CN106019578B - 光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备 - Google Patents

光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN106019578B
CN106019578B CN201610162102.2A CN201610162102A CN106019578B CN 106019578 B CN106019578 B CN 106019578B CN 201610162102 A CN201610162102 A CN 201610162102A CN 106019578 B CN106019578 B CN 106019578B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
wafer
mirror
element substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610162102.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106019578A (zh
Inventor
近藤学
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN106019578A publication Critical patent/CN106019578A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106019578B publication Critical patent/CN106019578B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G02B7/1815—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0081—Thermal properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0077—Other packages not provided for in groups B81B7/0035 - B81B7/0074
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/008—MEMS characterised by an electronic circuit specially adapted for controlling or driving the same
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00317—Packaging optical devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/008—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/005—Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto
    • G03B21/008—Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto using micromirror devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/047—Optical MEMS not provided for in B81B2201/042 - B81B2201/045
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供了光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备。光电装置具有设置有反射镜的元件基板以及密封反射镜的密封部件，密封部件包括在元件基板的相反侧与反射镜相对的透光性盖。透光性盖上层叠有红外线截止滤波器。因此，透过了透光性盖的光中由于可以降低由于散热的原因引起的红外区域的成分，所以可以抑制元件基板等的温度上升。

Description

光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及具备反射镜的光电装置、光电装置的制作方法以及电子设备。
背景技术
作为电子设备，周知存在例如如下的投射式显示装置等：将从光源射出的光通过被称为DMD(数字微镜元件)的光电装置的多个反射镜(微反射镜)进行调制之后，将调制光通过投射光学系统放大投射，从而在屏幕上显示图像。例如，如图11所示，上述投射式显示装置等中使用的光电装置具备：在一面1s设置有反射镜50的元件基板1；粘结于元件基板1的一面1s侧以便俯视时包围反射镜50的垫片61；以及被垫片61的元件基板1的相反侧的端部支撑的板状的透光性盖71。并且，光电装置例如具有形成有被侧板部92包围的凹状的基板安装部93的密封基板90，元件基板1通过粘结剂97固定于基板安装部93之后，被填充于基板安装部93的密封树脂98所密封。
在这样构成的光电装置中，光透过透光性盖71而入射反射镜50，被反射镜50反射的光透过透光性盖71而出射。此时，照射到元件基板1的一面1a的光由于其原因有时会使元件基板1等的温度上升。上述温度上升由于会引起光电装置的误动作、寿命降低，因此不优选。
另一方面，作为提高安装于密封基板90的设备的散热性的方法，提出有扩大设备与密封树脂之间的接触面积的技术(参照专利文献1)。例如，如图11所示，密封树脂98的表面构成在比密封基板90的侧板部92高的位置与透光性盖71相接。根据上述结构，可以提高从透光性盖71向密封树脂98导热的传导效率。
【先行技术文献】
【专利文献】
专利文献1：美国专利US 7、898、724 B2
但是，根据如图11所示的结构，即使提高了从透光性盖71向密封树脂98导热的传导效率，由于密封树脂98本身的导热效率低，因此也存在无法充分抑制元件基板1的温度上升的问题点。
发明内容
鉴于上述问题点，本发明的课题在于提供能抑制设置有反射镜的元件基板的温度上升的光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备。
