述限位件包括环本体和设置在所述环本体环内的第一环形凸起部，所述 第一环形凸起部的上表面不高于所述承载基台的承载面，所述导气通道设置于所述环本 体内，且所述导气通道的导气出口高于所述承载基台的承载面。

可选地，所述输气通道包括主通道和多条连通于所述主通道的分支通道；所述导气 通道有多条，且多条所述导气通道与多条所述分支通道一一对应连通。

可选地，多条所述导气通道的导气出口均沿所述容置空间的周向间隔均匀排布。

可选地，所述限位件还包括设置在所述环本体环外的第二环形凸起部，所述密封盘 沿其周向设有朝向所述限位件并与所述第二环形凸起部相配合的环形凸台。

可选地，所述第二环形凸起部与所述环形凸台之间设有密封结构。

可选地，所述第一驱动结构包括旋转轴和旋转臂，所述旋转臂与所述旋转轴相连，且所述旋转轴被配置为在所述旋转轴的驱动下围绕所述旋转轴旋转，所述密封盘连接到所述旋转臂面向所述承载基台的一侧。

可选地，所述旋转臂设有上下贯通的锥形孔，且所述锥形孔的缩口端位于所述旋转 臂朝向所述密封盘的一面；所述密封盘背离所述承载基台的一侧依次设置有连接部和锥 形台，所述锥形台与所述锥形孔相匹配，且所述锥形台嵌入所述锥形孔内时，所述连接部位于所述旋转臂与所述密封盘之间。

可选地，所述连接部的径向尺寸小于所述锥形孔缩口端的径向尺寸。

可选地，所述锥形台的顶部设有挡沿，所述挡沿沿所述锥形台的径向向外延伸。

可选地，所述挡沿的延伸尺寸为d，所述密封盘与所述挡沿的间距尺寸为h，且d ＞5h。

本发明提供的半导体反应腔室，对晶片进行工艺加工时，晶片的加工面不受任何遮 挡，从而确保对晶片进行全面加工，相应提高产能；在进行降温操作时，密封组件的密封盘能够对晶片所处的体积较小的容置空间进行密封，在确保加工质量的基础上，还能 够实现快速冷却，进而缩短冷却操作耗费的时间，提高加工效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有 技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例的半导体反应腔室的剖视图，其中，承载装置位于工艺位置；

图2为本发明一实施例的半导体反应腔室的剖视图，其中，承载装置下降，且密封组件运动至承载装置上方；

图3为本发明一实施例的半导体反应腔室中密封组件密封容置空间的剖视示意图， 其中，密封组件为盖状结构且导气通道的导气出口位于限位件的内侧壁；

图4为图3中A的局部放大图；

图5为图3中B的局部放大图；

图6为本发明一实施例的半导体反应腔室中密封组件密封容置空间的剖视示意图， 其中，密封盘为盖状结构且导气通道的导气出口位于限位件的顶壁；

图7为本发明一实施例的半导体反应腔室中密封组件密封容置空间的剖视示意图， 其中，密封盘为盖状结构且导气通道的导气出口位于限位件的外侧壁；

图8为本发明另一实施例的半导体反应腔室中密封组件密封容置空间的剖视示意图，其中，密封盘为平板结构且导气通道的导气出口位于限位件的内侧壁；

图9为本发明一实施例的半导体反应腔室中密封盘的剖视图。

附图标记说明：

1-腔体；11-挡盘库；2-承载装置；21-承载基台；211-输气通道；211a-主通道；211b- 分支通道；22-限位件；221-环本体；222-第一环形凸起部；223-第二环形凸起部；224- 导气通道；23-容置空间；3-密封组件；31-密封盘；311-安装槽；312-环形凸台；32-锥形台；33-连接部；34-挡沿；35-密封圈；36-第一驱动结构；361-旋转臂；362-旋转轴； 363-锥形孔；5-内衬；6-靶材；7-晶片。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的 具体实施例做详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本实施例提供一种半导体反应腔室，如图1所示，包括腔体1以及设置于腔体1内的承载装置2和密封组件3，其中，承载装置2包括承载基台21和环绕承载基台21的 承载面设置的限位件22，限位件22与承载基台21围成用于容置待加工工件的容置空间 23；承载基台21内设有输气通道211，限位件22内设有与输气通道211连通的导气通 道224，导气通道224与容置空间23连通；密封组件3包括第一驱动结构36和密封盘31，第一驱动结构36用于驱动密封盘31运动，密封盘31用于被第一驱动结构36驱动 至承载基台21上方时与限位件22接触，以密封容置空间23。

本发明实施例提供的半导体反应腔室，承载基台21与限位件22围成容置空间23，且待加工工件置于容置空间23内，通过第一驱动结构36驱动用于密封该容置空间23 的密封盘31的位置，以改变其对容置空间23的密封状态；且进一步地，承载基台21 内设置输气通道211且限位件22内设置与上述输气通道211连通的导气通道224，可将 冷却气体经输气通道211以及导气通道224通入密封后的容置空间23内，以实现对待 加工工件的冷却效果，并在进行工艺(诸如沉积薄膜工艺)中，实现对待加工工件的全 面积处理。

以待加工工件为晶片7进行说明，初始时，如图1所示，承载装置和密封组件3均 位于工艺位置，密封组件3不对承载装置2造成遮挡，将晶片7置于限位件22与承载 基台21的承载面围成的容置空间23内，容置空间23对晶片7置于承载基台21的位置 进行限位，于腔体1内对晶片7进行工艺处理；工艺进行过程中，当晶片7的温度高于 预设温度时，工艺停止；如图2和图3所示，密封盘31在第一驱动结构36的驱动作用 下运动至承载装置2上方，并对容置空间23进行密封。承载基台21设置的输气通道211 可与外部供气源连通，并经输气通道211的输气入口输入冷却气体，冷却气体随后通过 限位件22的导气通道224流入容置空间23内；由于容置空间23的体积远小于腔体1 内的空间，进入容置空间23内的冷却气体能够快速扩散至整个容置空间23，冷却气体 作为传导介质，将高温的晶片7的热量传递至冷却气体以及通过冷却气体传递至承载基 台21，从而实现对晶片7的快速及有效降温。降温结束后，停止向密封后的容置空间 23内输入冷却气体，密封组件3和承载装置2均回复原工艺位置，继续对晶片7进行工 艺处理，直至工艺完成。

采用本申请实施例提供的上述半导体反应腔室对晶片7进行工艺加工时，晶片7的加工面未被遮挡，从而确保对晶片7进行全面加工，相应提高产能；在进行降温操作时， 密封组件3的密封盘31能够对体积较小的容置空间23进行密封，在确保加工质量的基 础上，还能够实现快速冷却，进而缩短冷却操作耗费的时间，提高加工效率。

可选地，如图1所示，本申请实施例提供的上述半导体反应腔室用于在晶片7表面进行沉积工艺，具体地，在腔体1的顶部以及承载装置2的上方设置靶材6，靶材6对 腔体1内的晶片7进行的溅射镀膜。

可选地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图5所示，限位件22包括 环本体221和设置在环本体221环内的第一环形凸起部222，第一环形凸起部222的上 表面不高于承载基台21的承载面S，其中，导气通道224设置于环本体221内，且导 气通道224的导气出口高于承载基台21的承载面。承载基台21的中部区域为凸起结构， 该凸起结构的顶面作为承载基台21的承载面S，限位件22围设于凸起结构，其中，第 一环形凸起部222的上表面不高于承载基台21的承载面S，以保证晶片7置于承载基 台21的承载面S时，第一环形凸起部222位于晶片7的下方，使得晶片7能够被承载 面S支承，从而确保晶片7容置于限位件22与承载基台21围成的容置空间23内，且 稳定放置。且优选地，第一环形凸起部222的上表面与承载基台21的承载面S共平面， 以与承载面S共同承载晶片7。且进一步地，在冷却过程中，晶片7与通入冷却气体的 限位件22接触，进一步提高冷却效果。导气通道224的导气出口高于承载基台21的承 载面S，则经导气出口吹出的冷却气体可无障碍地直接通入容置空间23内，减少对晶 片7位置的影响，从而避免晶片7偏移或损坏，从而进一步提高加工质量。

可选地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图2所示，输气通道211包括主通道211a和连通于主通道211a的分支通道211b；导气通道224有多条，且多条导 气通道224与多条分支通道211b一一对应连通。主通道211a的进气端作为输气通道211 的输气入口，多条分支通道211b的出气端作为输气通道211的输气出口，在对晶片7 进行冷却时，如图3所示，主通道211a的进气端可与外部供气源连接以为其供气，冷 却气体经主通道211a向多条分支通道211b分流，并相应流入多条导气通道224内，最 终从多个不同位置的导气出口流入容置空间23内，从而有效提高容置空间23内冷却气 体的均匀性；此外，相较与多个通道的进气端连接，本申请中的外部供气源仅需与主通 道211a的单个进气端连接即可实现分流，连接便捷度及密封性均更高。具体地，多条 分支通道211b的进气端可以与主通道211a的不同部位连通；较佳地，多条分支通道211b 的进气端也可以均与主通道211a的出气端连通，以提高多条分支通道211b内冷却气体 的气压均匀性；较佳地，多条导气通道224的导气出口可以沿容置空间23的周向间隔 均匀排布，多条导气通道224的导气出口沿容置空间23的周向均匀吹出，从而进一步 提高冷却气体流入容置空间23内的均匀性，提高晶片7与冷却气体换热的均匀性及换 热效率，相应提高对晶片7的冷却效果。具体地，导气通道224的导气出口方向可以垂 直于相应的外壁，也可以与外壁之间成角度设置。

