KR20210016046A - 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스를 개시한다. 상기 반응 챔버에는 챔버 본체, 라이닝 및 리프팅 구동 장치가 포함되고, 상기 라이닝은 상기 챔버 본체 내에 설치되고, 상기 챔버 본체의 측벽에는 웨이퍼 이송 개구가 형성되고, 상기 라이닝은 제1 라이닝 및 제2 라이닝을 포함하고, 상기 제1 라이닝은 상기 챔버 본체에 고정 연결되고, 상기 제2 라이닝은 동축으로 상기 제1 라이닝을 내부 또는 외부에서 씌우도록 구성되고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝은 수평 방향으로 갭을 구비하고, 상기 리프팅 구동 장치는 상기 제2 라이닝에 연결되고, 웨이퍼 가공 시 상기 제2 라이닝을 소정의 제1 위치까지 이동시켜 상기 제2 라이닝이 상기 웨이퍼 이송 개구를 덮도록 구동하고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝을 부분적으로 중첩시키는 데 사용된다. 본 발명의 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스는 공정 과정에서 가스 흐름의 균일성을 향상시킬 수 있다.

Description

반응 챔버 및 플라즈마 디바이스
본 발명은 반도체 제조 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스에 관한 것이다.
플라즈마 디바이스는 현재 반도체, 태양 전지 및 평면 디스플레이 등의 제조 공정에 광범위하게 사용되고 있다. 종래의 제조 공정에는 정전 용량 결합 플라즈마, 유도 결합 플라즈마 및 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 등과 같은 다양한 유형의 플라즈마 디바이스가 사용된다. 종래에 있어서 이러한 유형의 방전은 물리 기상 증착, 플라즈마 에칭 및 플라즈마 화학 기상 증착 등에 광범위하게 사용된다.
도 1은 반도체 건식 에칭 디바이스에 일반적으로 사용되는 종래의 반응 챔버 구조이다. 공정 가스는 가스 유입 채널(02)을 통해 반응 챔버(09) 내부로 유입되고, 상부 전극 RF(radio frequency) 안테나(01)에서 생성된 고주파 에너지는 유전체 윈도우(03)를 통과하여 유전체 윈도우(03) 하방의 공정 가스를 플라즈마(04)로 이온화한다. 플라즈마(04)는 물리 충격 또는 화학 반응의 방식을 통해 웨이퍼(06) 상의 목표 영역에 대해 에칭을 수행한다. 반응 챔버(09) 내부의 라이닝(05)은 플라즈마(04)를 일정 영역으로 한정함과 동시에 반응 챔버(09) 내벽이 에칭되지 않도록 보장할 수 있다. 공정 과정에서 생성된 에칭 부산물은 라이닝(05) 바닥부의 배기 채널(08)을 통해 압력 제어기(010)로 배출되고, 최종적으로 에어 펌프(011)에 의해 펌핑된다. 라이닝(05) 측면 상의 웨이퍼 이송 개구(015)는 에칭 공정이 시작되기 전에 웨이퍼(06)를 넣고 에칭 공정이 완료된 후에 웨이퍼(06)를 꺼내는 데 사용된다.
에칭 공정이 시작되기 전에, 내부 도어(013)가 내부 도어 드라이버(012)의 작용에 의해 하강하고 게이트 밸브(014)가 개방된다. 웨이퍼(06)가 반응 챔버로 이송된 후 게이트 밸브(014)가 닫히고, 내부 도어(013)가 내부 도어 드라이버(012)의 작용에 의해 상승한 다음 에칭 공정이 시작된다.
그러나 이러한 반응 챔버에서 에칭 공정이 수행될 경우 에칭 균일성이 이상적이지 않다.
이 점을 고려하여, 본 발명의 실시예는 종래 기술에 존재하는 기술적 문제를 적어도 부분적으로 해결할 수 있는 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스를 제공한다.
