TWI802003B - 半導體反應腔室 - Google Patents

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Abstract

一種半導體反應腔室。該半導體反應腔室包括腔體以及設置於腔體內的承載裝置和密封元件，其中，承載裝置包括承載基台和環繞承載基台的承載面設置的限位件，限位件與承載基台圍成用於容置待加工工件的容置空間；承載基台內設有輸氣通道，限位件內設有與輸氣通道連通的導氣通道，導氣通道與容置空間連通；密封元件包括第一驅動結構和密封盤，第一驅動結構用於驅動密封盤運動，密封盤用於在第一驅動結構驅動至承載基臺上方時與限位件接觸，以密封容置空間。該半導體反應腔室對待加工工件的加工品質高、冷卻效率及加工效率均較高。

Description

半導體反應腔室
本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種半導體反應腔室。
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）是採用物理方法製備薄膜的薄膜製備製程，在對待加工工件進行PVD製程的過程中，待加工工件一般會聚集一定熱量，而在真空的腔室內，熱量很難傳遞出去。而現有半導體裝置中，通過背吹冷卻的方式對待加工工件進行降溫，且為了進一步固定待加工工件並提高降溫效果，採用卡盤等部件對待加工工件進行固定，而該方式不僅降溫效果有限且會對待加工工件的加工面造成遮擋，嚴重影響加工品質。
本發明的目的包括提供一種半導體反應腔室，以解決現有半導體裝置對待加工工件的降溫效果差、加工品質差的技術問題。
為解決上述問題，本發明提供一種半導體反應腔室，包括腔體以及設置於該腔體內的承載裝置和密封元件，其中， 該承載裝置包括承載基台和環繞該承載基台的承載面設置的限位件，該限位件與該承載基台圍成用於容置待加工工件的容置空間；該承載基台內設有輸氣通道，該限位件內設有與該輸氣通道連通的導氣通道，該導氣通道與該容置空間連通；該密封元件包括第一驅動結構和密封盤，該第一驅動結構用於驅動該密封盤運動，該密封盤用於被該第一驅動結構驅動至該承載基臺上方時與該限位件接觸，以密封該容置空間。
可選地，該限位件包括環本體和設置在該環本體環內的第一環形凸起部，該第一環形凸起部的上表面不高於該承載基台的承載面，該導氣通道設置於該環本體內，且該導氣通道的導氣出口高於該承載基台的承載面。
可選地，該輸氣通道包括主通道和多條連通於該主通道的分支通道；該導氣通道有多條，且多條該導氣通道與多條該分支通道一一對應連通。
可選地，多條該導氣通道的導氣出口均沿該容置空間的周向間隔均勻排布。
可選地，該限位件還包括設置在該環本體環外的第二環形凸起部，該密封盤沿其周向設有朝向該限位件並與該第二環形凸起部相配合的環形凸台。
可選地，該第二環形凸起部與該環形凸台之間設有密封結構。
可選地，該第一驅動結構包括旋轉軸和旋轉臂，該旋轉臂與該旋轉軸相連，且該旋轉臂被配置為在該旋轉軸的驅動下圍繞該旋轉軸旋轉，該密封盤連接到該旋轉臂面向該承載基台的一側。
可選地，該旋轉臂設有上下貫通的錐形孔，且該錐形孔的縮口端位於該旋轉臂朝向該密封盤的一面；該密封盤背離該承載基台的一側依次設置有連接部和錐形台，該錐形台與該錐形孔相匹配，且該錐形台嵌入該錐形孔內時，該連接部位於該旋轉臂與該密封盤之間。
可選地，該連接部的徑向尺寸小於該錐形孔縮口端的徑向尺寸。
可選地，該錐形台的頂部設有擋沿，該擋沿沿該錐形台的徑向向外延伸。
可選地，該擋沿的延伸尺寸為d，該密封盤與該擋沿的間距尺寸為h，且d＞5h。
本發明提供的半導體反應腔室，對晶片進行製程加工時，晶片的加工面不受任何遮擋，從而確保對晶片進行全面加工，相應提高產能；在進行降溫操作時，密封元件的密封盤能夠對晶片所處的體積較小的容置空間進行密封，在確保加工品質的基礎上，還能夠實現快速冷卻，進而縮短冷卻操作耗費的時間，提高加工效率。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