可选地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图5所示，限位件22还包 括设置在环本体221环外的第二环形凸起部223。密封盘31沿其周向设有朝向限位件 22并与第二环形凸起部223相配合的环形凸台312。密封盘31的外边缘沿其周向设有 朝向限位件22凸起的环形凸台312，在对晶片7进行冷却处理时，密封盘31盖设限位 件22，且环形凸台312与限位件22的第二环形凸起部223抵接，实现对容置空间的密 封。

可选地，在第二环形凸起部223与环形凸台312之间设有密封结构。密封盘31密 封容置空间23时，密封盘31的环形凸台312与限位件22的第二环形凸起部223之间 通过密封结构密封连接，从而提高容置空间23的密封性，减少容置空间23内的冷却气 体向外逸出情况的发生，从而进一步提高冷却气体充满容置空间23的速度，进而进一 步缩短冷却操作耗费的时间，提高加工效率。具体地，图9所示，在环形凸台312的底 部设有环形的安装槽311；如图5所示，安装槽311内装有密封圈35，密封盘31向下 密封容置空间23时，密封圈35与第二环形凸起部223的上表面挤压，对环形凸台312 与第二环形凸起部223之间的缝隙进行密封；当然，也可以在第二环形凸起部223的上 表面设置密封圈35。另外，也可将密封盘31与限位件22抵接的配合面设置为光滑面， 两者接触连接时的密封性较高，也能够提高容置空间23的密封性。

在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图3所示，密封盘31为盖状结构； 如图5所示，密封盘31包括顶盖和围设于顶盖底部的环形凸台312，限位件22的环本 体221的外侧壁设有第二环形凸起部223，密封盘31盖设于限位件22时，环形凸台312 与第二环形凸起部223抵接，导气通道224的导气出口设于环本体221的内侧壁，通过 该区域向容置空间23内吹入冷却气体。

如图6所示，在本申请实施例的一些示例中，当环形凸台312与第二环形凸起部223抵接，且顶盖与环本体221的顶面之间存在间隙时，导气通道224的导气出口也可以位 于环本体221的顶面，通过该顶面向容置空间23吹入冷却气体。

如图7所示，在本申请实施例的一些示例中，当环形凸台312与环本体221外侧的第二环形凸起部223抵接，且环形凸台312与环本体221之间以及顶盖与环本体221之 间均存在间隙时，导气通道224的导气出口还可以设于环本体221的外侧壁高于第二环 形凸起部223的区域，导气出口吹出的冷却气体进入环形凸台312与环本体221之间的 间隙，随后快速经顶盖与环本体221之间的间隙扩散进入容置空间23。

在本申请另一实施例提供的半导体反应腔室中，密封盘31也可以为平板结构，如图8所示，在对晶片7进行冷却处理时，密封盘31在第一驱动结构36的驱动作用下盖 设于限位件22，封盖容置空间23的顶部开口，使其近似密封状态；且密封盘31为平板 结构时，导气通道224的导气出口设于环本体221的内侧壁，从侧部向容置空间23吹 入冷却气体。

可选地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图2所示，第一驱动结构36包括旋转轴362和旋转臂361，旋转臂361与旋转轴362相连，且旋转轴362被配置为 在旋转轴362的驱动下围绕旋转轴362旋转，密封盘31连接到旋转臂361面向承载基 台21的一侧。这里是第一驱动结构36的一种具体形式，其中，旋转臂361用于承载密 封盘31，旋转轴362用于支承旋转臂361和其上的密封盘31，旋转轴362转动带动旋 转臂361及密封盘31转动至不同位置，以改变密封盘31对容置空间23的遮挡及密封 状态。

