CN106159068A - 配光构件的制造方法、发光装置的制造方法、配光构件及发光装置 - Google Patents

配光构件的制造方法、发光装置的制造方法、配光构件及发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于,提供一种制造方法,其可以高精度并且简便地制造能够防止设于亮灯及未亮灯的发光元件中的透光片间的漏光的配光构件及具备该配光构件的发光装置。本发明的制造方法是配光构件(12)的制造方法,准备将多个透光板(10a)隔着遮光部(11)接合而得的接合体(18),以从一个方向观看包围接合体(18)的外周的方式,将遮光性框体(19)固定于接合体,将接合体(18)及遮光性框体(19)垂直于接合体(18)的固定有遮光性框体(19)的面地切断,由此得到分别具备多个透光片(10)的多个配光构件(12)。

Description

配光构件的制造方法、发光装置的制造方法、配光构件及发光 装置
技术领域
本发明涉及配光构件及其制造方法以及发光装置。
背景技术
近年来,作为车辆用前照灯中所利用的光源,利用了具备多个发光二极管等发光元件的发光装置。此种车辆用前照灯中所用的发光装置中,多个发光元件被排列于基板上,在这些发光元件上配置有含有荧光体的波长转换构件。然而,在此种发光装置中,在对多个发光元件分别独立地进行亮灯控制的情况下,若与亮灯了的发光元件相邻地具有未亮灯的发光元件,就会发生来自设于亮灯了的发光元件中的波长转换构件的漏光,从而产生设于未亮灯的发光元件中的波长转换构件微弱地发光的现象。
因而,为了防止此种漏光的发生,提出过将1个波长转换构件的外周用白色陶瓷制的框体覆盖的方法(例如专利文献1)、在相邻的波长转换构件间配置含有二氧化钛等的反射树脂的方法等(例如专利文献1~4等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-134355号公报
专利文献2:日本特表2012-527742号公报
专利文献3:WO2012/66881号公报
专利文献4:日本特开2012-119407号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,为了形成反射树脂,在波长转换构件间需要一定程度的间隙。而另一方面,在使相邻的发光元件同时发光的情况下,此种间隙会成为使发光元件的边界部变暗的原因。
另外,在板状的波长转换构件的侧面形成包含金属膜或电介质多层膜的遮光膜的情况下,若在侧面中存在凹凸,则无法充分地获得遮光或反射效果。此外,金属膜或电介质多层膜在侧面的成膜不容易控制膜厚,难以在侧面实现均匀的成膜。
因而,希望有一种发光装置的制造方法,该制造方法可以高精度、简便并且容易地制造附加了与发光元件的数目及配置、其使用方式对应的功能的发光装置。
本发明的实施方式是鉴于上述问题完成的,其目的在于,提供不会降低发光效率、可以防止设于亮灯与未亮灯的发光元件中的透光片间的漏光的配光构件及该配光构件的制造方法、发光装置。
用于解决问题的方法
本申请包括以下的公开内容。
(1)一种配光构件的制造方法,准备将多个透光板隔着遮光部接合而得的接合体,
以从一个方向观看包围所述接合体的外周的方式,将遮光性框体固定于所述接合体,
将所述接合体及所述遮光性框体垂直于所述接合体的固定有所述遮光性框体的面地切断,得到分别具备多个透光片的多个配光构件。
(2)一种配光构件,其具备:将多个透光片隔着遮光部接合而得的接合体、和
以从一个方向观看包围所述接合体的外周的方式设置的遮光性框体。
(3)一种发光装置,其具备:上述配光构件、
配置于所述配光构件的没有设置所述遮光性框体的一对主面中的一侧的多个发光元件、和
包含与所述遮光性框体不同的材料且在所述发光元件间以与所述遮光部接触的方式设置的反射构件,
所述配光构件及所述发光元件被配置为相对于1个以上的所述透光片射入来自1个所述发光元件的光。
发明效果
根据本发明的一个实施方式的发光装置的制造方法,可以提供一种配光构件,其可以高精度、简便并且容易地制造不会降低发光效率、并且能够防止亮灯与未亮灯的发光元件间的漏光的发光装置,并可以提供该配光构件的制造方法及发光装置。
附图说明
图1A~1F是表示本发明的配光构件的制造方法的一个实施方式的制造工序图。
图2A及2B是表示使用了以图1的制造方法得到的配光构件的发光装置的制造工序的一个实施方式的制造工序图。
图3A~3G是表示本发明的配光构件的制造方法的其他实施方式的制造工序图。
图4A及4B是表示使用了以图3的制造方法得到的配光构件的发光装置的制造工序的一个实施方式的制造工序图。
图5A~5G是表示本发明的配光构件的制造方法的其他实施方式的制造工序图。
图6是表示使用了以图5的制造方法得到的配光构件的发光装置的制造工序的一个实施方式的制造工序图。
图7A是表示利用本发明的发光装置的制造方法的其他实施方式得到的发光装置的俯视图。
图7B是图7A的A-A’线剖面图。
图8是表示制造使用了以图1的制造方法得到的配光构件的发光装置的一个实施方式的制造工序图。
具体实施方式
本申请中,对于各图所示的构件的大小、位置关系等,为了使说明明确,有时进行了夸大。在以下的说明中,对于相同的名称、符号表示的是相同或同质的构件,适当省略详细说明。在一个实施例及一个实施方式中说明的内容可以用于其他的实施例及其他的实施方式等中。另外,在配光构件及发光装置中所用的各构件中至少有1个即可,也可以是多个。
〔配光构件的制造方法〕
本实施方式的配光构件的制造方法包括如下的工序,即,准备将多个透光板隔着遮光部接合而得的接合体,以从一个方向观看将接合体的外周包围的方式将遮光性框体固定于接合体,将接合体及遮光性框体垂直于接合体的固定有遮光性框体的面地切断,得到分别具备多个透光片的多个配光构件。即,作为接合体,准备将具有相面对的一对主面的多个透光板以使这些主面彼此面对面的方式接合的第一接合体。另外,作为接合体,例如也可以将分别包含长方体的多个透光板以行列状接合而制成第二接合体。
而且,本申请中所谓“从一个方向观看”,是指从相对于接合体的一面的法线方向观看。
1.接合体的准备
(带有第一遮光膜的构件的准备)
首先,准备多个在透光板的至少一面覆盖了第一遮光膜的带有第一遮光膜的构件。
所使用的透光板只要是具有透光性的板状的构件,则使用具有柔软性的构件、具有刚性的构件的任意一种都可以。
另外,所谓一面,是指占有透光板的最大面积的主面,例如表面或背面。
作为此种透光板,例如可以举出由硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂或含有1种以上的这些树脂的混合树脂等树脂、或玻璃等形成的透光板。
透光板只要具有透光性,则也可以含有荧光体及填充剂等。在透光板含有荧光体的情况下,有可能因荧光体发热而使荧光体自身的特性降低。由此,在透光板含有荧光体的情况下,通过设置遮光性框体而带来的散热性提高的效果明显。
荧光体可以使用该领域中公知的物质。例如可以举出由铈激活了的钇铝石榴石(YAG)系荧光体、由铈激活了的镥铝石榴石(LAG)系荧光体、由铕和/或铬激活了的含有氮的铝硅酸钙(CaO-Al2O3-SiO2)系荧光体、由铕激活了的硅酸盐((Sr,Ba)2SiO4)系荧光体、β-SiAlON荧光体、KSF(K2SiF6:Mn)系荧光体等。在含有上述的荧光体的情况下,优选相对于透光板的总重量以5~50%左右含有这些荧光体。另外,作为透光板,也可以使用荧光体本身或荧光体与包含无机物的粘合剂的烧结体。由此,就可以制成耐热性优异的透光板。
作为填充材料(例如扩散剂、着色剂等),例如可以举出氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰等粒子。
对于透光板的形状,优选俯视形状例如为四边形,例如可以制成长方形。本说明书中所谓“长方形”,也包括正方形。此时,透光板的形状成为长方体(包括立方体)。
透光板的厚度及大小可以根据所要得到的配光构件的形态适当地调整。例如,透光板的厚度(图1A的上下方向的长度)与作为发光装置的配光构件使用时的发光元件的尺寸和/或发光元件间的间隔对应,优选与发光元件的外周同等或比之略大。具体而言,可以举出100μm~数mm左右,优选为100~1000μm左右,更优选为100~500μm左右。由此,在将所得的配光构件用于发光装置的情况下,可以实现发光装置的进一步的小型化,而可以获得更高的亮度。
第一遮光膜优选利用可以遮挡80%以上的来自发光元件的光的材料形成。作为第一遮光膜,可以使用包含金属的单层、包含金属的多层膜、或包含层叠多层2种以上的电介质而得的电介质的多层膜(电介质多层膜)。可以使用电介质多层膜,制成例如DBR(distributed Bragg reflector:分布布拉格反射)膜。其中,优选使用含有电介质多层膜的膜。若为电介质多层膜,则与金属等相比对来自透光片的光的吸收也更少,可以有效地反射光。在作为第一遮光膜使用金属膜和电介质多层膜两者的情况下,最好从透光片侧起依次配置电介质多层膜和金属膜。由此,就可以提高来自透光片的光的导出效率。
作为金属,例如可以举出金、银、铜、铁、镍、铬、铝、钛、钽、钨、钴、钌、锡、锌、铅等金属或它们的合金(例如,作为Al合金,是Al与Cu、Ag、Pt等铂族系的金属的合金)。
作为电介质,例如可以举出含有选自Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al中的至少一种元素的氧化物或氮化物。构成DBR膜的电介质多层膜中,通常,若将一个电介质的折射率设为n1,将另一个电介质的折射率设为n2,将由发光层发出的光的波长设为λ,则一个电介质的厚度d1及另一个电介质的厚度d2优选设为:
d1=λ/(4×n1) (1)
d2=λ/(4×n2) (2)
第一遮光膜的厚度例如可以举出零点几μm~数十μm左右,优选为0.1μm~10μm左右,更优选为0.3μm~7μm左右。通过设为前述的下限值以上的膜厚,容易在面内均匀地形成第一遮光膜,可以在第一遮光膜中可靠地反射光,通过设为前述的上限值以下的膜厚,可以减小透光板间的间隔,因此可以抑制由第一遮光膜造成的发光不均。
第一遮光膜例如可以利用真空蒸镀法、离子镀法、离子气相沉积(IVD)法、溅射法、ECR溅射法、等离子体蒸镀法、化学气相生长(CVD)法、ECR-CVD法、ECR-等离子体CVD法、电子束蒸镀(EB)法、原子层沉积(ALD)法等公知的方法形成。其中,优选利用可以在较短时间内形成的溅射法来形成第一遮光膜。
在透光板为长方体且第一接合体包含2个透光板的情况下,第一遮光膜仅形成于透光板的一面即可。另外,在透光板为长方体且第一接合体包含3个以上的透光板的情况下,至少位于处在两端的透光板之间的1个以上的透光板在相面对的两个面(即表面及背面)形成第一遮光膜。另外,第一遮光膜也可以形成于透光板中的除去射入来自发光元件的光的面及射出来自发光元件的光的面以外的四个面。由此,在将第一接合体切断而得到配光构件时,可以制成在透光片的全部侧面形成有第一遮光膜的配光构件,可以反射朝向横向的光。第一遮光膜更优选在整体上以均匀的厚度形成,然而也可以以格子状、条纹状等形状局部地形成。
在准备多个带有第一遮光膜的构件的情况下,它们既可以是不同的俯视形状及厚度,也可以是俯视形状及厚度相同或大致相同的构件。此处所谓大致是指容许±10%左右的偏差。
例如,在准备薄的带有第一遮光膜的构件和比它厚的带有第一遮光膜的构件这2种带有第一遮光膜的构件的情况下,将薄的带有第一遮光膜的构件接合多个而得的构件优选使用与1个厚的带有第一遮光膜的构件同等厚度的构件。即,厚度薄的带有第一遮光膜的构件优选相当于厚度厚的带有第一遮光膜的构件的二分之一、三分之一的厚度。由此,就可以形成在列或行方向上具有大小不同的透光片的配光构件。此外,在第二接合体的形成时,通过与在列或行方向上具有大小不同的透光片的带有第二遮光膜的构件组合层叠,就可以形成如图7所示的在行列方向上具有大小不同的透光片的配光构件。
带有第一遮光膜的构件也可以在透光板上形成第一遮光膜后,以形成所希望的形状、大小等的方式,进行切断、研磨等。
在下一工序中,在使用原子扩散接合型的常温接合将带有第一遮光膜的构件接合的情况下,优选在形成第一遮光膜之前,将透光板的表面制成平滑面。
(第一接合体的形成)
将多个带有第一遮光膜的构件以使第一遮光膜分别相面对的方式接合,形成第一接合体。
此处的接合既可以是利用了胶粘剂等的接合,也可以是借助第一遮光膜的加热所致的熔融接合等的接合。优选作为第一遮光膜使用含有金属的膜,使含有金属的膜彼此接触而进行直接接合。通过进行直接接合,可以缩小透光板间的距离,因此在与发光元件组合使用的情况下,光难以由第一遮光膜遮挡,可以减少发光不均。在直接接合当中优选利用常温接合进行接合。本说明书中,将配置于透光板间的构件称作“遮光部”。例如,在设于1个透光板的第一遮光膜与设于与该透光板相邻的其他透光板的第一遮光膜被直接接合的情况下,将接合2个遮光膜而得的构件称作“遮光部”。在设于1个透光板的第一遮光膜与设于其他透光板的第一遮光膜被使用胶粘剂接合的情况下,将叠合2个遮光膜和胶粘剂而得的构件称作“遮光部”。在后述的使用第二遮光膜的情况下也相同。
作为常温接合,可以使用公知的方法。例如,可以举出表面活化接合型的常温接合、原子扩散接合型的常温接合等接合方法。在进行此种常温接合的情况下,可以不施加胶粘剂、热等地进行接合,因此不需要考虑所接合的2个构件之间的热膨胀率的差,可以牢固地接合。另外,由于是原子水平的接合,因此与借助胶粘剂等的胶粘相比强度高,可以进行耐久性优异的接合。此外,由于不进行加热,因此不需要升温及降温,可以在短时间内进行接合。
表面活化接合型的常温接合中,通过在真空中对接合面进行表面处理,而对表面的原子设为容易形成化学键的活性的状态。具体而言,首先,在真空中,对附着于接合面的氧化膜、污物等照射氩等离子或等离子体等而除去。此时的能量、时间等可以根据所用的带有第一遮光膜的构件的第一遮光膜的厚度、材料等适当地调整。利用此种处理,具有结合键的原子在带有第一遮光膜的构件的接合面露出,可以形成与其他的原子的接合力大的、非常活性的状态。由此,通过使接合面彼此接触,结合力就会瞬间地作用,使接合面彼此牢固地接合。此种接合中,不会产生加热所致的热应变、热应力,因此可以与极为薄膜状的第一遮光膜实现稳定的接合。
原子扩散接合型的常温接合中,通过在超高真空中在接合面形成第一遮光膜,以使这些第一遮光膜彼此面对的方式在真空中重叠,而可以在常温下进行接合面的接合。在进行原子扩散接合型的常温接合的情况下,作为第一遮光膜优选使用前述的材料中的耐腐蚀性优异的钛、金、或铬等。
在带有第一遮光膜的构件的接合中,位于最端部的带有第一遮光膜的构件可以使用在两面形成第一遮光膜的构件,然而优选使用以在最端面不配置第一遮光膜的方式仅在一面形成的带有第一遮光膜的构件。另外,第一接合体的配置于内侧的带有第一遮光膜的构件可以使用在一面形成有第一遮光膜的构件,然而为了使两面的接合容易,优选使用在两面形成有第一遮光膜的带有第一遮光膜的构件。
在利用胶粘剂的情况下,例如可以使用基于丙烯酸系、氨基甲酸酯系、苯乙烯系、环氧系、聚酰亚胺系、硅酮系、BT树脂系、酯系、醚系、脲系、聚酰胺系、酚系、纤维素衍生物的胶粘剂。这些胶粘剂也可以根据需要组合使用两种以上。
在任意一种情况下,都可以通过将带有第一遮光膜的构件以使一个或两者的第一遮光膜分别面对面的方式接合,而形成第一接合体。第一接合体的带有第一遮光膜的构件的重叠数例如可以举出2以上、3以上、4以上或5以上。另外,可以举出百以下、几十以下、十几以下。可以优选设为2以上且10以下。通过设为前述的下限值以上,就可以一次性形成具备多个透光片的配光构件,通过设为前述的上限值以下,第一接合体的切断就会变得容易。
