CN104103647B - 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及制备方法、触控显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104103647B
CN104103647B CN201410323275.9A CN201410323275A CN104103647B CN 104103647 B CN104103647 B CN 104103647B CN 201410323275 A CN201410323275 A CN 201410323275A CN 104103647 B CN104103647 B CN 104103647B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
sub
insulating layer
transparent insulating
array base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410323275.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104103647A (zh
Inventor
郑丹
朱海波
路林林
段建民
金景鲜
宫洪友
翟雨雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410323275.9A priority Critical patent/CN104103647B/zh
Publication of CN104103647A publication Critical patent/CN104103647A/zh
Priority to EP14863072.6A priority patent/EP3168875B1/en
Priority to PCT/CN2014/091903 priority patent/WO2016004719A1/zh
Priority to US14/647,574 priority patent/US9652099B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104103647B publication Critical patent/CN104103647B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix

Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、触控显示装置，涉及触控显示技术领域，可解决现有技术中由于电荷不平衡而产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。该阵列基板的显示区域包括设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管、第一透明电极、第二透明电极；还包括与第二透明电极接触的透明绝缘层；透明绝缘层的材料为复合材料，在作用于透明绝缘层的电压大于预设电压时透明绝缘层为导体，小于预设电压时透明绝缘层为绝缘体；其中，第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、沿第二方向排成多排的第二子电极；不同排第一子电极之间相互绝缘，不同排第二子电极之间相互绝缘，且第一子电极和第二子电极相互绝缘；第一方向和第二方向相交。

Description

一种阵列基板及制备方法、触控显示装置
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、触控显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控屏(Touch Panel，简称TP)的诞生使人们的生活更加便捷。
触控屏包括外挂式触控屏(Add On Touch Panel)和内嵌式触控屏(In CellTouch Panel)。其中，外挂式触控屏的结构为将触控面板和显示面板贴合在一起，这种技术存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点，因而，随着科技的发展，内嵌式触控屏逐渐成为研发新宠。
目前，内嵌式触控屏的触控感测方式主要是互电容式，互电容内嵌式触控屏包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，其中，触控驱动电极和触控感应电极设置于阵列基板上。其触控原理为：在对触控驱动电极加载触控驱动信号时，检测触控感应电极通过互电容耦合出的感应电压信号，在此过程中，有人体接触该触控屏时，人体电场就会作用在互电容上，使互电容的电容值发生变化，从而改变触控感应电极通过互电容耦合出的感应电压信号，进而根据该感应电压信号的变化，确定触点位置。
然而，在内嵌式触控屏的制造过程或用户操纵设备过程中，会由于静电放电或其他原因使某段触控驱动电极或触控感应电极产生电荷累积，累积在某段触控驱动电极或触控感应电极上的电荷导致触控驱动电极或触控感应电极各部分之间电荷不平衡，产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及制备方法、触控显示装置，可解决现有技术中由于电荷不平衡而使显示装置产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，所述显示区域包括设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极；进一步所述显示区域还包括：与所述第二透明电极接触的透明绝缘层；所述透明绝缘层的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层为导体，在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层为绝缘体；
其中，所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极；不同排所述第一子电极之间相互绝缘，不同排所述第二子电极之间相互绝缘，且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘；所述第一方向和所述第二方向相交。
另一方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和周边区域，所述方法包括：在显示区域形成位于衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极；进一步所述方法还包括：形成与所述第二透明电极接触的透明绝缘层；所述透明绝缘层的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层为导体，在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层为绝缘体；
其中，所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极；不同排所述第一子电极之间相互绝缘，不同排所述第二子电极之间相互绝缘，且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘；所述第一方向和所述第二方向相交。
再一方面，提供一种触控显示装置，包括上述的阵列基板。
本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、触控显示装置，通过在显示时间段内，向第二透明电极的第一子电极和第二子电极同时加载公共电极信号，在触控时间段内，向第一子电极和第二子电极加载驱动信号和感应信号，来使该阵列基板具有显示和触控功能；在此基础上，由于在第二透明电极一侧设置有与所述第二透明电极接触的透明绝缘层，而所述透明绝缘层具有高祖性和导电性，即当一个相对较小例如几伏特的电压作用于所述透明绝缘层时，其呈现绝缘性，当一个相对较大例如几十伏特的电压作用于所述透明绝缘层时，其呈现导电性，因而，当在第二透明电极的某条第一子电极或第二子电极上累积了大量电荷时，大量电荷产生的电压作用于所述透明绝缘层时，会使所述透明绝缘层呈导电性，从而使整个第二透明电极导通，并将上述大量电荷散布到第二透明电极的其他部分，进而可以避免因电荷不平衡而产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的显示区域的俯视结构示意图；
图2为图1中AA’向剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种第二透明电极的结构示意图一；
图4为图3中AA’向剖视示意图；
图5为本发明实施例提供的一种第二透明电极的结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的透明绝缘层与接地的金属线连接的示意图；
图7为本发明实施例提供的一种透明绝缘层与接地的金属线连接的阵列基板的结构示意图。
附图标记：
01-显示区域；02-周边区域；10-衬底基板；11-薄膜晶体管；12-第一透明电极；13-第二透明电极；131-第一子电极；131a-第一子电极片段；132-第二子电极；14-栅线；15-数据线；16-透明绝缘层；17-第一金属线；18-第二金属线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，如图1和图2所示，所述显示区域01包括设置在衬底基板10上的多个薄膜晶体管11、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极12、第二透明电极13；进一步所述阵列基板还包括：与所述第二透明电极13接触的透明绝缘层16；所述透明绝缘层16的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层16的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为导体，在作用于所述复合材料的电压小于所述透明绝缘层16的情况下，所述透明绝缘层16为绝缘体。
其中，所述第二透明电极13包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极132；不同排所述第一子电极131之间相互绝缘，不同排所述第二子电极132之间相互绝缘，且所述第一子电极131和所述第二子电极132相互绝缘；所述第一方向和所述第二方向相交。
所述薄膜晶体管11包括栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括与所述栅极连接的栅线14以及与所述源极连接的数据线15。
需要说明的是，第一，本发明实施例中，所述阵列基板具有显示和触控功能。其中，在显示时间段内，向第二透明电极13的第一子电极131和第二子电极132同时加载公共电极信号，以与所述第一透明电极12配合驱动液晶实现显示功能，此时第一子电极131和第二子电极132均用作公共电极；在触控时间段内，向第一子电极131和第二子电极132加载驱动信号和感应信号，以实现触控功能，此时，第一透明电极12不工作，第一子电极131和第二子电极132互为触控驱动电极和触控感应电极。
第二，复合材料是由两种或两种以上不同性质的材料，通过物理或化学的方法，在宏观上组成具有新性能的材料。各种材料在性能上互相取长补短，产生协同效应，使复合材料的综合性能优于原组成材料而满足不同的要求。
本发明实施例中，所述复合材料为导电高阻复合材料，即：需要同时兼顾高阻性、透光性和导电性。其高阻性体现在，当一个相对较小例如几伏特的电压作用于由该复合材料构成的透明绝缘层16时，其呈现绝缘性；其导电性体现在，当一个相对较大例如几十伏特的电压作用于由该复合材料构成的透明绝缘层16时，其呈现导电性；其透光性体现在，该复合材料需满足一定的透光率。
第三，由于在作用于所述透明绝缘层16的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为导体，而该透明绝缘层16与所述第二透明电极13接触，因此，本领域技术人员应该知道，当位于所述透明绝缘层16下方或上方的图案层的材料为导电材料，且第二透明电极13不与该图案层电连接时，则需在该导电图案层和所述透明绝缘层16之间设置例如二氧化硅和/或氮化硅材料的完全绝缘层。
第四，以所述第一方向为水平方向为例，所述第二透明电极13包括沿第一方向排成多排的第一子电极131，即为，所述第二透明电极13包括排成多行的多个第一子电极131；以所述第二方向为垂直方向为例，所述第二透明电极13包括沿第二方向排成多排的第二子电极132，即为，所述第二透明电极13包括排成多列的多个第二子电极132。
在此基础上，若每行的第一子电极131均为一个整体，即该第一子电极131从阵列基板的一边延伸到与该边平行的另一边，每列的第二子电极132也均为一个整体，即该第二子电极132从阵列基板的一边延伸到与该边平行的另一边，其中该四个边构成阵列基板的显示区域，而第一子电极131和第二子电极132位于同层，那么势必导致第一子电极131和第二子电极132由于具有相交区域而电连接。因此，若要使第一子电极131和第二子电极132相互绝缘，则需将每行的第一子电极131和/或每列的第二子电极132设置为多个子电极片段，即：在行和列的相交处，至少使其中的一种子电极断开，而每行和/或每列的断开处需通过设置在其他层的连接线将该行或列的子电极片段连接起来。
第五，上述第四点仅以所述第一方向为水平方向、第二方向为垂直方向为例进行解释说明，但本发明实施例并不限于此，根据实际情况，只要保证所述第一方向和所述第二方向相交即可。
第六，不对所述第一透明电极12和第二透明电极13的相对于衬底基板10的位置关系进行限定，优选第二透明电极13位于衬底基板10和第一透明电极12之间。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括显示区域01和周边区域，所述显示区域01包括设置在衬底基板10上的多个薄膜晶体管11、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极12、第二透明电极13；进一步所述阵列基板还包括：与所述第二透明电极13接触的透明绝缘层16；所述透明绝缘层16的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层16的电压大于预设电压的情况下，所述复合材料为导体，在作用于所述透明绝缘层16的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为绝缘体。其中，所述第二透明电极13包括沿第一方向排成多排的第一子电极131、以及沿第二方向排成多排的第二子电极132；不同排所述第一子电极131之间相互绝缘，不同排所述第二子电极132之间相互绝缘，且所述第一子电极131和所述第二子电极132相互绝缘；所述第一方向和所述第二方向相交。
通过在显示时间段内，向第二透明电极13的第一子电极131和第二子电极132同时加载公共电极信号，在触控时间段内，向第一子电极131和第二子电极132加载驱动信号和感应信号，来使该阵列基板具有显示和触控功能；在此基础上，由于在第二透明电极13一侧设置有与所述第二透明电极13接触的透明绝缘层16，而所述透明绝缘层16具有高祖性和导电性，即当一个相对较小例如几伏特的电压作用于所述透明绝缘层16时，其呈现绝缘性，当一个相对较大例如几十伏特的电压作用于所述透明绝缘层16时，其呈现导电性，因而，当在第二透明电极13的某条第一子电极131或第二子电极132上累积了大量电荷时，大量电荷产生的电压作用于所述透明绝缘层16时，会使所述透明绝缘层16呈导电性，从而使整个第二透明电极13导通，并将上述大量电荷散布到第二透明电极13的其他部分，进而可以避免因电荷不平衡而产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。
优选的，如图3-图5所示，沿第一方向位于每排的所述第一子电极131包括多个相互绝缘的第一子电极片段131a；在此情况下，沿第二方向位于每排的第二子电极132可以为一个直接电连接的整体，即沿第二方向位于每排的第二子电极132从阵列基板的一边延伸到与该边平行的另一边，且沿第一方向位于每排的任意相邻两个所述第一子电极片段131a被沿第二方向的一排所述第二子电极132隔开。
在此基础上，所述阵列基板还包括用于连接每排的所述第一子电极片段131a的第二金属线18。
其中，图4为图3中对应一排的任意两个第一子电极片段131a和位于该两个第一子电极片段131a之间的第二子电极132区域的剖视示意图，其中绕过第二子电极132的第二金属线18与所述第二子电极132异面相交构成触控感应桥，形成互电容。这样，当人体接触触摸屏时，人体电场就会作用在互电容上，使互电容的容值发生变化，从而改变触控感应电极(这里触控感应电极即为第一子电极131或第二子电极132)耦合出的电压信号，从而根据该感应电压信号的变化，确定触点位置。
这里，当第二透明电极13位于衬底基板10和第一透明电极12之间时，一个第一子电极片段131a可以对应10-20个子像素。当然，根据不同的分辨率，也可以对应其他数量的子像素。
需要说明的是，第一，图4中仅简略的绘示出部分能体现上述触控感应桥的层级结构，对于其他没有体现。
第二，所述第一子电极131可以是触控感应电极，也可以是触控驱动电极，在此情况下，第二子电极132可以是触控驱动电极，也可以是触控感应电极。
这样，在形成所述第二透明电极13时，仅需使第一方向上的第一子电极131形成为多个互相绝缘的第一子电极片段131a即可，从而使得制备所述第二透明电极13的工艺相对简单。
进一步优选的，所述第一方向和第二方向垂直。
在此情况下，参考图3所示，在所述第一方向与栅线14同方向的情况下，优选所述第二金属线18与所述栅线14同层设置；参考图5所示，在所述第一方向与数据线15同方向的情况下，优选所述第二金属线18与所述数据线14同层设置。
这样，可以在不增加构图工艺的情况下，形成所述第二金属线18，节省成本。
基于上述，优选的，如图6和图7所示，所述透明绝缘层16延伸到所述周边区域02；位于所述周边区域02的所述透明绝缘层16与接地的第一金属线17接触。
这样，累积在第二透明电极13上的电荷还可以通过所述透明绝缘层16流向所述第一金属线17，进而接地。
这里，可以设计周边区域，使所述第一金属线17接地，在此不再赘述。此外，不对第一金属线17具体位于哪层进行限定。
优选的，所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
由于碳纳米管和石墨烯均具有良好的导电性能，因此通过调节所述碳纳米管或所述石墨烯的掺杂量，可以调节由该复合材料构成的透明绝缘层16的电阻率，从而可以控制在所述透明绝缘层16呈导体特性时作用于其上的电压值。
其中，本发明实施例优选所述透明绝缘层16的电阻率为大于103ohmm，小于106ohmm。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域01和周边区域02，参考图1和图2所示，该方法包括：在显示区域01形成位于衬底基板10上的多个薄膜晶体管11、与所述薄膜晶体管11的漏极电连接的第一透明电极12、第二透明电极13；进一步所述方法还包括：形成与所述第二透明电极13接触的透明绝缘层16；所述透明绝缘层16的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层16的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为导体，在作用于所述透明绝缘层16的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为绝缘体。
其中，所述第二透明电极13包括沿第一方向排成多排的第一子电极131、以及沿第二方向排成多排的第二子电极132；不同排所述第一子电极131之间相互绝缘，不同排所述第二子电极132之间相互绝缘，且所述第一子电极131和所述第二子电极132相互绝缘；所述第一方向和所述第二方向相交。
需要说明的是，不对所述第一透明电极12和第二透明电极13形成的先后顺序进行限定，优选先形成所述第二透明电极13，后形成所述第一透明电极12。
此外，由于在作用于所述透明绝缘层16的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层16为导体，而该透明绝缘层16与所述第二透明电极13接触，因此，本领域技术人员应该知道，当位于所述透明绝缘层16上方或下方的图案层例如源漏金属层的材料为导电材料，且第二透明电极13不与该图案层电连接时，则需在该导电图案层和所述透明绝缘层16之间形成例如二氧化硅和/或氮化硅材料的完全绝缘层。
本发明实施例通过在显示时间段内，向第二透明电极13的第一子电极131和第二子电极132同时加载公共电极信号，在触控时间段内，向第一子电极131和第二子电极132加载驱动信号和感应信号，来使该阵列基板具有显示和触控功能；在此基础上，由于在第二透明电极13一侧形成有与所述第二透明电极13接触的透明绝缘层16，而所述透明绝缘层16具有高祖性和导电性，即当一个相对较小例如几伏特的电压作用于所述透明绝缘层16时，其呈现绝缘性，当一个相对较大例如几十伏特的电压作用于所述透明绝缘层16时，其呈现导电性，因而，当在第二透明电极13的某条第一子电极131或第二子电极132上累积了大量电荷时，大量电荷产生的电压作用于所述透明绝缘层16时，会使所述透明绝缘层16呈导电性，从而使整个第二透明电极13导通，并将上述大量电荷散布到第二透明电极13的其他部分，进而可以避免因电荷不平衡而产生噪声、视觉伪像和触控不灵敏等问题。
优选的，参考图6和图7所示，在所述显示区域01和所述周边区域02均形成所述透明绝缘层16；在此情况下，所述方法还包括：在周边区域02形成与所述透明绝缘层16接触的第一金属线17；其中，所述第一金属线17接地。
这样，累积在第二透明电极13上的电荷还可以通过所述透明绝缘层16流向所述第一金属线17，进而接地。
这里，可以设计周边区域，使所述第一金属线17接地，在此不再赘述。此外，不对第一金属线17具体形成于哪层进行限定。
优选的，参考图3-图5所示，形成所述第二透明电极13具体可以是：沿第一方向形成多排第一子电极131，每排的所述第一子电极131包括多个相互绝缘的第一子电极片段131a；沿第二方向形成多排第二子电极132，每排的第二子电极132为一个直接电连接的整体；其中，沿第一方向位于每排的任意相邻两个所述第一子电极片段131a被沿第二方向的一排所述第二子电极132隔开。在此基础上，所述方法还包括形成用于连接每排的所述第一子电极片段131a的第二金属线18。
进一步优选的，所述第一方向和第二方向垂直。
在此情况下，参考图3所示，在所述第一方向与栅线14同方向的情况下，优选所述第二金属线18与所述栅线14通过同一次构图工艺形成；参考图5所示，在所述第一方向与数据线15同方向的情况下，优选所述第二金属线18与所述数据线14通过同一次构图工艺形成。
基于上述，优选的，所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
由于碳纳米管和石墨烯均具有良好的导电性能，因此通过调节所述碳纳米管或所述石墨烯的掺杂量，可以调节由该复合材料构成的透明绝缘层16的电阻率，从而可以控制在所述透明绝缘层16呈导体特性时作用于其上的电压值。
其中，本发明实施例优选所述透明绝缘层16的电阻率为大于103ohmm，小于106ohmm。
本发明实施例还提供一种触控显示装置，包括上述的阵列基板。
其中，在显示时间段内，通过向所述阵列基板的第二透明电极13的第一子电极131和第二子电极132同时加载公共电极信号，以与所述第一透明电极12配合驱动液晶实现显示功能；在触控时间段内，通过向第一子电极131和第二子电极132加载驱动信号和感应信号，以实现触控功能。
所述显示装置可以为液晶显示器、电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括显示区域和周边区域，所述显示区域包括设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极；其特征在于，还包括：与所述第二透明电极接触的透明绝缘层；
所述透明绝缘层的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层为导体，在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层为绝缘体；
其中，所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极；
不同排所述第一子电极之间相互绝缘，不同排所述第二子电极之间相互绝缘，且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘；
所述第一方向和所述第二方向相交；
所述透明绝缘层延伸到所述周边区域；
位于所述周边区域的所述透明绝缘层与接地的第一金属线接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
沿第一方向位于每排的所述第一子电极包括多个相互绝缘的第一子电极片段，沿第二方向位于每排的所述第二子电极为一个直接电连接的整体；其中，位于每排的任意相邻的两个所述第一子电极片段被一排所述第二子电极隔开；
所述阵列基板还包括用于连接每排的所述第一子电极片段的第二金属线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向和第二方向垂直。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向与栅线同方向的情况下，所述第二金属线与所述栅线同层设置；
在所述第一方向与数据线同方向的情况下，所述第二金属线与所述数据线同层设置。
6.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和周边区域，所述方法包括：在显示区域形成位于衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极；其特征在于，所述方法还包括：形成与所述第二透明电极接触的透明绝缘层；
所述透明绝缘层的材料为复合材料，在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下，所述透明绝缘层为导体，在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下，所述透明绝缘层为绝缘体；
其中，所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极；
不同排所述第一子电极之间相互绝缘，不同排所述第二子电极之间相互绝缘，且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘；
所述第一方向和所述第二方向相交；
形成所述透明绝缘层包括：在所述显示区域和所述周边区域均形成所述透明绝缘层；
所述方法还包括：在周边区域形成与所述透明绝缘层接触的第一金属线；其中，所述第一金属线接地。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
8.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
CN201410323275.9A 2014-07-08 2014-07-08 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置 Active CN104103647B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410323275.9A CN104103647B (zh) 2014-07-08 2014-07-08 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置
EP14863072.6A EP3168875B1 (en) 2014-07-08 2014-11-21 Array substrate and preparation method therefor, and touch display apparatus
PCT/CN2014/091903 WO2016004719A1 (zh) 2014-07-08 2014-11-21 阵列基板及制备方法、触控显示装置
US14/647,574 US9652099B2 (en) 2014-07-08 2014-11-21 Array substrate and manufacturing method thereof, touch display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410323275.9A CN104103647B (zh) 2014-07-08 2014-07-08 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104103647A CN104103647A (zh) 2014-10-15
CN104103647B true CN104103647B (zh) 2017-02-15

Family

ID=51671650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410323275.9A Active CN104103647B (zh) 2014-07-08 2014-07-08 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9652099B2 (zh)
EP (1) EP3168875B1 (zh)
CN (1) CN104103647B (zh)
WO (1) WO2016004719A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104103647B (zh) * 2014-07-08 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置
CN104199586B (zh) * 2014-09-16 2018-04-13 重庆京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、内嵌式触摸屏和触控显示装置
US20160225347A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Innolux Corporation Liquid crystal display panel
CN105260069B (zh) * 2015-09-23 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种自电容式触控显示面板及显示装置
CN105335032B (zh) * 2015-10-28 2019-04-02 武汉华星光电技术有限公司 一种内嵌式自电容触控基板、面板及制作方法
CN106935177B (zh) * 2015-12-31 2021-07-27 辛纳普蒂克斯公司 优化集成的显示和电容性感测设备中的像素稳定
US10635251B2 (en) * 2018-05-30 2020-04-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Touch panel and touch device
CN113760116A (zh) * 2020-06-05 2021-12-07 富泰华工业（深圳）有限公司 电容式压力感测装置、压力感应面板及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7859521B2 (en) * 2009-02-02 2010-12-28 Apple Inc. Integrated touch screen
CN203133452U (zh) * 2012-09-14 2013-08-14 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示装置
CN103293785A (zh) * 2012-12-24 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 Tn型液晶显示装置及其触控方法
CN103543567A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9195331B2 (en) * 2011-12-06 2015-11-24 Apple Inc. Common electrode connections in integrated touch screens
CN102709236A (zh) * 2011-12-15 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US20130153911A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof and display device
KR20130127781A (ko) * 2012-05-15 2013-11-25 삼성전기주식회사 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 재료
KR20140032043A (ko) * 2012-09-04 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US20150138100A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-21 Chih-Chung Lin Touch module with photoelectric conversion layer
CN103885636B (zh) * 2014-03-10 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示装置及其制作方法
US10775913B2 (en) * 2014-06-30 2020-09-15 Lg Display Co., Ltd. Touch sensor integrated display device and method of manufacturing the same
CN104103647B (zh) * 2014-07-08 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7859521B2 (en) * 2009-02-02 2010-12-28 Apple Inc. Integrated touch screen
CN203133452U (zh) * 2012-09-14 2013-08-14 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示装置
CN103293785A (zh) * 2012-12-24 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 Tn型液晶显示装置及其触控方法
CN103543567A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9652099B2 (en) 2017-05-16
US20160048239A1 (en) 2016-02-18
CN104103647A (zh) 2014-10-15
EP3168875B1 (en) 2020-03-11
WO2016004719A1 (zh) 2016-01-14
EP3168875A4 (en) 2018-04-18
EP3168875A1 (en) 2017-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104103647B (zh) 一种阵列基板及制备方法、触控显示装置
CN104699321B (zh) 触控显示基板和触控显示装置
CN104571715B (zh) 阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置
CN103699284B (zh) 一种电容式内嵌触摸屏及其制备方法、显示装置
CN104216564B (zh) 一种触摸屏、触摸显示面板及显示装置
CN104199586B (zh) 一种阵列基板、内嵌式触摸屏和触控显示装置
CN104699351B (zh) 阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
CN104808376B (zh) 阵列基板及显示装置
CN103885223B (zh) 一种触控显示面板、触控显示装置
CN104730782B (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104281327B (zh) 触摸屏及其制作方法和显示装置
CN103941496B (zh) 一种阵列基板、触控液晶显示面板及其制造方法
CN105117088B (zh) 一种触控显示面板及其制备方法、驱动方法
CN108227326A (zh) 阵列基板及其制造方法、触控显示面板
CN205375439U (zh) 一种内嵌式自容触控屏及显示装置
CN205353991U (zh) 一种有机发光触控显示面板及有机发光触控显示装置
CN206322134U (zh) 一种触控显示面板及触控显示设备
CN105717690A (zh) 内嵌触摸屏及其制备方法、液晶显示器
WO2014044049A1 (zh) 触控式液晶显示装置
TW201441732A (zh) 整合型觸控螢幕
CN104216598A (zh) 触摸基板及其制作方法、触摸显示装置
CN104570446B (zh) 一种触控显示面板及其控制方法
CN104866153A (zh) 自电容式内嵌触摸屏及其制备方法、液晶显示器
CN103092452A (zh) 电容触摸屏及其制作方法和触摸显示装置
CN104317115B (zh) 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant