JP6568863B2 - シャドーフレームを除去するためのガス閉じ込め装置アセンブリ - Google Patents
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Description
本開示の実施形態は、概して、プロファイル均一性を改善するためのガス閉じ込め装置アセンブリ及び処理チャンバ内にガスを分配するための方法に関する。
液晶ディスプレイ又はフラットパネルは、一般的に、アクティブマトリックスディスプレイ(例えば、コンピュータ及びテレビのモニター)用に使用される。プラズマ強化化学蒸着(PECVD)は、一般的に、基板(例えば、フラットパネルディスプレイ又は半導体ウェハ用の透明基板)上に薄膜を堆積させるために用いられる。PECVDは、一般的に、基板を含む真空チャンバ内に、前駆体ガス又はガス混合物(例えば、シラン(SiH4)及び窒素(N2))を導入することによって達成される。前駆体ガス又はガス混合物は、典型的には、チャンバの上部近くに位置する分配プレートを通って下方に導かれる。チャンバ内の前駆体ガス又はガス混合物は、チャンバに結合された1以上のRF源からチャンバに高周波(RF)電力を印加することによりプラズマにエネルギー化(例えば、励起)される。励起されたガス又はガス混合物は、温度制御された基板支持体上に配置された基板の表面上に、材料(例えば、シリコン窒化物(SiNx))の層を形成するように反応する。シリコン窒化物層は、次世代の薄膜トランジスタ(TFT)及びアクティブマトリクス有機発光ダイオード(AMOLED)内の低温ポリシリコン(LTPS)膜スタック用に、パッシベーション層、ゲート絶縁膜、バッファ層、及び/又はエッチストップ層を形成する。しかしながら、TFT及びAMOLEDは、フラットパネルディスプレイを形成するための2つのタイプのデバイスである。
Claims (13)
- 基板の周囲に配置されるように構成されたガス閉じ込め装置であって、
基板は、基板支持体の支持面によって支持されるように構成され、
ガス閉じ込め装置はベース上に配置されて、ベースは、基板支持体の第2段上に配置されかつ連結されるように構成され、
ベースは基板支持体の周囲を囲み、
ベースはカバー支持フランジを有しているガス閉じ込め装置と、
支持面の下方で、基板支持体の第1段上に配置されるカバーであって、
カバー支持フランジは、カバーの上面を支持面と揃えるように構成され、
カバーは、基板およびガス閉じ込め装置の下に配置されるように構成され、
基板が基板支持体の支持面上に配置された時に、基板とガス閉じ込め装置との間にギャップが形成されているカバーとを含む処理チャンバ用ガス閉じ込め装置アセンブリ。 - ベースは、基板支持体に対向するように配置された1以上のセラミックスボタンを含む、請求項1記載のガス閉じ込め装置アセンブリ。
- ベースは、ベースをガス閉じ込め装置と整列するように構成された1以上の位置決めピンを含む、請求項1記載のガス閉じ込め装置アセンブリ。
- ベースは、酸化アルミニウムを含む、請求項1記載のガス閉じ込め装置アセンブリ。
- カバーは、1以上の交点で接合された1以上のセラミックスプレートを含み、セラミックスプレートは、1以上の交点で1以上のセラミックスプレートに接合するように構成された1以上のピン又はねじを含む、請求項1記載のガス閉じ込め装置アセンブリ。
- ガス閉じ込め装置及びカバーは、酸化アルミニウムを含む、請求項1記載のガス閉じ込め装置アセンブリ。
- ディフューザーと、
支持面、支持面の下方の第1段及び第2段を有する基板支持体であって、支持面は、ディフューザーとはほぼ反対側で基板を支持するように構成されている基板支持体と、
ガス閉じ込め装置アセンブリであって、
基板の周囲に配置されるように構成されたガス閉じ込め装置であって、
ガス閉じ込め装置はベース上に配置されて、
ベースは、基板支持体の第2段上に配置されかつ連結され、基板支持体の周囲を囲み、
ベースはカバー支持フランジを有しているガス閉じ込め装置と、
基板支持体の第1段上に配置されたカバーであって、
カバー支持フランジは、カバーの上面を支持面と揃え、
カバーは、基板およびガス閉じ込め装置の下にあり、
基板が基板支持体の支持面上に配置された時に、基板とガス閉じ込め装置との間にギャップが形成されているカバーとを含むガス閉じ込め装置アセンブリとを含む処理チャンバ。 - ガス閉じ込め装置及びカバーは、酸化アルミニウムを含む、請求項7記載の処理チャンバ。
- ガス閉じ込め装置は、1mm〜9mmの間の厚さを有する、請求項7記載の処理チャンバ。
- カバーは、1以上の交点で接合された1以上のセラミックスプレートを含み、セラミックスプレートは、1以上の交点で1以上のセラミックスプレートに接合するように構成された1以上のピン又はねじを含む、請求項7記載の処理チャンバ。
- ベースは、基板支持体に対向するように配置された1以上のセラミックスボタンを含む、請求項7記載の処理チャンバ。
- ベースは、ベースをガス閉じ込め装置と整列するように構成された1以上の位置決めピンを含む、請求項7記載の処理チャンバ。
- ベースは、酸化アルミニウムを含む、請求項7記載の処理チャンバ。
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US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
US6096135A (en) * | 1998-07-21 | 2000-08-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system |
US6159299A (en) * | 1999-02-09 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer pedestal with a purge ring |
US6344105B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-02-05 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etch rate uniformity |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
TW557532B (en) * | 2000-07-25 | 2003-10-11 | Applied Materials Inc | Heated substrate support assembly and method |
JP2002217172A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 製造装置 |
US20030106646A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
KR101003699B1 (ko) * | 2003-08-11 | 2010-12-23 | 주성엔지니어링(주) | 섀도우 프레임을 포함하는 액정표시장치용 증착장치 및 그의 동작방법 |
TW200520632A (en) * | 2003-09-05 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Ltd | Focus ring and plasma processing apparatus |
US7024105B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Substrate heater assembly |
JP4441356B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
KR101040940B1 (ko) * | 2004-03-03 | 2011-06-16 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 장비용 에지 프레임 |
US20050196971A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Applied Materials, Inc. | Hardware development to reduce bevel deposition |
US7501161B2 (en) * | 2004-06-01 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing |
US20060011137A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with mask panels |
KR100610010B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장치 |
US7534301B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF grounding of cathode in process chamber |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
JP2008078208A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
WO2009009607A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for processing a substrate edge region |
US20090107955A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Tiner Robin L | Offset liner for chamber evacuation |
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US20100122655A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Tiner Robin L | Ball supported shadow frame |
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