2.遮光性框体在第一接合体上的固定
对所得的第一接合体形成遮光性框体。此处的所谓遮光性框体,可以是包围第一接合体的外周的一部分的构件,然而优选从一个方向观看包围全部外周的构件。由此,就可以用遮光性框体遮挡从第一接合体朝向横向的光,因此可以防止光从配光构件朝向横向漏出。而且,遮光性框体优选具有反射性。由此,就可以将从配光构件朝向横向漏出的光反射而导出,因此可以提高来自配光构件的光导出效率。此处所谓外周,是指由与带有第一遮光膜的构件的接合面平行的第一接合体的一对侧面和与它们相邻的侧面构成的第一接合体的侧面。即,是指除去相面对的两个面以外的全部的面,在第一接合体为长方体的情况下,是指除去相面对的两个面以外的四个面。另外,所谓外周的一部分,例如可以是1个侧面、一对相面对的侧面,也可以是1个或一对侧面的一部分。第一接合体由于通常所用的透光板的形状,而为四棱柱或与之近似的形状,因此优选将与接合面平行的一对侧面、和与接合面交叉的(优选正交的)一对侧面连续地、遍及第一接合体的侧面的全宽及全长地包围。
构成遮光性框体的材料由实质上不含有有机物的材料制成。若在与透光板接触的区域设置含有有机物的构件,则会因高密度的光等,而有可能在与透光板接触的构件中产生裂纹。一旦产生裂纹,就会从裂缝中漏出光,作为发光装置的亮度降低。与之不同,通过在接合体的外周设置实质上不含有有机物的遮光性框体,就容易抑制在接合体的外周产生裂纹,可以制成高亮度的发光装置。此处所谓“实质上不含有有机物”,不仅包括完全不含有有机物,也包括以不会对遮光性框体的可靠性造成影响的程度含有有机物。作为此种材料,例如可以举出反射性的陶瓷、电介质多层膜、含有反射性物质的玻璃、金属或它们的复合材料等。由于这些材料不含有有机物,因此可以制成抑制了由热、光所致的裂纹的遮光性框体。其中,特别优选为耐光性及耐热性优异的反射性的陶瓷。作为陶瓷,优选使用散热性高的氮化铝或氧化铝等。作为反射性物质,可以举出氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等。反射性物质等的含量可以根据所用的反射性物质的种类等适当地调整。例如,相对于遮光性框体的材料的总重量,优选设为30%左右以上。
对第一接合体形成遮光性框体的方法例如可以利用与带有第一遮光膜的构件的接合方法相同的方法,也可以在第一接合体的外周覆盖陶瓷的生片并进行烧成,还可以将烧成了的陶瓷用胶粘剂等贴合。优选将烧成了的陶瓷利用与带有第一遮光膜的构件的接合方法相同的方法进行固定。由此,就可以简便地在第一接合体的外周形成遮光性框体。通过利用这些方法,可以将遮光性框体牢固地固定于第一接合体的外周。
遮光性框体的厚度优选设为50μm以上且1000μm以下,更优选设为100μm以上且500μm以下。通过设为前述的下限值以上的膜厚,可以抑制从配光构件朝向横向的光的泄漏,通过设为前述的上限值以下的膜厚,后面的工序的切断就会变得容易。此处所谓“遮光性框体的厚度”,是指从遮光性框体与第一接合体的接合面到遮光性框体的与接合面相面对的面的长度。即,是指图1D及图1F中的左右方向或上下方向的长度L。
3.第一接合体及遮光性框体的切断
将所得的第一接合体及遮光性框体切断。此处的切断优选垂直于固定有遮光性框体的面及带有第一遮光膜的构件的接合面地进行。即,优选垂直于固定有遮光性框体的全部的面地进行。以下,有时将该切断称作第一切断。利用此种第一切断,可以得到包含由第一遮光膜划分的状态的透光板的小片(以下有时称作“透光片”)、且在其外周固定有遮光性框体的配光构件。
第一切断只要是相对于固定有遮光性框体的全部的面及带有第一遮光膜的构件的接合面的垂直方向上的切断,则无论是何种切断都可以,然而优选利用使切断面平坦的切断方法。此种切断方法可以利用该领域中公知的方法。例如,可以举出刀片切割、激光切割、或钢丝锯等。其中,若利用钢丝锯,则可以将带有第一遮光膜的构件一并切断,因此优选。本说明书中所谓“垂直”,包括±10%以内的倾斜。
在透光板的俯视形状为四边形的情况下,第一切断优选以获得平行于与形成有第一遮光膜的面相邻的一个侧面(例如图1C的端面F、R)的切断面的方式进行切断(例如参照图1E)。利用此种1个方向的切断,可以形成均匀膜厚的第一接合体的薄片(参照图1E、1F)。
在1个方向仅进行1次相对于固定有遮光性框体的面及带有第一遮光膜的构件的接合面的垂直方向上的切断,就可以制造所希望的配光构件。此外通过将该切断相互平行地进行2次以上,就可以制造多个所希望的配光构件(参照图1E、1F)。
另外,如上所述,也可以对于利用相对于固定有遮光性框体的面及带有第一遮光膜的构件的接合面的垂直方向上的1次或2次以上的相互平行的第一切断得到的配光构件,再在相对于固定有遮光性框体的面及带有第一遮光膜的构件的接合面的垂直方向、且在与第一切断交叉(优选正交)的方向上进行切断(图3G)。通过进行此种2个方向上的切断,无论接合体的形状如何,都可以制造多个所希望形状的配光构件。
此处的切断优选薄膜化为与所用的透光板相同程度的厚度,例如薄膜化为100μm~数mm左右或100~1000μm左右,更优选薄膜化为100~500μm左右。
在切断后,也可以进行研磨等而设为这些厚度。
该工序中的切断也可以不是垂直于固定有遮光性框体的面及带有第一遮光膜的构件的接合面地进行,而是倾斜地进行。此种切断可以用于制造意图在特定的方向上配光的配光构件的情况。
4.第二接合体的准备
(带有第二遮光膜的构件的形成)
本发明的一个实施方式的配光构件的制造方法中,如上所述,也可以在进行第一切断而得的配光构件的切断面再形成第二遮光膜。即,将进行第一切断而得的配光构件看作上述的透光板,在其表面形成第二遮光膜。由此,就可以形成1个以上的或多个带有第二遮光膜的构件。因而,第二遮光膜就会以与第一遮光膜垂直地相交的方式形成。
该工序中,作为透光板,优选没有形成上述的遮光性框体的透光板,然而也可以使用在其一部分形成有遮光性框体的透光板。在前者的情况下,使用如下得到的透光板即可,即,在上述的工序中,在准备带有第一遮光膜的构件并接合,得到第一接合体后,不进行遮光性框体的形成,而是将第一接合体在相对于带有第一遮光膜的构件的接合面的垂直方向上切断而得到。
第二遮光膜可以借助第一遮光膜中例示的材料,利用上述的公知的方法形成。其中,第二遮光膜优选借助与第一遮光膜相同的材料形成。由此,如后所述,可以使得使用了多个发光元件时的各发光元件的配光特性均匀。
第二遮光膜也可以不是与第一遮光膜相同的膜厚,然而从配光特性的均匀化的观点考虑,优选为相同。
(第二接合体的形成)
将带有第二遮光膜的构件接合而形成第二接合体的方法可以与上述的形成第一接合体的方法相同地进行。由此,就可以制成将透光板隔着遮光部以行列状接合而得的接合体。此处的带有第二遮光膜的构件的层叠数也可以任意地设定。
5.遮光性框体在第二接合体上的固定
在所得的第二接合体形成遮光性框体。相对于第二接合体形成遮光性框体的方法可以使用实质上与对第一接合体的遮光性框体的形成中说明的方法相同的方法。
(第二接合体的切断)
将所得的第二接合体及遮光性框体切断。此处的切断可以利用与第一接合体及遮光性框体的切断中说明的方法相同的方法进行。
该情况下的切断只要是与带有第二遮光膜的构件的接合面垂直地切断即可,然而优选与固定有遮光性框体的全部的面垂直地切断。即,优选与带有第一遮光膜的构件的接合面及所述带有第二遮光膜的构件的接合面两者垂直地切断。然而,在第二接合体的切断时,在成为最端面的第二接合体的两个端面固定有遮光性框体的情况下,优选除去该两个端面的遮光性框体。即,在第二接合体的全面固定有遮光性框体的情况下,优选除去设于相面对的两个面的遮光性框体。例如,切断遮光性框体与第二接合体的界面而除去遮光性框体、或除去切断第二接合体而得的两端的切断片即可。