本實施例提供一種半導體反應腔室，如圖1所示，包括腔體1以及設置於腔體1內的承載裝置2和密封元件3，其中，承載裝置2包括承載基台21和環繞承載基台21的承載面設置的限位件22，限位件22與承載基台21圍成用於容置待加工工件的容置空間23；承載基台21內設有輸氣通道211，限位件22內設有與輸氣通道211連通的導氣通道224，導氣通道224與容置空間23連通；密封元件3包括第一驅動結構36和密封盤31，第一驅動結構36用於驅動密封盤31運動，密封盤31用於被第一驅動結構36驅動至承載基台21上方時與限位件22接觸，以密封容置空間23。
本發明實施例提供的半導體反應腔室，承載基台21與限位件22圍成容置空間23，且待加工工件置於容置空間23內，通過第一驅動結構36驅動用於密封該容置空間23的密封盤31的位置，以改變其對容置空間23的密封狀態；且進一步地，承載基台21內設置輸氣通道211且限位件22內設置與上述輸氣通道211連通的導氣通道224，可將冷卻氣體經輸氣通道211以及導氣通道224通入密封後的容置空間23內，以實現對待加工工件的冷卻效果，並在進行製程（諸如沉積薄膜製程）中，實現對待加工工件的全面積處理。
以待加工工件為晶片7進行說明，初始時，如圖1所示，承載裝置和密封元件3均位於製程位置，密封元件3不對承載裝置2造成遮擋，將晶片7置於限位件22與承載基台21的承載面圍成的容置空間23內，容置空間23對晶片7置於承載基台21的位置進行限位，於腔體1內對晶片7進行製程處理；製程進行過程中，當晶片7的溫度高於預設溫度時，製程停止；如圖2和圖3所示，密封盤31在第一驅動結構36的驅動作用下運動至承載裝置2上方，並對容置空間23進行密封。承載基台21設置的輸氣通道211可與外部供氣源連通，並經輸氣通道211的輸氣入口輸入冷卻氣體，冷卻氣體隨後通過限位件22的導氣通道224流入容置空間23內；由於容置空間23的體積遠小於腔體1內的空間，進入容置空間23內的冷卻氣體能夠快速擴散至整個容置空間23，冷卻氣體作為傳導介質，將高溫的晶片7的熱量傳遞至冷卻氣體以及通過冷卻氣體傳遞至承載基台21，從而實現對晶片7的快速及有效降溫。降溫結束後，停止向密封後的容置空間23內輸入冷卻氣體，密封元件3和承載裝置2均回復原製程位置，繼續對晶片7進行製程處理，直至製程完成。
採用本申請實施例提供的上述半導體反應腔室對晶片7進行製程加工時，晶片7的加工面未被遮擋，從而確保對晶片7進行全面加工，相應提高產能；在進行降溫操作時，密封元件3的密封盤31能夠對體積較小的容置空間23進行密封，在確保加工品質的基礎上，還能夠實現快速冷卻，進而縮短冷卻操作耗費的時間，提高加工效率。
可選地，如圖1所示，本申請實施例提供的上述半導體反應腔室用於在晶片7表面進行沉積製程，具體地，在腔體1的頂部以及承載裝置2的上方設置靶材6，靶材6對腔體1內的晶片7進行的濺射鍍膜。
可選地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖5所示，限位件22包括環本體221和設置在環本體221環內的第一環形凸起部222，第一環形凸起部222的上表面不高於承載基台21的承載面S，其中，導氣通道224設置於環本體221內，且導氣通道224的導氣出口高於承載基台21的承載面。承載基台21的中部區域為凸起結構，該凸起結構的頂面作為承載基台21的承載面S，限位件22圍設於凸起結構，其中，第一環形凸起部222的上表面不高於承載基台21的承載面S，以保證晶片7置於承載基台21的承載面S時，第一環形凸起部222位於晶片7的下方，使得晶片7能夠被承載面S支承，從而確保晶片7容置於限位件22與承載基台21圍成的容置空間23內，且穩定放置。且優選地，第一環形凸起部222的上表面與承載基台21的承載面S共平面，以與承載面S共同承載晶片7。且進一步地，在冷卻過程中，晶片7與通入冷卻氣體的限位件22接觸，進一步提高冷卻效果。導氣通道224的導氣出口高於承載基台21的承載面S，進一步地，當承載面S承載待加工工件例如晶片7時，導氣通道224的導氣出口高於該待加工工件的上表面，則經導氣出口吹出的冷卻氣體可無障礙地直接通入容置空間23內，減少對晶片7位置的影響，從而避免晶片7偏移或損壞，從而進一步提高加工品質。