可选地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图2和图4所示，旋转臂361设有上下贯通的锥形孔363，且锥形孔363的缩口端位于旋转臂361朝向密封盘31的一 面；密封盘31背离承载基台21的一侧依次设置有连接部33和锥形台32，锥形台32 与锥形孔363相匹配，且锥形台32嵌入锥形孔363内时，连接部33位于旋转臂361与 密封盘31之间。其中，连接部33的设置为密封盘31相对旋转臂361上下运动提供运 动空间；当密封盘31没有受到限位件22向上的顶起作用时，锥形台32匹配嵌入锥形 孔363内，锥形台32的外侧壁与锥形孔363的内侧壁紧密贴合，锥形孔363的内侧壁 对锥形台32施加向上的支承作用，从而将密封盘31连接于旋转臂361；当密封盘31 与承载基台21相向运动，且密封盘31受到限位件22向上的顶起作用时，如图4所示， 锥形台32随密封盘31同步向上运动与锥形孔363分离，且锥形台32相对锥形孔363 向上运动位移越大，锥形台32与锥形孔363之间的间隙越大，锥形台32与锥形孔363 发生干涉的几率较小，相对锥形孔363的运动顺畅性较好；当密封盘31不再受到顶起 作用时，密封盘31及锥形台32在自身重力作用下向下运动，锥形孔363的锥形内侧壁 能够对锥形台32的向下运动进行限位导向，锥形台32最终匹配嵌入锥形孔363内，保 持锥形台32与锥形孔363相对位置的唯一性，进而对密封盘31安装于旋转臂361的位 置进行限位，通过提高密封盘31的位置精确度，确保密封盘31与限位件22的配合遮 挡作用。

此外，密封盘31与旋转臂361活动设置，能够使得密封盘31向下作用于限位件22的作用力为自身的重力，从而有效减少密封盘31与限位件22之间的挤压作用力过大， 限位件22、密封盘31及第一驱动结构36被压坏情况的发生，相应地，也能够减少限位 件22受压形变对晶片7造成的损坏。

较佳地，在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图4所示，连接部33的径 向尺寸小于锥形孔363缩口端的径向尺寸。当密封盘31受到限位件22向上的顶起作用 时，锥形台32和连接部33均随密封盘31向上运动，锥形台32向上脱离锥形孔363， 且连接部33逐渐进入锥形孔363内，连接部33的径向尺寸小于锥形孔363缩口端的径 向尺寸，则连接部33进入锥形孔363内的过程中，连接部33的外壁与锥形孔363的内 壁之间始终存在间隙，两者之间相对运动不存在阻碍，从而减少密封盘31相对旋转臂 361升降过程受到的干涉阻碍，提高密封盘31的运动顺畅性。具体地，连接部33为圆 柱状，也可为锥状、矩形状等，只需保证连接部33沿其轴向向锥形孔363缩口端的投 影完全位于缩口端端面内即可。

具体地，如图4所示，密封盘31、连接部33、锥形台32和挡沿34四者中，相连 的两者可以通过螺钉等连接件连接，也可以一体成型；较佳地，四者可以一体加工形成。

在本申请实施例提供的半导体反应腔室中，如图9所示，锥形台32的顶部设置挡沿34，挡沿34沿锥形台32的径向向外延伸。挡沿34沿周向围设于锥形台32的外缘， 且沿锥形台32的径向向外延伸，即挡沿34在径向凸出锥形台32；如图1所示，当腔体 1内进行去除靶材6上的氧化物等过程时，需要使用密封盘31对晶片7进行遮挡，以减 少氧化物在晶片7上的沉积，该过程中，如图4所示，锥形台32受到限位件22的顶起 凸出锥形孔363，挡沿34能够对锥形台32的外侧壁进行遮挡，以减少氧化物在锥形台 32外侧壁上的沉积，减少沉积层的存在导致锥形台32无法嵌入锥形孔363内或发生偏 移，进而导致密封盘31偏移无法与限位件22配合，影响容置空间23的密封性；相应 地，确保锥形台32外侧壁与锥形孔363的配合精度，进而确保密封盘31的位置精确度， 确保密封盘31与限位件22的配合。较佳地，设置d＞5h，其中，如图9所示，d为挡 沿34的延伸尺寸，h为密封盘31与挡沿34的间距尺寸。当挡沿34的径向延伸尺寸d 大于五倍密封盘31与挡沿34的间距h时，绕过挡沿34的沉积颗粒到达锥形台32外侧 壁的几率较小，从而有效起到隔挡作用。