被切断了的配光构件可以根据透光板的形状、带有第一遮光膜的构件的层叠数、第一接合体的切断方式、带有第二遮光膜的构件的层叠数、第二接合体的切断方式等而进一步切断,加工为任意的形状、透光板与第一遮光膜及第二遮光膜的任意的数目。由此,就可以与所应用的发光元件数对应地制造在外周固定有遮光性框体的配光构件。在所得的配光构件中,优选在处于遮光性框体的内侧的遮光性框体与接合体之间的构件及遮光部,实质上不含有有机物。若含有有机物,则透光片中产生的热会积存在含有有机物的构件中,散热性有可能降低。与之不同,通过采用在遮光性框体的内侧实质上不含有有机物的结构,就容易向遮光性框体散热,可以减少配光构件的散热性的降低。
以下有时将对第一接合体进行第一切断后,再沿与第一切断交叉的方向进行切断后或切断第二接合体后,构成所得的配光构件,由第一遮光膜及第二遮光膜划分的状态的透光板的小片称作“透光片”(参照图1E及图1F的10、图3G的20、图5F及图5G的20)。
通过像这样对第一接合体进行第一切断,或再沿与第一切断交叉的方向进行切断,或切断第二接合体,就可以高精度、简便并且容易地制造如下的配光构件,即,包含长方体或立方体的均匀厚度的透光片,具备可以在与行方向和/或列方向上相邻的透光片之间进行遮光的遮光部,在透光片及遮光部的外周具备遮光性框体。
〔发光装置的制造方法〕
(发光元件的配置)
本发明的一个实施方式的发光装置的制造方法中,使用利用上述的方法形成的配光构件,相对于该配光构件配置发光元件。此处,作为发光元件使用LED(Light EmittingDiode)进行说明。配光构件配置于发光元件的光导出面侧,即,配置于发光装置的光导出面侧。
此外,以相对于1个以上的透光片射入来自1个发光元件的光的方式,各自分离地配置多个发光元件。
例如,在使用将由遮光部划分的透光片排列为一列的配光构件的情况下,以向1个以上的透光片射入来自1个发光元件的光的方式,将多个发光元件排列为一列。另外,在使用将由遮光部划分的透光片排列为行列状的配光构件的情况下,以向1个以上的透光片射入来自1个发光元件的光的方式,将多个发光元件排列为行列状。此时,优选以相对于1个透光片射入来自1个发光元件的光的方式配置配光构件,然而在1个透光片的大小比1个发光元件小的情况下,也可以以相对于多个透光片射入来自1个发光元件的光的方式配置配光构件。由此,就可以防止来自设于亮灯状态的发光元件中的透光片的光向设于相邻的未亮灯状态的发光元件中的透光片泄漏。其结果是,利用上述的简便的制造方法,可以防止设于未亮灯的发光元件中的透光片微弱地发光的现象。
另外,利用遮光性框体,可以防止设于位于最端部的发光元件中的透光片朝向横向的漏光,可以获得良好的配光性。此外,通过使用陶瓷等散热性高的材料,可以提高来自透光片的散热。
所排列的多个发光元件优选在相邻的发光元件间彼此靠近,若考虑车辆用灯具用途、以及亮度分布等,则1个发光元件与相邻的发光元件的分离距离优选比发光元件自身的尺寸(例如一边的长度)更短。例如,更优选为发光元件自身的尺寸的30%左右以下,进一步优选为20%以下。具体而言,优选为5μm以上且500μm以下,更优选为50μm以上且200μm以下。通过设为前述的下限值以上,就容易在发光元件间配置反射构件等,由此可以抑制从亮灯了的发光元件向未亮灯的发光元件的漏光,通过设为前述的上限值以下,可以制成发光不均少的发光品位高的发光装置。
发光元件相对于配光构件的配置可以是将发光元件相对于配光构件分离地配置,然而优选使发光元件与配光构件靠近或接触地配置。由此,至少可以将从发光元件射出的光中的向配光构件侧射出的光有效地导入配光构件。此处所谓靠近,是指实质上仅隔着参与两者的胶粘的构件(例如透光性的胶粘构件或微晶薄膜)地配置。
在使发光元件与配光构件接触地配置的情况下,优选使用表面活化接合型的常温接合。由此,就可以不夹隔其他构件地将发光元件与配光构件接合,因此可以抑制光由其他构件吸收。
在利用原子扩散接合型的常温接合将配光构件与发光元件接合的情况下,需要以透射光的程度的膜厚在配光构件及发光元件上形成微晶薄膜。例如,以成膜速度换算设为0.1nm以上且0.8nm以下,优选设为0.1nm以上且0.4nm以下,更优选设为0.1nm以上且0.2nm以下。
以下对本说明书中所说的“成膜速度换算”进行说明。首先,在具有一个平面的基台上以规定的时间形成微晶薄膜。然后,基于规定的时间与实际得到的微晶薄膜的膜厚的关系,决定用于获得所希望的膜厚的微晶薄膜的所需时间。此外,在以所需时间形成微晶薄膜的情况下,将获得与该所需时间对应的所希望的膜厚的微晶薄膜的膜厚设想为以成膜速度换算形成的膜厚。即,将根据反应时间设想的膜厚作为以成膜速度换算形成的膜厚。前述的范围也包含小于1个原子的值,然而该情况下微晶薄膜不会变为膜,而是以岛状形成。因而,即使实际的膜厚不包含于前述的膜厚范围中,只要以成膜速度换算在前述的膜厚范围中形成,则视为本发明的范围内。另外,在使用表面活化接合法的情况下,发光元件与透光片直接接触而被接合。根据表面活化接合,由于在透光片与发光元件之间没有吸收光的构件,因此可以将来自发光元件的光有效地射入透光片。
此处所用的发光元件可以使用该领域普遍使用的发光元件的任意一种。例如,作为蓝色或绿色的发光元件,可以举出使用了ZnSe、氮化物系半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP等半导体层的发光元件,作为红色的发光元件,可以举出使用了GaAlAs、AlInGaP等半导体层的发光元件。优选使用GaN系的半导体。
发光元件可以是在半导体层的不同侧配置有电极的发光元件,然而优选为在相同侧配置有电极的发光元件。由此,就可以以后述的面朝下(face-down)方式进行安装。
作为发光元件,也可以使用在侧面全面形成有反射膜的发光元件。由此,就可以将从发光元件朝向横向的光用反射膜反射而导出,因此可以提高光导出效率。另外,由于没有来自发光元件的光泄漏,因此不需要在发光元件间设置反射构件。作为反射膜,可以举出与第一遮光膜相同的材料,例如可以举出金属膜的单层或多层结构、或电介质多层膜等。这些反射膜优选与发光元件的侧面接触地形成。
在将发光元件与上述的配光构件对应地彼此分离地配置的情况下,通常是在支承基板上将多个发光元件以串联、并联、串并联或并串联等连接方式排列。发光元件被利用焊料等接合构件或金属线等连接。发光元件可以利用面朝下、面朝上的任意一种的接合方式连接,然而优选以面朝下的方式连接。利用此种连接,可以将发光元件与配光构件靠近或接触地配置,可以容易地获得所希望的配光特性。
形成于1个配光构件中的各透光片既可以采用相同的构成(形状、厚度、特性等),也可以如图7所示对每个透光片采用不同的构成。例如,可以改变各透光片的大小、以成为不同波长的光的方式使每个透光片中含有不同的荧光体、以阶梯状形成透光片等。
(反射构件的配置)
优选在发光元件间配置反射构件。通过设置反射构件,可以抑制来自亮灯了的发光元件的光射入设于未亮灯的发光元件中的透光片。而且,反射构件并非必需的构成。例如,在作为发光元件使用在侧面全面形成有反射膜的发光元件的情况下,也可以不配置反射构件。作为反射构件,优选反射意图配光的光、例如从发光元件射出的光的60%以上的反射构件,更优选反射70%以上、80%以上或90%以上的反射构件。
反射构件的材料例如可以从第一遮光膜中例示的材料中选择,然而若考虑反射构件的配置的精度、简便性、容易性等,则优选使用树脂。
作为树脂,可以举出与作为透光板的材料例示的树脂相同的树脂,特别是为了使从发光元件射出的光不会透过,优选在这些材料中含有上述的反射性物质。反射性物质等的含量可以根据所用的反射性物质的种类等适当地调整。例如,相对于反射构件的总重量,优选设为30%左右以上。其中,优选白色树脂。
无论有无将配光构件胶粘于发光元件的胶粘构件,都优选反射构件将由相邻的发光元件之间和配光构件包围的空间充满。另外,优选在发光元件间以与配光构件的遮光部(此处是第一遮光膜和/或第二遮光膜)接触的方式配置反射构件。此处的接触优选为在配光构件的发光元件侧露出的遮光部的全部与反射构件接触。另外,优选在发光元件的外周,以与遮光性框体接触的方式配置反射构件。由此,就可以将从各个发光元件射出的光依照发光元件进行分离,可以在发光装置内防止相邻的发光元件间的漏光。其结果是,可以避免设于未亮灯的发光元件中的透光片微弱地发光的现象。
反射构件也可以不与发光元件的侧面接触地配置,然而优选与侧面的一部分或全部接触地配置。利用此种配置,可以用反射构件反射从发光元件的侧面沿横向射出的光,向光导出面射出光。另外,通过与发光元件的侧面接触地设置反射构件,光就会仅在发光元件内传播,因此可以避免由其他构件造成的光吸收。
优选还在发光元件的与光导出面侧相反一侧的面,即,在发光元件与上述的支承基板之间配置反射构件。利用该配置,可以在光导出面侧导出光。
此外,在第一接合体的外周、即第一接合体的端面的一部分没有由遮光性框体覆盖的情况下,优选反射构件至少覆盖了没有由遮光性框体覆盖的面。由此,就可以在透光片内用遮光性框体及反射构件反射朝向横向的光。然而,在第一接合体的全部外周配置有遮光性框体的情况下,遮光性框体的外周也可以不由反射构件覆盖。由此,就可以将配光构件的外周设为发光装置的最外周,因此与在配光构件的侧面配置反射构件的情况相比可以使发光装置小型化。在第一接合体的端面由反射构件覆盖的情况下,更优选在配光构件的周边,反射构件的上面与配光构件的上面处于同一平面上。由此,就可以反射从配光构件的侧面射出的光,使之向光导出面射出。
反射构件可以利用丝网印刷、灌注(potting)、传递模、压模等形成。反射构件在所制造的发光装置中,没有覆盖配光构件的光导出面侧的表面,然而也可以在反射构件的形成工序中,在暂时覆盖配光构件的光导出面侧的表面后,利用研磨等进行使配光构件的光导出面从反射构件中露出的加工。
对于反射构件的厚度,优选设为与将发光元件与支承基板连接时的支承基板的上面到发光元件的上面的距离与配光构件的厚度的合计值同等。
反射构件的配置优选在相对于配光构件配置发光元件后进行,然而根据上述的配置方式,也可以在将发光元件例如载放于支承基板上后,在设置配光构件前,配置反射构件。
利用此种制造方法得到的发光装置具有配光构件。配光构件例如具有彼此位于相反一侧并且相互平行的第一主面及第二主面,具有在平行于这些第一主面及第二主面的规定的方向上分别交替地配置的透光片和遮光部,并且具有配置于包括透光片及遮光部的接合体的外周的遮光性框体。该发光装置除了配光构件以外,还具备与该配光构件的每个透光片对应地配置于配光构件的下面侧且彼此分离的多个发光元件、和配置于发光元件间的反射构件(参照图2B、4B)。换言之,具备彼此分离地配置的发光元件、设于这些发光元件的各自的发光面侧的透光片、将相邻的透光片接合的遮光部、和配置于相邻的发光元件间的反射构件。
利用此种构成,可以将从各个发光元件射出的光对每个发光元件进行分离,从而可以在发光装置内防止相邻的发光元件间的漏光。其结果是,可以避免设于未亮灯的发光元件中的透光片微弱地发光的现象。另外,可以防止来自设于处在最端部的发光元件中的透光片的侧方的漏光,控制配光性。
如图8所示作为发光元件13也可以使用半导体激光器元件(LD、Laser Diode)。图8中,具备配光构件32、和与配光构件32分离地配置的半导体激光器元件。半导体激光器元件被配置为使得来自LD的光射入配光构件32的没有设置遮光性框体39的一对主面中的一侧。LD与LED相比发出高密度的光,因此在透光片20中含有荧光体的情况下,基于上述的理由,本发明的散热性提高的效果变得明显。在使用LD的情况下,可以制成将配光构件32的下面作为来自LD的光的入射面、将配光构件32的上面作为光的射出面的透射型的配光构件。该情况下,与通过在接合体的下面接合金属等而可以从整个下面散热的反射型的装置不同,仅接合体的侧面成为散热路径。由此,在将配光构件32作为透射型使用的情况下,由遮光性框体39带来的散热性提高的效果更加明显。
以下,基于附图对本发明的各实施方式的配光构件的制造方法及发光装置的制造方法进行详细说明。
实施方式1:配光构件的制造方法
该实施方式1的配光构件的制造方法中,首先,如图1A所示,准备透光板10a。该透光板10a是通过向玻璃材料中混合10重量%左右的YAG荧光体并进行烧结,将由此得到的大张的YAG板切割为适当的大小而得。
如图1B所示,仅在该透光板10a的一面,利用溅射法依次形成(从透光板侧起依次为Ti/Pt/Au)厚度:100nm/200nm/500nm(合计厚度:800nm)的包含金属的多层结构膜的第一遮光膜11a,形成带有第一遮光膜的构件17。形成2个该带有第一遮光膜的构件17。另外,形成多个在该透光板10a的两面形成有第一遮光膜11a的带有第一遮光膜的构件17。此处的所谓一面是指图1A所示的透光板10a的上面或下面,所谓两面是指图1A所示的透光板10a的上面及下面。
然后,如图1C所示,将带有第一遮光膜的构件17以使第一遮光膜11a分别相面对的方式依次进行常温接合,形成第一接合体18。本实施例中,接合了5个带有第一遮光膜的构件17。该情况下,在位于第一接合体18的最下面及最上面的表面,配置没有形成第一遮光膜11a的面。另外,在带有第一遮光膜的构件17之间,配置有遮光部11(此处是2个第一遮光膜11a)。第一接合体18例如将与没有形成第一遮光膜11a的面相邻且与第一遮光膜11a正交的一面设为端面F,将与之相面对的端面设为端面R。此处的端面F、R采用了与第一遮光膜11a正交的面中的最小面积的面。
在所得的第一接合体18形成遮光性框体19。此处的遮光性框体以将第一接合体18的全部外周包围的方式配置。图1D中,在端面F、R以外的表面固定有遮光性框体19。
遮光性框体19例如是在位于第一接合体18的最下面及最上面的表面常温接合陶瓷,在第一接合体18中的端面F、R以外的露出的表面(与第一遮光膜11a正交的面中的最大面积的面)常温接合陶瓷而形成。
其后,如图1E所示,将用遮光性框体19包围了外周的第一接合体18以达到所希望的厚度的方式,垂直于固定有遮光性框体19的全部的面及带有第一遮光膜的构件17的接合面地切断。即,平行于第一接合体18的端面F、R地进行切断。其后,为了使表面平坦化而进行研磨。
由此,就可以如图1F所示,形成多个如下的配光构件12,即,成一列地具备透光片10、和接合相邻的透光片10的遮光部11(本实施方式中是2个第一遮光膜11a),在第一接合体18的全部外周配置有遮光性框体19,且为所希望的厚度。
如图1A及图1B所示,透光板10a的厚度是最终可以配置发光元件的最大宽度。因而,透光板10a的厚度优选大于俯视时的发光元件的一边(宽度),例如,可以设为比发光元件的一边大50μm以上的值。
该配光构件12中,由于在第一接合体18的外周设有包含陶瓷的遮光性框体19,因此可以形成耐光性及耐热性优异的配光构件12。另外,由于在遮光性框体19的内侧,实质上不含有有机物,因此容易将透光片10中产生的热向遮光性框体19散热。此外,根据本实施方式,可以简便地形成耐光性及耐热性优异的配光构件12。
实施方式2:发光装置的制造方法
该实施方式2的发光装置的制造方法中,首先,如图2A所示,与实施方式1中得到的配光构件12对应地配置发光元件13。即,与由配光构件12的遮光部11划分的透光片10的各自的位置对应地各自分离地配置5个发光元件13。
发光元件13的配置是通过在上面形成有布线图案的支承基板15上,排成一列地使用焊料面朝下安装发光元件13而进行。此后,在如此配置的发光元件13的光导出面侧,利用胶粘构件固定配光构件12。
接下来,如图2B所示,以配置于发光元件13间及发光元件13与支承基板15之间的方式,配置包含含有50%左右的二氧化钛的硅酮树脂的反射构件14,形成发光装置16。反射构件14在发光元件13间被以与遮光部11接触的方式设置。另外,反射构件14被配置为覆盖发光元件13的全部侧面及配光构件12的下面中除了与发光元件13接触的区域的全部。另外,在发光装置16的侧面中,遮光性框体19的侧面与反射构件14的侧面齐平面。
利用此种制造方法得到的发光装置具备:配光构件12,其具备将多个透光片10隔着遮光部11接合而得的接合体(此处是第一接合体18)及以从一个方向观看包围接合体的外周的方式设置的遮光性框体19;多个发光元件13,它们配置于配光构件12的没有设置遮光性框体19的一对主面中的一侧;和反射构件14,其包含与遮光性框体19不同的材料,在发光元件间以与遮光部11接触的方式设置。此时,配光构件12及发光元件13被配置为,相对于1个以上的透光片10射入来自1个发光元件13的光。
根据如上所述的制造方法,不需要在配光构件的侧面形成反射或遮光膜,可以高精度并且简便地制造发光装置。
另外,所得的发光装置在对各个发光元件各自独立地进行亮灯控制的情况下,可以抑制来自亮灯了的发光元件的光向设于相邻的未亮灯的发光元件中的透光片泄漏。由此,就可以阻止设于未亮灯的发光元件中的透光片微弱地发光。此外由于可以减小位于发光元件间的遮光膜的厚度,因此即便使相邻的发光元件同时发光,在边界部也可以确保均匀的明亮度。而且,可以制造更加紧密地配置发光元件的更加明亮的小型的发光装置。另外,还可以防止配置于发光装置的最端部的发光元件的横向的漏光,可以获得良好的配光性。
实施方式3:配光构件的制造方法
该实施方式3的配光构件的制造方法中,除了将透光板在2个方向上切断以外,与实施方式1的配光构件的制造方法实质上相同。
首先,如图3A所示,准备透光板20a。
此后,如图3B所示,在该透光板20a的表面,形成包含金属的多层结构膜的第一遮光膜21a,形成带有第一遮光膜的构件27。例如,将该情况下的带有第一遮光膜的构件27的宽度设为200μm左右。此处所说的宽度,是指图3B的横向的长度W。
然后,如图3C所示,将带有第一遮光膜的构件27以使第一遮光膜21a分别相面对的方式依次进行常温接合,形成例如层叠了5个带有第一遮光膜的构件27的第一接合体28。第一接合体28例如将与没有形成第一遮光膜21a的面相邻且与第一遮光膜21a正交的一面设为端面F,将与之相面对的端面设为端面R。此处的端面F、R采用了与第一遮光膜21a正交的面中的最小面积的面。
如图3D所示,在所得的第一接合体28形成遮光性框体29。此处的遮光性框体29以包围第一接合体28的全部外周的方式配置。图3D中,在端面F、R以外的表面固定有遮光性框体29。
其后,如图3E所示,将由遮光性框体29包围了外周的第一接合体28垂直于固定有遮光性框体29的全部的面及带有第一遮光膜的构件27的接合面地进行第一切断。即,与第一接合体28的端面F、R平行地进行切断。其后,为了使表面平坦化而进行研磨。由此,就得到图3F所示的配光构件22a。
继而,如图3G所示,对切断而得的配光构件22a,再次沿如下的方向进行切断,即,相对于带有第一遮光膜的构件27的接合面为垂直方向,且在带有第一遮光膜的构件27的接合面中是与上述的第一切断正交的方向。
通过进行此种在2个方向上的切断,就可以如图3G所示,在透光片20之间配置遮光部21,制造多个所希望的形状的配光构件22。然而,在所得的配光构件22中,遮光性框体29并不是配置于全部外周,而是仅配置于一对侧面或一对侧面及另外的1个侧面。
在像这样在2个方向上进行切断的情况下,优选如图3A中所示,具有透光板20a的纵深。
利用此种制造方法,也可以与实施方式1相同,以高精度而简便的方法,大量地制造能够防止相邻的发光元件的漏光的配光构件。
实施方式4:发光装置的制造方法
该实施方式4的发光装置的制造方法中,如图4A所示,与实施方式2相同地配置发光元件13及配光构件22。
接下来,如图4B所示,在发光元件13间等配置反射构件14。反射构件14在发光元件13间被以与遮光部21(此处是2个第一遮光膜21a)接触的方式设置。另外,反射构件14被以覆盖发光元件13的全部侧面、配光构件12的侧面及配光构件12的下面中的没有与发光元件13接触的全部区域的方式配置。即,以覆盖遮光性框体29的全部侧面的方式配置反射构件14。另外,在发光装置26的上面,遮光性框体29的上面与反射构件14的上面齐平面。
利用如上所述的制造方法,与实施方式2相同,不需要在配光构件的侧面形成反射或遮光膜,可以高精度并且简便地制造配光构件及发光装置。
实施方式5:配光构件的制造方法
该实施方式5的配光构件的制造方法中,将实施方式3的图3C所示的第一接合体28如图5A所示垂直于带有第一遮光膜的构件27的接合面地切断,如图5B所示,形成中间物22b。与端面F、R垂直地进行该切断。
然后,如图5C所示,在所得的中间物22b的表面,与第一遮光膜21a的形成相同地形成包含金属的多层结构膜的第二遮光膜31a,形成带有第二遮光膜的构件37。
如图5D所示,将带有第二遮光膜的构件37以使第二遮光膜31a分别相面对的方式依次进行常温接合,形成例如接合了5个带有第二遮光膜的构件37的第二接合体38。第二接合体38例如将与没有形成第二遮光膜31a的面相邻且与第二遮光膜31a及第一遮光膜21a正交的一面设为端面F,将与之相面对的端面设为端面R。此处的端面F、R采用了与第二遮光膜31a正交的面中的最小面积的面。
如图5E所示,在所得的第二接合体38形成遮光性框体39。此处的遮光性框体39以包围第二接合体38的全部外周的方式配置。图5E中,遮光性框体39被固定于端面F、R以外的表面。
接下来,如图5F所示,将由遮光性框体39包围了外周的第二接合体3垂直于固定有遮光性框体39的全部的面地切断。即,与第二接合体38的端面F、R平行地进行切断。
其后,任意地对所得的配光构件32进行研磨和/或切断,例如制造图5G所示的所希望的形状的配光构件32。该配光构件32以行列状配置有多个透光片20。此外,在行方向上相邻的各透光片20间配置有包含2个第一遮光膜21a的遮光部21,在列方向上相邻的各透光片20间配置有包含2个第二遮光膜31a的遮光部31。
利用此种制造方法,也可以与实施方式1及3相同,以高精度而简便的方法,大量地制造能够防止向相邻的透光片的漏光的配光构件。
实施方式6:发光装置的制造方法
该实施方式6的发光装置的制造方法中,如图6所示,与实施方式5中得到的配光构件32对应地以行列状配置多个发光元件13。
此时的发光元件13的排列可以与实施方式2相同地进行,此外,可以利用与实施方式2相同的方法,形成反射构件,制造发光装置。
利用此种制造方法得到的发光装置除了发光元件被以行列状配置、与这些发光元件对应地配置透光片且在相邻的透光片间配置遮光部(本实施方式中是第一遮光膜及第二遮光膜)以外,实质上是与实施方式2的发光装置相同的构成。
在此种发光装置中,也与实施方式2、4相同,不需要在配光构件的侧面形成反射或遮光膜,可以高精度并且简便地制造配光构件及发光装置。
实施方式7:配光构件的制造方法
该配光构件的制造方法中,为了制造图7A的发光装置的配光构件42,首先,作为透光板,准备:
厚度最薄、荧光体浓度最高的透光板A、
厚度最薄、荧光体浓度第二高的透光板B、
厚度第二薄、荧光体浓度最高的透光板C、
厚度最厚、荧光体浓度第二高的透光板D、
厚度最厚、荧光体浓度最低的透光板E。
此后,使用透光板A及透光板B,与实施方式1的直到图1C的工序相同地制成沿行方向排列有透光片41a、41b的接合体X。
另外,使用透光板D及透光板E,与实施方式1的直到图1C的工序相同地制成沿行方向排列有透光片41d、41e的接合体Y。
此外,使用透光板B及透光板C,与实施方式1的直到图1C的工序相同地制成沿行方向排列有透光片41b、41c的接合体Z。
将这些接合体X、接合体Y及接合体Z分别视为图5B所示的中间体,在其表面与图5C相同地形成遮光膜。其后,与图5D相同地沿与行方向正交的方向层叠。接下来,与图5E相同地形成遮光性框体49,与图5F相同地切断。
由此,就可以如图7A所示,形成如下的配光构件42,即,具备作为最小的大小且荧光体浓度最高的透光片41a、作为最小的大小且荧光体浓度第二高的透光片41b、作为第二小的大小且荧光体浓度最高的透光片41c、作为最大的大小且荧光体浓度第二高的透光片41d、作为最大的大小且荧光体浓度最低的透光片41e,在其外周形成有遮光性框体49。
实施方式8:发光装置的制造方法
该发光装置的制造方法中,如图7B所示,取代配光构件32而使用配光构件42,在最小的大小的1个透光片41a、41b中配置1个发光元件13,在第二小的大小的透光片41c中配置2个发光元件13,在最大的大小的透光片41d、41e中配置4个发光元件13,除此以外,可以制造与实施方式6相同的发光装置。
此种发光装置中,也可以获得与实施方式2、4及6相同的效果。另外,在使用此种形态的配光构件的情况下,可以制成例如对应于车辆用前照灯等各种应用的特性的发光装置。
产业上的可利用性
本发明的一个实施方式的配光构件的制造方法及发光装置的制造方法可以用于各种显示装置的光源、照明用光源、各种指示器用光源、车辆用灯具、显示器用光源、液晶的背光灯用光源、车载部件、广告牌用信道字母等各种光源的制造中。
符号的说明
10、20、41a、41b、41c、41d、41e 透光片,10a、20a 透光板,11a、21a 第一遮光膜,11、21、31 遮光部,12、22、22a、22b、32、32a、42 配光构件,13 发光元件,14 反射构件,15基板,16、26、46 发光装置,17、27 带有第一遮光膜的构件,18、28 第一接合体,19、29、39、49 遮光性框体,31a 第二遮光膜,37 带有第二遮光膜的构件,38 第二接合体,F、R 端面。

Claims (16)

1.一种配光构件的制造方法,
准备将多个透光板隔着遮光部接合而得的接合体,
将遮光性框体固定于所述接合体,以使得从一个方向观看遮光性框体包围所述接合体的外周,
将所述接合体及所述遮光性框体相对于所述接合体的固定有所述遮光性框体的面垂直地切断,得到分别具备多个透光片的多个配光构件。
2.根据权利要求1所述的配光构件的制造方法,其中,
在准备接合体的工序中,准备将所述透光板隔着所述遮光部以行列状接合而得的接合体。
3.根据权利要求1或2所述的配光构件的制造方法,其中,
所述透光板含有荧光体。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的配光构件的制造方法,其中,
在准备所述接合体的工序中,分别在透光板的至少一面形成第一遮光膜,以使得所述第一遮光膜彼此面对面的方式将多个所述透光板接合,所述第一遮光膜具有包含金属的单层、包含金属的多层膜、包含电介质的多层膜的至少任意一种。
5.根据权利要求4所述的配光构件的制造方法,其中,
在准备所述接合体的工序中,作为所述第一遮光膜使用含有包含电介质的多层膜的膜。
6.根据权利要求4或5所述的配光构件的制造方法,其中,
在准备所述接合体的工序中,作为所述第一遮光膜使用含有金属的膜,将所述含有金属的膜彼此直接接合,由此将所述透光板接合。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的配光构件的制造方法,其中,
利用陶瓷形成所述遮光性框体。
8.一种发光装置的制造方法,包括如下的工序,即,
利用权利要求1~7中任一项所述的方法制造配光构件,
各自分离地设置多个发光元件,以使得相对于1个以上的所述透光片射入来自1个发光元件的光。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法,其中,
在各自分离地设置所述多个发光元件的工序后,包括设置反射构件的工序,所述反射构件包含与所述遮光性框体不同的材料,且在所述发光元件间以与所述遮光部接触的方式设置。
10.一种配光构件,其具备:
将多个透光片隔着遮光部接合而得的接合体、和
以从一个方向观看包围所述接合体的外周的方式设置的遮光性框体。
11.根据权利要求10所述的配光构件,其中,
所述透光片被隔着所述遮光部以行列状接合。
12.根据权利要求10或11所述的配光构件,其中,
在所述透光片中含有荧光体。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的配光构件,其中,
所述遮光性框体包含陶瓷,
在所述遮光性框体的内侧,实质上不含有有机物。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的配光构件,其中,
从上方观看,所述遮光性框体的宽度处于50μm以上且1000μm的范围。
15.一种发光装置,其具备:
权利要求10~14中任一项所述的配光构件、
配置于所述配光构件的未设置有所述遮光性框体的一对主面中的一侧的多个发光元件、和
包含与所述遮光性框体不同的材料且在所述发光元件间以与所述遮光部接触的方式设置的反射构件,
所述配光构件及所述发光元件被配置为相对于1个以上的所述透光片射入来自1个所述发光元件的光。
16.一种发光装置,其具备:
权利要求10~14中任一项所述的配光构件、和
与所述配光构件分离地配置的半导体激光器元件,
所述半导体激光器元件被配置为来自所述半导体激光器元件的光射入所述配光构件的未设置有所述遮光性框体的一对主面中的一侧。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860381A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN110246947A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019141374A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of conversion elements, conversion element and optoelectronic component
CN110323213B (zh) 2018-03-30 2024-05-03 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
JP6947990B2 (ja) 2019-04-22 2021-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017204A (zh) * 2008-05-07 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有包含发光材料的自支撑网格的led照明器件和制作自支撑网格的方法
JP2012134355A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US20120236582A1 (en) * 2011-01-24 2012-09-20 Waragaya Takeshi Semiconductor light emitting device and manufacturing method
CN103210509A (zh) * 2010-11-18 2013-07-17 日本电气硝子株式会社 波长变换元件和具备该波长变换元件的光源
CN104205373A (zh) * 2012-03-22 2014-12-10 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 陶瓷波长转换板和包括陶瓷波长转换板的光源
EP2827048A1 (en) * 2012-03-15 2015-01-21 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting device and lighting apparatus for vehicle
WO2015063077A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, method of making, and light-emitting semiconductor component having same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041228A (en) * 1956-11-26 1962-06-26 I J Mccullough Method of making luminescent screens
GB9207524D0 (en) * 1992-04-07 1992-05-20 Smiths Industries Plc Radiation-emitting devices
AT401587B (de) * 1993-12-30 1996-10-25 Rosenitsch Harald Ing Anzeigevorrichtung mit einem rasterkörper
JP3330895B2 (ja) 1998-09-17 2002-09-30 富士写真フイルム株式会社 輝尽性蛍光体シート及び放射線像記録再生方法
JP2000221298A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報読取方法および輝尽性蛍光体シート
GB2395052B (en) * 2002-11-05 2006-09-06 Box Consultants Ltd Display system cover
CN101326402B (zh) * 2005-12-07 2010-06-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明模块
US20080112165A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 Kyocera Corporation Light-emitting device
US7914162B1 (en) * 2007-08-23 2011-03-29 Grand General Accessories Manufacturing LED light assembly having heating board
US8622573B2 (en) * 2008-03-11 2014-01-07 Robe Lighting S.R.O. LED array beam control luminaires
TW201000819A (en) * 2008-06-30 2010-01-01 Create Electronic Optical Co Ltd LED illumination device
JP5401661B2 (ja) 2008-08-22 2014-01-29 株式会社ムサシノエンジニアリング 原子拡散接合方法及び前記方法により接合された構造体
JP5662939B2 (ja) 2009-05-22 2015-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置
JP5585421B2 (ja) 2010-11-30 2014-09-10 日本電気硝子株式会社 波長変換素子及びそれを備える光源
US9153545B2 (en) 2010-12-20 2015-10-06 Rohm Co., Ltd. Light-emitting element unit and light-emitting element package
JP5588368B2 (ja) 2011-01-24 2014-09-10 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012169189A (ja) 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
JP5965162B2 (ja) 2012-03-08 2016-08-03 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
US9806240B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017204A (zh) * 2008-05-07 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有包含发光材料的自支撑网格的led照明器件和制作自支撑网格的方法
CN103210509A (zh) * 2010-11-18 2013-07-17 日本电气硝子株式会社 波长变换元件和具备该波长变换元件的光源
JP2012134355A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US20120236582A1 (en) * 2011-01-24 2012-09-20 Waragaya Takeshi Semiconductor light emitting device and manufacturing method
EP2827048A1 (en) * 2012-03-15 2015-01-21 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting device and lighting apparatus for vehicle
CN104205373A (zh) * 2012-03-22 2014-12-10 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 陶瓷波长转换板和包括陶瓷波长转换板的光源
WO2015063077A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, method of making, and light-emitting semiconductor component having same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
川合知二: "《图解纳米技术》", 31 January 2004 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109860381A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN109860381B (zh) * 2017-11-30 2024-05-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN110246947A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品

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Publication number Publication date
US10415795B2 (en) 2019-09-17
EP3093893B1 (en) 2020-03-18
EP3093893A1 (en) 2016-11-16
US20160334077A1 (en) 2016-11-17
CN115188872A (zh) 2022-10-14

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