为解决上述课题，本发明涉及的光电装置的一方面具有：元件基板；反射镜，设置于所述元件基板的第一面侧；驱动元件，驱动所述反射镜；密封部件，具有透光性盖，所述密封部件被设置为所述反射镜位于所述透光性盖和所述元件基板之间；以及红外线截止滤波器，设置于所述透光性盖。
在本发明涉及的光电装置中，光通过透光性盖入射反射镜，被反射镜反射的光透过透光性盖出射。此时，在透光性盖上设置有红外线截止滤波器，因此可以抑制透过透光性盖的光、照射至元件基板的光引起元件基板等的温度上升。因此，可以抑制由于元件基板等的温度上升引起的光电装置的误动作、寿命降低。
在本发明中，所述红外线截止滤波器由在所述透光性盖的与所述反射镜相对的第二面和所述透光性盖的所述第二面的相反侧的第三面中的至少一个上层叠的膜构成。
在本发明中，优选所述光电装置包括安装有所述元件基板的基板，导线端子从所述基板向外侧延伸，所述导线端子具有向使所述导线端子的前端部从所述基板分离的方向弯曲的弯曲部。根据上述结构，在通过导线端子将光电装置安装于电路基板等时，在基板和电路基板之间存在空间。因此，由于在基板和电路基板之间空气等的流体通过，从而可以提高来自光电装置的散热性。因此，可以抑制由于元件基板等的温度上升等引起的光电装置的误动作、寿命降低。
在本发明中，优选所述导线端子具备向与所述导线端子的延伸方向正交的方向突出的凸部。根据上述结构，可以提高来自导线端子的散热性。因此，可以抑制由于元件基板等的温度上升等引起的光电装置的误动作、寿命降低。
在本发明中，优选在所述基板的与所述元件基板相反侧的面上设置有散热器。根据上述结构，可以提高来自基板的散热性。因此，可以抑制由于元件基板等的温度上升等引起的光电装置的误动作、寿命降低。
在本发明中，所述散热器是例如具备散热飞边的散热片。并且，也可以使用珀尔帖(peltier)元件。
在本发明中，可以采用所述密封部件包括垫片，所述垫片包围在所述元件基板和所述透光性盖之间形成有所述反射镜的区域，所述元件基板被收容在形成于所述基板的凹状的基板安装部的内侧，在所述基板安装部的内侧设置有密封所述垫片的周围的密封树脂的结构。
在采用上述这样的结构的情况下，本发明涉及的光电装置的制造方法包括：第一晶圆准备工序，准备反射镜、驱动所述反射镜的驱动元件、以及设置有端子的第一晶圆；第二晶圆形成工序，形成第二晶圆，所述第二晶圆设置有底部是透光性的凹部、以及与所述凹部重叠的红外线截止滤波器；粘结工序，粘结所述第一晶圆的设置有所述反射镜的一侧的面和所述第二晶圆的设置有所述凹部的面，以使所述反射镜和所述凹部俯视时重叠；以及分割工序，分割所述第一晶圆和所述第二晶圆。
在这种情况下，可以采用在所述第二晶圆形成工序中进行：在透光性晶圆成膜所述红外线截止滤波器的工序；在垫片用晶圆形成贯通孔的工序；以及将所述透光性晶圆和所述垫片用晶圆重叠粘结并获得所述第二晶圆的工序的结构。
在本发明涉及的光电装置中，也可以采用所述元件基板被收容在形成于所述基板的凹状的基板安装部的内侧，所述安装基板部的开口端被固定于所述基板的所述透光性盖堵住的方式。根据上述结构，可以简化光电装置的构造。
在这种情况下，优选所述透光性盖通过密封用玻璃固定于所述基板。根据上述结构，可以提高透光性盖和基板之间的密封部分的可靠性。
适用了本发明的光电装置可以用于各种电子设备，在这种情况下，在电子设备可以设置向所述反射镜照射光源光的光源部。并且，在构成投射式显示装置作为电子设备的情况下，在电子设备还设置有投射通过光电装置调制后的光的投射光学系统。
附图说明
图1是适用了本发明的作为电子设备的投射式显示装置的光学系统的模式图。
图2的(a)、(b)是模式地示出了适用了本发明的光电装置的基本结构的说明图。
图3的(a)、(b)是模式地示出了适用了本发明的光电装置的主要部分的图2的A-A’截面的说明图。
图4的(a)～(c)是本发明的实施方式1涉及的光电装置的说明图。
图5的(a)～(d)是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置的制造方法中从大型晶圆获得单品尺寸的多个层叠体的方法的工序截面图。
图6的(a)～(f)是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置的制造所使用的第二晶圆等的制造方法的工序图。
图7的(a)～(e)是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置的制造工序中通过基板和密封树脂密封元件基板的工序的工序截面图。
图8的(a)～(c)是本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造工序使用的引线架等的说明图。
图9的(a)～(c)是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置的制造工序中形成引线端子的方法的工序截面图。
图10是本发明的实施方式2涉及的光电装置的说明图。
图11是本发明的参考例涉及的光电装置的说明图。
符号说明
1元件基板 1s一面(第一面)
10第一晶圆 17端子
20第二晶圆 21凹部
30驱动元件 32、33高架地址电极
35铰链 40导线端子
41第一连接部 42弯曲部
43中间部 44第二连接部
45飞边状凸部 46引线架
50反射镜 51反射镜筒
60垫片用晶圆 61垫片
66贯通孔 70透光性晶圆
71透光性盖 71s面(第二面)
71t面(第三面) 79红外线截止滤波器
90基板 91底板部
93基板安装部 94内部金属层
94r散热用内部金属层 95多层配线部
95r散热用中继金属部 96外部金属层
96r散热用外部金属层 97粘结剂
98密封树脂 100光电装置
100s、130层叠体 110密封部件
115密封用玻璃 120散热器
121模块 122散热飞边
150电路基板 1000投射式显示装置(电子设备)
1002光源部 1004投射光学系统
1030滤色器。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在下面的说明中，作为适用了本发明的电子设备，对投射式显示装置进行说明。并且，在下面的说明中参照的附图中，将各层、各部件设定为在附图上可识别程度的大小，所以对应各层、各部件缩尺不同。图示的反射镜等的数量设定为在附图上可识别程度的大小，也可以设定比该图示的数量多的反射镜等。此外，在下面的方式中，例如在记载为“配置在第一面侧”的情况可以包括：被配置为与第一面相接的情况或通过其他构成物配置在第一面的情况、或者配置为其一部分与第一面相接且一部分通过其他构成物配置的情况。