可選地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖2所示，輸氣通道211包括主通道211a和連通於主通道211a的分支通道211b；導氣通道224有多條，且多條導氣通道224與多條分支通道211b一一對應連通。主通道211a的進氣端作為輸氣通道211的輸氣入口，多條分支通道211b的出氣端作為輸氣通道211的輸氣出口，在對晶片7進行冷卻時，如圖3所示，主通道211a的進氣端可與外部供氣源連接以為其供氣，冷卻氣體經主通道211a向多條分支通道211b分流，並相應流入多條導氣通道224內，最終從多個不同位置的導氣出口流入容置空間23內，從而有效提高容置空間23內冷卻氣體的均勻性；此外，相較與多個通道的進氣端連接，本申請中的外部供氣源僅需與主通道211a的單個進氣端連接即可實現分流，連接便捷度及密封性均更高。具體地，多條分支通道211b的進氣端可以與主通道211a的不同部位連通；較佳地，多條分支通道211b的進氣端也可以均與主通道211a的出氣端連通，以提高多條分支通道211b內冷卻氣體的氣壓均勻性；較佳地，多條導氣通道224的導氣出口可以沿容置空間23的周向間隔均勻排布，多條導氣通道224的導氣出口沿容置空間23的周向均勻吹出，從而進一步提高冷卻氣體流入容置空間23內的均勻性，提高晶片7與冷卻氣體換熱的均勻性及換熱效率，相應提高對晶片7的冷卻效果。具體地，導氣通道224的導氣出口方向可以垂直於相應的外壁，也可以與外壁之間呈其他成角度設置。
可選地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖5所示，限位件22還包括設置在環本體221環外的第二環形凸起部223。密封盤31沿其周向設有朝向限位件22並與第二環形凸起部223相配合的環形凸台312。密封盤31的外邊緣沿其周向設有朝向限位件22凸起的環形凸台312，在對晶片7進行冷卻處理時，密封盤31蓋設限位件22，且環形凸台312與限位件22的第二環形凸起部223抵接，實現對容置空間的密封。
可選地，在第二環形凸起部223與環形凸台312之間設有密封結構。密封盤31密封容置空間23時，密封盤31的環形凸台312與限位件22的第二環形凸起部223之間通過密封結構密封連接，從而提高容置空間23的密封性，減少容置空間23內的冷卻氣體向外逸出情況的發生，從而進一步提高冷卻氣體充滿容置空間23的速度，進而進一步縮短冷卻操作耗費的時間，提高加工效率。具體地，圖9所示，在環形凸台312的底部設有環形的安裝槽311；如圖5所示，安裝槽311內裝有密封圈35，密封盤31向下密封容置空間23時，密封圈35與第二環形凸起部223的上表面擠壓，對環形凸台312與第二環形凸起部223之間的縫隙進行密封；當然，也可以在第二環形凸起部223的上表面設置密封圈35。另外，也可將密封盤31與限位件22抵接的配合面設置為光滑面，兩者接觸連接時的密封性較高，也能夠提高容置空間23的密封性。
在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖3所示，密封盤31為蓋狀結構；如圖5所示，密封盤31包括頂蓋和圍設于頂蓋底部的環形凸台312，限位件22的環本體221的外側壁設有第二環形凸起部223，密封盤31蓋設於限位件22時，環形凸台312與第二環形凸起部223抵接，導氣通道224的導氣出口設於環本體221的內側壁，通過該區域向容置空間23內吹入冷卻氣體。
如圖6所示，在本申請實施例的一些示例中，當環形凸台312與第二環形凸起部223抵接，且頂蓋與環本體221的頂面之間存在間隙時，導氣通道224的導氣出口也可以位於環本體221的頂面，通過該頂面向容置空間23吹入冷卻氣體。