본 발명 실시예의 제1 양상에 있어서, 반응 챔버를 제공하며 여기에는 챔버 본체, 라이닝 및 리프팅 구동 장치가 포함된다.
상기 라이닝은 상기 챔버 본체 내에 설치되며, 상기 챔버 본체의 측벽에는 웨이퍼 이송 개구가 형성된다.
상기 라이닝은 제1 라이닝과 제2 라이닝을 포함하고, 상기 제1 라이닝은 상기 챔버 본체에 연결되고, 상기 제2 라이닝은 동축으로 상기 제1 라이닝을 내부 또는 외부에서 씌우도록 구성되고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝은 수평 방향으로 갭을 구비한다.
상기 리프팅 구동 장치는 상기 제2 라이닝에 연결되고, 웨이퍼 가공 시 상기 제2 라이닝을 소정의 제1 위치까지 이동시켜 상기 제2 라이닝이 상기 웨이퍼 이송 개구를 덮도록 만들고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝을 부분적으로 중첩시키는데 사용되며, 중첩 부분의 길이는 소정의 길이이고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝은 상기 웨이퍼를 가공하는 데 사용되는 가공 영역을 둘러싼다.
선택적으로, 상기 리프팅 구동 장치는 신축 가능한 리프팅 벨로즈를 포함한다.
상기 리프팅 벨로즈는 상기 제2 라이닝에 연결되고, 상기 리프팅 구동 장치는 상기 리프팅 벨로즈를 신축시켜 상기 제2 라이닝이 승강하도록 구동한다.
선택적으로, 상기 리프팅 구동 장치는 실린더 어셈블리를 더 포함한다.
상기 실린더 어셈블리는 상기 리프팅 벨로즈가 신축되도록 구동하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 실린더 어셈블리는 실린더 및 연결 부재를 포함하고, 상기 리프팅 벨로즈는 상기 리프팅 벨로즈 내에 설치된 가동축을 포함한다.
상기 실린더의 실린더 본체는 상기 챔버 본체에 고정되고, 상기 실린더의 실린더축은 상기 연결 부재를 통해 상기 가동축 상단에 연결되고, 상기 리프팅 벨로즈의 상단은 상기 챔버 본체에 연결되고, 상기 리프팅 벨로즈의 하단은 상기 가동축의 하단에 연결된다.
상기 제2 라이닝은 상기 리프팅 벨로즈 및 상기 가동축에 연결된다.
선택적으로, 상기 반응 챔버는 라이닝 장착 부재를 더 포함하고, 상기 제2 라이닝은 상기 라이닝 장착 부재를 통해 상기 리프팅 벨로즈 및 상기 가동축의 하단에 연결된다.
선택적으로, 상기 제2 라이닝은 바닥 라이닝과 수직 라이닝을 포함하고, 상기 수직 라이닝은 상기 챔버 본체의 내벽과 대향 설치되고, 상기 바닥 라이닝은 상기 수직 라이닝의 바닥부에 설치되고, 상기 바닥 라이닝은 상기 챔버 본체의 중간부를 향해 연장되고, 상기 바닥 라이닝 상에는 두께 방향을 따라 상기 바닥 라이닝을 관통하는 복수의 배기공이 설치되어, 상기 공정 영역 내에 생성된 에칭 부산물이 상기 배기공을 통해 배출된다.
선택적으로, 상기 갭의 너비는 1mm 내지 2mm이다.
상기 소정의 길이와 상기 갭의 너비의 비율은 7:1보다 크다.
선택적으로, 상기 반응 챔버는 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 어셈블리를 더 포함하고, 상기 지지 어셈블리는 상기 챔버 본체 내에 설치된다.
선택적으로, 재료를 공급하거나 취할 때, 상기 리프팅 구동 장치는 상기 제2 라이닝을 소정의 제2 위치까지 이동시켜 상기 제2 라이닝이 상기 웨이퍼 이송 개구의 상방에 위치하도록 구동한다.