可选地，承载基台21连接有用于驱动其上下运动的第二驱动结构；如图1所示， 反应腔室设有与腔体1连通的挡盘库11，初始时，密封组件3位于挡盘库11内，腔体 1内安装有内衬5，容置空间23内置有晶片7，第二驱动结构驱动承载基台21上升至工 艺位置，内衬5与限位件22连接，对限位件22与腔体1侧壁之间的间隙进行隔档，随 后对晶片7进行工艺处理，处理过程中，溅射的沉积颗粒无法到达内衬5及限位件22 下方，从而减少沉积颗粒在腔体1内壁、承载装置2外壁以及密封组件3外壁等的沉积， 进而减少对该部件的清理、更换等操作。

需要对晶片7进行冷却处理时，如图2所示，第二驱动结构驱动承载基台21下降 至第一位置，第一位置低于密封盘31；第一驱动结构密封盘31转动，直至密封盘31 到达容置空间23的上方；如图3所示，第二驱动结构驱动承载基台21上升至第二位置， 此时限位件22与密封盘31抵接，密封盘31对容置空间23进行密封；如图5所示，通 过输气通道211和导气通道224向容置空间23内输送冷却气体对晶片7进行冷却处理。 冷却处理完成后，如图2所示，第二驱动结构驱动承载基台21下降至第一位置；如图1 所示，第一驱动结构驱动密封盘31回复原位；如图1所示，随后第二驱动结构驱动承 载基台21再次上升至工艺位置，继续进行工艺处理。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他 变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设 备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过 程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一 个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在 另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对 这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖 特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括腔体(1)以及设置于所述腔体(1)内的承载装置(2)和密封组件(3)，其中，

所述承载装置(2)包括承载基台(21)和环绕所述承载基台(21)的承载面设置的限位件(22)，所述限位件(22)与所述承载基台(21)围成用于容置待加工工件的容置空间(23)；所述承载基台(21)内设有输气通道(211)，所述限位件(22)内设有与所述输气通道(211)连通的导气通道(224)，所述导气通道(224)与所述容置空间(23)连通；

所述密封组件(3)包括第一驱动结构(36)和密封盘(31)，所述第一驱动结构(36)用于驱动所述密封盘(31)运动，所述密封盘(31)用于被所述第一驱动结构(36)驱动至所述承载基台(21)上方时与所述限位件(22)接触，以密封所述容置空间(23)。

2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述限位件(22)包括环本体(221)和设置在所述环本体(221)环内的第一环形凸起部(222)，所述第一环形凸起部(222)的上表面不高于所述承载基台(21)的承载面，所述导气通道(224)设置于所述环本体(221)内，且所述导气通道(224)的导气出口高于所述承载基台(21)的承载面。

3.根据权利要求2所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述输气通道(211)包括主通道(211a)和多条连通于所述主通道(211a)的分支通道(211b)；所述导气通道(224)有多条，且多条所述导气通道(224)与多条所述分支通道(211b)一一对应连通。

4.根据权利要求3所述的半导体反应腔室，其特征在于，多条所述导气通道(224)的导气出口均沿所述容置空间(23)的周向间隔均匀排布。

5.根据权利要求2所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述限位件(22)还包括设置在所述环本体(221)环外的第二环形凸起部(223)，所述密封盘(31)沿其周向设有朝向所述限位件(22)并与所述第二环形凸起部(223)相配合的环形凸台(312)。

6.根据权利要求5所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形凸起部(223)与所述环形凸台(312)之间设有密封结构。

7.根据权利要求5所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一驱动结构(36)包括旋转轴(362)和旋转臂(361)，所述旋转臂(361)与所述旋转轴(362)相连，且所述旋转轴(362)被配置为在所述旋转轴(362)的驱动下围绕所述旋转轴(362)旋转，所述密封盘(31)连接到所述旋转臂(361)面向所述承载基台(21)的一侧。

8.根据权利要求7所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述旋转臂(361)设有上下贯通的锥形孔(363)，且所述锥形孔(363)的缩口端位于所述旋转臂(361)朝向所述密封盘(31)的一面；所述密封盘(31)背离所述承载基台(21)的一侧依次设置有连接部(33)和锥形台(32)，所述锥形台(32)与所述锥形孔(363)相匹配，且所述锥形台(32)嵌入所述锥形孔(363)内时，所述连接部(33)位于所述旋转臂(361)与所述密封盘(31)之间。

9.根据权利要求8所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述连接部(33)的径向尺寸小于所述锥形孔(363)缩口端的径向尺寸。

10.根据权利要求9所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述锥形台(32)的顶部设有挡沿(34)，所述挡沿(34)沿所述锥形台(32)的径向向外延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述挡沿(34)的延伸尺寸为d，所述密封盘(31)与所述挡沿(34)的间距尺寸为h，且d＞5h。

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