[实施方式1]
(作为电子设备的投射式显示装置)
图1是表示适用了本发明的作为电子设备的投射式显示装置的光学系统的模式图。如图1所示的投射式显示装置1000具有光源部1002、对应图像信息对从光源部1002射出的光进行调制的光电装置100、以及将被光电装置100调制后的光作为投射图像投射到屏幕等被投射物1100上的投射光学系统1004。光源部1002具备光源1020和滤色器1030。光源1020射出白色光，滤色器1030随着旋转出射各种颜色的光，光电装置100在与滤色器1030的旋转同步的定时(timing)对入射的光进行调制。此外，也可以将滤色器1030取而代之地使用将从光源1020出射的光转换成各种颜色的光的荧光体基板。并且，也可以对应各种颜色的光设置光源部1002以及光电装置100。
[光电装置100的基板结构]
图2是模式地示出适用了本发明的光电装置100的基本结构的说明图，图2的(a)、(b)分别是表示光电装置100的主要部分的说明图以及光电装置100的主要部分的分解立体图。图3是模式地示出了适用了本发明的光电装置100的主要部分的A-A’截面的说明图，图3的(a)、(b)分别是模式地示出反射镜向一侧倾斜状态的说明图以及模式地示出反射镜向另一侧倾斜状态的说明图。
如图2及图3所示，光电装置100在元件基板1的一面1s(第一面)将多个反射镜50配置为矩阵状，反射镜50与元件基板1分离。元件基板1例如是硅基板。反射镜50例如是其一边的长度具有10μm～30μm的平面尺寸的微反射镜。反射镜50具有例如从800×600到1028×1024的排列而配置，一个反射镜50对应于图像的一个像素。
反射镜50的表面成为由铝等反射金属膜构成的反射面。光电装置100具备：一阶部分100a，包括形成于元件基板1的一面1s的基板侧偏压电极11以及基板侧地址(address)电极12、13等；二阶部分100b，包括高架地址电极32、33以及铰链(hinge)35；三阶部分100c，包括反射镜50。在第一阶部分100a，在元件基板1形成有地址指定电路14。地址指定电路14具备用于选择性地控制各反射镜50的动作的存储器单元、字线、位线的配线15等，且具有类似于具备CMOS电路16的RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)的电路结构。
二阶部分100b包括高架地址电极32、33、铰链35以及反射镜筒(post)51。高架地址电极32、33通过电极筒321、331与基板侧地址电极12、13导通，同时被基板侧地址电极12、13支撑。铰链臂36、37从铰链35的两端延伸。铰链臂36、37通过臂筒39与基板侧偏压电极11导通，同时被基板侧偏压电极11支撑。反射镜50通过反射镜筒51与铰链35导通，同时被铰链35支撑。因此，反射镜通过反射镜筒51、铰链35、铰链臂36、37、臂筒39与基板侧偏压电极11导通，且从基板侧偏压电极11被施加偏压。此外，在铰链臂36、37的前端，形成有挡块361、362、371、372，其在反射镜50已倾斜时抵接，以防止反射镜50与高架地址电极32、33之间的接触。
高架地址电极32、33构成驱动使在与反射镜50之间产生静电力并倾斜反射镜50的驱动元件30。并且，基板侧地址电极12、13有时也构成驱动使在与反射镜50之间产生静电力并倾斜反射镜50，在这种情况下，驱动元件30由高架地址电极32、33以及基板侧地址电极12、13构成。铰链35对高架地址电极32、33施加驱动电压，如图3所示，在反射镜50被向高架地址电极32或高架地址电极33拉近而倾斜时弯曲，对高架地址电极32、33的驱动电压的施加停止，对反射镜50的吸引力消失时，发挥将反射镜50恢复为与元件基板1平行姿势的力。
在光电装置100中，例如，如图3的(a)所示，如果反射镜50向一侧的高架地址电极32侧倾斜，则成为从光源部1002出射的光通过反射镜50向投射光学系统1004反射的连通(ON)状态。与此相对，如图3的(b)所示，如果反射镜50向另一侧的高架地址电极33侧倾斜，则成为从光源部1002出射的光通过反射镜50向光吸收装置1005反射的遮断(OFF)状态，在上述遮断状态下，光不向投射光学系统1004反射。通过多个反射镜50中的每个反射镜进行上述驱动，其结果是，从光源部1002出射的光通过多个反射镜50被调制为图像光，从投射光学系统1004被投射，显示图像。
此外，将与基板侧地址电极12、13相对的平板状的轭铁与铰链35设置为一体，除在高架地址电极32、33和反射镜50之间产生的静电力以外，在基板侧地址电极12、13和轭铁之间作用的静电力也有时驱动反射镜50。
[光电装置100的密封构造]
图4是本发明的实施方式1涉及的光电装置100的说明图，图4的(a)、(b)、(c)分别是光电装置100整体的截面图，放大反射镜50的周围而示出的截面图以及引线端子的说明图。
如图4的(a)、(b)所示，在本实施方式的光电装置100中，参照图2及图3说明的设置有多个反射镜50的元件基板1，设置有反射镜50的一面1s(第一面)的至少一部分(例如形成有反射镜50的部分)被框状的垫片61、以及包括平板状的具有透光性的透光性盖71的密封部件110密封。并且，光电装置100具备由陶瓷等构成的基板90作为密封部件110，元件基板1被固定于基板90的凹状的基板安装部93，然后被密封树脂98密封。在基板90，基板安装部93成为被侧板部92包围的有底的凹部，元件基板1通过粘结剂97被固定于基板90的底板部91。在本实施方式中，使用导热性高的氮化铝类的基板作为基板90。作为粘结剂97，可以使用银膏等导热性高的金属类粘结剂。
这里，垫片61的元件基板1侧的端部61e粘结于元件基板1的一面1s。并且，俯视(例如将元件基板从一面1s侧观察时的俯视)时垫片61形成为包围形成有反射镜50的区域。透光性盖71通过后述的红外线截止滤波器(cut filter)79粘结于红外线在垫片61的元件基板1侧的相反侧的端部61f，并被端部61支撑。换言之，垫片61位于元件基板1和透光性盖71之间。在这种状态下，透光性盖71在相对于反射镜50隔开规定的距离的位置于反射镜50的表面相对。换言之，密封部件110被设置为反射镜50位于透光性盖71和元件基板1之间。因此，如图4的(b)的箭头L所示，光透过透光性盖71入射反射镜50之后，被反射镜50反射的光透过透光性盖71出射。在本实施方式中，透光性盖71是玻璃制的。垫片61可以是玻璃制、硅制、金属制、陶瓷制、树脂制中的任一种，在本实施方式中，可以使用玻璃基板、硅基板作为垫片61。