본 발명의 제2 양상에 있어서, 반응 챔버를 포함하는 플라즈마 디바이스를 제공하며, 여기에서 상기 반응 챔버는 본 발명에서 제공하는 전술한 반응 챔버를 채택한다.
본 발명의 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스는 공정 처리 과정에서 플라즈마를 일정한 공정 영역 내로 한정할 수 있다. 동시에 챔버 본체의 내벽이 에칭되지 않도록 보장할 수 있고 에칭 과정 중 가스 흐름의 균일성을 향상시키며, 장시간 공정 안정성을 보장하여 웨이퍼 중심으로부터 가장자리까지의 에칭 결과의 일관성을 높이고 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명 실시예의 부가적인 양상 및 장점은 이하의 설명에서 부분적으로 제공하며, 이는 이하의 설명을 통해 명확해지거나 본 발명의 실시를 통해 이해될 수 있다.
본 발명의 실시예 또는 종래 기술의 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 실시예 또는 종래 기술의 설명에 사용할 필요가 있는 도면을 간략하게 소개한다. 이하의 설명에서 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시예일 뿐이며, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 창의적인 노력 없이 이러한 첨부 도면을 기반으로 다른 도면을 더 획득할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 반응 챔버의 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반응 챔버의 일 실시예에서 낮은 위치에 있는 제2 라이닝의 구조도이다.
도 3은 도 2에서 a 영역의 부분 확대도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반응 챔버의 일 실시예에서 높은 위치에 있는 제2 라이닝의 구조도이다.
이하에서는 본 발명의 예시적인 실시예가 도시된 첨부 도면을 참고하여 본 발명을 보다 전면적으로 설명한다. 이하에서는 본 발명 실시예의 첨부 도면을 참고하여 본 발명 실시예의 기술적 해결책을 명확하고 완전하게 설명한다. 설명된 실시예는 본 발명의 전부가 아닌 일부 실시예에 불과하다. 본 발명의 실시예를 기반으로, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자가 창조적인 노력 없이 획득한 다른 모든 실시예는 본 발명의 보호 범위 내에 속한다. 이하에서는 첨부 도면과 실시예를 참고하여 본 발명의 기술적 해결책을 여러 측면에서 설명한다.
이하에서는 설명의 편의를 위해 "좌", "우", "상", "하"는 첨부 도면 자체의 좌, 우, 상, 하 방향과 일치하도록 하였다.
이하에서 "제1", "제2" 등은 설명 상의 차이점을 나타내는 데만 사용되며 다른 특별한 의미는 없다.
본 발명의 발명자는 반복적인 연구를 통해 종래 기술의 반응 챔버에서 에칭 공정을 수행할 때 에칭 균일성이 낮은 이유가 이하와 같다는 것을 발견하였다.
첫째, 종래의 설계에서는 상대적 운동 부재 사이에 마찰이 발생하지 않도록 요구된다. 둘째, 라이닝(05)과 내부 도어(013)에 모두 가공 및 설치 오차가 있어 내부 도어(013)와 라이닝(05) 사이에 불가피하게 대략 1mm 내지 2mm의 갭이 존재할 수 있다.
상기 두 가지 이유는 반응 챔버(09) 내부의 플라즈마 분포가 내부 도어(013) 지점에서 급변하게 만들며 이는 에칭 결과의 균일성에 영향을 미친다.
이러한 점을 고려하여 본 발명은 반응 챔버를 제공한다. 도 2에 도시된 바와 같이 상기 반응 챔버는 챔버 본체(11), 라이닝 및 리프팅 구동 장치를 포함하고, 라이닝은 챔버 본체(11) 내에 설치된다. 챔버 본체(11)의 측벽 상에는 웨이퍼 이송 개구가 형성된다. 라이닝은 제1 라이닝(20) 및 제2 라이닝(18)을 포함한다. 제1 라이닝(20)은 챔버 본체(11)에 연결되고, 제2 라이닝(18)은 동축으로 상기 제1 라이닝(20)을 내부 또는 외부에서 씌운다. 제2 라이닝(18)의 운동 과정에서 제2 라이닝(18)이 제1 라이닝(20)에 긁히지 않도록 보장하기 위해, 수평 방향으로 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18) 사이에 갭이 구비된다. 리프팅 구동 장치는 제2 라이닝(18)을 상승 또는 하강시키는 데 사용된다.
웨이퍼(17)에 대해 공정 처리를 수행할 때, 리프팅 구동 장치는 제2 라이닝(18)을 구동하여 소정의 제1 위치까지 이동시킨다(통상적으로 상기 "이동"은 "하강"임). 이때 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18)은 부분적으로 중첩되고, 중첩 부분의 길이는 소정의 길이이다. 동시에 제2 라이닝(18)은 상기 웨이퍼 이송 개구를 차폐하고, 웨이퍼(17)를 제1 라이닝과 제2 라이닝에 의해 둘러싸인 공정 영역 내에 위치시킨다. 재료를 공급하거나 취할 때, 리프팅 구동 장치는 제2 라이닝(18)을 소정의 제2 위치까지 이동시켜(통상적으로 상기 "이동"은 "상승"임) 제2 라이닝(18)이 웨이퍼 이송 개구 상방에 위치하도록 구동하는 데 더 사용된다.
제1 위치, 제2 위치 및 소정의 길이는 실험, 디버깅을 통해 결정할 수 있다.
제2 라이닝(18)이 제1 위치에 있을 때, 챔버 본체(11) 내부에 위치하는 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18)은 플라즈마(19)를 일정한 공정 영역 내에 한정할 수 있고, 동시에 챔버 본체(11)의 내벽이 에칭되지 않도록 보장할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18) 사이 갭의 너비(d)는 1m 내지 2mm일 수 있다. 공정 과정에서 플라즈마(19)가 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18) 사이의 갭을 통해 제1 라이닝(20)의 외부로 빠져나가지 않도록 보장하기 위해, 바람직하게는 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18)의 중첩 부분의 소정의 길이(H)는 H:d>7:1을 충족시킨다.
일 실시예에 있어서, 반응 챔버는 상부 전극 RF 전선(1) 및 유전체 윈도우(3)를 포함한다. 유전체 윈도우(3)는 챔버 본체(11)의 꼭대기부에 연결되고, 유전체 윈도우(3)는 제1 라이닝(20)과 제2 라이닝(18)의 상방에 위치한다. 상부 전극 RF 전선(1)은 유전체 윈도우(3)의 상방에 위치하고, 유전체 윈도우(3)에는 가스 유입 채널(2)이 설치된다. 웨이퍼(17)에 대해 공정 처리를 수행할 때, 상부 전극 RF 전선(1)은 공정 영역 내의 가스에 RF 에너지를 인가하는 데 사용된다. 지지 어셈블리는 하부 전극(16)을 포함하고, 웨이퍼(17)는 하부 전극(16)의 상방에 위치한다.
공정 가스는 가스 유입 채널(2)을 통해 챔버 본체(11) 내부로 유입되고, 상부 전극 RF 안테나(1)에서 생성된 고주파 에너지는 유전체 윈도우(3)를 통과하여 유전체 윈도우(3) 하방의 공정 영역 내에 위치하는 공정 가스를 플라즈마(19)로 이온화하며, 플라즈마(19)는 물리 충격 또는 화학 반응의 방식을 통해 웨이퍼(17) 상의 목표 영역에 대해 에칭을 수행한다.
제2 라이닝(18)의 바닥부에는 복수의 배기공(14)이 설치된다. 공정 과정에서 공정 영역 내에 생성되는 에칭 부산물은 배기공(14)을 통해 압력 제어기(12)까지 배출되며, 최종적으로 에어 펌프(13)에 의해 펌핑되어 나간다.
본 발명에서 배기공(14)을 어떻게 설치할지에 대해서는 특별히 제한하지 않는다. 선택적으로, 제2 라이닝(18)은 바닥 라이닝과 수직 라이닝을 포함한다. 수직 라이닝은 챔버 본체(11)의 내벽과 대향 설치되고, 바닥 라이닝은 수직 라이닝의 바닥부에 설치된다. 바닥 라이닝은 챔버 본체(11)의 중간부를 향해 연장되고, 바닥 라이닝 상에는 두께 방향을 따라 바닥 라이닝을 관통하는 복수의 배기공(14)이 설치된다.
일 실시예에 있어서, 리프팅 구동 장치는 여러 종류일 수 있다. 예를 들어, 리프팅 구동 장치는 신축 가능한 리프팅 벨로즈(8)를 포함한다. 리프팅 벨로즈(8)는 제2 라이닝(18)에 연결되고, 리프팅 구동 장치는 리프팅 벨로즈(8)를 신축시켜 제2 라이닝(18)이 승강하도록 구동한다.
본 발명에서 리프팅 벨로즈(8)를 어떻게 신축시킬지에 대해서는 특별히 제한하지 않으며, 선택적으로 리프팅 구동 장치는 실린더 어셈블리를 포함하고, 실린더 어셈블리를 통해 리프팅 벨로즈(8)가 신축되도록 구동한다.
실린더 어셈블리는 실린더(4) 및 연결 부재를 포함하고, 리프팅 벨로즈(8)는 리프팅 벨로즈(8) 내에 설치되는 가동축을 더 포함한다. 연결 부재는 여러 종류일 수 있으며, 예를 들어 실린더축 연결 너트/플로팅 조인트(7) 등이 있다. 실린더(4)의 실린더 본체는 챔버 본체(11) 상에 고정되고, 실린더(4)의 실린더축(6)은 연결 부재를 통해 가동축의 상단에 연결된다. 리프팅 벨로즈(8)의 상단은 챔버 본체(11)에 연결되고, 리프팅 벨로즈(8)의 하단은 가동축의 하단에 연결된다. 제2 라이닝(18)은 리프팅 벨로즈(8) 및 가동축에 연결된다.
실린더(4)의 실린더 본체는 실린더 연결 부재(5)를 통해 챔버 본체(11)에 연결되고, 리프팅 벨로즈(8)의 상단은 나사를 통해 챔버 본체(11) 상에 고정될 수 있다. 제2 라이닝(18)은 라이닝 장착 부재(10)를 통해 리프팅 벨로즈(8) 및 가동축에 연결된다. 설치할 때 챔버 본체(11) 후측의 후면 덮개판(9)을 열 수 있다. 실린더축(6)은 실린더축 연결 너트/플로팅 조인트(7)를 통해 리프팅 벨로즈(8) 내부의 가동축에 연결되고, 리프팅 벨로즈(8) 내부의 가동축과 리프팅 벨로즈(8) 하단은 용접 등 방식을 채택해 연결하거나 일체로 가공하여 형성할 수 있다. 실린더(4)의 구동 하에서, 리프팅 벨로즈(8) 내부의 가동축은 제2 라이닝(18)이 상하 승강 운동을 하도록 구동한다.
챔버 본체(11)에는 웨이퍼 이송 개구가 설치되고, 게이트 밸브(15)를 통해 웨이퍼 이송 개구의 개폐를 제어할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 재료를 공급하거나 취할 때, 리프팅 구동 장치는 제2 라이닝(18)을 상승시켜 소정의 제2 위치에 위치하도록 구동한다. 제2 라이닝(18)은 웨이퍼 이송 개구 상방에 위치하여 웨이퍼 이송 개구를 통해 웨이퍼(17)를 꺼내거나 넣기 용이하다. 제2 위치는 실험, 디버깅을 통해 결정할 수 있다. 에칭 공정이 시작되기 전에는 제2 라이닝(18)이 실린더(4)의 작용에 의해 상승하고 게이트 밸브(15)가 열린다. 웨이퍼(17)가 챔버 본체(11)로 이송된 후에는 게이트 밸브(15)가 닫히고 제2 라이닝(18)이 실린더(4)의 작용에 의해 하강하며 에칭 공정이 시작된다.
