CN106024820A - 一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法，所述堆栈式图像传感器芯片的像素区包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域，所述第一区域和/或所述第二区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，由此，所述堆栈式图像传感器芯片在接收光线的过程中，可以使得第一区域(即边缘区域)伸长而更接近光源和/或使得第二区域(即中心区域)收缩更远离光源，从而可以使得第一区域(即边缘区域)接收到的光线较第二区域(即中心区域)接收到的光线多，提高了第一区域(即边缘区域)的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法。
背景技术
摄像头是图像传感器的主要应用之一。摄像头主要包括图像传感器以及与图像传感器配合的透镜。现有摄像头的透镜在聚焦时，往往存在中心区域和边缘区域成像不均匀的缺陷。通常体现在：图像的边缘区域成像效果要比中心区域效果差，包括清晰度和亮度等。上述现象是由透镜的特性所决定的，很难在透镜上有所改善。
目前，有公司在解决摄像头的透镜在聚焦时，存在中心区域和边缘区域成像不均匀的问题上，提出了一种弧形的图像传感器芯片硅基底的形状。该弧形结构模拟了人体眼球的成像原理，使透镜到各个光电二极管的距离相等，使得图像传感器边缘区域与中心区域的成像效果相仿。尽管上述原理能够解决现有技术成像不均匀的问题，但是，弧形结构硅基底的形成工艺会对芯片产生应力。这种工艺主要会带来两方面的风险：一方面芯片可能会因此而崩裂，另一方面在芯片上施加应力会一定程度的影响成像效果，具体表现在：暗电流、白点、噪声等。如果要避免上述两方面的风险，则会对生产工艺的要求异常严苛，严重影响了良率。
因此，如何改善摄像头的上述缺陷成了本领域技术人员需要解决的一大难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法，以解决现有的摄像头的透镜成像不均匀的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种堆栈式图像传感器芯片，所述堆栈式图像传感器芯片由堆栈式图像传感器晶圆切割而成，所述堆栈式图像传感器晶圆由像素晶圆和逻辑晶圆上下键合而成，所述堆栈式图像传感器芯片包括像素区和逻辑区，所述像素区包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域，所述第一区域和/或所述第二区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第二区域内的晶柱收缩；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长，同时所述第二区域内的晶柱收缩。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述堆栈式图像传感器芯片还包括第三区域，所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第一区域内的晶柱短；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第二区域内的晶柱长；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第一区域内的晶柱短，并且所述第三区域内的晶柱比所述第二区域内的晶柱长。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述晶柱伸长或者收缩的范围为10μm-200μm。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述晶柱的材料为锆钛酸铅、石英、镓酸锂、锗酸锂或者锗酸钛。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述像素晶圆包括：像素晶圆基底；位于所述像素晶圆基底上的像素晶圆介质层，所述晶柱位于所述像素晶圆介质层中。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述晶柱两端为电极端。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述晶柱靠近所述像素晶圆基底的一端形成有缓冲层。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述缓冲层为SiO2材料层、SiN材料层、SiO2与Ti的复合材料层或者SiN与Ti的复合材料层。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片中，所述第一区域中所注入离子的浓度比所述第二区域中所注入离子的浓度高。
本发明还提供一种堆栈式图像传感器芯片的制造方法，所述堆栈式图像传感器芯片的制造方法包括：
提供像素晶圆基底，所述像素晶圆基底包括多个芯片单元，每个芯片单元包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域；
