JPH0672299B2 - スパツタリング装置及びスパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング装置及びスパツタリング方法Info
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- JPH0672299B2 JPH0672299B2 JP60015337A JP1533785A JPH0672299B2 JP H0672299 B2 JPH0672299 B2 JP H0672299B2 JP 60015337 A JP60015337 A JP 60015337A JP 1533785 A JP1533785 A JP 1533785A JP H0672299 B2 JPH0672299 B2 JP H0672299B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ 本発明はマグネトロン型スパッタリング装置と、これに
用いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
に係り、特に被膜形成基板に任意組成の合金膜を均一な
厚さに形成するに好適なスパッタリング装置とこれに用
いるターゲット利用したスパッタリング方法に関する。
用いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
に係り、特に被膜形成基板に任意組成の合金膜を均一な
厚さに形成するに好適なスパッタリング装置とこれに用
いるターゲット利用したスパッタリング方法に関する。
［従来の技術］ 256キロビットDRAM［ダイナミック ランダム アクセ
ス メモリ（Dynamic Random Access Memory］にはゲー
ト電極や内部配線材料として従来の多結晶シリコンに替
わり、シリサイド（例えばMoSi2，TaSi2，WSi2等）が用
いられてきている。
ス メモリ（Dynamic Random Access Memory］にはゲー
ト電極や内部配線材料として従来の多結晶シリコンに替
わり、シリサイド（例えばMoSi2，TaSi2，WSi2等）が用
いられてきている。
しかしシリサイドの合金ターゲットとしては、現在まで
のところ99.9％程度の純度しか得られないので、99.99
％以上の高純度な各単一元素を適当に配設した複合ター
ゲット（第１図，第２図）を用いてシリサイド膜の形成
を行なっていた。第１図は、Mo部材101、Si部材102より
なるターゲット103の平面図、第２図は第１図のＸ−
Ｘ′断面図である。
のところ99.9％程度の純度しか得られないので、99.99
％以上の高純度な各単一元素を適当に配設した複合ター
ゲット（第１図，第２図）を用いてシリサイド膜の形成
を行なっていた。第１図は、Mo部材101、Si部材102より
なるターゲット103の平面図、第２図は第１図のＸ−
Ｘ′断面図である。
また、スパッタ装置に広く用いられているマグネトロン
型スパッタ電極を、第３図に示す。ターゲット103の裏
面にバッキングプレート104を介して磁石105が配置さ
れ、この磁石105によって、ターゲット面上にターゲッ
ト面から出て、再び入るアーチ状の磁界106が形成さ
れ、かつこの磁界が閉ループを形成する様になってい
る。バッキングプレート104はターゲット103の機械的強
度を補うものである。そしてスパッタ時のターゲット加
熱防止の為、給水パイプ107からバッキングプレート裏
面に冷却水を供給し、排水パイプ108から排出してい
る。
型スパッタ電極を、第３図に示す。ターゲット103の裏
面にバッキングプレート104を介して磁石105が配置さ
れ、この磁石105によって、ターゲット面上にターゲッ
ト面から出て、再び入るアーチ状の磁界106が形成さ
れ、かつこの磁界が閉ループを形成する様になってい
る。バッキングプレート104はターゲット103の機械的強
度を補うものである。そしてスパッタ時のターゲット加
熱防止の為、給水パイプ107からバッキングプレート裏
面に冷却水を供給し、排水パイプ108から排出してい
る。
またターゲット103の近傍にはアノード電極（以下、単
にアノードと云う）109が設置され、アノード109とター
ゲット103間に高電圧が印加される様になっている（印
加手段及び電源は図示せず）。
にアノードと云う）109が設置され、アノード109とター
ゲット103間に高電圧が印加される様になっている（印
加手段及び電源は図示せず）。
さて、アノード109とターゲット103間に高電圧を印加す
るとグロー放電が起こり、ターゲット面上にプラズマ11
0が発生する。このプラズマ110は上記の磁界によってド
ーナツ状になる。これらの放電について詳しくは文献
［シン フィルム プロセスズ アカデミック プレス
1980（Thin Film Processes Academic Press 198
0）］を参照されたい。
るとグロー放電が起こり、ターゲット面上にプラズマ11
0が発生する。このプラズマ110は上記の磁界によってド
ーナツ状になる。これらの放電について詳しくは文献
［シン フィルム プロセスズ アカデミック プレス
1980（Thin Film Processes Academic Press 198
0）］を参照されたい。
従来、基板にMo−Si膜を形成する場合には第１図の複合
ターゲットと第３図のマグネトロンスパッタ電極によっ
て、Mo−Siを同時にスパッタし、基板11上にMo−Si膜を
形成していた。
ターゲットと第３図のマグネトロンスパッタ電極によっ
て、Mo−Siを同時にスパッタし、基板11上にMo−Si膜を
形成していた。
しかし、この様な従来の方法では、ターゲットの構造に
より形成される膜のMo−Si組成比が決まってしまうた
め、任意のMo−Si組成比の膜を形成することができなか
った。
より形成される膜のMo−Si組成比が決まってしまうた
め、任意のMo−Si組成比の膜を形成することができなか
った。
またターゲットがスパッタを受け、浸食112が進んでい
くと、Mo/Siの組成比が変動していくが、これの変動を
修正して、所定のMo/Si組成比に戻すことは不可能であ
った。
くと、Mo/Siの組成比が変動していくが、これの変動を
修正して、所定のMo/Si組成比に戻すことは不可能であ
った。
［発明の目的］ 本発明の目的は上記した従来の問題点をなくし、均一で
任意の組成比の合金膜や均一な厚さのスパッタリング膜
形成に適したスパッタリング装置とこれに用いるターゲ
ットを利用したスパッタリング方法を提供することにあ
る。
任意の組成比の合金膜や均一な厚さのスパッタリング膜
形成に適したスパッタリング装置とこれに用いるターゲ
ットを利用したスパッタリング方法を提供することにあ
る。
［発明の概要］ 本発明は上記目的を達成するため、ターゲット面に２箇
所以上のプラズマを独立に発生できる様にし、各プラズ
マによってターゲットから放出される膜材料が基板に均
一な膜厚で形成できる構成に特徴がある。
所以上のプラズマを独立に発生できる様にし、各プラズ
マによってターゲットから放出される膜材料が基板に均
一な膜厚で形成できる構成に特徴がある。
即ち、本発明においては、所定位置に取付けられた基板
と、この基板取付け面に対向して設置されたターゲット
と、このターゲットの周辺に位置するアノード電極と、
前記ターゲットとアノード電極間に電圧を印加する手段
と、前記ターゲットの基板対向面と反対側に設置された
磁気発生装置と、これらを収納した容器と、この容器を
真空にする手段と、前記容器内の真空中に不活性ガスを
導入する手段よりなるスパッタリング装置であって、上
記ターゲットは、スパッタされる面が基板の中心軸方向
に傾斜しかつ環状に形成された第１のターゲットと、該
第１のターゲットの内側に配置されかつスパッタされる
面が前記基板の外周方向に傾斜して環状に形成された第
２のターゲットを有し、第１のターゲットと第２のター
ゲットとを選択的にスパッタリングするように構成され
ている。
と、この基板取付け面に対向して設置されたターゲット
と、このターゲットの周辺に位置するアノード電極と、
前記ターゲットとアノード電極間に電圧を印加する手段
と、前記ターゲットの基板対向面と反対側に設置された
磁気発生装置と、これらを収納した容器と、この容器を
真空にする手段と、前記容器内の真空中に不活性ガスを
導入する手段よりなるスパッタリング装置であって、上
記ターゲットは、スパッタされる面が基板の中心軸方向
に傾斜しかつ環状に形成された第１のターゲットと、該
第１のターゲットの内側に配置されかつスパッタされる
面が前記基板の外周方向に傾斜して環状に形成された第
２のターゲットを有し、第１のターゲットと第２のター
ゲットとを選択的にスパッタリングするように構成され
ている。
そして、このスパッタリング装置における容器を真空に
して、不活性ガスを所定圧導入し、ターゲットとアノー
ド間に電圧を印加し、第１のターゲットと第２のターゲ
ット上で選択的にプラズマを発生させると、それに対応
し第１のターゲット面上と第２のターゲット面上でアー
チ状の磁力線が形成されることによりスパッタリングさ
れ、この各プラズマによってスパッタされた膜材料をそ
れぞれ独立的に基板上へ均一に堆積することができ、第
１のターゲットの材質と第２のターゲットの材質を基板
上に対し均一で任意の組成比の合金膜として形成するこ
とができると共に、均一な厚さの膜として形成すること
ができる。この場合、段差のある基板表面でもステップ
カバレッジが良好となり、平坦部もコーナ部も同じ厚さ
のスパッタリング膜が得られる。
して、不活性ガスを所定圧導入し、ターゲットとアノー
ド間に電圧を印加し、第１のターゲットと第２のターゲ
ット上で選択的にプラズマを発生させると、それに対応
し第１のターゲット面上と第２のターゲット面上でアー
チ状の磁力線が形成されることによりスパッタリングさ
れ、この各プラズマによってスパッタされた膜材料をそ
れぞれ独立的に基板上へ均一に堆積することができ、第
１のターゲットの材質と第２のターゲットの材質を基板
上に対し均一で任意の組成比の合金膜として形成するこ
とができると共に、均一な厚さの膜として形成すること
ができる。この場合、段差のある基板表面でもステップ
カバレッジが良好となり、平坦部もコーナ部も同じ厚さ
のスパッタリング膜が得られる。
［発明の実施例］ 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。第４
図は本発明のスパッタ電極を基板側（上面）から見た図
である。第５図は第４図のＹ−Ｙ（Ｚ−Ｚ）断面図であ
る。第５図では、ターゲット３と基板11との位置関係を
示すため基板11も記した。
図は本発明のスパッタ電極を基板側（上面）から見た図
である。第５図は第４図のＹ−Ｙ（Ｚ−Ｚ）断面図であ
る。第５図では、ターゲット３と基板11との位置関係を
示すため基板11も記した。
ターゲット３は第４図及び第５図に示すように、所定の
傾斜角度をもつように形成されたバッキングプレート４
に対し取付ねじ等によって固定されており、第１の被ス
パッタ面15,16と第２の被スパッタ面17,18を持ち、第１
の被スパッタ面15,16は基板11の中心方向を向く様に傾
斜しており、第２の被スパッタ面17,18は基板の外周方
向を向く様に傾斜している。本例では第５図に示すよう
に、第１の被スパッタ面15,16の傾斜角θ及び第２の被
スパッタ面17,18の傾斜角を30°にしている。
傾斜角度をもつように形成されたバッキングプレート４
に対し取付ねじ等によって固定されており、第１の被ス
パッタ面15,16と第２の被スパッタ面17,18を持ち、第１
の被スパッタ面15,16は基板11の中心方向を向く様に傾
斜しており、第２の被スパッタ面17,18は基板の外周方
向を向く様に傾斜している。本例では第５図に示すよう
に、第１の被スパッタ面15,16の傾斜角θ及び第２の被
スパッタ面17,18の傾斜角を30°にしている。
第１の被スパッタ面15,16はSi部材１からなり、第２の
被スパッタ面17,18はMo部材２でできている。ターゲッ
ト３の第１の被スパッタ面15,16上に、この面から出て
再び入るアーチ状磁界19を形成する様にヨーク21とこの
ヨークを取り巻いて４個のコイル22（第５図は２個しか
表われていないが、第４図のＺ−Ｚ断面もＹ−Ｙ断面と
ほぼ同一であるので計４個となる）が配設されている。
被スパッタ面17,18はMo部材２でできている。ターゲッ
ト３の第１の被スパッタ面15,16上に、この面から出て
再び入るアーチ状磁界19を形成する様にヨーク21とこの
ヨークを取り巻いて４個のコイル22（第５図は２個しか
表われていないが、第４図のＺ−Ｚ断面もＹ−Ｙ断面と
ほぼ同一であるので計４個となる）が配設されている。
またスパッタターゲット３の第２の被スパッタ面17,18
上にこの面から出て再び入るアーチ状磁界20を形成する
様にヨーク23とこのヨークを取り巻いて４個のコイル24
が配設されている。
上にこの面から出て再び入るアーチ状磁界20を形成する
様にヨーク23とこのヨークを取り巻いて４個のコイル24
が配設されている。
なお、バッキングプレート４は、従来と同様にターゲッ
ト３と磁気発生装置との間に設けられ、給水パイプ７が
冷却水をバッキングプレート裏面に導き、排水パイプ８
から排水している。
ト３と磁気発生装置との間に設けられ、給水パイプ７が
冷却水をバッキングプレート裏面に導き、排水パイプ８
から排水している。
ターゲット３の近傍にはアノード９があり、ターゲット
−アノード間には高電圧が印加できる様になっている
（印加手段は図示せず）。第５図において、13はカソー
ドボックス、14はケーシングである。
−アノード間には高電圧が印加できる様になっている
（印加手段は図示せず）。第５図において、13はカソー
ドボックス、14はケーシングである。
次に本実施例の動作を説明する。ターゲット３の第１の
被スパッタ面15,16上に十分な強度の磁界が発生する様
にコイル22に電圧を印加し、ターゲット−アノード間に
高電圧を印加すると、第１の被スパッタ面15,16にプラ
ズマ10が発生し、第１の被スパッタ面の材料であるSiが
スパッタされる。コイル22の通電を止め、第２の被スパ
ッタ面17,18上に十分な強度の磁界が発生する様にコイ
ル24に電圧を印加し、ターゲット−アノード間に高電圧
を印加すると、第２の被スパッタ面にプラズマ10′が発
生し、第２の被スパッタ面の材料であるMoがスパッタさ
れる。
被スパッタ面15,16上に十分な強度の磁界が発生する様
にコイル22に電圧を印加し、ターゲット−アノード間に
高電圧を印加すると、第１の被スパッタ面15,16にプラ
ズマ10が発生し、第１の被スパッタ面の材料であるSiが
スパッタされる。コイル22の通電を止め、第２の被スパ
ッタ面17,18上に十分な強度の磁界が発生する様にコイ
ル24に電圧を印加し、ターゲット−アノード間に高電圧
を印加すると、第２の被スパッタ面にプラズマ10′が発
生し、第２の被スパッタ面の材料であるMoがスパッタさ
れる。
ここで、基板とターゲット間の距離Ｈを75mm、第１の被
スパッタ面で発生するプラズマ10の中心位置間Ａを170m
m、第１の被スパッタ面15,16の傾斜角θを30°とする
と、第６図に示すごとく、基板内径100mmで均一な厚さ
（膜圧バラツキ±５％以下）のSi膜が形成できた。また
第２の被スパッタ面17,18で発生するプラズマ10′の中
心位置Ｂを80mm、第２の被スパッタ面の傾斜角を30°
とすると、基板内径100mmで均一な厚さのMo膜が形成で
きた。
スパッタ面で発生するプラズマ10の中心位置間Ａを170m
m、第１の被スパッタ面15,16の傾斜角θを30°とする
と、第６図に示すごとく、基板内径100mmで均一な厚さ
（膜圧バラツキ±５％以下）のSi膜が形成できた。また
第２の被スパッタ面17,18で発生するプラズマ10′の中
心位置Ｂを80mm、第２の被スパッタ面の傾斜角を30°
とすると、基板内径100mmで均一な厚さのMo膜が形成で
きた。
したがってコイル22とコイル24の通電時間を制御するこ
とにより任意のMo/Si組成比でかつ基板内において均一
なMo/Si組成比で均一な膜厚のMo/Si合金膜が得られる。
この場合、段差のある基板表面でもステップカバレッジ
が良好となり、平坦部もコーナ部も同じ厚さのスパッタ
リング膜が得られる。
とにより任意のMo/Si組成比でかつ基板内において均一
なMo/Si組成比で均一な膜厚のMo/Si合金膜が得られる。
この場合、段差のある基板表面でもステップカバレッジ
が良好となり、平坦部もコーナ部も同じ厚さのスパッタ
リング膜が得られる。
なお、上記装置における、真空度、不活性ガス導入圧、
印加電圧などは従来と同様にしてよいは勿論である。
印加電圧などは従来と同様にしてよいは勿論である。
［発明の効果］ 以上、述べたように本発明によれば、スパッタすべき面
が基板の中心軸方向に向かって傾斜する環状の第１の面
と、その内側に位置してあって基板の外周方向に向かっ
て傾斜する環状の第２の面とを有してターゲットを形成
し、該ターゲットの第１の面と第２の面とで選択的にプ
ラズマを発生させるように構成したので、第１のターゲ
ットと第２のターゲット上で選択的にプラズマを発生さ
せると、各プラズマによってスパッタされた膜材料をそ
れぞれ独立的に基板上へ均一に堆積することができ、第
１のターゲットの材質と第２のターゲットの材質を基板
上に対し均一で任意の組成比の合金膜として形成できる
と共に、均一な厚さの膜として形成することができる効
果があり、また組成比のコントロールを容易にできるこ
とによって、安定した組成比の膜が得られると云う効果
がある。また、特に、本願発明の二番目の発明において
は、第1,第２のターゲットに夫々対応する第1,第２の磁
石を選択的に制御する磁気発生装置を備えていると、第
１の被スパッタ面と第２の被スパッタ面とから所望の材
質を、的確にかつ容易にしかも所望の量でスパッタする
ことができると云う効果がある。
が基板の中心軸方向に向かって傾斜する環状の第１の面
と、その内側に位置してあって基板の外周方向に向かっ
て傾斜する環状の第２の面とを有してターゲットを形成
し、該ターゲットの第１の面と第２の面とで選択的にプ
ラズマを発生させるように構成したので、第１のターゲ
ットと第２のターゲット上で選択的にプラズマを発生さ
せると、各プラズマによってスパッタされた膜材料をそ
れぞれ独立的に基板上へ均一に堆積することができ、第
１のターゲットの材質と第２のターゲットの材質を基板
上に対し均一で任意の組成比の合金膜として形成できる
と共に、均一な厚さの膜として形成することができる効
果があり、また組成比のコントロールを容易にできるこ
とによって、安定した組成比の膜が得られると云う効果
がある。また、特に、本願発明の二番目の発明において
は、第1,第２のターゲットに夫々対応する第1,第２の磁
石を選択的に制御する磁気発生装置を備えていると、第
１の被スパッタ面と第２の被スパッタ面とから所望の材
質を、的確にかつ容易にしかも所望の量でスパッタする
ことができると云う効果がある。
第１図は従来のターゲットの平面部、第２図は第１図の
Ｘ−Ｘ線断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッ
タ電極の縦断面図、第４図は本発明のスパッタ電極の平
面図、第５図は第４図のＹ−Y,Z−Ｚ断面図、第６図
は、第1,第２の各被スパッタ面からスパッタされて基板
上に堆積される膜材料の膜厚分布を示す図である。 １…Si部材、２…Mo部材、３…複合ターゲット、13…カ
ソードボックス、14…ケーシング、15,16…第１の被ス
パッタ面、17,18…第２の被スパッタ面、21,23…ヨー
ク、22,24…コイル、９…アノード電極。
Ｘ−Ｘ線断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッ
タ電極の縦断面図、第４図は本発明のスパッタ電極の平
面図、第５図は第４図のＹ−Y,Z−Ｚ断面図、第６図
は、第1,第２の各被スパッタ面からスパッタされて基板
上に堆積される膜材料の膜厚分布を示す図である。 １…Si部材、２…Mo部材、３…複合ターゲット、13…カ
ソードボックス、14…ケーシング、15,16…第１の被ス
パッタ面、17,18…第２の被スパッタ面、21,23…ヨー
ク、22,24…コイル、９…アノード電極。
Claims (4)
