CN106271183A - Mems器件三维封装互连材料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了MEMS器件三维封装互连材料,属于MEMS互连材料领域。该互连材料的纳米PrSn3含量为0.05~0.5%,纳米Cu6Sn5含量为0.5~1.5%,亚微米Cu颗粒含量为0.05~0.5%,Ag纳米线为0.5~2.0%,Bi含量为40~60%,其余为Sn。使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒,Ag纳米线,预先将Sn/Bi粉末混合均匀,添加钎剂混合,制备膏状的互连材料,然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线,最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。本互连材料具有较低的低熔点和较高的性能,可用于MEMS器件的互连。
Description
技术领域
本发明涉及一种MEMS器件三维封装互连材料,属MEMS互连材料领域。该互连材料主要用于MEMS一类电子器件高可靠性需求的领域,是一种具有高性能的新型互连钎料。
背景技术
MEMS是利用微机械加工工艺制作具有机械特性的传感器系统,该系统包括传感器和执行器等微机械部件以及电子集成电路,一般采用硅或非硅材料作为机械结构,以获得优异的机械性能。在MEMS器件封装中,微小互连焊点扮演者机械支撑和电气连接的角色,在MEMS器件可靠性中起着重要的作用。
为了实现MEMS器件的低温连接,诸多研究者选用了钎焊材料在250℃低温条件下进行连接,传统的SnPb钎料因为183℃的低温和高性能被认为是最佳的互连材料,但是由于Pb的毒性,国内外的研究者和企业决定剔出Pb,选择无铅钎料进行连接。在系列的无铅钎料中,SnAgCu钎料被推荐为替代传统SnPb的最优选择,但是在服役期间SnAgCu内部会出现组织粗大、抗蠕变性能低、使用寿命较短的缺陷。对于MEMS器件而言,焊点数量较多且尺寸较小,在服役期间极容易因为组织的恶化出现焊点性能的下降。降低MEMS器件的可靠性。
在探讨无铅钎料研究中,合金化是互连材料改性的主要手段。稀土元素、Co、Cu、Ni以及纳米金属、氧化物颗粒等,促进无铅钎料在单一方面甚至综合性能的改进。
国外比较代表性的专利为:美国专利US9211614B2,通过添加合金元素制备Bi-Al-Zn基无铅钎料,减小钎料固化过程中的残余应力,提高其强度和可靠性。主要的包含Ni、Bi、Al、Zn、Sn、P等元素,其中Zn元素含量控制在0.2%~14%,由于Zn元素极容易氧化,在服役期间焊点表面会出现大量的氧化渣,甚至出现ZnO须,直接降低了焊点的使用寿命。因此该种专利很难在工业中对于微小尺寸器件如MEMS的互连中使用。中国比较有代表性的专利为:(88~90%)Sn,(3~5%)Cu,(0.5~2%)Bi,(0.1~0.5%)Ni,(2~5%)RE(铼-铈),(0.005~0.01%)Ga,(0.005~0.01%)Ge[中国专利:ZL2013101150162],该专利通过添加一定量的混合稀土铼和铈,优化Sn、Cu、Ni、Bi、RE含量,可以使抗拉强度和冲击特性得到改善。但是由于钎料中添加一定量的混合稀土元素铼和铈,并且最高含量达到2~5%,由于稀土元素易与Sn反应,形成大块的稀土相,在室温条件下即可萌生大量的锡须,引起器件相邻引脚短路。因此该系列钎料的应用范围极小。
发明内容
本发明提供一种MEMS器件三维封装互连材料,本发明微量的纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒、Ag纳米线、Bi和余量的Sn,六者耦合作用可以显著提高MEMS器件互连的工艺性能和互连焊点的可靠性。在MEMS互连工艺中,能够保持较低的焊接温度,互连焊点在服役期间具有高的使用寿命,适用于电子行业的波峰焊、再流焊以及其他焊接方法的无铅互连材料,能满足MEMS一类电子元器件的高可靠性需求。主要解决以下关键性问题:优化含纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒、Ag纳米线和Bi百分配比,获得具有高性能的互连材料。
本发明是以如下技术方案实现的:一种MEMS器件三维封装互连材料,其成分及质量百分比为:纳米PrSn3含量为0.05~0.5%,纳米Cu6Sn5含量为0.5~1.5%,亚微米Cu颗粒含量为0.05~0.5%,Ag纳米线为0.5~2.0%,Bi含量为40~60%,其余为Sn。
本发明可以采用生产钎料的常规冶炼方法得到。本发明优选采用的方法是:使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒,Ag纳米线,预先将Sn/Bi粉末混合均匀,添加钎剂混合,制备膏状的互连材料,然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线,最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。
本发明的机理是:通过Sn和Bi形成低熔点的二元合金材料,在该合金体系中因为Bi的偏析,会形成不均匀的微观组织,进而降低材料的使用性能。通过添加纳米PrSn3颗粒和纳米Cu6Sn5颗粒,使Sn和Bi在熔融钎料中析出时依附在纳米PrSn3颗粒和纳米Cu6Sn5颗粒表面形核-长大,使Sn和Bi在基体组织中达到最大程度的均匀分布。添加Ag纳米线,在钎料内部形成加强筋的作用,在服役期间,焊点因为应力集中会发生一定的变形,Ag纳米线可以强化基体,具有抵抗变形的作用。添加亚微米Cu颗粒,在基体组织中会均匀的形成内部为Cu,表面与Sn反应为Cu6Sn5的颗粒,在服役期间可以起到颗粒强化的作用。六者耦合作用可以显著提高MEMS器件互连的工艺性能和互连焊点的可靠性。考虑到纳米颗粒、亚微米颗粒和Ag纳米线的团聚作用,故而控制纳米PrSn3含量为0.05~0.5%,纳米Cu6Sn5含量为0.5~1.5%,亚微米Cu颗粒含量为0.05~0.5%,Ag纳米线为0.5~2.0%,Bi含量为40~60%,其余为Sn。
与已有技术相比,本发明的有益效果在于:本互连材料具有高的力学性能和使用寿命。
附图说明
图1是不同成分钎料合金(表1)焊点的拉伸力。
图2是SnBi、SnBi-PrSn3、SnBi-PrSn3-Cu6Sn5、SnBi-PrSn3-Cu6Sn5-Cu和SnBi-PrSn3-Cu6Sn5-Cu-Ag使用寿命。
具体实施方式
下面结合实施例进一步说明本发明及效果。
下述16个实施例所使用的材料为:使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒,Ag纳米线,预先将Sn/Bi粉末混合均匀,添加钎剂混合,制备膏状的互连材料,然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线,最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。
实施例1
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.05%,纳米Cu6Sn5颗粒0.5%,亚微米Cu颗粒0.05%,Ag纳米线0.5%,Bi58%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139℃左右,液相线温度在161℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例2
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.1%,纳米Cu6Sn5颗粒0.5%,亚微米Cu颗粒0.1%,Ag纳米线0.5%,Bi58%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.1℃左右,液相线温度在159.8℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例3
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.15%,纳米Cu6Sn5颗粒0.7%,亚微米Cu颗粒0.5%,Ag纳米线0.5%,Bi58%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在140.5℃左右,液相线温度在162℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例4
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.2%,纳米Cu6Sn5颗粒0.5%,亚微米Cu颗粒0.05%,Ag纳米线0.5%,Bi58%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在138.9℃左右,液相线温度在160℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例5
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.5%,纳米Cu6Sn5颗粒1.5%,亚微米Cu颗粒0.5%,Ag纳米线2.0%,Bi40%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.3℃左右,液相线温度在190℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例6
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.4%,纳米Cu6Sn5颗粒1.3%,亚微米Cu颗粒0.4%,Ag纳米线1.8%,Bi40%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.4℃左右,液相线温度在186℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例7
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.45%,纳米Cu6Sn5颗粒1.2%,亚微米Cu颗粒0.45%,Ag纳米线1.7%,Bi40%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139℃左右,液相线温度在186.1℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例8
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.1%,纳米Cu6Sn5颗粒0.5%,亚微米Cu颗粒0.1%,Ag纳米线0.5%,Bi40%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在138.9℃左右,液相线温度在185℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例9
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.05%,纳米Cu6Sn5颗粒1.0%,亚微米Cu颗粒0.07%,Ag纳米线1.0%,Bi60%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.1℃左右,液相线温度在171℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例10
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.1%,纳米Cu6Sn5颗粒1.0%,亚微米Cu颗粒0.1%,Ag纳米线1.0%,Bi60%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.3℃左右,液相线温度在172℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例11
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.2%,纳米Cu6Sn5颗粒1.5%,亚微米Cu颗粒0.2%,Ag纳米线1.5%,Bi60%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.3℃左右,液相线温度在172.8℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例12
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.5%,纳米Cu6Sn5颗粒1.5%,亚微米Cu颗粒0.5%,Ag纳米线2.0%,Bi60%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在140℃左右,液相线温度在174℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例13
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.05%,纳米Cu6Sn5颗粒0.55%,亚微米Cu颗粒0.05%,Ag纳米线0.55%,Bi45%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.2℃左右,液相线温度在177℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例14
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.07%,纳米Cu6Sn5颗粒1.0%,亚微米Cu颗粒0.1%,Ag纳米线0.9%,Bi45%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.3℃左右,液相线温度在176.9℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例15
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.3%,纳米Cu6Sn5颗粒1.0%,亚微米Cu颗粒0.2%,Ag纳米线1.0%,Bi45%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.5℃左右,液相线温度在177.5℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实施例16
MEMS器件三维封装互连材料成分为:纳米PrSn3颗粒0.4%,纳米Cu6Sn5颗粒1.5%,亚微米Cu颗粒0.5%,Ag纳米线2.0%,Bi45%,余量为Sn。
钎料主要性能检测:固相线温度在139.4℃左右,液相线温度在177.2℃左右(考虑了试验误差),具有优良的性能。
实验例:在其他成分不变的情况下,不同Ag纳米线含量钎料合金的使用寿命。
实验如表1所示6个实验例。其实验结果见图1和图2。
表1:典型含纳米PrSn3,纳米Cu6Sn5,微米Cu,Ag纳米线,Bi的互连钎料合金成分
结论:添加含纳米PrSn3、纳米Cu6Sn5、亚微米Cu、Ag纳米线和Bi可以显著提高互连材料的使用寿命,为SnBi的9倍以上。
Claims (2)
1.一种MEMS器件三维封装互连材料,其特征在于:其成分及质量百分比为:纳米PrSn3含量为0.05~0.5%,纳米Cu6Sn5含量为0.5~1.5%,亚微米Cu颗粒含量为0.05~0.5%,Ag纳米线为0.5~2.0%,Bi含量为40~60%,其余为Sn。
2.一种用于权利要求1所述的MEMS器件互连的无铅钎料的制备方法,其特征在于:使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒,Ag纳米线,预先将Sn/Bi粉末混合均匀,添加钎剂混合,制备膏状的互连材料,然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线,最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。
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