CN103658899A - 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法 - Google Patents

一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103658899A
CN103658899A CN201310648319.0A CN201310648319A CN103658899A CN 103658899 A CN103658899 A CN 103658899A CN 201310648319 A CN201310648319 A CN 201310648319A CN 103658899 A CN103658899 A CN 103658899A
Authority
CN
China
Prior art keywords
intermetallic compound
cu6sn5
micro
orientated
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310648319.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103658899B (zh
Inventor
李明雨
杨明
马鑫
陈宏涛
张志昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DONGGUAN CITY YIK SHING TAT INDUSTRIAL Co Ltd
YICHENGDA INDUSTRIAL Co Ltd SHENZHEN CITY
Yichengda Solder Manufacturing (kunshan) Co Ltd
Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Original Assignee
DONGGUAN CITY YIK SHING TAT INDUSTRIAL Co Ltd
YICHENGDA INDUSTRIAL Co Ltd SHENZHEN CITY
Yichengda Solder Manufacturing (kunshan) Co Ltd
Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGGUAN CITY YIK SHING TAT INDUSTRIAL Co Ltd, YICHENGDA INDUSTRIAL Co Ltd SHENZHEN CITY, Yichengda Solder Manufacturing (kunshan) Co Ltd, Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology filed Critical DONGGUAN CITY YIK SHING TAT INDUSTRIAL Co Ltd
Priority to CN201310648319.0A priority Critical patent/CN103658899B/zh
Publication of CN103658899A publication Critical patent/CN103658899A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103658899B publication Critical patent/CN103658899B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • B23K1/206—Cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262—Sn as the principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8134—Bonding interfaces of the bump connector
    • H01L2224/81359—Material

Abstract

本发明提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法，包括以下几个步骤：步骤A:采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B:在所述Cu焊盘上制备的钎料，制成凸台；步骤C:对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；步骤D:将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E:将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F:将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。本发明中的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构应用于较大尺度的二级封装中的在适当的工艺条件下，可以获得均一稳定的焊点结构。

Description

一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法
技术领域
本发明涉及一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法。
背景技术
现如今，微电子工业生产正面临着由2D封装向3D封装的转变，芯片集成度越来越高，芯片内焊点尺寸进一步减小。当前倒装芯片上焊点直径已降至100μm，随着硅通孔技术的发展，这个尺寸还会进一步的下降。受钎料熔点的制约，芯片的互连温度不会降低，对于如此小的焊点在完成互连后其内仅存在少量的晶粒，并且界面金属间化合物将会占据很大的比例，在电子器件服役或者存储过程中其内的焊点甚至全部被少量的金属间化合物晶粒所占据。由于原子和电子沿晶粒不同取向的扩散速率不同，焊点不同取向的金属间化合物晶粒其电迁移和热迁移抗性也不同。对于倒装芯片结构来说，其中存在大量的微焊点，因此在完成互连后不可避免的会有一些焊点由于其中晶粒的取向不利，在电子产品使用过程中提前失效，进而降低电子产品的使用寿命。因此控制倒装芯片中所有焊点内的界面化合物的取向尽可能的一致就显得尤为重要，是提高3D封装可靠性的一个重要的因素。
业界主要的尝试是在芯片上制备出均一取向的单晶铜ubm层，利用金属间化合物Cu6Sn5与Cu的某些晶向上特定匹配关系，以达到焊点内Cu6Sn5晶粒取向一致，但是就目前的技术水平在芯片上均匀的制备出特定取向单晶铜ubm层还很难实现。2012年美国加州大学洛杉矶分校的K.N. Tu教授及其团队通过电镀的工艺制备出了（111）取向的纳米孪晶铜，在其上生长的化合物为得到（0001）取向的Cu6Sn5，实现了晶圆上所有焊点内微观组织均一的结果。但是此种方法需对现有的已成熟的电镀工艺及设备进行大量的改进，工艺复杂，成本较高，不宜大规模生产。
 