在所述像素晶圆基底上形成晶柱，所述晶柱位于所述第一区域和/或所述第二区域内，其中，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第二区域内的晶柱收缩；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长，同时所述第二区域内的晶柱收缩。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法中，在所述像素晶圆基底上形成晶柱之前包括：
在所述像素晶圆基底上形成缓冲层；
其中，所述晶柱形成于所述缓冲层上。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法中，在所述像素晶圆基底上形成晶柱包括：
在所述像素晶圆基底上形成像素晶圆介质层，所述像素晶圆介质层覆盖所述缓冲层；
刻蚀所述像素晶圆介质层，露出所述缓冲层；
在所述缓冲层上形成晶柱，其中，所述晶柱两端为电极。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法中，所述堆栈式图像传感器芯片的制造方法还包括：
在所述像素晶圆介质层上形成键合层；以及
在所述键合层上键合逻辑晶圆。
可选的，在所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法中，所述第一区域中所注入离子的浓度比所述第二区域中所注入离子的浓度高。
在本发明提供的堆栈式图像传感器芯片及其制造方法中，包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域，所述第一区域和/或所述第二区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，由此，所述堆栈式图像传感器芯片在接收光线的过程中，可以使得第一区域(即边缘区域)伸长而更接近光源和/或使得第二区域(即中心区域)收缩更远离光源，从而可以使得第一区域(即边缘区域)接收到的光线较第二区域(即中心区域)接收到的光线多，提高了第一区域(即边缘区域)的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
附图说明
图1是本发明实施例一的对应一个芯片单元的像素区俯视示意图；
图2至图5是本发明实施例一的形成晶柱过程中所形成结构的部分剖面示意图；
图6是本发明实施例一的堆栈式图像传感器芯片单元的部分结构示意图；
图7是本发明实施例一的第一区域的四颗像素的俯视示意图；
图8是本发明实施例二的对应一个芯片单元的像素区俯视示意图；
图9是本发明实施例三的对应一个芯片单元的像素区俯视示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，往往都采用了不同的比例。
【实施例一】
本申请实施例一提供了一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法，其中，所述堆栈式图像传感器芯片的制造方法首先包括：提供一像素晶圆基底。具体的，请参考图1，其示出了对应一个芯片单元的像素区结构，通常的，像素晶圆基底可以包括多个芯片单元，也即像素晶圆基底包括多个如图1所示的结构。需说明的是，在本申请的用语中，芯片单元通常指还未制造完成的、且还未从堆栈式图像传感器晶圆上切割下来的结构，堆栈式图像传感器芯片单元通常指未从堆栈式图像传感器晶圆上切割下来的结构，堆栈式图像传感器芯片通常指已经从堆栈式图像传感器晶圆上切割下来的结构。
如图1所示，在此，一个芯片单元具有X行*Y列像素，其中，X和Y均为奇数，即具有偶数数目的总像素数。在本申请实施例一中，所述芯片单元包括像素区和逻辑区，其中像素区和逻辑区上下堆叠，所述像素区10’包括第一区域100’以及位于所述第一区域100’内的第二区域101’，也即第一区域100’处于边缘位置，第二区域101’处于中心位置，因而在此，所述第一区域100’也可以称为边缘区域，所述第二区域101’也可以称为中心区域。易知的，对于一个像素晶圆基底而言，将具有多个如上所述的像素区10’。
接着，在像素晶圆基底上形成晶柱，在本申请实施例一中，仅在每个芯片单元的第一区域100’内形成晶柱。具体的，请参考图2至图5，其示出了形成晶柱过程中对应第一区域100’内一颗像素的结构变化示意图。
首先，请参考图2，在本申请实施例一中，在所述像素晶圆基底10上形成缓冲层11。优选的，所述缓冲层11的材料为SiO2或者SiN，通过所述缓冲层11能够防止像素晶圆基底10中的Si扩散到后续形成的晶柱中。更优选的，所述缓冲层11为SiO2与Ti的复合材料层或者SiN与Ti的复合材料层。在此种情况下，先形成SiO2层或者SiN层，接着在所述SiO2层或者SiN层上形成Ti层。此时，所述SiO2层或者SiN层能够防止像素晶圆基底10中的Si扩散到后续形成的晶柱中，同时，所述Ti层能够增强所述SiO2层或者SiN层与后续形成的晶柱之间的粘合，从而提高所形成的堆栈式图像传感器芯片的质量与可靠性。
较佳的，当所述缓冲层11为SiO2层或者SiN层时，所述SiO2层或者SiN层的厚度为10nm～200nm；当所述缓冲层11为SiO2与Ti的复合材料层或者SiN与Ti的复合材料层时，所述SiO2层或者SiN层的厚度为10nm～200nm，所述Ti层的厚度为1nm～20nm。
进一步的，可在形成所述缓冲层11前或者后，在所述像素晶圆基底10上形成传输栅12。所述传输栅12可通过传统工艺形成，本申请对此不在赘述。
接着，如图3所示，在所述像素晶圆基底10上形成像素晶圆介质层13，所述像素晶圆介质层13覆盖所述缓冲层11。在此，所述像素晶圆介质层13可通过化学气相沉积等传统工艺形成。
接着，请参考图4，刻蚀所述像素晶圆介质层13，以去除部分像素晶圆介质层13，露出所述缓冲层11。优选的，通过干法刻蚀工艺对所述像素晶圆介质层13进行刻蚀。
然后，在所述缓冲层11上形成晶柱15，其中，所述晶柱15两端为电极。在此分别为第一电极14和第二电极16，其中，所述第一电极14通过(硅)像素晶圆基底10接地，所述第二电极16与后续键合的逻辑晶圆中的金属布线连接。
优选的，所述晶柱15的材料为锆钛酸铅、石英、镓酸锂、锗酸锂或者锗酸钛。以所述晶柱15的材料为锆钛酸铅(PZT，成分为Pb(Zr1-xTix)O3)为例，其可以采用MEMS工艺中常用的磁控溅射法来生长。具体可以通过如下工艺步骤形成：先通过溅射方法慢速生长PZT籽晶层；然后提高溅射速率或者旋涂PZT层。优选的，采用锆钛比为～50/～50(即1:1)组分的，以(111)方向生长晶柱15。进一步的，在完成晶柱15的生长后，在300℃～400℃下进行RTP退火。由此，可以得到高质量的晶柱15。请参考图7，其示出了第一区域100的四颗像素的俯视示意图。如图7所示，每颗像素中均形成有晶柱15。
在本申请实施例一中，接着，可在所述像素晶圆介质层13上形成键合层17；在所述键合层17上键合逻辑晶圆18，即将像素晶圆与逻辑晶圆18键合，具体如图6所示。将像素晶圆与逻辑晶圆18键合后，接着可执行晶背减薄、深硅穿孔、金属沉积、滤光片沉积以及微透镜形成等传统堆栈式图像传感器芯片制造工艺，对此本申请不再赘述。
经过上述(部分或者全部)工艺后，便可形成堆栈式图像传感器晶圆，对所述堆栈式图像传感器晶圆切割便可形成本申请提出的堆栈式图像传感器芯片，所述堆栈式图像传感器芯片包括像素区和逻辑区，所述像素区10’包括第一区域100’以及位于所述第一区域100’内的第二区域101’(对此可相应参考图1)，所述第一区域100’内形成有晶柱15。
通过改变所述晶柱15两端的电压，能够使得所述晶柱15伸长或者收缩。在本申请实施例一中，通过改变所述晶柱15两端的电压，使得所述晶柱15伸长，也即使得第一区域100’(即边缘区域)伸长而更接近光源，由此便可以使得第一区域100’(即边缘区域)接收到的光线较第二区域101’(即中心区域)接收到的光线多，提高了第一区域100’(即边缘区域)的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
优选的，所述晶柱15伸长或者收缩的范围为10μm-200μm，即在本申请实施例一中，使得所述晶柱15伸长的范围为10μm-200μm，由此可以使得所述摄像头中心区域和边缘区域的感光能力得到一个最佳的补偿，即使得所述摄像头的成像最佳。
【实施例二】
请参考图8，其是本发明实施例二的对应一个芯片单元的像素区俯视示意图。如图8所示，在此，一个芯片单元具有X行*Y列像素，其中，X和Y均为偶数，即具有奇数数目的总像素数。如图8所示，所述芯片单元的像素区20’包括第一区域200’以及位于所述第一区域200’内的第二区域201’，也即第一区域200’处于边缘位置，第二区域201’处于中心位置，因而在此，所述第一区域200’也可以称为边缘区域，所述第二区域201’也可以称为中心区域。
在本申请实施例二中，仅在第二区域201’内形成晶柱。其具体形成过程可以参考实施例一，本实施例二对此不再赘述。
同样的，在所述第二区域201’内形成的晶柱通过改变其两端的电压能够伸长或者收缩。在本申请实施例二中，通过改变所述晶柱两端的电压，使得所述晶柱收缩，也即使得第二区域201’(即中心区域)收缩而远离光源，由此便可以使得第一区域200’(即边缘区域)接收到的光线较第二区域201’(即中心区域)接收到的光线多，提高了第一区域200’(即边缘区域)的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
【实施例三】
请参考图9，其是本发明实施例三的对应一个芯片单元的像素区俯视示意图。如图9所示，在此，一个芯片单元具有X行*Y列像素，其中，X和Y均为奇数，即具有偶数数目的总像素数。如图9所示，所述芯片单元的像素区30’包括第一区域300’、位于所述第一区域300’内的第二区域301’以及位于所述第一区域300’和第二区域301’之间的第三区域302’，也即第一区域300’处于最边缘位置，第三区域302’处于次边缘位置，第二区域301’处于中心位置。
在本申请实施例三中，在第一区域300’、第二区域301’及第三区域302’内均形成有晶柱。其具体形成过程可以参考实施例一，本实施例三对此不再赘述。
同样的，在所述第一区域300’、第二区域301’及第三区域302’内形成的晶柱通过改变其两端的电压能够伸长或者收缩。在本申请实施例三中，通过改变所述第一区域300’、第二区域301’及第三区域302’内的晶柱两端的电压，即给予所述第一区域300’、第二区域301’及第三区域302’内的晶柱两端不同的电压，可以使得所述第一区域300’、第二区域301’及第三区域302’内的晶柱均伸长或者均收缩；或者使得所述第一区域300’及第三区域302’内的晶柱均伸长，第二区域301’内的晶柱收缩；或者使得所述第一区域300’内的晶柱均伸长，第二区域301’及第三区域302’内的晶柱均收缩。不管上述哪种方式，其结果都是：使得所述第三区域302’内的晶柱比所述第一区域300’内的晶柱短，并且所述第三区域302’内的晶柱比所述第二区域301’内的晶柱长；也即使得越靠近边缘区域接收到的光线越多，提高边缘区域的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
根据上述公开的内容，易知的，还可以有其他实现方式，例如，仅在第一区域300’(仍可相应参考图9)和第三区域302’内形成有晶柱，此时，第一区域300’和第三区域302’内的晶柱均伸长，并且第一区域300’内的晶柱比第三区域302’内的晶柱伸长的程度大，即第一区域300’内的晶柱较长。由此也就使得越靠近边缘区域接收到的光线越多，提高边缘区域的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
又如，仅在第二区域301’(仍可相应参考图9)和第三区域302’内形成有晶柱，此时，第二区域301’和第三区域302’内的晶柱均收缩，并且第二区域301’内的晶柱比第三区域302’内的晶柱收缩的程度大，即第二区域301’内的晶柱较短。由此同样可以使得越靠近边缘区域接收到的光线越多，提高边缘区域的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
【实施例四】
在本实施例四中，可以参照实施例一所用附图。本实施例四与实施例一的差别在于，所述第一区域100’中所注入离子的浓度比所述第二区域101’中所注入离子的浓度高。具体的，在堆栈式图像传感器芯片的生产工艺中(通常在对所述像素晶圆和逻辑晶圆键合后，像素晶圆的晶背进行减薄处理之前)，对所述第一区域100’进行多次离子注入，即在常规的离子注入基础上增加一次或者更多次额外的离子注入。通过对所述第一区域100’进行额外离子注入，可以使得所述第一区域100’的离子浓度高于所述第二区域101’的离子浓度。进一步的，对所述第一区域100’进行额外离子注入的工艺，可在像素晶圆进行n型阱区离子注入过程中加以完成。具体的，可利用光阻图形定义来对第一区域100’作额外离子注入，即提供像素晶圆基底时，第一区域100’中所注入离子的浓度已经高于第二区域101’中所注入离子的浓度，由此相对于原有工艺所需要的额外工艺成本较低。
在本申请实施例四中，通过第一区域100’中所注入离子的浓度比第二区域101’中所注入离子的浓度高，可提高第一区域100’的感光能力，由此可以弥补透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
也就是说，在本申请实施例四中，通过如下两个因素共同作用，提高了第一区域100’的感光能力：
1、第一区域100’的晶柱伸长而更接近光源；
2、第一区域100’中所注入离子的浓度比第二区域101’中所注入离子的浓度高。
关于因素2的作用原理，具体如下：
阱容是每个像素的势阱容纳电荷的能力，最大阱容是体现堆栈式图像传感器芯片成像效果的主要参数之一，理论最大阱容由芯片单元中注入的离子浓度决定，而实际测得的最大阱容还受光照条件影响，间接反映了堆栈式图像传感器芯片感光的能力，即产生光电子数量的能力。
在现有的摄像头中，由于透镜的存在，堆栈式图像传感器芯片(即众所周知的，芯片单元的表面平坦、各位置离子注入浓度相等的情况，即没有晶柱改变与光源的距离，并且第一区域(边缘区域)注入离子的浓度与第二区域(中心区域)注入离子的浓度相同)第一区域与第二区域的光照条件不相同，第一区域通常不能达到最佳光照，从而使得第一区域的实际最大产生光电子的数量不能达到满足理论最大阱容的光电子数量；同时，第二区域通常能够达到最佳光照，从而使得第二区域的实际产生光电子的数量能够达到满足理论最大阱容的光电子数量，由此使测得第二区域的(实际)最大阱容与第一区域的(实际)最大阱容具有了差异，通常的，该差异可以达到5％～20％。基此，在现有的摄像头中，便出现了中心区域和边缘区域之间成像不均匀的问题。
基此，在本申请实施例中，通过第一区域100’中所注入离子的浓度比第二区域101’中所注入离子的浓度高，提高了第一区域100’的理论最大阱容，以此弥补第一区域100’不能达到最佳光照条件的缺失，弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。同时，在本实施例四中，还通过第一区域100’的晶柱伸长而更接近光源，弥补透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，使得摄像头的成像更加均匀，即第一区域100’更接近光源，从而使得第一区域100’接收到的光线较第二区域101’接收到的光线多，提高边缘区域的感光能力，从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷，即使得摄像头的成像更加均匀。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述堆栈式图像传感器芯片由堆栈式图像传感器晶圆切割而成，所述堆栈式图像传感器晶圆由像素晶圆和逻辑晶圆上下键合而成，所述堆栈式图像传感器芯片包括像素区和逻辑区，所述像素区包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域，所述第一区域和/或所述第二区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第二区域内的晶柱收缩；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长，同时所述第二区域内的晶柱收缩。
2.如权利要求1所述的堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述堆栈式图像传感器芯片还包括第三区域，所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域内形成有晶柱，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第一区域内的晶柱短；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第二区域内的晶柱长；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第三区域内的晶柱比所述第一区域内的晶柱短，并且所述第三区域内的晶柱比所述第二区域内的晶柱长。
3.如权利要求1或2所述的堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述像素晶圆包括：像素晶圆基底；位于所述像素晶圆基底上的像素晶圆介质层，所述晶柱位于所述像素晶圆介质层中。
4.如权利要求3所述的堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述晶柱两端为电极端。
5.如权利要求3所述的堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述晶柱靠近所述像素晶圆基底的一端形成有缓冲层。
6.如权利要求1或2所述的堆栈式图像传感器芯片，其特征在于，所述第一区域中所注入离子的浓度比所述第二区域中所注入离子的浓度高。
7.一种堆栈式图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述堆栈式图像传感器芯片的制造方法包括：
提供像素晶圆基底，所述像素晶圆基底包括多个芯片单元，每个芯片单元包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域；
在所述像素晶圆基底上形成晶柱，所述晶柱位于所述第一区域和/或所述第二区域内，其中，通过改变所述晶柱两端的电压，能够使得所述晶柱伸长或者收缩，
当所述第一区域内形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长；
当所述第二区域内形成有晶柱时，能够使得所述第二区域内的晶柱收缩；
当所述第一区域内和所述第二区域内均形成有晶柱时，能够使得所述第一区域内的晶柱伸长，同时所述第二区域内的晶柱收缩。
8.如权利要求7所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，在所述像素晶圆基底上形成晶柱之前包括：
在所述像素晶圆基底上形成缓冲层；
其中，所述晶柱形成于所述缓冲层上。
9.如权利要求8所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，在所述像素晶圆基底上形成晶柱包括：
在所述像素晶圆基底上形成像素晶圆介质层，所述像素晶圆介质层覆盖所述缓冲层；
刻蚀所述像素晶圆介质层，露出所述缓冲层；
在所述缓冲层上形成晶柱，其中，所述晶柱两端为电极。
10.如权利要求9所述的堆栈式图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述堆栈式图像传感器芯片的制造方法还包括：
在所述像素晶圆介质层上形成键合层；以及
在所述键合层上键合逻辑晶圆。
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|---|---|---|---|
| CN201610518986.0A CN106024820B (zh) | 2016-07-04 | 2016-07-04 | 一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN110071133A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-07-30 | 芯盟科技有限公司 | 图像传感器及其形成方法、摄像模组 |
| CN110112158A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-08-09 | 豪威科技(上海)有限公司 | 背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头 |
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| CN104810379A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-29 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器 |
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2016
- 2016-07-04 CN CN201610518986.0A patent/CN106024820B/zh active Active
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