在元件基板1的一面1s，在与反射镜50不重叠的端部(垫片61的外侧)形成有多个端子17。在本方式中，端部17以夹着反射镜50的方式被配置为两列。多个端子17的一部分通过参照图2及图3说明的地址(address)指定电路14、基板侧地址电极12、13，与高架地址电极32、33(驱动元件30)电连接。多个端子17的另一部分通过参照图2及图3说明的地址指定电路14、基板侧偏压电极11及铰链35，与反射镜50电连接。多个端子17的其他部分与参照图2及图3说明的地址指定电路14的前段设置的驱动电路等电连接。
这里，端子17由于在元件基板1的相反侧处于开放(開放)状态，所以通过无引线接合用的电缆99与基板90的底板部91的元件基板1侧的内面91s形成的内部电极94电连接。基板90的底板部91成为多层配线基板，内部电极94通过形成于底板部91的通孔、配线构成的多层配线部95，与底板部91的元件基板1的相反侧的外面91t形成的外部电极96导通。
在上述基板90的侧板部92的内侧(凹部)设置有密封树脂98。密封树脂98覆盖元件基板1的周围、以及垫片61的周围，同时覆盖透光性盖71的侧面直至厚度方向的中途。
(温度上升对策1)
在这样构成的光电装置100中，有时向反射镜50照射的光由于其原因引起透光性盖71、元件基板1温度上升。因此，在本实施方式中，首先，对透光性盖71设置红外线截止滤波器79。在本实施方式中，红外线截止滤波器79由对透光性盖71层叠的电介质多层膜等膜构成。上述红外线截止滤波器79相对于反射红外线的光并降低红外线的透过量，相对于可视光的反射率极小。
这里，红外线截止滤波器79在透光性盖70的与反射镜50相对的面71s(第二面)以及透光性盖70的与反射镜50相对的面71s的相反侧的面71t(第三面)中的至少一个上层叠。在本实施方式中，红外线截止滤波器79层叠于透光性盖70的反射镜50侧的面71s整体上。因此，垫片61通过红外线截止滤波器79粘结于透光性盖71。
根据上述结构，当向反射镜50照射的光透过透光性盖71时，作为发热原因的红外线区域的光成分的整体或者大部分被红外线截止滤波器79除去。因此，被照射的光的一部分即使到达元件基板1的一面1s，在到达元件基板1的光中也不包含红外线区域的光成分或仅含有较少。并且，向反射镜50照射的光透过透光性盖71时，透光的光中虽然含有红外区域的光成分，但被反射镜50反射并透过透光性盖71的光中未含有红外区域的光成分或者含有较少。因此，在透光性盖71及元件基板1中，由于难以发生温度上升，所以可以抑制由于元件基板1等的温度上升引起的光电装置100的误动作、寿命降低。
(温度上升对策2)
在本实施方式的光电装置100中，从基板90向外侧，与基板90的外部金属层96导通的导线端子40延伸有多个，上述导线端子40具有向使导线端子40的第二连接部44与基板90远离的方向弯曲的弯曲部42。更为具体地说，导线端子40具有：与基板90的外部金属层96连接的第一连接部41；通过弯曲部42从第一连接部41的端部倾斜延伸的中间部43；以及在中间部43的端部向晚侧折弯且由与第一连接部41平行的前端部构成的第二连接部44。因此，通过焊锡等将导线端子40的第二连接部44(前端部)连接于在如图1所述的投射式显示装置1000设置的电路基板150的电极155时，由于基板90处于与电路基板150分离的状态，所以在基板90和电路基板150之间存在空间。因此，在基板90和电路基板150之间，通过如箭头H所示的空气等的流体通过，从而可以提高来自光电装置100的散热性。因此，在元件基板1等中，难以发生温度上升。因此，可以抑制由于元件基板1等的温度上升等引起的光电装置100的误动作、寿命降低。
并且，多个导线端子40分别具备多个从弯曲部42和第二连接部44之间的中间部43向与导线端子40的延伸方向正交的方向突出的多个飞边(fin)状凸部45。在本实施方式中，在相对于导线端子40的延伸方向正交的方向的两侧具备多个飞边状凸部45。因此，在如箭头H所示的空气等流体通过导线端子40之间时，可以从导线端子40良好地进行散热。因此，可以抑制由于元件基板1等的温度上升等引起的光电装置100的误动作、寿命降低。
(温度上升对策3)
在本实施方式的光电装置100中，在基板90的底板部91的元件基板1的相反侧的外面91t安装有散热器120。在本实施方式中，散热器120是从模块121向基板90的相反侧多个散热飞边122突出的撒热片，散热片是铝或铜等的金属制的。
在本实施方式中，在基板90的底板部91的外面91t形成有散热用外部金属层96r，散热器120(散热片)的模块121通过焊锡等被固定于散热用外部金属层96r。这里，在基板90的底板部91的元件基板1侧的内面91s形成有散热用内部金属层94r，散热用内部金属层94和散热用外部金属层96r通过形成在通孔内的散热用中继金属层95r连接。因此，元件基板1的热量通过散热用内部金属层94r、散热用中继金属部95r以及散热用外部金属层96r被高效率地传导给散热器120。并且，通过基板90和电路基板150之间的空气等的流体如箭头H所示地通过散热飞边122。因此，元件基板1的热量由于从散热器120高效率地释放，所以可以抑制由于元件基板1等的温度上升等引起的光电装置100的误动作、寿命降低。
(光电装置100的制造方法)
参照图5～图9，对本实施方式的光电装置100的制造方法进行说明。图5是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造方法中从大型的晶圆获得单品尺寸的多个层叠体的方法的工序截面图。图6是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造所使用的第二晶圆20等的制造方法的工序图，在图6中示出了各工序中的晶圆的俯视图，同时在俯视图的下段示出了切断端面图。图7是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造工序中通过基板90以及密封树脂98密封元件基板1的工序的工序截面图。图8是本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造工序所使用的引线架等的说明图。图9是表示本发明的实施方式1涉及的光电装置100的制造工序中形成导线端子40的方法的工序截面图。此外，在图6的(b)中省略了反射镜等图示，在图5中与图4相比减少了反射镜50的数量且示出了将三个反射镜50形成于一个元件基板1。
对于制造本实施方式的光电装置100，如图5的(a)以及图6的(b)所示，在第一晶圆准备工序中，准备第一晶圆10，其中，在可以取多个元件基板1的大型的第一晶圆10的一面10s(第一面)，对应元件基板1被分割的每个区域，形成反射镜50，同时在俯视(例如从第一晶圆10的一面10s侧观察时的俯视)时与反射镜50相邻的位置形成与驱动反射镜50的驱动元件30(参照图2及图3)电连接的端子17。例如，如图5的(a)以及图6的(a)、(b)所示，也可以在可取多个元件基板1的大型的第一晶圆10的一面10s，对应元件基板1被分割的每个区域，形成反射镜50，同时在俯视时与反射镜50相邻的位置形成驱动反射镜50的驱动元件30(参照图2及图3)以及端子17，从而准备第一晶圆10。
并且，如图5的(a)所示，在第二晶圆形成工序，准备可以取多个垫片61及透光性盖71的大型的第二晶圆20。在上述第二晶圆20形成底部为透光性的凹部21，同时在包括与凹部21重叠的区域的整个面上设置红外线截止滤波器79。此外，红外线截止滤波器79至少在与凹部21重叠的区域形成即可。
在每次形成上述第二晶圆20时，在第二晶圆形成工序，例如进行图6的(c)～(f)所示的工序。首先，如图6的(c)所示，准备好可以取多个透光性盖71的、具有透光性的透光性晶圆70之后，在如图6的(d)所示的第一工序，在透光性晶圆70的一面70s成膜由电介质多层膜等构成的红外线截止滤波器79。透光性晶圆70是玻璃制的。并且，如图6的(e)所示，在准备了可以取多个垫片61的垫片用晶圆60之后，在第二工序，通过蚀刻等处理，将用于构成凹部21的贯通孔66形成于垫片用晶圆60。垫片用晶圆60可以是玻璃制、硅制、金属制、树脂制中的任一种，在本实施方式中，垫片用晶圆60是玻璃制或硅制的。
接着，在第三工序中，如图6的(f)所示，将垫片用晶圆60重叠并粘结于透光性晶圆70的一面70s侧(形成有红外线截止滤波器79的一侧)。其结果是，垫片用晶圆60和透光性晶圆70被层叠的第二晶圆20被形成，在上述第二晶圆20，通过垫片用晶圆60的面60s，构成设置有凹部21的第二晶圆20的第四面20s，通过透光性晶圆70的与垫片用晶圆60相反侧的面(或与第四面20s相反侧的面)，构成第二晶圆20的第五面20t。并且，贯通孔66的一个开口端被红外线截止滤波器79以及透光性晶圆70堵住(closed)，底部成为透光性的凹部21。
接着，在粘结工序，如图5的(b)所示，俯视时凹部21与反射镜50重叠的方式粘结第一晶圆10的一面10s和第二晶圆20的第四面20s。
接着，在如图5的(c)、(d)所示的分割工序中，分割第一晶圆10和第二晶圆20的层叠体130，可以获得具备元件基板1和与反射镜50相对的透光性盖71的单品尺寸的层叠体100s，其中该元件基板1具备反射镜50以及端子17。在上述分割工序中，首先，在如图5的(c)所示的第二晶圆切割工序中，使第二晶圆用切割片82从第二晶圆20的第五面20t进入并切割第二晶圆20。其结果是，第二晶圆20被分割，通过第二晶圆20中的从透光性晶圆70分割的平板部分构成透光性盖71，通过从垫片用晶圆60分割的框部分构成垫片61。接着，在如图5的(d)所示的第一晶圆切割工序中，使第一晶圆用切割片81相对于第一晶圆10从第二晶圆20侧进入第二晶圆20的多个地方(相邻的透光性盖71之间、以及相邻的垫片61之间)并切割第一晶圆10。其结果是，在形成有多个反射镜50的元件基板1的一面1s，可以制造多个被垫片61和透光性盖71密封的层叠体100s。此外，在本实施方式中，虽然使用圆形形状的晶圆，但对于其俯视形状也可以是矩形等。
对于通过上述工序获得的层叠体100s，在进行基于如图4所示的基板90以及密封树脂98的密封时，进行如图7所示的工序。
首先，如图7的(a)所示，在准备了基板安装部93成为被侧板部92包围的凹部的基板90之后，如图7的(b)所示，层叠体100s的元件基板1通过粘结剂97固定于基板安装部93的底部(底板部91的内面91s)设置的散热用内部金属层94r。接下来，如图7的(c)所示，通过引线接合用的电线99电连接元件基板1的端子17和基板90的内部金属层94。然后，如图7的(d)所示，在基板90的侧板部92的内侧注入了固化前的密封树脂98之后，使密封树脂98固化，通过密封树脂98密封元件基板1。其结果是，可以获得元件基板1被垫片61、透光性盖71、基板90以及密封树脂98密封的光电装置100。
并且，在本实施方式的光电装置100中，在如图7的(e)所示的散热器安装工序中，散热器120的模块121通过焊锡等固定在基板90的底板部91的外面91t设置的散热用外部金属层96r。
此外，在本实施方式的光电装置100中，使用如图8的(a)所示的引线架46，在如图9所示的工序中，将参照图4所示的导线端子40安装于基板90。如图8的(a)所示的引线架46通过连接部48连接相互平行延伸的两个连接部47。并且，在两个连接部47，导线端子40从一侧向另一侧延伸，同时导线端子从另一侧向一侧延伸。
因此，在本实施方式中，如图8的(b)及图9的(a)所示，在两个连接部47之间，配置密封了层叠体100s的基板90，通过焊锡等连接导线端子40的端部构成的第一连接部41和基板90的外部金属层96。
接着，如图8的(c)以及图9的(b)所示，切断了引线架46的导线端子40的根部，分割导线端子40和连接部47。
然后，如图9的(c)所示，在导线端子40进行折曲加工形成弯曲部42，使第二连接部44(前端部)从基板90在倾斜方向上分离。其结果是，如图4所示的光电装置100完成。
[实施方式2]
图10是本发明的实施方式2涉及的光电装置100的截面图。此外，本实施方式的基本结构与实施方式1相同，因此对共通的部分标注相同的符号并省略这部分说明。
如图10所示，即使在本实施方式的光电装置100中，与实施方式1同样地具有设置有反射镜50和端子17的元件基板1、以及密封元件基板1的密封部件110。并且，密封部件110包括从与元件基板1相反侧与反射镜50相对的透光性盖71、以及具备将元件基板1配置在内侧的凹状的基板安装部93的基板90。但是，在本实施方式中，没有使用参照图4等说明的垫片61、密封树脂98。
因此，在本实施方式中，在基板90，基板安装部93的开口端被基板90的侧板部92上固定的透光性盖71堵住。因此，可以简化光电装置100的构造。并且，在本实施方式中，通过密封用玻璃115固定基板90的侧板部92和透光性盖71。因此，基板90的侧板部92和透光性盖71之间的密封部分的可靠性得以提高。
即使在这样构成的光电装置100中，也可以采用在实施方式1中说明了的温度上升对策1、2、3。具体而言，在透光性盖71的反射镜50侧的面71s以及透光性盖71的与反射镜50相反侧的面71t中的至少一个上层叠红外线截止滤波器79。在本实施方式中，红外线截止滤波器79层叠于透光性盖71的反射镜50侧的面71s整体上。并且，在光电装置100，从基板90向外侧延伸的导线端子40具有向使导线端子40的第二连接部44从基板90分离的方向弯曲的弯曲部42。因此，在基板90和电路基板150之间存在可以使如箭头H所示的空气等流体通过的空间。此外，在本实施方式中，在基板90的底板部91的外面91t设置有散热器120(散热片)。因此，可以抑制元件基板1的温度上升，所以可以抑制由于元件基板1等的温度上升等引起的光电装置100的误动作、寿命降低。
[其他实施方式]
在上述实施方式中，虽然在透光性盖71的反射镜50相对的面71s层叠了红外线截止滤波器79，但也可以在透光性盖71的与反射镜50相反的面的相反侧的面71t层叠红外线截止滤波器79。并且，也可以在透光性盖71的面71s以及面71t两者上层叠红外线截止滤波器79。此外，在上述实施方式中，虽然在透光性盖71上层叠了红外线截止滤波器79，但也可以在透光性盖71和红外线截止滤波器79之间设置间隔并重叠配置透光性盖71和红外线截止滤波器79。

Claims (11)

1.一种光电装置，其特征在于，具有：
元件基板；
反射镜，设置于所述元件基板的第一面侧；
驱动元件，驱动所述反射镜；
密封部件，具有透光性盖，所述密封部件被设置为所述反射镜位于所述透光性盖和所述元件基板之间；以及
红外线截止滤波器，设置于所述透光性盖；
其中：所述红外线截止滤波器由在所述透光性盖的与所述反射镜相对的第二面和所述透光性盖的所述第二面的相反侧的第三面中的至少一个上层叠的膜构成；
所述光电装置包括安装有所述元件基板的基板，
导线端子从所述基板向外侧延伸，并且
所述导线端子具有向使所述导线端子的前端部从所述基板分离的方向弯曲的弯曲部。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
所述导线端子具备向与所述导线端子的延伸方向正交的方向突出的凸部。
3.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
在所述基板的与所述元件基板相反侧的面上设置有散热器。
4.根据权利要求2所述的光电装置，其特征在于，
在所述基板的与所述元件基板相反侧的面上设置有散热器。
5.根据权利要求3所述的光电装置，其特征在于，
所述散热器是具备散热飞边的散热片。
6.根据权利要求4所述的光电装置，其特征在于，
所述散热器是具备散热飞边的散热片。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电装置，其特征在于，
所述密封部件包括垫片，所述垫片包围在所述元件基板和所述透光性盖之间形成有所述反射镜的区域，
所述元件基板被收容在形成于所述基板的凹状的基板安装部的内侧，
在所述基板安装部的内侧设置有密封所述垫片的周围的密封树脂。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的光电装置，其特征在于，
所述元件基板被收容在形成于所述基板的凹状的基板安装部的内侧，
所述基板安装部的开口端被固定于所述基板的所述透光性盖堵住。
9.根据权利要求8所述的光电装置，其特征在于，
所述透光性盖通过密封用玻璃固定于所述基板。
10.一种光电装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一晶圆准备工序，准备反射镜、驱动所述反射镜的驱动元件、以及设置有端子的第一晶圆；
第二晶圆形成工序，形成第二晶圆，所述第二晶圆设置有底部是透光性的凹部、以及与所述凹部重叠的红外线截止滤波器；
粘结工序，粘结所述第一晶圆的设置有所述反射镜的一侧的面和所述第二晶圆的设置有所述凹部的面，以使所述反射镜和所述凹部俯视时重叠；
分割工序，分割所述第一晶圆和所述第二晶圆，得到具有元件基板和与所述反射镜对置的透光性盖的层叠体；以及
安装工序，将所述层叠体固定于基板，使所述端子与装配于所述基板的导线端子电连接，所述导线端子从所述基板向外侧延伸，并且，所述导线端子具有向使所述导线端子的前端部从所述基板分离的方向弯曲的弯曲部，
其中：在所述第二晶圆形成工序中进行：
在透光性晶圆成膜所述红外线截止滤波器的工序；
在垫片用晶圆形成贯通孔的工序；以及
将所述透光性晶圆和所述垫片用晶圆重叠粘结并获得所述第二晶圆的工序。
11.一种电子设备，其特征在于，
所述电子设备具备权利要求1至9中任一项所述的光电装置，
且所述电子设备具有向所述反射镜照射光源光的光源部。
CN201610162102.2A 2015-03-26 2016-03-21 光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备 Active CN106019578B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015063930A JP6507779B2 (ja) 2015-03-26 2015-03-26 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
JP2015-063930 2015-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106019578A CN106019578A (zh) 2016-10-12
CN106019578B true CN106019578B (zh) 2021-05-28

Family

ID=56974039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610162102.2A Active CN106019578B (zh) 2015-03-26 2016-03-21 光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (3) US9541729B2 (zh)
JP (1) JP6507779B2 (zh)
CN (1) CN106019578B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184068A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
CN107422583A (zh) * 2017-08-16 2017-12-01 青岛海信电器股份有限公司 一种数字光处理装置和投影机
JP2019213151A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
US11036030B2 (en) * 2018-06-15 2021-06-15 Silicon Light Machines Corporation MEMS posting for increased thermal dissipation
CN111175967A (zh) 2018-11-13 2020-05-19 台达电子工业股份有限公司 光学模块
US11163151B2 (en) * 2019-05-17 2021-11-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Anisotropic conductive adhesive bond in a piezoelectric micro-electro-mechanical system scanning mirror system
CN110620100A (zh) * 2019-09-25 2019-12-27 上海先方半导体有限公司 一种适用于高密度高功率的封装结构及制造方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552601B2 (ja) * 1998-11-16 2004-08-11 日本ビクター株式会社 光偏向子及びこれを用いた表示装置
US6784409B2 (en) 2000-03-28 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
JP2001345391A (ja) * 2000-03-28 2001-12-14 Canon Inc 電子部品及びその製造方法
US6809866B2 (en) * 2001-08-03 2004-10-26 Olympus Corporation Optical imaging apparatus
JP2003101723A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Ricoh Co Ltd 固体撮像素子
JP3935370B2 (ja) * 2002-02-19 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2003287691A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Seiko Epson Corp 光変調装置及び光変調装置の製造方法
KR100958400B1 (ko) * 2002-06-05 2010-05-18 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체장치
JP2004095572A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3776427B2 (ja) * 2003-11-17 2006-05-17 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7145455B2 (en) * 2004-08-18 2006-12-05 Honeywell International, Inc. MEMS based space safety infrared sensor apparatus and method
JP5008832B2 (ja) * 2005-04-15 2012-08-22 ローム株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN101523586A (zh) * 2005-06-30 2009-09-02 康宁股份有限公司 微机电系统装置的气密性密封
US7348193B2 (en) * 2005-06-30 2008-03-25 Corning Incorporated Hermetic seals for micro-electromechanical system devices
US8026611B2 (en) * 2005-12-01 2011-09-27 Tessera, Inc. Stacked microelectronic packages having at least two stacked microelectronic elements adjacent one another
JP2007281021A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品装置
JP2008009217A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Pentax Corp 光源装置
JP4906496B2 (ja) * 2006-12-25 2012-03-28 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ
US7928358B2 (en) * 2007-02-08 2011-04-19 Olympus Imaging Corp. Imaging device module and portable electronic apparatus utilizing the same
JP4551461B2 (ja) * 2008-03-10 2010-09-29 吉川工業株式会社 半導体装置とこれを備えた通信機器及び電子機器
US20090236710A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 Powertech Technology Inc. Col semiconductor package
US7898724B2 (en) 2008-11-05 2011-03-01 Texas Instruments Incorporated Thermal conduction by encapsulation
DE112009004379T5 (de) * 2008-12-24 2012-05-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Infrarotstrahldurchlässiges optisches Element und Herstellungsverfahren dafür, optischeVorrichtung und optisches Gerät
JP2010244977A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置
CN102597823B (zh) * 2009-11-04 2014-12-03 旭硝子株式会社 近红外线截止滤光片
JP5621301B2 (ja) 2010-04-06 2014-11-12 セイコーエプソン株式会社 電子装置および電子装置の製造方法
JP5528900B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
CN201988502U (zh) * 2011-01-05 2011-09-28 陆永华 一种用于uv固化的红外线阻隔装置
US8872293B2 (en) * 2011-02-15 2014-10-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus
JP5709572B2 (ja) * 2011-02-18 2015-04-30 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
KR101238159B1 (ko) * 2011-06-08 2013-02-28 에스티에스반도체통신 주식회사 반도체 패키지, 적층 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP5953703B2 (ja) * 2011-10-31 2016-07-20 ソニー株式会社 リードフレームおよび半導体装置
US9102511B2 (en) * 2012-06-08 2015-08-11 Texas Instruments Incorporated Hermetic plastic molded MEMS device package and method of fabrication
CN104583820B (zh) * 2012-08-29 2017-07-11 旭硝子株式会社 近红外线截止滤波器
US20150206830A1 (en) * 2012-09-24 2015-07-23 Renesas Electronics Corporation Method Of Manufacturing Semiconductor Device And The Semiconductor Device
JP6028592B2 (ja) * 2013-01-25 2016-11-16 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2014150213A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6127651B2 (ja) 2013-03-29 2017-05-17 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器、移動体および電子デバイスの製造方法
CN105190876B (zh) * 2013-06-10 2018-04-13 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
JP6201484B2 (ja) * 2013-07-26 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びｍｅｍｓデバイス
US9632384B2 (en) * 2014-08-01 2017-04-25 Apple Inc. Electrically activated lens component with interlock feature

Also Published As

Publication number Publication date
CN106019578A (zh) 2016-10-12
US20180045912A1 (en) 2018-02-15
US10739554B2 (en) 2020-08-11
JP2016184069A (ja) 2016-10-20
US9823438B2 (en) 2017-11-21
US20160282582A1 (en) 2016-09-29
US9541729B2 (en) 2017-01-10
JP6507779B2 (ja) 2019-05-08
US20170102516A1 (en) 2017-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106019578B (zh) 光电装置、光电装置的制造方法以及电子设备
US10859814B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
TW202030894A (zh) 發光模組之製造方法、發光模組及投影機
CN116885551A (zh) 发光模块
US10054787B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US10156779B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US9933615B2 (en) Electro-optic device, eletro-optic unit, and electronic apparatus
CN106019577B (zh) 电光装置、电光装置的制造方法、电光单元及电子设备
US9557561B2 (en) Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US10261311B2 (en) Electro-optic device, electro-optic unit, and electronic apparatus
JP6373766B2 (ja) 半導体素子の放熱構造

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant