CN106201074A - 触控基板及其制作方法、触控屏 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种触控基板及其制作方法、触控屏，属于触控技术领域。其中，触控基板，包括触控区域和位于所述触控区域周边的走线区域，所述走线区域包括：覆盖走线区域的黑矩阵图形；位于所述黑矩阵图形上的导电走线，位于所述黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置有接地的导电图形。本发明的技术方案能够提高触控屏的抗ESD能力。

Description

触控基板及其制作方法、触控屏
技术领域
本发明涉及触控技术领域，特别是指一种触控基板及其制作方法、触控屏。
背景技术
触控屏(Touch Panel)是通过计算屏内的触点坐标进行的定位的设备，触控屏检测用户的触控位置，然后将检测的信息发送给控制器，并将其转换成坐标，输送给中央处理器，同时接受中央处理器返回的信号并加以执行，实现人机互动。
目前市场上使用的大多数都是电容式的触控屏，尤其是以苹果手机为代表的新一代触控设备，使电容式的触控屏得到巨大的发展，电容式的触控屏主要应用在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等产品中。随着电容式触控屏的快速成长，人们对触控产品的ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)性能也要求越来越高。当人们使用手指触摸触控屏时，自然而然的就会携带静电，通常静电的电压都非常的大，如果静电进入到触控屏中，势必会对触控屏产生影响。
现有的触控屏包括进行触控检测的触控区域和包围触控区域的走线区域，在走线区域，导电走线制作在黑矩阵图形上，黑矩阵图形一般采用碳球制成，通常黑矩阵图形的绝缘性能较好，但是经过多道高温制程之后，黑矩阵图形的电阻率降低，绝缘性能下降，这样在走线区域如果相邻两条导电走线之间的距离较近，静电将通过这两条导电走线之间的黑矩阵图形进行释放，导致在两条导电走线之间发生ESD。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种触控基板及其制作方法、触控屏，能够提高触控屏的抗ESD能力。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种触控基板，包括触控区域和位于所述触控区域周边的走线区域，所述走线区域包括：覆盖走线区域的黑矩阵图形；位于所述黑矩阵图形上的导电走线，位于所述黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置有接地的导电图形。
进一步地，所述导电图形采用金属制成。
进一步地，所述相邻两条导电走线之间的间距小于阈值。
进一步地，所述阈值为30-100微米。
进一步地，导电图形与相邻导电走线之间的间距为5-20微米。
进一步地，所述相邻两条导电走线之间相互平行，所述导电图形的延伸方向与相邻的导电走线的延伸方向一致。
进一步地，所述触控基板还包括：
覆盖所述导电走线和所述导电图形的平坦层。
本发明实施例还提供了一种触控屏，包括如上所述的触控基板，还包括覆盖所述触控基板的保护结构。
进一步地，所述触控屏还包括位于所述触控基板之外的接地点，所述保护结构设置有过孔，所述导电图形通过所述过孔与所述接地点电连接。
进一步地，所述触控屏还包括：
贯穿所述过孔、连接所述导电图形和所述接地点的导电引线。
进一步地，所述保护结构为防爆膜。
本发明实施例还提供了一种触控基板的制作方法，所述触控基板包括触控区域和包围所述触控区域的走线区域，所述制作方法包括在所述走线区域形成黑矩阵图形和在所述黑矩阵图形上形成导电走线，所述制作方法还包括：
在相邻两条所述导电走线之间形成接地的导电图形。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在黑矩阵图形上，由于黑矩阵图形的电阻率下降，相邻两条距离较近的导电走线之间容易发生ESD现象，因此本实施例在黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置接地的导电图形，该导电图形能够将相邻两条导电走线之间的静电导走，从而避免在相邻两条导电走线之间发生ESD，进而提高触控基板的抗ESD能力。
附图说明
图1为现有触控屏的局部示意图；
图2为图1中C部分在AA’方向上的截面示意图；
图3为本发明实施例触控基板的局部示意图；
图4为图3中C部分在AA’方向上的截面示意图；
图5为本发明实施例触控屏的截面示意图。
附图标记
1导电走线 2黑矩阵图形 3衬底基板 4导电图形
5保护结构 6导电引线
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
图1为现有触控屏的局部示意图，图2为图1中C部分在AA’方向上的截面示意图，如图1和图2所示，现有的触控屏包括进行触控检测的触控区域和包围触控区域的走线区域，在走线区域，导电走线1制作在黑矩阵图形2上，黑矩阵图形2一般采用碳球制成，通常黑矩阵图形2的绝缘性能较好，但是经过多道高温制程之后，黑矩阵图形2的电阻率降低，绝缘性能下降，这样在走线区域如果相邻两条导电走线1之间的距离较近，如图2所示，静电将通过这两条导电走线1之间的黑矩阵图形2进行释放，导致在两条导电走线1之间发生ESD。
为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种触控基板及其制作方法、触控屏，能够提高触控屏的抗ESD能力。
实施例一
本实施例提供了一种触控基板，包括位于衬底基板3上的触控区域和位于触控区域周边的走线区域，如图3所示，走线区域包括：覆盖走线区域的黑矩阵图形2；位于黑矩阵图形2上的导电走线1，其中，位于黑矩阵图形2上的相邻两条导电走线1之间设置有接地的导电图形4。
在黑矩阵图形上，由于黑矩阵图形的电阻率下降，相邻两条距离较近的导电走线之间容易发生ESD现象，因此本实施例在黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置接地的导电图形，该导电图形能够将相邻两条导电走线之间的静电导走，从而避免在相邻两条导电走线之间发生ESD，进而提高触控基板的抗ESD能力。
优选地，导电图形4采用金属制成，相比于透明导电材料，金属材料具有较好的导电性，能够更好地将相邻两条导电走线1之间的静电导走。
由于距离较远的相邻两条导电走线1之间发生ESD的概率比较低，因此为了合理配置资源，本实施例优选在距离较近的相邻两条导电走线1之间设置导电图形4，即在间距小于阈值的相邻两条导电走线1之间设置导电图形4。具体地，可以在间距为30-100微米的相邻两条导电走线1之间设置导电图形4。
导电图形4与相邻的导电走线1之间彼此绝缘，因此，导电图形4需要与相邻的导电走线1间距一定距离，优选地，导电图形4与相邻导电走线1之间的间距为5-20微米。如果导电图形4与相邻导电走线1之间的距离过小，比如小于5微米，则在工艺上比较难实现在相邻导电走线1之间制作导电图形4；如果导电图形4与相邻导电走线1之间的距离过大，比如大于20微米，则在导电图形4与导电走线1之间存在较大的空隙，导电图形4不能有效地导走空隙处的静电。
具体实施例中，位于黑矩阵图形2上的相邻两条导电走线1之间相互平行，导电图形4的延伸方向与相邻的导电走线1的延伸方向一致，这样导电图形4能够尽可能接近位于黑矩阵图形2上的导电走线1的长度，可以做的足够长，进而导电图形4能够有效地导走黑矩阵图形2上大部分区域的静电，提高触控基板的抗ESD能力。
进一步地，触控基板还包括：覆盖导电走线1和导电图形4的平坦层。该平坦层能够为后续工艺提供平整的表面。
实施例二
如图5所示，本实施例提供了一种触控屏，包括如上所述的触控基板，还包括覆盖触控基板的保护结构5。本实施例的触控屏可以应用于人机交互设备中。
进一步地，触控屏还包括位于触控基板之外的接地点，如图5所示，保护结构5设置有过孔，导电图形4通过过孔与触控基板之外的接地点电连接，这样导电图形4可以通过接地点实现接地。
进一步地，如图5所示，触控屏还包括：
贯穿过孔、连接导电图形和接地点的导电引线6，相邻导电走线1之间的静电经由导电图形4->导电引线6传递至接地点。
具体实施例中，保护结构为防爆膜。当然保护结构还可以为其他能够对触控基板上走线进行保护的结构，比如与触控基板对盒设置的封装基板等等。
实施例三
本实施例提供了一种触控基板的制作方法，触控基板包括触控区域和包围触控区域的走线区域，该制作方法包括在走线区域形成黑矩阵图形和在黑矩阵图形上形成导电走线，如图4所示，该制作方法还包括：
在相邻两条导电走线1之间形成接地的导电图形4。
在黑矩阵图形上，由于黑矩阵图形的电阻率下降，相邻两条距离较近的导电走线之间容易发生ESD现象，因此本实施例在黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置接地的导电图形，该导电图形能够将相邻两条导电走线之间的静电导走，从而避免在相邻两条导电走线之间发生ESD，进而提高触控基板的抗ESD能力。
由于距离较远的相邻两条导电走线1之间发生ESD的概率比较低，因此为了合理配置资源，本实施例优选在距离较近的相邻两条导电走线1之间形成导电图形4，相邻两条导电走线1之间的间距小于阈值。具体地，可以在间距为30-100微米的相邻两条导电走线1之间形成导电图形4。
导电图形4与相邻的导电走线1之间彼此绝缘，因此，导电图形4需要与相邻的导电走线1间距一定距离，优选地，导电图形4与相邻导电走线1之间的间距为5-20微米。如果导电图形4与相邻导电走线1之间的距离过小，比如小于5微米，则在工艺上比较难实现在相邻导电走线1之间制作导电图形4；如果导电图形4与相邻导电走线1之间的距离过大，比如大于20微米，则在导电图形4与导电走线1之间存在较大的空隙，导电图形4不能有效地导走空隙处的静电。
具体实施例中，位于黑矩阵图形2上的相邻两条导电走线1之间相互平行，导电图形4的延伸方向与相邻的导电走线1的延伸方向一致，这样导电图形4能够尽可能接近位于黑矩阵图形2上的导电走线1的长度，可以做的足够长，进而导电图形4能够有效地导走黑矩阵图形2上大部分区域的静电，提高触控基板的抗ESD能力。
本实施例的触控基板的制作方法具体包括以下工艺：
1、第一次构图工艺，提供一衬底基板，该衬底基板可以为玻璃基板或石英基板；
在衬底基板上形成黑色不透光材料层，对黑色不透光材料层进行构图，形成黑矩阵图形，黑矩阵图形覆盖触控基板的边缘区域；
2、第二次构图工艺，在经过步骤1的衬底基板上沉积第一透明导电层，具体地，第一透明导电层可以采用ITO或IZO，对第一透明导电层进行构图，形成用于连接触控电极的架桥；
3、第三次构图工艺，在经过步骤2的衬底基板上沉积绝缘材料层，具体地，绝缘材料层可以采用树脂、氮化硅或氧化硅；
对绝缘材料层进行构图，形成覆盖架桥的第一绝缘层的图形，通过第一绝缘层能够实现架桥与触控电极的绝缘；
4、第四次构图工艺，在经过步骤3的衬底基板上沉积第二透明导电层，具体地，第二透明导电层可以采用ITO或IZO；
对第二透明导电层进行构图，形成触控电极的图形，触控电极由两条相互平行的透明的导电走线形成，两条导电走线之间形成有沟槽，沟槽的宽度为30-100微米。
在触控基板的边缘区域，触控电极搭接在黑矩阵图形上，由于黑矩阵图形的电阻率下降，相邻两条距离较近的导电走线之间容易发生ESD现象。
5、第五次构图工艺，在经过步骤4的衬底基板上沉积金属层，对金属层进行构图，在黑矩阵图形上形成外围金属走线以及位于相邻导电走线之间的导电图形，本实施例中，导电图形与外围金属走线通过一次构图工艺同时形成，这样可以在不增加构图工艺的基础上实现本实施例的技术方案；
当然，导电图形与外围金属走线也可以通过不同的构图工艺形成。
6、第六次构图工艺，在经过步骤5的衬底基板上沉积树脂材料层，对树脂材料层进行构图，在衬底基板上形成至少覆盖触控基板的边缘区域的树脂保护层。
经过上述步骤1-6即可制作得到本实施例的触控基板。
之后在制作触控屏时，可以在经过上述步骤1-6的触控基板上贴附防爆膜，对防爆膜进行镂空形成过孔，之后形成通过过孔连接外界接地点与触控基板上导电图形的导电引线，这样相邻导电走线之间的静电经由导电图形->导电引线传递至接地点，从而能够将相邻两条导电走线之间的静电导走，避免在相邻两条导电走线之间发生ESD，进而提高触控基板的抗ESD能力。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种触控基板，包括触控区域和位于所述触控区域周边的走线区域，所述走线区域包括：覆盖走线区域的黑矩阵图形；位于所述黑矩阵图形上的导电走线，其特征在于，位于所述黑矩阵图形上的相邻两条导电走线之间设置有接地的导电图形。
2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述导电图形采用金属制成。
3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述相邻两条导电走线之间的间距小于阈值。
4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述阈值为30-100微米。
5.根据权利要求4所述的触控基板，其特征在于，导电图形与相邻导电走线之间的间距为5-20微米。
6.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述相邻两条导电走线之间相互平行，所述导电图形的延伸方向与相邻的导电走线的延伸方向一致。
7.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板还包括：
覆盖所述导电走线和所述导电图形的平坦层。
8.一种触控屏，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的触控基板，还包括覆盖所述触控基板的保护结构。
9.根据权利要求8所述的触控屏，其特征在于，所述触控屏还包括位于所述触控基板之外的接地点，所述保护结构设置有过孔，所述导电图形通过所述过孔与所述接地点电连接。
10.根据权利要求9所述的触控屏，其特征在于，所述触控屏还包括：
贯穿所述过孔、连接所述导电图形和所述接地点的导电引线。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的触控屏，其特征在于，所述保护结构为防爆膜。
12.一种触控基板的制作方法，所述触控基板包括触控区域和包围所述触控区域的走线区域，所述制作方法包括在所述走线区域形成黑矩阵图形和在所述黑矩阵图形上形成导电走线，其特征在于，所述制作方法还包括：
在相邻两条所述导电走线之间形成接地的导电图形。
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