JP2021532599A - 反応チャンバおよびプラズマ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
プラズマ装置は、半導体、太陽電池、フラットパネルディスプレイ等の製造プロセスにおいて広く用いられている。現在の製造プロセスでは、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、および電子サイクロトロン共鳴プラズマを含むさまざまなタイプのプラズマ装置が使用されている。現在、これらのタイプの放電は、物理気相成長(PVD)、プラズマエッチング、およびプラズマ化学気相成長(CVD)などに広く用いられている。
本開示の実施形態は、既存の技術における技術的問題を少なくとも部分的に解決することができる反応チャンバおよびプラズマ装置を提供する。
昇降ベローズは、第2の内側ライニングに接続される。昇降駆動装置は、昇降ベローズを伸縮駆動して第2の内側ライニングを昇降駆動する。
シリンダアセンブリは、昇降ベローズを伸縮駆動するように構成される。
任意選択的に、反応チャンバは、内側ライニング取付け部材をさらに含む。第2の内側ライニングは、内側ライニング取付け部材によって昇降ベローズの下端および可動シャフトの下端に接続される。
本開示または既存の技術の技術的解決策をより明確に記載するために、実施形態または既存の技術の説明に必要な添付図面について説明する。なお、以下に説明する添付図面は、本開示のいくつかの実施形態を示すにすぎない。当業者はこれらの図面から他の図面を創作的な努力なしに得ることができる。
以下、本開示の実施の形態を説明する添付の図面を参照して、本開示をより詳細に説明する。本開示の技術的解決策は、本開示の実施形態の添付図面に関連して明確かつ完全に説明される。明らかに、説明される実施形態は、本開示の実施形態の一部にすぎず、すべての実施形態ではない。本開示の実施形態に基づき、当業者によって創作的な努力を伴わずに得られる他のすべての実施形態は、本開示の範囲内である。本開示の実施形態の技術的解決策は、以下に、添付の図面との関連において、さまざまな態様において説明される。
Claims (10)
- チャンバ本体と、内側ライニングと、昇降駆動装置とを備える反応チャンバであって、
前記内側ライニングは前記チャンバ本体内に配置され、前記チャンバ本体の側壁にはウェハ搬送口が形成され、
前記内側ライニングは、第1の内側ライニングと第2の内側ライニングとを含み、前記第1の内側ライニングは、前記チャンバ本体に接続され、前記第2の内側ライニングは、前記第1の内側ライニングの外側または内側に同軸にスリーブ状にされ、前記第1の内側ライニングと前記第2の内側ライニングとの間には水平方向に間隙が形成され、
前記昇降駆動装置は、前記第2の内側ライニングに接続され、ウェハに処理を行う処理を実行する際に、前記第2の内側ライニングを駆動して所定の第1の位置に移動させて、前記第2の内側ライニングに前記ウェハ搬送口を遮断させ、前記第1の内側ライニングと前記第2の内側ライニングとを部分的に重ねて、重なった部分を有し、
前記重なった部分は所定の長さを有し、
前記第1の内側ライニングおよび前記第2の内側ライニングは、前記ウェハに対して処理を行う前記処理を実行するように構成された処理領域を取り囲む、反応チャンバ。 - 前記昇降駆動装置は、引き込み可能な昇降ベローズを含み、
前記引き込み可能な昇降ベローズは、前記第2の内側ライニングに接続され、前記昇降駆動装置は、前記第2の内側ライニングを昇降駆動するように前記昇降ベローズを伸縮駆動する、請求項1に記載の反応チャンバ。 - 前記昇降駆動装置は、シリンダアセンブリをさらに含み、
前記シリンダアセンブリは、前記昇降ベローズを伸縮駆動するように構成される、請求項2に記載の反応チャンバ。 - 前記シリンダアセンブリは、シリンダおよびコネクタを含み、
前記昇降ベローズは、前記昇降ベローズ内に配置された可動シャフトを含み、
前記シリンダのシリンダ本体は前記チャンバ本体に固定され、
前記シリンダのシリンダシャフトは、前記コネクタによって前記可動シャフトの上端に接続され、
前記昇降ベローズの上端は前記チャンバ本体に接続され、
前記昇降ベローズの下端は前記可動シャフトの下端に接続され、
前記第2の内側ライニングは、前記昇降ベローズおよび前記可動シャフトの各々に接続される、請求項3に記載の反応チャンバ。 - 内側ライニング取付け部材をさらに備え、前記第2の内側ライニングは、前記内側ライニング取付け部材によって前記昇降ベローズの前記下端および前記可動シャフトの前記下端に接続される、請求項4に記載の反応チャンバ。
- 前記第2の内側ライニングは、底部ライニングおよび垂直ライニングを含み、
前記垂直ライニングは、前記チャンバ本体の内壁と対向して配置され、
前記底部ライニングは、前記垂直ライニングの底部に配置され、前記チャンバ本体の中央に向かって延び、
前記底部ライニングには前記底部ライニングを厚さ方向に貫通する複数の通気孔が配置され、前記処理領域で発生した副生成物を前記通気孔を通して排出する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反応チャンバ。 - 前記間隙の幅は1mm〜2mmの範囲であり、
前記所定の長さと前記間隙の前記幅との比は、7:1より大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反応チャンバ。 - 前記ウェハを支持するように構成され、前記チャンバ本体内に配置される支持アセンブリをさらに備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反応チャンバ。
- 前記昇降駆動装置は、供給時または回収時に、前記第2の内側ライニングを所定の第2の位置に駆動して、前記第2の内側ライニングを前記ウェハ搬送口の上方に移動させる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反応チャンバ。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の前記反応チャンバを含む、反応チャンバを備えるプラズマ装置。
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