如圖7所示，在本申請實施例的一些示例中，當環形凸台312與環本體221外側的第二環形凸起部223抵接，且環形凸台312與環本體221之間以及頂蓋與環本體221之間均存在間隙時，導氣通道224的導氣出口還可以設於環本體221的外側壁高於第二環形凸起部223的區域，導氣出口吹出的冷卻氣體進入環形凸台312與環本體221之間的間隙，隨後快速經頂蓋與環本體221之間的間隙擴散進入容置空間23。
在本申請另一實施例提供的半導體反應腔室中，密封盤31也可以為平板結構，如圖8所示，在對晶片7進行冷卻處理時，密封盤31在第一驅動結構36的驅動作用下蓋設於限位件22，封蓋容置空間23的頂部開口，使其近似密封狀態；且密封盤31為平板結構時，導氣通道224的導氣出口設於環本體221的內側壁，從側部向容置空間23吹入冷卻氣體。
可選地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖2所示，第一驅動結構36包括旋轉軸362和旋轉臂361，旋轉臂361與旋轉軸362相連，且旋轉臂361被配置為在旋轉軸362的驅動下圍繞旋轉軸362旋轉，密封盤31連接到旋轉臂361面向承載基台21的一側。這裡是第一驅動結構36的一種具體形式，其中，旋轉臂361用於承載密封盤31，旋轉軸362用於支承旋轉臂361和其上的密封盤31，旋轉軸362轉動帶動旋轉臂361及密封盤31轉動至不同位置，以改變密封盤31對容置空間23的遮擋及密封狀態。
可選地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖2和圖4所示，旋轉臂361設有上下貫通的錐形孔363，且錐形孔363的縮口端位於旋轉臂361朝向密封盤31的一面；密封盤31背離承載基台21的一側依次設置有連接部33和錐形台32，錐形台32與錐形孔363相匹配，且錐形台32嵌入錐形孔363內時，連接部33位於旋轉臂361與密封盤31之間。其中，連接部33的設置為密封盤31相對旋轉臂361上下運動提供運動空間；當密封盤31沒有受到限位件22向上的頂起作用時，錐形台32匹配嵌入錐形孔363內，錐形台32的外側壁與錐形孔363的內側壁緊密貼合，錐形孔363的內側壁對錐形台32施加向上的支承作用，從而將密封盤31連接於旋轉臂361；當密封盤31與承載基台21相向運動，且密封盤31受到限位件22向上的頂起作用時，如圖4所示，錐形台32隨密封盤31同步向上運動與錐形孔363分離，且錐形台32相對錐形孔363向上運動位移越大，錐形台32與錐形孔363之間的間隙越大，錐形台32與錐形孔363發生干涉的幾率較小，相對錐形孔363的運動順暢性較好；當密封盤31不再受到頂起作用時，密封盤31及錐形台32在自身重力作用下向下運動，錐形孔363的錐形內側壁能夠對錐形台32的向下運動進行限位元導向，錐形台32最終匹配嵌入錐形孔363內，保持錐形台32與錐形孔363相對位置的唯一性，進而對密封盤31安裝於旋轉臂361的位置進行限位，通過提高密封盤31的位置精確度，確保密封盤31與限位件22的配合遮擋作用。
此外，密封盤31與旋轉臂361活動設置，能夠使得密封盤31向下作用於限位件22的作用力為自身的重力，從而有效減少密封盤31與限位件22之間的擠壓作用力過大，限位件22、密封盤31及第一驅動結構36被壓壞情況的發生，相應地，也能夠減少限位件22受壓形變對晶片7造成的損壞。
較佳地，在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖4所示，連接部33的徑向尺寸小於錐形孔363縮口端的徑向尺寸。當密封盤31受到限位件22向上的頂起作用時，錐形台32和連接部33均隨密封盤31向上運動，錐形台32向上脫離錐形孔363，且連接部33逐漸進入錐形孔363內，連接部33的徑向尺寸小於錐形孔363縮口端的徑向尺寸，則連接部33進入錐形孔363內的過程中，連接部33的外壁與錐形孔363的內壁之間始終存在間隙，兩者之間相對運動不存在阻礙，從而減少密封盤31相對旋轉臂361升降過程受到的干涉阻礙，提高密封盤31的運動順暢性。具體地，連接部33為圓柱狀，也可以為錐狀、矩形狀等，只需保證連接部33沿其軸向向錐形孔363縮口端的投影完全位於縮口端端面內即可。
具體地，如圖4所示，密封盤31、連接部33、錐形台32和擋沿34四者中，相連的兩者可以通過螺釘等連接件連接，也可以一體成型；較佳地，四者可以一體加工形成。
在本申請實施例提供的半導體反應腔室中，如圖9所示，錐形台32的頂部設置擋沿34，擋沿34沿錐形台32的徑向向外延伸。擋沿34沿周向圍設於錐形台32的外緣，且沿錐形台32的徑向向外延伸，即擋沿34在徑向凸出錐形台32；如圖1所示，當腔體1內進行去除靶材6上的氧化物等過程時，需要使用密封盤31對晶片7進行遮擋，以減少氧化物在晶片7上的沉積，該過程中，如圖4所示，錐形台32受到限位件22的頂起凸出錐形孔363，擋沿34能夠對錐形台32的外側壁進行遮擋，以減少氧化物在錐形台32外側壁上的沉積，減少沉積層的存在導致錐形台32無法嵌入錐形孔363內或發生偏移，進而導致密封盤31偏移無法與限位件22配合，影響容置空間23的密封性；相應地，確保錐形台32外側壁與錐形孔363的配合精度，進而確保密封盤31的位置精確度，確保密封盤31與限位件22的配合。較佳地，設置d＞5h，其中，如圖9所示，d為擋沿34的延伸尺寸，h為密封盤31與擋沿34的間距尺寸。當擋沿34的徑向延伸尺寸d大於五倍密封盤31與擋沿34的間距h時，繞過擋沿34的沉積顆粒到達錐形台32外側壁的幾率較小，從而有效起到隔擋作用。
可選地，承載基台21連接有用於驅動其上下運動的第二驅動結構；如圖1所示，反應腔室設有與腔體1連通的擋盤庫11，初始時，密封組件3位於擋盤庫11內，腔體1內安裝有內襯5，容置空間23內置有晶片7，第二驅動結構驅動承載基台21上升至製程位置，內襯5與限位件22連接，對限位件22與腔體1側壁之間的間隙進行隔檔，隨後對晶片7進行製程處理，處理過程中，濺射的沉積顆粒無法到達內襯5及限位件22下方，從而減少沉積顆粒在腔體1內壁、承載裝置2外壁以及密封組件3外壁等的沉積，進而減少對該部件的清理、更換等操作。
需要對晶片7進行冷卻處理時，如圖2所示，第二驅動結構驅動承載基台21下降至第一位置，第一位置低於密封盤31；第一驅動結構密封盤31轉動，直至密封盤31到達容置空間23的上方；如圖3所示，第二驅動結構驅動承載基台21上升至第二位置，此時限位件22與密封盤31抵接，密封盤31對容置空間23進行密封；如圖5所示，通過輸氣通道211和導氣通道224向容置空間23內輸送冷卻氣體對晶片7進行冷卻處理。冷卻處理完成後，如圖2所示，第二驅動結構驅動承載基台21下降至第一位置；如圖1所示，第一驅動結構驅動密封盤31回復原位；如圖1所示，隨後第二驅動結構驅動承載基台21再次上升至製程位置，繼續進行製程處理。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
1:腔體 2:承載裝置 3:密封組件 5:內襯 6:靶材 7:晶片 11:擋盤庫 21:承載基台 22:限位件 23:容置空間 31:密封盤 32:錐形台 33:連接部 34:擋沿 35:密封圈 36:第一驅動結構 211:輸氣通道 211a:主通道 211b:分支通道 221:環本體 222:第一環形凸起部 223:第二環形凸起部 224:導氣通道 311:安裝槽 312:環形凸台 361:旋轉臂 362:旋轉軸 363:錐形孔
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1為本發明一實施例的半導體反應腔室的剖視圖，其中，承載裝置位於製程位置； 圖2為本發明一實施例的半導體反應腔室的剖視圖，其中，承載裝置下降，且密封元件運動至承載裝置上方； 圖3為本發明一實施例的半導體反應腔室中密封元件密封容置空間的剖視示意圖，其中，密封元件為蓋狀結構且導氣通道的導氣出口位於限位件的內側壁； 圖4為圖3中A的局部放大圖； 圖5為圖3中D的局部放大圖； 圖6為本發明一實施例的半導體反應腔室中密封元件密封容置空間的剖視示意圖，其中，密封盤為蓋狀結構且導氣通道的導氣出口位於限位件的頂壁； 圖7為本發明一實施例的半導體反應腔室中密封元件密封容置空間的剖視示意圖，其中，密封盤為蓋狀結構且導氣通道的導氣出口位於限位件的外側壁； 圖8為本發明另一實施例的半導體反應腔室中密封元件密封容置空間的剖視示意圖，其中，密封盤為平板結構且導氣通道的導氣出口位於限位件的內側壁； 圖9為本發明一實施例的半導體反應腔室中密封盤的剖視圖。