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；
步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；
步骤C: 对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；
步骤D: 将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；
步骤E: 将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；
步骤F: 将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。
或者，包括以下几个步骤：
步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；
步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；
步骤C′: 对制备得到的凸台进行热风重熔20-600min；
步骤D′: 将步骤C′制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘。
步骤E′: 将步骤D′制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。
优选的，所述钎料采用SnAgCu或SnPbCu钎料。
优选的，所述Sn-Ag-Cu钎料中，按重量百分比，包括：3.0-4.0wt%的Ag，0-0.7 wt% 的Cu，余量为Sn。 
优选的，所述Sn-Pb-Cu钎料中，按重量百分比，包括：30-45wt%的Pb，0-0.7 wt%的Cu，余量为Sn。
优选的，所述步骤C中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间30-120s。
优选的，所述步骤D中，老化温度100-150℃，老化时间20-100d。
优选的，所述步骤C′中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间20-600min。
优选的，所述步骤E和D′中，盐酸酒精溶液中盐酸比酒精的质量浓度为1-5%，超声清洗时间为1min。
优选的，所述步骤E′和F中，回流焊工艺参数为液相线以上10℃至280℃。
本发明的有益效果是：1. 制备方法简单，3D封装中所有焊点内晶粒取向分布一致。2. 二级封装中获取根据本发明所述的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，可以在芯片上制备出均一取向的Cu6Sn5UBM层，在芯片互连或者服役过程中，芯片上所有焊点保持着均一的结构，避免了个别焊点因为焊点晶粒取向的原因造成的提前失效。整个工艺过程简单，易控，成本低廉，适合大规模生产。
 
附图说明
图1是单一取向Cu6Sn5化合物微互连焊点结构制备流程图。
图2是实施例1中金属间化合物焊点纵截面的EBSD晶体取向（反极图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物呈现出明显的取向择优分布。
图3是实施例2中金属间化合物焊点纵截面的EBSD晶体取向（反极图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物呈现出明显的取向择优分布。
图4是实施例3中金属间化合物焊点纵截面的EBSD晶体取向（反极图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物呈现出明显的取向择优分布。
图5是实施例4中金属间化合物焊点纵截面的EBSD晶体取向（反极图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物呈现出明显的取向择优分布。
 
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明：
实施例1：
如图1所示，其中1为硅片（或PCB板），2为Cu冶金焊盘，3为焊料，4为界面Cu6Sn5金属间化合物。
（1）   采用电镀工艺在晶圆上阵列出8×8直径200μm，厚度36μm的Cu焊盘；
（2）   采用电镀工艺在步骤（1）制备的Cu焊盘上制备50μm厚的钎料，钎料成分为Sn3.5Ag共晶钎料
（3）   对步骤（2）制备的凸台进行热风重熔，重熔温度230℃，重熔时间60s。
（4）   对步骤（3）制备的芯片进行固相老化处理，固相老化温度为150℃，老化时间为36天。
（5）   将步骤（4）制备的焊点凸台至于5%的盐酸酒精溶液中超声振荡1min，然后烘干。
（6）   将步骤（5）制备的焊点凸台倒扣于对应的电路板Cu焊盘上，经240℃回流焊重熔120s即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构如图1所示。
实施例2：
（1）   采用电镀工艺在晶圆上阵列出8×8直径200μm，厚度36μm的Cu金属层；
（2）   采用电镀工艺在步骤（1）制备的Cu金属层上制备50μm厚的钎料，钎料成分为Sn37Pb共晶钎料
（3）   对步骤（2）制备的凸台进行热风重熔，重熔温度200℃，重熔时间60s。
（4）   对步骤（3）制备的芯片进行固相老化处理，固相老化温度为120℃，老化时间为36天。
（5）   将步骤（4）制备的焊点凸台至于5%的盐酸酒精溶液中超声清洗1min，然后烘干。
（6）   将步骤（5）制备的焊点凸台倒扣于对应的电路板Cu焊盘上，经240℃回流焊重熔120s即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构如图2所示（焊点纵截面EBSD取向图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物的取向呈现出明显的集中分布，择优取向为六方结构的Cu6Sn5的[0001]轴线方向垂直于Cu焊盘的方向。
实施例3：
（1）   采用电镀工艺在晶圆上阵列出8×8直径200μm，厚度36μm的Cu焊盘；
（2）   采用电镀工艺在步骤（1）制备的Cu焊盘上制备50μm厚的钎料，钎料成分为Sn3.5Ag共晶钎料
（3）   对步骤（2）制备的凸台进行热风重熔，重熔温度230℃，重熔时间120min。
（4）   将步骤（3）制备的焊点凸台至于3%的盐酸酒精溶液中超声振荡1min，然后烘干。
（5）   将步骤（4）制备的焊点凸台倒扣于对应的电路板Cu焊盘上，经240℃回流焊重熔120s即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构如图3所示（焊点纵截面EBSD取向图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物的取向呈现出明显的集中分布，择优取向为六方结构的Cu6Sn5的[0001]轴线方向垂直于Cu焊盘的方向。
实施例4：
（1）   采用电镀工艺在晶圆上阵列出8×8直径200μm，厚度36μm的Cu焊盘；
（2）   采用电镀工艺在步骤（1）制备的Cu焊盘上制备50μm厚的钎料，钎料成分为Sn37Pb共晶钎料
（3）   对步骤（2）制备的凸台进行热风重熔，重熔温度200℃，重熔时间180min。
（4）   将步骤（3）制备的焊点凸台至于3%的盐酸酒精溶液中超声振荡1min，然后烘干。
（5）   将步骤（4）制备的焊点凸台倒扣于对应的电路板Cu焊盘上，经240℃回流焊重熔120s即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构如图4所示（焊点纵截面EBSD取向图），焊点中Cu6Sn5金属间化合物的取向呈现出明显的集中分布，择优取向为六方结构的Cu6Sn5的[0001]轴线方向垂直于Cu焊盘的方向。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：
步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；
步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；
步骤C: 对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；
步骤D: 将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；
步骤E: 将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；
步骤F: 将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。
2.一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：
步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；
步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；
步骤C′: 对制备得到的凸台进行重熔20-600min；
步骤D′: 将步骤C′制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；
步骤E′: 将步骤D′制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。
3.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述钎料采用SnAgCu或SnPbCu钎料。
4.如权利要求3所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述Sn-Ag-Cu钎料中，按重量百分比，包括：3.0-4.0wt%的Ag，0-0.7 wt% 的Cu，余量为Sn。
5.如权利要求3所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述Sn-Pb-Cu钎料中，按重量百分比，包括：30-45wt%的Pb，0-0.7 wt%的Cu，余量为Sn。
6.如权利要求1所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤C中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间30-120s。
7.如权利要求1所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中，老化温度100-150℃，老化时间20-100d。
8.如权利要求2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤C′中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间20-600min。
9.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤E和D′中，盐酸酒精溶液中盐酸比酒精的质量浓度为1-5%，超声清洗时间为1min。
10.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤E′和F中，回流焊工艺参数为液相线10℃以上至300℃。
CN201310648319.0A 2013-12-04 2013-12-04 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法 Active CN103658899B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310648319.0A CN103658899B (zh) 2013-12-04 2013-12-04 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310648319.0A CN103658899B (zh) 2013-12-04 2013-12-04 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103658899A true CN103658899A (zh) 2014-03-26
CN103658899B CN103658899B (zh) 2016-04-13

Family

ID=50298348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310648319.0A Active CN103658899B (zh) 2013-12-04 2013-12-04 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103658899B (zh)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104651898A (zh) * 2015-02-09 2015-05-27 大连理工大学 一种金属间化合物薄膜的制备方法
CN104674335A (zh) * 2015-02-09 2015-06-03 大连理工大学 金属间化合物薄膜的制备方法
CN104690383A (zh) * 2015-02-09 2015-06-10 大连理工大学 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104701283A (zh) * 2015-02-09 2015-06-10 大连理工大学 金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法
CN104716059A (zh) * 2015-02-09 2015-06-17 大连理工大学 一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及键合结构
CN104716058A (zh) * 2015-02-09 2015-06-17 大连理工大学 倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104862701A (zh) * 2015-05-11 2015-08-26 哈尔滨工业大学 一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全imc微焊点的方法
CN105047604A (zh) * 2015-07-03 2015-11-11 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶扩散阻挡层的合成方法
CN105171168A (zh) * 2015-07-13 2015-12-23 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法
CN105834541A (zh) * 2016-06-04 2016-08-10 北京工业大学 一种低温连接高温使用Cu/Sn/Cu钎焊界面的制备方法及结构
CN106112162A (zh) * 2016-07-25 2016-11-16 江苏科技大学 一种用于减少锡铋焊点金属间化合物形成的方法
CN106271183A (zh) * 2016-08-26 2017-01-04 江苏师范大学 Mems器件三维封装互连材料
CN106378583A (zh) * 2016-09-14 2017-02-08 厦门大学 一种高温封装用Sn/Cu/Sn冷压预制片的制备方法
CN106513890A (zh) * 2016-11-17 2017-03-22 大连理工大学 一种电子封装微焊点的制备方法
CN107058956A (zh) * 2017-04-13 2017-08-18 厦门大学 一种铜六锡五全imc微凸点的快速制造方法
CN107097012A (zh) * 2017-05-05 2017-08-29 北京工业大学 一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法
CN108672867A (zh) * 2018-05-28 2018-10-19 东莞市新玛博创超声波科技有限公司 铜基材料的无助焊剂脉冲超声低温钎焊方法
CN110193642A (zh) * 2019-06-04 2019-09-03 北京理工大学 一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺
CN112317972A (zh) * 2020-09-30 2021-02-05 厦门大学 一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法
CN114211070A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法
CN114211075A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法
CN114211067A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过预制imc焊盘形成多晶结构焊点的方法
CN114211068A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法
CN114211069A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种基于imc焊盘的多晶结构焊点制取方法
CN114226901A (zh) * 2021-12-31 2022-03-25 北京工业大学 一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法
CN114700653A (zh) * 2022-04-13 2022-07-05 北京理工大学 一种高硬度的全金属间化合物焊点及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128746A (en) * 1990-09-27 1992-07-07 Motorola, Inc. Adhesive and encapsulant material with fluxing properties
CN1620725A (zh) * 2000-07-21 2005-05-25 纳诺皮尔斯技术公司 电气元件组件和制造方法
CN102024716A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 新科金朋有限公司 半导体器件以及制造半导体器件的方法
US20110127668A1 (en) * 2006-02-07 2011-06-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Multi-Layer UBM Around Bump Formation Area
CN102290357A (zh) * 2010-06-18 2011-12-21 Nxp股份有限公司 键合封装及其方法
CN103107104A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 北京大学深圳研究生院 一种倒装芯片的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128746A (en) * 1990-09-27 1992-07-07 Motorola, Inc. Adhesive and encapsulant material with fluxing properties
CN1620725A (zh) * 2000-07-21 2005-05-25 纳诺皮尔斯技术公司 电气元件组件和制造方法
US20110127668A1 (en) * 2006-02-07 2011-06-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Multi-Layer UBM Around Bump Formation Area
CN102024716A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 新科金朋有限公司 半导体器件以及制造半导体器件的方法
CN102290357A (zh) * 2010-06-18 2011-12-21 Nxp股份有限公司 键合封装及其方法
CN103107104A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 北京大学深圳研究生院 一种倒装芯片的制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张文禹: "Cu/Sn3.5Ag 界面化合物Cu6Sn5 形态演变规律研究", 《中国优秀硕士论文电子期刊网》 *

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104651898A (zh) * 2015-02-09 2015-05-27 大连理工大学 一种金属间化合物薄膜的制备方法
CN104701283B (zh) * 2015-02-09 2017-12-19 大连理工大学 金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法
CN104690383A (zh) * 2015-02-09 2015-06-10 大连理工大学 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104701283A (zh) * 2015-02-09 2015-06-10 大连理工大学 金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法
CN104716059A (zh) * 2015-02-09 2015-06-17 大连理工大学 一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及键合结构
CN104716058A (zh) * 2015-02-09 2015-06-17 大连理工大学 倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104674335A (zh) * 2015-02-09 2015-06-03 大连理工大学 金属间化合物薄膜的制备方法
CN104716058B (zh) * 2015-02-09 2017-10-13 大连理工大学 倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104716059B (zh) * 2015-02-09 2017-10-20 大连理工大学 一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及键合结构
CN104674335B (zh) * 2015-02-09 2018-01-16 大连理工大学 金属间化合物薄膜的制备方法
CN104862701B (zh) * 2015-05-11 2017-03-29 哈尔滨工业大学 一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全imc微焊点的方法
CN104862701A (zh) * 2015-05-11 2015-08-26 哈尔滨工业大学 一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全imc微焊点的方法
CN105047604B (zh) * 2015-07-03 2018-05-11 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶扩散阻挡层的合成方法
CN105047604A (zh) * 2015-07-03 2015-11-11 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶扩散阻挡层的合成方法
CN105171168A (zh) * 2015-07-13 2015-12-23 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法
CN105834541A (zh) * 2016-06-04 2016-08-10 北京工业大学 一种低温连接高温使用Cu/Sn/Cu钎焊界面的制备方法及结构
CN106112162B (zh) * 2016-07-25 2018-04-17 江苏科技大学 一种用于减少锡铋焊点金属间化合物形成的方法
CN106112162A (zh) * 2016-07-25 2016-11-16 江苏科技大学 一种用于减少锡铋焊点金属间化合物形成的方法
CN106271183A (zh) * 2016-08-26 2017-01-04 江苏师范大学 Mems器件三维封装互连材料
CN106271183B (zh) * 2016-08-26 2018-07-24 江苏师范大学 Mems器件三维封装互连材料
CN106378583A (zh) * 2016-09-14 2017-02-08 厦门大学 一种高温封装用Sn/Cu/Sn冷压预制片的制备方法
CN106513890B (zh) * 2016-11-17 2019-01-01 大连理工大学 一种电子封装微焊点的制备方法
CN106513890A (zh) * 2016-11-17 2017-03-22 大连理工大学 一种电子封装微焊点的制备方法
CN107058956A (zh) * 2017-04-13 2017-08-18 厦门大学 一种铜六锡五全imc微凸点的快速制造方法
CN107097012B (zh) * 2017-05-05 2019-05-24 北京工业大学 一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法
CN107097012A (zh) * 2017-05-05 2017-08-29 北京工业大学 一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法
CN108672867A (zh) * 2018-05-28 2018-10-19 东莞市新玛博创超声波科技有限公司 铜基材料的无助焊剂脉冲超声低温钎焊方法
CN108672867B (zh) * 2018-05-28 2021-03-02 东莞市新玛博创超声波科技有限公司 铜基材料的无助焊剂脉冲超声低温钎焊方法
CN110193642A (zh) * 2019-06-04 2019-09-03 北京理工大学 一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺
CN112317972A (zh) * 2020-09-30 2021-02-05 厦门大学 一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法
CN114211075A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法
CN114211070A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法
CN114211067A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过预制imc焊盘形成多晶结构焊点的方法
CN114211068A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法
CN114211069A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 北京工业大学 一种基于imc焊盘的多晶结构焊点制取方法
CN114226901A (zh) * 2021-12-31 2022-03-25 北京工业大学 一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法
CN114211075B (zh) * 2021-12-31 2023-09-19 北京工业大学 一种改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法
CN114211070B (zh) * 2021-12-31 2023-09-19 北京工业大学 一种使焊点晶粒取向为多双孪晶的焊接方法
CN114700653A (zh) * 2022-04-13 2022-07-05 北京理工大学 一种高硬度的全金属间化合物焊点及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103658899B (zh) 2016-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103658899A (zh) 一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法
US9978709B2 (en) Solder bump stretching method for forming a solder bump joint in a device
CN105247666B (zh) 半导体装置及其制造方法
TWI273140B (en) Phase change lead-free super plastic solders
JP2005159356A5 (zh)
TW201039395A (en) Doping of lead-free solder alloys and structures formed thereby
CN104690383A (zh) 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
CN104716058B (zh) 倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构
JPWO2014097390A1 (ja) 鉛フリーはんだ合金
CN106271177A (zh) 一种互连钎料及其互连成形方法
CN108422117B (zh) 通过施加电流制备多晶结构无铅互连焊点的方法
Zhang et al. Shear performance and accelerated reliability of solder interconnects for fan-out wafer-level package
Hsu et al. Evolution of the intermetallic compounds in Ni/Sn-2.5 Ag/Ni microbumps for three-dimensional integrated circuits
Jeong et al. Effect of PCB surface finishs on intermetallic compound growth kinetics of Sn-3.0 Ag-0.5 Cu solder bump
Wu et al. Preparation and performance of Sn-based composite solder joints by solid-liquid low-temperature solder bonding technology
Zhai et al. Effect of the welding process on the microstructure and mechanical properties of Au/Sn–3.0 Ag–0.5 Cu/Cu solder joints
CN104112707A (zh) 一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法
US20050133571A1 (en) Flip-chip solder bump formation using a wirebonder apparatus
JP4339723B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法、電子装置ならびに実装構造体
CN104112683A (zh) 一种基于铜微针锥同种结构的固态超声键合方法
JP4639607B2 (ja) 鉛フリー半田材料およびＰｂフリー半田材料の製造方法
Qiu et al. Study on the electromigration-induced failure mechanism of Sn-3.0 Ag-0.5 Cu BGA solder balls
JP3592054B2 (ja) 電子回路及びその製造方法
CN101041901A (zh) 可焊性良好的铁镍合金镀层及其应用
Zhang et al. Shear Performance and Accelerated Reliability of 6× 4 mm 2 FOWLP Solder Joints Using an ENIG PCB Electrode

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant