CN106191798A - 立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法及基片夹具 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法及基片夹具，它属于真空镀膜技术领域，所述的基片夹具是一个下部设置有开口向下的下卡槽，上部设置有三个开口向上的上卡槽的线性夹具；利用所述的基片夹具，将需要进行镀膜的镀膜基板的非镀膜面背靠背迭齐，并将其下端一并卡入真空镀膜基片夹具的上卡槽中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；镀膜基板的上端卡入上基片架中；然后进行常规溅射。本发明利用结构简单的基片夹具和现有的立式连续磁控溅射真空镀膜线实现对非镀膜面的无绕镀镀膜，镀膜基片更换的简单、快速，节省大量的基片更换时间。

Description

立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法及基片夹具

技术领域

本发明涉及一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法及基片夹具，它属于电子器件和LED用陶瓷基板材料的真空镀膜技术领域。

背景技术

普通的立式连续磁控溅射镀膜生产线，在对尺寸较小的陶瓷片做单面金属溅射镀膜时，不可避免对存在非镀膜面(同一陶瓷片的另一面)的绕镀现象；因为陶瓷基板尺寸很多，针对不同尺寸制作各式各样的防扰镀基片架，所需费用相当巨大，且转产更换基片架又很耗时耗力，成本较高。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种操作简单，基片更换容易，无绕镀镀膜的立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法及基片夹具。

本发明的目的是这样实现的：

一种真空镀膜基片夹具，其特征在于它是一个下部设置有开口向下的下卡槽，上部设置有三个开口向上的上卡槽的线性夹具。

所述的下卡槽为矩形卡槽。

所述的线性夹具的三个上卡槽，其中一个是位于线性夹具上表面中间位置的中间上卡槽，另外两个上卡槽是位于线性夹具上 表面的两个侧边边缘部位的边上卡槽。

所述的线性夹具上部的截面为等腰三角形结构，所述的中间上卡槽位于等腰三角形的顶角位置，另外两个边上卡槽位于等腰三角形的底边角的位置。

所述的线性夹具上部的截面结构为矩形结构，所述的三个开口向上的上卡槽的均匀分布在所述的线性夹具上部的表面。

一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括如下的步骤：

a、选择立式磁控溅射平板镀膜线的双面真空镀膜设备，选择上基片架为带有两个卡槽的上基片架；

b、将清洗后的需要进行镀膜的两片镀膜基板的非镀膜面背靠背迭齐，其下端一并卡入真空镀膜基片夹具中两个边上卡槽中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；两片镀膜基板的上端卡入带有两个卡槽的上基片架中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆上的叠放的两片镀膜基板同时沉积镀膜；

e、两片叠放的镀膜基板在镀膜完成后同时从上基片架和基片架横杆之间卸下，分开检查后垫纸包装。

一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括 如下的步骤：

a、使用立式磁控溅射平板镀膜线的真空镀膜设备，选择上基片架为带有两个卡槽的上基片架；

b、将清洗后的单片镀膜基板的下端一并卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；单片镀膜基板的上端卡入带有两个卡槽的上基片架的其中一个卡槽中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆上的单片镀膜基片进行沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架和基片架横杆之间卸下已经完成镀膜的镀膜基片，并检查后垫纸包装。

一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括如下的步骤：

a、使用立式磁控溅射平板镀膜线的单面真空镀膜设备，选择上基片架为带有一个卡槽的上基片架；

b、将清洗后的单片镀膜基板和一个与单片镀膜基板大小相同的阻挡片叠加在一起，然后将其下端卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽中，并使得待镀膜面暴露在溅镀阴极面；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；将叠加在一起的单片镀膜基板和阻挡片的上端 卡入上基片架的卡槽中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室的溅射温度；

d、开启真空室的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆上的单片镀膜基片进行沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架和基片架横杆之间卸下已经完成镀膜的单面镀膜基片和阻挡片，并将单面镀膜基片和阻挡片分离，检查后将已经的单面镀膜基片垫纸包装。

本发明利用简单的基片夹具，实现了基片更换的简单化和快速化，并且在可以直接利用现有的立式连续磁控溅射真空镀膜线即可进行对陶瓷片非镀膜面的无绕镀镀膜，操作简单，节省基片更换时间，大大的提高了镀膜效率，同时也降低了镀膜成本。

附图说明：

图1为本发明的真空镀膜基片夹具结构示意图

图2为本发明的真空镀膜基片夹具截面结构示意图

图3为本发明的真空镀膜基片夹具的结构简图之一

图4为本发明的真空镀膜基片夹具使用状态下的结构简图之二

图5为本发明实施例2的真空镀膜基片夹具结构示意图

图6为本发明的单面镀膜的方法示意图

图7为本发明的双面镀膜的方法示意图

图8为本发明的针对单面真空镀膜设备的单面镀膜基片的安装方式图示

具体实施方式：

下面结合图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8对本发明进行进一步的说明：

实施例1，如图1、图2、图4和图6中所示：

在本实施例中，为了实现本发明的目的，本发明被设计成为一个下部设置有开口向下的下卡槽，上部设置有三个开口向上的上卡槽的线性夹具1，如图1中所示。

为了配合现有的立式磁控溅射ITO镀膜线玻璃基片的镀膜设备，将本发明牢固的安装在镀膜设备的基片架横杆5和上基片架51之间，所述的下卡槽为矩形卡槽2。利用螺丝和设置在矩形卡槽2上的螺丝孔10，将基片架横杆5固定在矩形卡槽2中。

为了满足单面镀膜和双面镀膜的基片的在线更换，所述的线性夹具的三个上卡槽，其中一个是位于线性夹具1上表面中间位置的中间上卡槽3，另外两个上卡槽是位于线性夹具1上表面的两个侧边边缘部位的边上卡槽4。

如图4中所示，当需要进行单面镀膜时，将两块单面镀膜的基片9分别插入两个侧边边缘部位的边上卡槽4中，并固定在基片架横杆52和上基片架53之间，这样两个单面镀膜的基片9相对应的一面就不会面对溅射靶，从而不会被镀膜，而两个单面镀膜的基片的对外的一面均面对着溅射靶，会被正常的镀膜。

在本实施例中，所述的线性夹具1上部的截面为等腰三角形结构，所述的中间上卡槽3位于等腰三角形的顶角位置，另 外两个边上卡槽4位于等腰三角形的底边角的位置。

本发明的具体防绕镀方法步骤如下，如图6中所示：

现有的立式磁控溅射ITO镀膜线玻璃基片的镀膜设备有两种，一种是双面镀膜设备，另一种是单面镀膜设备。本实施例中的防绕镀方法四针对双面镀膜设备的。

a、选择立式磁控溅射ITO镀膜线玻璃基片的镀膜设备，并且是可以实现双面，选择上基片架为带有两个卡槽54的上基片架51；

b、将清洗后的两片电子陶瓷片非镀膜面背靠背迭齐，其下端一并卡入真空镀膜基片夹具中两个边上卡槽4中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆5卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；两片电子陶瓷片的上端卡入带有两个卡槽54的上基片架51中；

c、调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆(5)上的叠放的两片电子陶瓷片同时沉积镀膜；

e、两片叠放的两片电子陶瓷片在镀膜完成后同时从上基片架51和基片架横杆5之间卸下，分开检查后垫纸包装。

实施例2，如图5中所示：

在本实施例中，所述的线性夹具1上部的截面结构为矩形结构，所述的三个开口向上的上卡槽的均匀分布在所述的线性夹具1上部的表面。通常在运行时，若加工单面镀膜的基片，就 将单面镀膜的基片插入靠外面的两个上卡槽6中；如果加工的是双面镀膜的基片，就把双面镀膜的基片插入中间的上卡槽7中。

本实施例的其他部分与实施例1完全相同。

实施例3，如图3和图7中所示：

如图3中当需要安装更换双面镀膜的基片8时，直接将该双面镀膜的基片8先插入线性夹具1的中间上卡槽3中，并固定在基片架横杆5和上基片架51之间，这样双面镀膜的基片的两个被加工面都暴露在溅射靶下，随着基片架横杆5的移动，双面镀膜的基片8将移动至溅射室，从而完成镀膜工序。

具体防绕镀方法步骤如下：

a、选择立式磁控溅射ITO镀膜线玻璃基片的双面镀膜设备，与实施例1中相同，选择上基片架为带有两个卡槽54的上基片架51；

b、将清洗后的单片电子陶瓷片的下端一并卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽3中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆5卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；单片电子陶瓷片的上端卡入带有两个卡槽54的上基片架51的其中一个卡槽中；

c、调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆5上的单片电子陶瓷片同时沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架51和基片架横杆5之间卸下，并检查后垫纸包装。

实施例4，如图8所示：

本实施例主要是针对现有的立式磁控溅射ITO镀膜线玻璃基片的单面镀膜设备的防绕镀方法，它包括如下的步骤：

a、使用立式磁控溅射平板镀膜线的单面真空镀膜设备，选择上基片架为带有一个卡槽的上基片架；

b、将清洗后的单片镀膜基板81和一个与单片镀膜基板大小相同的阻挡片82叠加在一起，然后将其下端卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽中，并使得待镀膜面暴露在溅镀阴极面；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；将叠加在一起的单片镀膜基板和阻挡片的上端卡入上基片架的卡槽中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室的溅射温度；

d、开启真空室的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆上的单片镀膜基片进行沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架和基片架横杆之间卸下已经完成镀膜的单面镀膜基片和阻挡片，并将单面镀膜基片81和阻挡片82分离，检查后将已经的单面镀膜基片垫纸包装。

本实施例中的上基片架51和基片架横杆5与实施例1中的相同，属于现有技术。

本实施例中所使用的真空镀膜基片夹具与实施例1中相同。

Claims (8)

1.一种真空镀膜基片夹具，其特征在于它是一个下部设置有开口向下的下卡槽，上部设置有三个开口向上的上卡槽的线性夹具。

2.如权利要求1中所述的真空镀膜基片夹具，其特征在于所述的下卡槽为矩形卡槽(2)。

3.如权利要求1中所述的真空镀膜基片夹具，其特征在于所述的线性夹具的三个上卡槽，其中一个是位于线性夹具(1)上表面中间位置的中间上卡槽(3)，另外两个上卡槽是位于线性夹具(1)上表面的两个侧边边缘部位的边上卡槽(4)。

4.如权利要求3中所述的真空镀膜基片夹具，其特征在于所述的线性夹具(1)上部的截面为等腰三角形结构，所述的中间上卡槽(3)位于等腰三角形的顶角位置，另外两个边上卡槽(4)位于等腰三角形的底边角的位置。

5.如权利要求1中所述的真空镀膜基片夹具，其特征在于所述的线性夹具(1)上部的截面结构为矩形结构，所述的三个开口向上的上卡槽的均匀分布在所述的线性夹具(1)上部的表面。

6.一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括如下的步骤：

a、选择立式磁控溅射平板镀膜线的双面真空镀膜设备，选择上基片架为带有两个卡槽(54)的上基片架(51)；

b、将清洗后的需要进行镀膜的两片镀膜基板的非镀膜面背靠背迭齐，其下端一并卡入真空镀膜基片夹具中两个边上卡槽(4)中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆(5)卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；两片镀膜基板的上端卡入带有两个卡槽(54)的上基片架(51)中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆(5)上的叠放的两片镀膜基板同时沉积镀膜；e、两片叠放的镀膜基板在镀膜完成后同时从上基片架(51)和基片架横杆(5)之间卸下，分开检查后垫纸包装。

7.一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括如下的步骤：

a、使用立式磁控溅射平板镀膜线的双面真空镀膜设备，选择上基片架为带有两个卡槽(54)的上基片架(51)；

b、将清洗后的单片镀膜基板的下端一并卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽(3)中；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆(5)卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；单片镀膜基板的上端卡入带有两个卡槽(54)的上基片架(51)的其中一个卡槽中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室两面温度至同一溅射温度；

d、同时开启真空室两对面的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆(5)上的单片镀膜基片进行沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架(51)和基片架横杆(5)之间卸下已经完成镀膜的镀膜基片，并检查后垫纸包装。

8.一种立式磁控溅射真空镀膜防绕镀方法，其特征在于它包括如下的步骤：

a、使用立式磁控溅射平板镀膜线的单面真空镀膜设备，选择上基片架为带有一个卡槽的上基片架；

b、将清洗后的单片镀膜基板和一个与单片镀膜基板大小相同的阻挡片叠加在一起，然后将其下端卡入真空镀膜基片夹具的中间上卡槽中，并使得待镀膜面暴露在溅镀阴极面；然后再将位于镀膜设备下端的基片架横杆卡入真空镀膜基片夹具的下卡槽中，用螺丝固定；将叠加在一起的单片镀膜基板和阻挡片的上端卡入上基片架的卡槽中；

c、依据镀膜基板的性质和镀膜的要求调整真空室的溅射温度；

d、开启真空室的磁控溅射阴极，对固定在基片架横杆上的单片镀膜基片进行沉积镀膜；

e、在镀膜完成后，从上基片架和基片架横杆之间卸下已经完成镀膜的单面镀膜基片和阻挡片，并将单面镀膜基片和阻挡片分离，检查后将已经的单面镀膜基片垫纸包装。