1:腔體
2:承載裝置
5:內襯
6:靶材
7:晶片
11:擋盤庫
21:承載基台
22:限位件
23:容置空間
31:密封盤
36:第一驅動結構
211:輸氣通道
211a:主通道
211b:分支通道
224:導氣通道

Claims (11)

  1. 一種濺射腔室，用於對一待加工工件的表面進行濺射鍍膜，其中包括一腔體以及設置於該腔體內的一承載裝置和一密封組件，其中，該承載裝置包括一承載基台和環繞該承載基台的一承載面設置的一限位件，該限位件與該承載基台圍成用於容置一待加工工件的一容置空間；該承載基台內設有一輸氣通道，該限位件內設有與該輸氣通道連通的一導氣通道，該導氣通道與該容置空間連通；該密封元件包括一第一驅動結構和一密封盤，該第一驅動結構用於驅動該密封盤運動，該密封盤用於被該第一驅動結構驅動至該承載基台上方時與該限位件接觸，以密封該容置空間。
  2. 如請求項1所述的濺射腔室，其中該限位件包括一環本體和設置在該環本體環內的一第一環形凸起部，該第一環形凸起部的上表面不高於該承載基台的承載面，該導氣通道設置於該環本體內，且該導氣通道的導氣出口高於該承載基台的承載面。
  3. 如請求項2所述的濺射腔室，其中該輸氣通道包括一主通道和多條連通於該主通道的一分支通道；該導氣通道有多條，且多條該導氣通道與多條該分支通道一一對應連通。
  4. 如請求項3所述的濺射腔室，其中多條該導氣通道的導氣出口均沿該容置空間的周向間隔均勻排布。
  5. 如請求項2所述的濺射腔室，其中該限位件還包括設置在該環本體環外的一第二環形凸起部，該密封盤沿其周向設有朝向該限位件並與該第二環形凸 起部相配合的一環形凸台。
  6. 如請求項5所述的濺射腔室，其中該第二環形凸起部與該環形凸台之間設有一密封結構。
  7. 一種半導體反應腔室，其中包括一腔體以及設置於該腔體內的一承載裝置和一密封組件，其中，該承載裝置包括一承載基台和環繞該承載基台的一承載面設置的一限位件，該限位件與該承載基台圍成用於容置一待加工工件的一容置空間；該承載基台內設有一輸氣通道，該限位件內設有與該輸氣通道連通的一導氣通道，該導氣通道與該容置空間連通；該密封元件包括一第一驅動結構和一密封盤，該第一驅動結構用於驅動該密封盤運動，該密封盤用於被該第一驅動結構驅動至該承載基台上方時與該限位件接觸，以密封該容置空間；其中該限位件包括一環本體和設置在該環本體環內的一第一環形凸起部，該第一環形凸起部的上表面不高於該承載基台的承載面，該導氣通道設置於該環本體內，且該導氣通道的導氣出口高於該承載基台的承載面；其中該限位件還包括設置在該環本體環外的一第二環形凸起部，該密封盤沿其周向設有朝向該限位件並與該第二環形凸起部相配合的一環形凸台；其中該第一驅動結構包括一旋轉軸和一旋轉臂，該旋轉臂與該旋轉軸相連，且該旋轉臂被配置為在該旋轉軸的驅動下圍繞該旋轉軸旋轉，該密封盤連接到該旋轉臂面向該承載基台的一側。
  8. 如請求項7所述的半導體反應腔室，其中該旋轉臂設有上下貫通的一錐形孔，且該錐形孔的縮口端位於該旋轉臂朝向該密封盤的一面；該密封盤背離該承載基台的一側依次設置有一連接部和一錐形台，該錐形台與該錐形孔相 匹配，且該錐形台嵌入該錐形孔內時，該連接部位於該旋轉臂與該密封盤之間。
  9. 如請求項8所述的半導體反應腔室，其中該連接部的徑向尺寸小於該錐形孔縮口端的徑向尺寸。
  10. 如請求項9所述的半導體反應腔室，其中該錐形台的頂部設有一擋沿，該擋沿沿該錐形台的徑向向外延伸。
  11. 如請求項10所述的半導體反應腔室，其中該擋沿的延伸尺寸為d，該密封盤與該擋沿的間距尺寸為h，且d>5h。
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