웨이퍼를 설치하기 위해, 반응 챔버는 웨이퍼(17)를 지지하는 데 사용되는 지지 어셈블리를 더 포함하고, 지지 어셈블리는 챔버 본체(11) 내에 설치된다.
일 실시예에 있어서, 본 발명은 플라즈마 디바이스를 제공하며, 플라즈마 디바이스는 반응 챔버를 포함하고, 반응 챔버는 상기 실시예와 같은 반응 챔버를 채택한다. 플라즈마 디바이스는 정전 용량 결합 플라즈마 디바이스 또는 유도 결합 플라즈마 디바이스 등일 수 있다.
상기 실시예에서 제공하는 반응 챔버 및 플라즈마 디바이스는 공정 처리 과정에서 플라즈마를 일정한 공정 영역 내로 한정할 수 있다. 동시에 챔버 본체의 내벽이 에칭되지 않도록 보장할 수 있고 에칭 과정 중 가스 흐름의 균일성을 향상시키며, 장시간 공정 안정성을 보장하여 웨이퍼 중심으로부터 가장자리까지의 에칭 결과의 일관성을 높이고 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
상기의 본 발명에 개시된 기술적 해결책에서 달리 언급되지 않는 한, 수치 범위가 개시된 경우 개시된 수치 범위는 모두 바람직한 수치 범위이다. 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 바람직한 수치 범위가 실시 가능한 많은 값 중에서 기술적 효과는 현저하거나 대표성을 띠는 수치일 뿐이라는 것을 이해할 수 있다. 수치가 비교적 많아 모두 나열 할 수 없으므로, 본 발명은 본 발명의 기술적 해결책을 설명하기 위한 일부 수치만 예시로 개시하였으며, 상기 나열된 수치는 본 발명의 보호 범위를 제한하지 않는다.
동시에, 상기 발명에서 서로 고정 연결된 부품 또는 구조 부재를 개시하였거나 언급한 경우, 달리 명시되지 않는 한, 고정 연결은 분리 가능한 고정 연결(예를 들어 볼트 또는 나사로 연결) 또는 분리 불가능한 고정 연결(예를 들어 리벳팅, 용접)로 이해할 수 있다. 물론 상호 고정 연결은 일체형 구조(예를 들어 주조 공정을 통해 일체로 성형하여 제조)로 대체될 수도 있다(명백하게 일체 성형 공정을 채택할 수 없는 경우는 제외).
또한 달리 명시되지 않는 한, 상기 본 발명에서 개시된 어느 하나의 기술적 해결책에 사용된 위치 관계 또는 형상을 나타내는 용어는 그와 근접하거나, 유사하거나, 접근하는 상태 또는 형상의 의미를 포함한다. 본 발명에서 제공하는 어느 하나의 부재는 복수의 개별 구성 요소로 조립되거나, 일체형 성형 공정에 의해 제조된 단일 구성 요소일 수 있다.
상기 실시예는 본 발명의 기술적 해결책을 설명하기 위해서만 사용되며 이에 제한되지는 않는다. 비교적 바람직한 실시예를 참고하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명의 구체적인 실시방식에 대해 일부 기술적 특징을 수정하거나 동등하게 대체할 수 있다. 본 발명에 따른 기술적 해결책의 정신을 벗어나지 않는 한 이는 모두 본 발명에서 보호를 청구하는 기술적 해결책의 범위에 포함되어야 한다.
본 발명의 설명은 예시와 설명을 위해 제공된 것이며, 누락이 없는 것이거나 또는 본 발명을 개시된 형태로 제한하는 것은 아니다. 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 이를 수정 및 변경할 수 있다. 실시예를 선택하고 설명하는 것은, 본 발명의 원리 및 실제 적용에 대해 보다 상세하게 설명하고 본 기술분야의 당업자가 본 발명을 이해하고 특정 용도에 따라 다양하게 변형된 각종 실시예에 적합하게 설계할 수 있도록 하기 위해서이다.

Claims (10)

  1. 반응 챔버에 있어서,
    챔버 본체, 라이닝 및 리프팅 구동 장치를 포함하고,
    상기 라이닝은 상기 챔버 본체 내에 설치되고, 상기 챔버 본체의 측벽 상에는 웨이퍼 이송 개구가 형성되고,
    상기 라이닝은 제1 라이닝과 제2 라이닝을 포함하고, 상기 제1 라이닝은 상기 챔버 본체에 연결되고, 상기 제2 라이닝은 동축으로 상기 제1 라이닝을 내부 또는 외부에서 씌우도록 구성되고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝은 수평 방향으로 갭을 구비하고,
    상기 리프팅 구동 장치는 상기 제2 라이닝에 연결되며, 웨이퍼 가공 시 상기 제2 라이닝을 소정의 제1 위치까지 이동시켜 상기 제2 라이닝이 상기 웨이퍼 이송 개구를 덮도록 만들고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝을 부분적으로 중첩시키는 데 사용되고, 여기에서 중첩 부분의 길이는 소정의 길이이고, 상기 제1 라이닝과 상기 제2 라이닝은 상기 웨이퍼를 가공하는 데 사용되는 가공 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리프팅 구동 장치는 신축 가능한 리프팅 벨로즈를 포함하고,
    상기 리프팅 벨로즈는 상기 제2 라이닝에 연결되고, 상기 리프팅 구동 장치는 상기 리프팅 벨로즈를 신축시켜 상기 제2 라이닝이 승강하도록 구동하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리프팅 구동 장치는 실린더 어셈블리를 더 포함하고,
    상기 실린더 어셈블리는 상기 리프팅 벨로즈가 신축되도록 구동하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실린더 어셈블리는 실린더 및 연결 부재를 포함하고, 상기 리프팅 벨로즈는 상기 리프팅 벨로즈에 설치된 가동축을 포함하고,
    상기 실린더의 실린더 본체는 상기 챔버 본체에 고정되고, 상기 실린더의 실린더축은 상기 연결 부재를 통해 상기 가동축 상단에 연결되고, 상기 리프팅 벨로즈의 상단은 상기 챔버 본체에 연결되고, 상기 리프팅 벨로즈의 하단은 상기 가동축의 하단에 연결되고,
    상기 제2 라이닝은 상기 리프팅 벨로즈 및 상기 가동축에 연결되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    라이닝 장착 부재를 더 포함하고, 상기 제2 라이닝은 상기 라이닝 장착 부재를 통해 상기 리프팅 벨로즈 및 상기 가동축의 하단에 연결되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 라이닝은 바닥 라이닝과 수직 라이닝을 포함하고, 상기 수직 라이닝은 상기 챔버 본체의 내벽과 대향 설치되고, 상기 바닥 라이닝은 상기 수직 라이닝의 바닥부에 설치되고, 상기 바닥 라이닝은 상기 챔버 본체의 중간부를 향해 연장되고, 상기 바닥 라이닝 상에는 두께 방향을 따라 상기 바닥 라이닝을 관통하는 복수의 배기공이 설치되어, 상기 공정 영역 내에 생성된 에칭 부산물이 상기 배기공을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 갭의 너비는 1mm 내지 2mm이고,
    상기 소정의 길이와 상기 갭의 너비의 비율은 7:1보다 큰 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 어셈블리를 더 포함하고, 상기 지지 어셈블리는 상기 챔버 본체 내에 설치되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  9. 제1항에 있어서,
    재료를 공급하거나 취할 때, 상기 리프팅 구동 장치는 상기 제2 라이닝을 소정의 제2 위치까지 이동시켜 상기 제2 라이닝이 상기 웨이퍼 이송 개구의 상방에 위치하도록 구동하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 반응 챔버가 채택된 반응 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디바이스.
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