KR20110042017A

KR20110042017A - 측면에 수직형 타켓 및 경사형 타켓을 구비한 스퍼터링 시스템

Info

Publication number: KR20110042017A
Application number: KR1020100100837A
Authority: KR
Inventors: 차오-시 쳉; 웨이-옌 후
Original assignee: 순텍 프리시젼 코포레이션
Priority date: 2009-10-16
Filing date: 2010-10-15
Publication date: 2011-04-22
Also published as: US20110089031A1; TWI338721B; JP2011089202A; TW201114929A; DE102010048270A1

Abstract

스퍼터링 시스템의 목적은 노트북 케이스의 오목부, 필러 및 단차부와 같이 비평탄면을 가지는 가공물을 스퍼터링하는데 있다. 스퍼터링 시스템은 캐리어, 제1 스퍼터링 증착원 및 제2 스퍼터링 증착원을 포함한 스퍼터링 챔버를 포함한다. 제1 스퍼터링 증착원은 가공물의 평탄부를 스퍼터링하기 위해 주로 캐리어 위에 위치된다. 제2 스퍼터링 증착원은 가공물의 수직부를 스퍼터링하기 위해 소정의 각도를 이루며 기울어져 있다.

Description

측면에 수직형 타켓 및 경사형 타켓을 구비한 스퍼터링 시스템{SPUTTERING SYSTEM WITH NORMAL TARGET AND SLANT TARGETS ON THE SIDE}

본 발명은 스퍼터링 공정으로 3차원 표면을 갖는 가공물 상에 막을 형성하기 위해 수직형 타켓 및 경사형 타켓을 구비한 스퍼터링 시스템에 관한 것이다.

오늘날, 노트북, 휴대폰, MP3s와 같은 전자 제품이 대단히 인기를 얻고 있다. 고객이 많은 종류의 저렴한 제품 중 하나를 선택할 때, 제품의 중량, 외관, 심지어는 감촉 및 질감은 기능성과 더불어 고려해야할 중요한 요소이다.

공업용 플라스틱이 사출 성형 공정에 의해 용이하게 형성될 수 있으며, 전자 제품의 케이스가 일반적으로 공업용 플라스틱으로 제조된다. 그러나, 공업용 플라스틱의 질감 및 감촉은 고객의 수요를 충족시킬 정도는 못된다. 또, 이러한 재료는 케이스 내에 포함된 전자 부재에, 우주에서 방출되어 전자 제품의 정상 기능을 종종 방해하는 전자파(EM waves)의 관통을 허용할 수 있다. 전자파간섭(eletromagnetic interference; EMI)를 차단하고, 더 나은 외관을 제공하기 위해 별도의 보호용 코팅이 된 제품이 요구된다.

금속층이 전자파간섭의 차단능을 가지며, 금속 광택을 갖는 플라스틱 케이스를 형성하는 것으로 알려져 있다. 따라서, 금속층으로 코팅된 플라스틱 케이스가 인기가 있으며, 일반적으로 사용되고 있다. 종래에는, 플라스틱 상에 증착되는 단일 금속층이 일반적으로 분무 또는 전기도금에 의해 이행되어 왔다. 그러나, 스퍼터링 기술의 급속한 발전으로 인해, 최근 몇 년 동안 금속층은 스퍼터링 공정에 의해 바람직하게 증착되고 있다. 스퍼터링 시스템에 의한 금속층 증착 방법은 저진공 분위기에서 기체 방전을 형성함으로써 플라즈마를 발생시키는 단계와, 플라즈마의 양이온을 스퍼터링 전극이라 부르는 음극의 타켓에 충돌시키는 단계를 포함하여, 충돌에 의해 스퍼터링된 입자는 기판 상에 증착되어 막을 형성한다. 스퍼터링 공정 동안 가공물이 작업대 상에 연결되거나 위치되는지에 따라, 스퍼터링 시스템은 수직형 및 수평형 스퍼터링 시스템으로 분류된다. 그러나, 유형에 상관없이, "섀도 효과(shadow effect)"는 가공물의 일부 리세스(recesses), 필러(pillars) 및 단차부에 대해 흔히 발견된다. 막은 균일하지 않다.

예를 들면, 스퍼터링 공정 후, 가공물의 바닥의 두께가 일반적으로 측벽, 실제로는 수직 측벽의 바닥의 2배이상이 될 수 있다. 불균일성은 보스 볼트(boss bolt), 리세스 또는 단차부와 같은 부분에서 발견된다. 이러한 불균일성은, 특히 보스 볼트를 많이 포함하고 있는 가공물에 대해, 전자파간섭을 차단하기 위한 충분한 막 두께를 가지지 않도록 하는 일부 부분을 초래할 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 스퍼터링 공정 동안 상술한 문제를 해결하는데 있다.

본 발명은 스퍼터링 시스템을 제공하여 3차원 가공물 상에 막을 증착시킬 필요성을 충족시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스퍼터링 시스템이 제공된다. 스퍼터링 시스템은 제1 평탄 표면 및 제1 평탄 표면에 실질적으로 직각을 이루는 제2 표면을 가지는 가공물을 지지하기 위한 캐리어를 포함한 진공 챔버를 포함하고, 제1 스퍼터링 증착원이 플라즈마에 의해 스퍼터링되어, 주로 제1 평탄 표면 상에 막을 증착시킬 수 있다.

제2 스퍼터링 증착원이 제1 스퍼터링 증착원을 둘러싸는 둥근 코너 직사각형 루프를 형성하기 위해 조립되는 다수의 제2 타켓으로 구성된다. 제2 표면의 높이보다 더 높은 소정의 높이의 제2 스퍼터링 증착원은 소정의 각도를 이루며 안쪽으로 기울어져 배치되어, 제2 스퍼터링 증착원은 코팅막 균일성을 향상시키기 위해 제2 표면의 수직형 타켓의 역할을 할 수 있다.

또, 상부 자석 세트 및 하부 자석 세트가 각각 루프의 모양을 가지는 제2 타켓의 상부 측벽 및 하부 측벽 상에 배치되어, 단 하나 형성되며 제2 타켓 주위에 둘러싸여 있는 자로를 발생시킨다.

스퍼터링 시스템은 2개의 제1 자석을 더 포함하는데, 이 중 하나는 제1 스퍼터링 증착원의 내부 측벽을 둘러싸고, 나머지 다른 하나는 외부 측벽을 둘러싼다.

제2 스퍼터링 증착원은 타켓 시트 상에 각각 배치되는 4개의 직사각형 타켓으로 구성되지만, 제1 스퍼터링 증착원에 둘러싸인 4개의 직사각형 타켓은 중간에 소정의 간격이 형성되어 있다. 2개의 절연 시트가 반응성 스퍼터링을 위해 상기 간격의 대각선 위치에 배치된다.

모양이 폐쇄형 루프인 제2 스퍼터링 증착원은 에지로서 4개의 직사각형 타켓과 4개의 코너로서 이들 사이에 연결된 4개의 둥근 코너 타켓으로 구성된다.

스퍼터링 시스템은 소정의 패턴을 갖는 마스크(mask)을 더 포함하여, 이에 대응하는 패턴의 막을 가공물 상에 증착시킬 수 있다.

스퍼터링 시스템은 스퍼터링 공정 동안 가공물을 회전시킬 수 있는 회전 장치를 더 포함하여, 합금막을 증착시키기 위해, 다양한 종류의 재료가 잘 혼합될 수 있다.

본 발명의 기타 다른 특징, 장점 및 이점은 첨부된 도면을 참조로 하여 이하의 설명에서 명확해질 것이다. 상술한 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명은 예시 및 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명을 제한해서는 안될 것이다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예의 스퍼터링 시스템의 평면도를 나타낸다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예의 스퍼터링 시스템의 도 1a의 선 A-A'를 따라 절단된 단면도를 나타낸다.
도 2는 비평탄면을 갖는 가공물을 나타낸다.
도 3a는 본 발명의 또 다른 실시예의 스퍼터링 시스템의 평면도를 나타낸다.
도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예의 스퍼터링 시스템의 도 3a의 선 A-A'를 따라 절단된 단면도를 나타낸다.
도 3c는 본 발명의 또 다른 실시예의 제1 스퍼터링 증착원 및 제2 스퍼터링 증착원의 개략적인 사시도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예의 다중 챔버 스퍼터링 시스템(multi-chamber sputtering system)의 개략적인 평면도를 나타낸다.

본 발명의 다른 특징 및 장점은 첨부 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예의 다음의 상세한 설명에서 더욱 명백해질 것이다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명될 것이고, 첨부 도면에서는 상기 실시예의 예시를 나타내고 있다.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 시스템(sputtering system)의 평면도 및 도 1a의 선 A-A'에 따라 절단된 단면도를 각각 나타내고 있다. 스퍼터링 시스템(1)은 비평탄면, 특히 수직 표면을 갖는 3차원 가공물 상에 금속막을 증착시킬 수 있다.

스퍼터링 시스템(1)은 적어도 가공물 캐리어(102), 제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)을 포함한 진공 챔버(vacuum chamber)(10)를 포함한다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 가공물 캐리어(102)는 선택가능하므로, 캐리어 벨트가 가공물을 운반하기 위한 대체물로서 사용될 수 있다. 체결 부재(도시되지 않음)가 가공물(2)을 고정하기 위해 사용될 수 있다. "섀도 효과(shadow effect)"를 방지하기 위해, 일반적으로 1회당 1개의 가공물이 바람직하다. 가공물의 일 예는 크기가 약 11인치 내지 약 15인치인 노트북 컴퓨터의 케이스이다. 물론, 휴대폰 또는 MP3와 같이 소형의 가공물에 대해, 서로 이격되어 있기만 하다면 2개 이상의 가공물이 바람직하다.

도 1a 및 도 1b을 참조하면, 본 발명의 스퍼터링 시스템(1)이 비평탄면을 갖는 가공물, 특히 평탄 표면 및 리세스(recess)의 측벽이나 보스 볼트(boss bolt)의 외측 표면과 같은 수직 표면을 갖는 3차원 가공물에 막을 균일하게 증착시킬 수 있는 제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)을 포함한다.

가공물 캐리어(102)의 맨 위에서 대략 평행하게 위치되는 제1 스퍼터링 증착원(104)은 다른 부분들, 즉 단차부의 수직면이나 보스 볼트의 표면보다는 주로 가공물(2)의 평탄부 상에 막을 형성하기 위해 플라즈마에 의해 스퍼터링된다.

도 1b를 참조하면, 제1 스퍼터링 증착원(104) 주위를 둘러싼 제2 스퍼터링 증착원(106)은 평행하게 배치되기 보다는 안쪽으로 기울어져 배치되어 있다. 제2 스퍼터링 증착원(106)은 볼트 및 너트에 의해 고정되고, 제2 타켓 시트(second target seat)(109) 상에 배치되어, 수평선에 대해 소정의 각도(θ)로 기울어진다. 상기 각도(θ)는 조절될 수 있으며, 가공물의 크기 및 제2 스퍼터링 증착원(106)과 가공물 사이의 최단 거리에 따라 결정된다. 예를 들면, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 약 11인치의 폭을 갖는 노트북 컴퓨터의 케이스에 대해, 상기 각도(θ)는 약 15°내지 약 55°이다. 또, 가공물 캐리어(102)는 가공물(2)의 바닥의 위치가 제2 스퍼터링 증착원(106)의 바닥의 위치와 거의 같아질 때까지 승강되어, 제2 스퍼터링 증착원(106)이 가공물(2)의 코팅막 균일성을 향상시키기 위해 수직 표면의 수직형 타켓의 역할을 할 수 있다. 물론, 제2 스퍼터링 증착원(106)의 높이는 가공물의 수직 표면의 높이보다 더 높다.

제1 스퍼터링 증착원(104)은 제1 타켓 시트(108) 상에 배치되는 타켓으로서 금속 재료를 포함한다. 마찬가지로, 제2 스퍼터링 증착원(106)은 제2 타켓 시트(109) 상에 배치되는 타켓으로서 금속 재료를 포함한다. 도시된 바와 같이, 제1 스퍼터링 증착원(104)과 제2 스퍼터링 증착원(106)은 중공된 직사각형 모양이고, 또 제1 스퍼터링 증착원(104)은 제2 스퍼터링 증착원(106)의 중간 영역에 배치된다. 제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)의 모양은 또한 도넛 또는 콤팩트 디스크와 같은 기타 다른 형태로 대체될 수 있다.

제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)은 제1 전원 공급 장치(11) 및 제2 전원 공급 장치(13)에 독립적으로 접속되어 전력이 공급되므로, 막의 특성을 최적화하기 위해, 가공물(2)의 크기와 개수에 따라 분리되도록 조절될 수 있다.

스퍼터링 챔버(sputtering chamber)(10)에서의 플라즈마 분포는 일반적으로 불균일하고, 상대 위치에 따라 결정된다. 그 결과, 가공물의 표면 상에 증착된 막은 일반적으로 불균일하다. 가공물 캐리어(102)의 바로 밑에 설치된 회전 장치(1021)가 더욱 균일한 막을 얻도록 촉진할 수 있다.

스퍼터링 수율(sputtering yield) 및 스퍼터링율(sputtering rate)을 향상시키기 위해, 제1 자석 및 제2 자석이 각각 제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106) 부근에 또는 주위를 둘러싸면서 위치되어 이들 스퍼터링 증착원으로부터 방출되는 2차 전자를 포획할 수 있다. 2개의 제1 자석(105) 중 하나는 제1 스퍼터링 증착원(104)의 내부 측벽을 둘러싸고, 나머지 하나는 제1 스퍼터링 증착원(104)의 외부 측벽을 둘러싸고 있다. 마찬가지로, 2개의 제2 자석(107) 중 하나는 제2 스퍼터링 증착원(106)의 상부 측벽을 둘러싸고, 나머지 하나는 제2 스퍼터링 증착원(106)의 하부 측벽을 둘러싸고 있다. 제1 자석(105) 및 제2 자석(107)의 극성은 제1a 및 도 1b에 도시되어 있다. 이 결과, 전자와 기체 분자 간의 충돌 기회는 증가하는데, 이는 즉, 타켓과 충돌하기 위해 더 많은 이온이 발생될 것임을 의미한다.

또한, 진공 챔버(10) 내부의 소정의 패턴을 갖는 마스크(mask)(103)가 대응하는 형상의 막을 가공물(2) 상에 증착시킬 수 있다. 형상이 가공물(2)의 표면 프로파일과 부합하도록 이루어진 마스크(103)는 스퍼터링 공정 동안 가공물(2) 상에 밀착되어, 마스크 패턴의 에지 부근에 있지만 마스크 아래에 있는 영역이 코팅되는 것을 방지한다.

제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)의 타켓 재료는 조건에 따라 동일하거나 상이할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 타켓 재료는 전자파간섭 차단막(EMI film)을 증착시키기 위해 구리, Al-Mg 합금, 스테인레스강 및 규소로 구성된 군으로부터 선택된다.

노트북 또는 휴대폰의 케이스는 마더보드, 하드 디스크 드라이브, 광학 드라이브, 방열 모듈(heat dissipation module)과 같은 요소를 수납하기 위해 일반적으로 큰 부피를 갖는 것이 아니라 오히려 유선형으로 되어 있기 때문에, 이들 케이스의 내측 표면에는 다수의 리세스, 보스 볼트 및 홈(grooves)이 형성되는 것이 일반적이다. 따라서, 막이 증착될 수 있는 가공물의 표면 프로파일은 평탄 표면 및 측벽과 같은 수직 표면을 포함한다. 도 2는 리세스(20), 홈(21), 경사면(22), 단차부(23) 및 볼트(24)를 포함한 가공물의 일 예를 나타내고 있다. 따라서, 본 발명에 따른 제2 스퍼터링 증착원(106)은 주로 모든 면으로부터 가공물의 측벽의 임의의 형상을 처리할 수 있다.

다음으로, 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 평면도 및 도 3a의 선 A-A'를 따라 절단된 단면도를 각각 나타내고 있다. 하나의 스퍼터링 증착원에 대한 단일의 타켓 대신에, 제1 스퍼터링 증착원(104)은 2개의 제1 타켓(1041, 1042)을 포함한다. 각각의 제1 타켓은 한 쌍의 제1 자석(105)을 구비하는데, 이 한 쌍의 제1 자석 중 하나는 내부 측벽을 둘러싸고, 나머지 다른 하나는 외부 측벽을 둘러싸고 있다.

마찬가지로, 제2 스퍼터링 증착원(106)은 4개의 직사각형 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)으로 구성되는데, 이들 각각은 제2 타켓 시트(109) 상에 장착된다. 상기 4개의 직사각형 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)은 폐쇄형 루프를 형성하지 않고, 중간에 소정의 간격(d₀)이 형성되어 있으며, 가장 가까운 제2 타켓 사이의 간격(d₀)은 제2 자석(107)에 의해 형성된 자기장에 따라 약 0.1㎜ 내지 약 15㎜, 더 바람직하게는 약 0.5㎜ 내지 약 3㎜일 수 있다.

산소 화합물 또는 질소 화합물을 형성하기 위해 타켓으로서의 금속 및 산소 또는 질소와 같은 반응성 기체를 사용하는 스퍼터링 시스템은 또한 반응성 스퍼터링 막을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 반응성 스퍼터링을 위해, 양전압과 음전압이 각각 교대로 인가되는 타켓(1061, 1064) 세트 및 다른 타켓(1062, 1063) 세트는 간격의 대각선 위치에 2개의 절연 시트(110)를 배치함으로써 서로 분리된다.

개략적으로 배열된 4개의 제2 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)은 제1 타켓(1041, 1042)을 둘러싸고 있다. 각각의 제2 타켓 시트(109)의 수직면은 수직선에 대해 각도(θ)로 기울어져 있다.

대안적으로, 도 3c에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따르면, 제2 스퍼터링 증착원(106)은 8개의 타켓(1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068)으로 구성된다. 에지로서 4개의 직사각형 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)과 4개의 코너로서 이들 사이에 연결된 4개의 둥근 코너 타켓(1065, 1066, 1067, 1068)은 폐쇄 루프형 제2 스퍼터링 증착원(106)을 형성한다. 특히, 직사각형 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)의 길이 및 둥근 코너 타켓의 반경은 가공물(2), 특히 가공물의 코너의 막 균일성을 향상시키기 위해 가공물의 외형에 맞출 수 있다.

상부 및 하부 자석 세트가 타켓(1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068)의 상부 측벽 및 하부 측벽 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 자석 세트는 나란히 배치되고 폐쇄형 루프의 모양을 형성하는 다수의 작은 자석들로 구성되어, 자로(magnetic path)(111)가 단 하나 형성되면서 상기 모든 타켓(1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068)의 주위에 둘러싸여 있다. 또한, 강자성 재료(107a)가 상기 모든 타켓의 측벽 상에 배치되어, 자석 세트에 의해 발생되는 자속(112)이 도 3b에 도시된 바와 같이 타켓의 수직면에 가로질러 안내된다.

2개의 제1 타켓(1041, 1042)은 제1 전원 공급 장치(11)와 접속되어, 동일한 전력이 공급된다. 마찬가지로, 4개의 제2 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)은 제2 전원 공급 장치(13)와 접속된다.

가공물 상에 복합막 또는 합금막을 증착시키기 위해, 스퍼터링 증착원이 여러 타켓 재료를 사용할 수 있다. 또한, 여러 종류의 재료가 잘 혼합되도록, 회전 장치(1021)가 스퍼터링 공정 동안 가공물(2)을 회전시킬 수 있다. 전자파간섭 차단막을 증착시키기 위해, 상기 타켓 재료는 구리, Al-Mg 합금, 스테인레스강 및 규소로 구성된 군으로부터 선택된다.

물론, 타켓(1041, 1042) 또는 타켓(1061, 1062, 1063, 1064)은 각 타켓에 대한 전력이 독립적으로 조절될 수 있도록, 예를 들면 타켓을 개별적으로 또는 한꺼번에 여러 개의 전원 공급 장치에 연결될 수 있다. 또 다른 이점으로는, 합금 복합물이 용이하게 제어될 수 있다는 점이다.

기울어진 제2 스퍼터링 증착원(106)이 제1 스퍼터링 증착원(104)을 보조하기 때문에, 3차원 스퍼터링의 수행이 더 용이해진다. 실험 결과를 통해, 리세스, 홈, 경사면, 단차부 및 볼트 상에 형성된 막의 균일성이 실질적으로 향상됨을 알 수 있었다. 종횡비가 5 이상의 리세스 또는 홈을 제외하고는, 섀도 효과가 급격히 감소될 수 있다.

또한, 제1 스퍼터링 증착원(104) 및 제2 스퍼터링 증착원(106)은 다수의 타켓으로 구성되기 때문에, 복합막 또는 합금막 구성이 용이하게 형성될 수 있도록 더 많은 자유도와, 상기 타켓이 독립적으로 증착 및 변경될 수 있기 때문에 타켓 변경의 편리성을 제공할 수 있다.

도 4에 도시되는 바와 같이, 적층막을 원위치에 증착시키기 위해, 진공 챔버(10)가 3개의 반응실(reactive rooms)(110, 120, 130)을 포함하고, 이들 반응실 각각은 상기한 바와 같이 제1 스퍼터링 증착원(104)과 제2 스퍼터링 증착원(106)을 포함한다. 회전반 장치(140)가 가공물을 하나의 반응실에서 또 다른 반응실로 옮기기 위해 설치된다.

본 발명의 바람직한 실시예가 도시 및 설명되었지만, 본 발명의 범위 및 취지를 벗어나지 않는다면 상기 실시예에서 다양한 변경 및 개조가 이루어질 수 있을 것이다.

Claims

3차원 가공물 상에 막을 형성하기 위한 스퍼터링 시스템(sputtering system)에 있어서,
제2 평탄 표면 및 상기 제1 평탄 표면에 실질적으로 직각을 이루는 제2 표면을 갖는 코팅하고자 하는 가공물(workpiece)을 지지하기 위한 캐리어(carrier)를 포함하는 진공 챔버(vacuum chamber);
주로 상기 제1 평탄 표면 상에 상기 막을 증착시키기 위해, 플라즈마에 의해 스퍼터링되는 제1 스퍼터링 증착원(first sputtering source);
상기 제1 스퍼터링 증착원을 둘러싼 둥근 코너 직사각형 루프(round corner rectangular loop)를 형성하기 위해 조립되는 다수의 제2 타켓으로 구성되는 제2 스퍼터링 증착원
을 포함하고,
상기 제2 스퍼터링 증착원은 수평선에 대해 소정의 각도를 이루며 안쪽으로 기울어져 배치되고, 상기 제2 표면의 높이보다 더 높은 소정의 높이를 가지며,
상부 자석 세트 및 하부 자석 세트가 루프의 모양을 가지는 상기 제2 타켓의 상부 측벽 및 하부 측벽 상에 각각 배치되어, 단 하나 형성되며 상기 제2 타켓 주위에 둘러싸여 있는 자로(magnetic path)를 발생시키는,
스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제1 스퍼터링 증착원 및 상기 제2 스퍼터링 증착원은 중공된 직사각형 모양이고,
상기 제1 스퍼터링 증착원의 내부 측벽 및 외부 측벽을 둘러싼 2개의 제1 자석을 더 포함한, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제1 스퍼터링 증착원은 중공된 직사각형 모양을 각각 갖는 다수의 제1 타켓을 포함하고,
상기 제1 타켓의 내부 측벽 및 외부 측벽을 각각 둘러싼 다수의 상기 제1 자석의 쌍을 더 포함한, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제2 스퍼터링 증착원은 상기 제1 스퍼터링 증착원을 둘러싸지만 중간에 소정의 간격이 형성되어 있는 4개의 직사각형 타켓으로 구성되며, 2개의 절연 시트가 반응성 스퍼터링을 위해 상기 간격의 대각선 위치에 배치되는, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제2 스퍼터링 증착원은, 상기 제2 스퍼터링 증착원을 폐쇄형 루프로 형성하기 위해, 에지로서 4개의 직사각형 타켓 및 4개의 코너로서 상기 직사각형 타켓 사이에 연결되는 4개의 둥근 코너 타켓으로 구성된, 스퍼터링 시스템.
제5항에 있어서,
스퍼터링 공정 동안 가공물을 회전시킬 수 있는 회전 장치를 더 포함하여, 복합막 또는 합금막을 증착시키기 위해, 다양한 종류의 재료가 잘 혼합될 수 있는, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 가공물 캐리어는 가공물의 바닥의 위치가 상기 제2 스퍼터링 증착원의 바닥의 위치와 거의 같아질 때까지 승강되어, 상기 제2 스퍼터링 증착원이 코팅막 균일성을 향상시키기 위해 수직 표면의 수직형 타켓의 역할을 할 수 있는, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 소정의 각도(θ)는 약 15°내지 약 55°인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
소정의 패턴을 갖는 마스크(mask)를 더 포함하여, 이에 대응하는 패턴을 갖는 상기 막을 가공물 상에 증착시킬 수 있는, 스퍼터링 시스템.
제1항에 있어서,
상기 진공 챔버는 각각에 상기 제1 스퍼터링 증착원과 상기 제2 스퍼터링 증착원을 포함하고 있는 다수의 반응실을 더 포함하며,
원위치에 적측막을 증착시키기 위하여, 가공물을 하나의 반응실에서 또 다른 반응실로 옮기기 위해 설치된 회전반 장치(turntable device)를 더 포함한, 스퍼터링 시스템.