- 【請求項１】所定位置に取付けられた基板と、この基板
取付け面に対向して設置されたターゲットと、このター
ゲットの周辺に位置するアノード電極と、前記ターゲッ
トとアノード電極間に電圧を印加する手段と、前記ター
ゲットの基板対向面と反対側に設置された磁気発生装置
と、これらを収納した容器と、この容器を真空にする手
段と、前記容器内の真空中に不活性ガスを導入する手段
よりなるスパッタリング装置であって、上記ターゲット
は、スパッタされる面が基板の中心軸方向に傾斜しかつ
環状に形成された第１のターゲットと、該第１のターゲ
ットの内側に配置されかつスパッタされる面が前記基板
の外周方向に傾斜して環状に形成された第２のターゲッ
トを有し、第１のターゲットと第２のターゲットとを選
択的にスパッタリングすることを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載のスパッタリン
グ装置において、上記磁気発生装置は、第１のターゲッ
トと第２のターゲットとから独立的に出て同一面に入る
それぞれの磁力線を交互に発生するものであり、かつ上
記第１のターゲットと第２のターゲットとがそれぞれ異
質の材質からなることを特徴とするスパッタリング装
置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項記載のスパッタリン
グ装置において、磁気発生装置が電磁石であることを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項４】内部の所定位置に基板を取付けた容器内を
真空にし、この容器に不活性ガスを所定圧導入し、基板
の中心軸方向に傾斜しかつ環状に形成された第１の被ス
パッタ面，該第１の被スパッタ面の内側に配置されかつ
基板の外周方向に傾斜して環状に形成された第２の被ス
パッタ面を有するターゲットとアノード電極間に電圧を
印加してプラズマを発生させ、上記ターゲットの第1,第
２の被スパッタ面と反対の面に近接して設けられた磁気
発生装置により、前記ターゲットの第１の被スパッタ面
と第２の被スパッタ面とを選択的にスパッタリングする
ことを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015337A JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015337A JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177367A JPS61177367A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH0672299B2 true JPH0672299B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=11885968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015337A Expired - Lifetime JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672299B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105303B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法 |
| TWI338721B (en) * | 2009-10-16 | 2011-03-11 | Suntek Prec Corp | A sputtering apparatus with a side target and a method for sputtering a workpiece having non-planer surfaces |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4100055A (en) * | 1977-06-10 | 1978-07-11 | Varian Associates, Inc. | Target profile for sputtering apparatus |
| JPS56156766A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Fujitsu Ltd | Spattering device |
| US4595482A (en) * | 1984-05-17 | 1986-06-17 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60015337A patent/JPH0672299B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177367A (ja) | 1986-08-09 |
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