CN105980522A - 量子点复合体、具有该复合体的波长转换元件、光电转换装置及太阳能电池 - Google Patents

量子点复合体、具有该复合体的波长转换元件、光电转换装置及太阳能电池 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于,提供即使在量子点浓度高的情况下,也可以保持每单位量子点的发光效率且可以得到高发光强度的量子点复合体。本发明提供量子点复合体,其中,量子点分散在基质中,所述基质由组成分布指数(CDI)为3.0以下的乙酸纤维素构成,所述量子点的浓度为0.05重量%以上。

Description

量子点复合体、具有该复合体的波长转换元件、光电转换装置 及太阳能电池
技术领域
本发明涉及在基质中分散有量子点的量子点复合体,特别涉及能够利用于太阳能电池(光电转换装置)、LED等发光装置、红外区域等的光传感器、波长转换元件及光光转换装置等的量子点复合体。
背景技术
对将P型半导体、I型半导体及N型半导体进行接合而构成的PIN接合型太阳能电池而言,吸收携带有构成的半导体的导带和价电子带之间的禁带宽度(Eg)以上的能量的太阳光,从价电子带向导电体激发电子,并在价电子带生成空穴,因而太阳能电池产生电动势。
对PN接合型太阳能电池及PIN接合型太阳能电池而言,禁带宽度单一,称为单结型太阳能电池。对PN接合型太阳能电池及PIN接合型太阳能电池而言,小于禁带宽度的能量的光不会吸收而会透过。另一方面,虽然大于禁带宽度的能量会被吸收,但所吸收的能量中,大于禁带宽度的能量部分作为声子而作为热能量消耗。因此,单一禁带宽度的单结型太阳能电池存在能量转换效率差的问题。
为了改善如上的能量转换效率的问题,在非专利文献1中提出了通过利用具有0.7~1.4eV、1.4~2.1eV的禁带宽度的量子点,并使其规则排列而使量子点间的波动函数重叠而形成中间带,因而可以吸收宽频带的太阳能的量子点太阳能电池的方案。
进一步,在非专利文献2中,提出了在聚合物基质中加入半导体纳米粒子的新型光装置的方案。该膜可发挥半导体纳米粒子的尺寸量子光学效果。该文献的量子点(QD)/聚合物复合膜,通过将CdSe/ZnS的半导体混悬于纤维素三乙酸酯(CTA)溶液而成的纳米粒子的混悬液进行溶剂浇铸而制备。进而,记载了实现向常规的CTA浇铸溶液直接添加QD。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:PHYSICAL REVIEW LETTERS,78,5014(1997)
专利文献2:Chem.Mater.2007,19,4270-4276
发明内容
发明要解决的问题
在像非专利文献2那样将量子点使用于装置时,大多需要将聚合物分散于基质中等,形成独立材料。但是,在这样的量子点(QD)/聚合物复合体的制备中,通常如果量子点的浓度变高,则引起量子点的凝聚,每单位量子点的发光效率(量子收率)显著降低。因此,非专利文献2的量子点浓度低至0.02wt%。
以往的技术中存在以下课题:由于如果量子点浓度提高,则量子点的凝聚导致每单位量子点的发光效率降低,因此如果要保持发光效率,就不能提高量子点浓度。
解决问题的方法
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究,结果发现:通过由给定的组成分布指数(CDI)的乙酸纤维素构成基质,能够在保持发光效率的同时提高量子点浓度,进而完成了本发明。
即,本发明提供量子点复合体,其中,量子点分散在基质中,所述基质包括组成分布指数(CDI)为3.0以下的乙酸纤维素,所述量子点的浓度为0.05重量%以上。
对本发明而言,优选上述量子点的浓度为10重量%以上。
对本发明而言,上述乙酸纤维素优选为以下述式表示的组成分布指数(CDI)为2.0以下的乙酸纤维素。
对本发明而言,优选上述量子点为CdSe/ZnS量子点。
另外,本发明提供具有上述量子点复合体的波长转换元件、光电转换装置及太阳能电池。
发明的效果
根据本发明的量子点复合体,由于即使在量子点浓度高的情况下,也可以保持每单位量子点的发光效率(以下,也称为量子收率),因此可以得到高发光强度。
具体实施方式
以下,对本发明优选的实施方式的一例进行具体地说明。
[基质]
本发明涉及的量子点复合体的基质,优选为和量子点相互作用能量低的聚合物材料。具体而言,可列举电子相容性高、和量子点相互作用能量低的乙酸纤维素。
另外,优选本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的组成的波动小。这里,组成的波动以组成分布指数(CDI)的形式表示。按顺序对导出组成分布指数(CDI)需要的乙酰基总取代度、重均聚合度(DPw)进行说明。
(乙酰基总取代度)
就乙酰基总取代度而言,可以通过将乙酸纤维素溶解在水中来求算乙酸纤维素的取代度的公知的滴定法进行测定。另外,该乙酰基总取代度也可以用和求算后述的组成分布半峰宽的实测值的情况同样的方法,通过在使乙酸纤维素(试样)成为完全衍生物化的乙酸丙酸纤维素(CAP)后,溶解于氘代氯仿,利用NMR进行测定。
乙酰基总取代度可通过将基于ASTM:D-817-91(纤维素乙酸酯等试验方法)中的乙酰化度的测定方法而求出的乙酰化度按照下式进行换算来求得。这是最一般的求乙酸纤维素的取代度的方法。
DS=162.14×AV×0.01/(60.052-42.037×AV×0.01)
DS:乙酰总取代度
AV:乙酰化度(%)
首先,精密称量经干燥的乙酸纤维素(试样)500mg,溶解于超纯水和丙酮的混合溶剂(容积比4:1)50ml中,然后添加0.2N-氢氧化钠水溶液50ml,于25℃皂化2小时。接着,添加0.2N-盐酸50ml,以酚酞为指示剂,以0.2N-氢氧化钠水溶液(0.2N-氢氧化钠当量溶液)滴定脱离出的乙酸量。另外,利用同样的方法进行空白试验(不使用试样的试验)。接着,按照下式计算出AV(乙酰化度)(%)。
AV(%)=(A-B)×F×1.201/试样重量(g)
A:0.2N-氢氧化钠当量溶液的滴定量(ml)
B:空白测试中0.2N-氢氧化钠当量溶液的滴定量(ml)
F:0.2N-氢氧化钠当量溶液的因子
本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的乙酰基总取代度,可以根据相对于复合体制备时的溶剂的溶解性而适宜选择,例如将丙酮用作溶剂的情况下,优选为2.1~2.5,更优选2.4~2.5。另外,例如将N-甲基吡咯烷酮作为溶剂的情况下,优选为0.5~2.9,更优选0.6~2.9。
本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的乙酰基总取代度,可以通过将乙酸纤维素在相对于乙酸、乙酰基为过量的水或醇及催化剂的存在下进行水解(部分脱乙酰化反应;熟化)而降低。
(重均聚合度(DPw))
本发明中,重均聚合度(DPw)是使用将乙酸纤维素(试样)的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值。
重均聚合度(DPw),可利用和后述求算组成分布半峰宽的实测值的情况相同的方法,通过在使乙酸纤维素(试样)成为完全衍生物化的乙酸丙酸纤维素(CAP)之后,进行尺寸排阻色谱分析而求出(GPC-光散射法)。
需要说明的是,一般而言,在水系溶剂中是很难进行光散射检测的。其原因在于,水系溶剂中的异物通常较多,即使暂时进行了纯化也容易发生二次污染。另外,在水系溶剂中,因微量存在的离子性解离基团的影响,可能导致分子链的伸展不稳定,而如果为了对此加以抑制而添加水溶性无机盐(例如氯化钠),则可能导致溶解状态不稳定、在水溶液中形成聚集体。为了避免该问题的有效方法之一是对水溶性乙酸纤维素进行衍生物化,使其溶解于异物少、不易发生二次污染的有机溶剂中,在有机溶剂中进行GPC-光散射测定。
(组成分布指数(CDI))
这里,组成分布指数(Compositional Distribution Index,CDI)被定义为,组成分布半峰宽的实测值相对于理论值的比率[(组成分布半峰宽的实测值)/(组成分布半峰宽的理论值)]。组成分布半峰宽也简称“取代度分布半峰宽”。
虽然组成分布指数(CDI)的下限值为0,但这是指例如通过特别的合成技术实现以100%的选择性仅将葡萄糖残基的6位乙酰化、不乙酰化其他的位置等的情况,而尚不知晓这样的技术。在葡萄糖残基的羟基全部以相同概率乙酰化及脱乙酰化的情况中,CDI为1.0。
本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的组成分布指数(CDI),可以通过高效液相色谱(HPLC)分析求出。
在HPLC分析中,进行作为前处理的乙酸纤维素的分子内残存羟基的衍生物化,然后进行HPLC分析而求出。该前处理的目的在于将低取代度乙酸纤维素转变为容易溶解于有机溶剂的衍生物,从而使其能够进行HPLC分析。即,将分子内的残存羟基完全丙酰化,对该完全衍生物化的乙酸丙酸纤维素(CAP)进行HPLC分析,从而求出组成分布半峰宽(实测值)。这里,必须使衍生物化进行完全,从而使分子内没有残存羟基,仅存在乙酰基和丙酰基。即,乙酰基总取代度(DSac)与丙酰总取代度(DSpr)之和为3。其理由在于,为了制作用以将CAP的HPLC洗脱曲线的横轴(洗脱时间)转换为乙酰基取代度(0~3)的校正曲线,要使用关系式:DSac+DSpr=3。
乙酸纤维素的完全衍生物化可以通过在吡啶/N,N-二甲基乙酰胺混合溶剂中以N,N-二甲基氨基吡啶为催化剂,使丙酸酐发挥作用来进行。更具体而言,使用相对于乙酸纤维素(试样)为20重量份的作为溶剂的混合溶剂[吡啶/N,N-二甲基乙酰胺=1/1(v/v)],相对于该乙酸纤维素的羟基为6.0~7.5当量的作为丙酰化剂的丙酸酐,相对于该乙酸纤维素的羟基为6.5~8.0mol%的作为催化剂的N,N-二甲基氨基吡啶,在温度100℃、反应时间1.5~3.0小时的条件下进行丙酰化。其后,通过在反应后使用甲醇作为沉淀溶剂使其沉淀,从而得到完全衍生物化的乙酸丙酸纤维素。更具体而言,例如,在室温将反应混合物1重量份投入到甲醇10重量份中而使其沉淀,并对得到的沉淀物用甲醇洗涤5次,于60℃真空干燥3小时,由此可以得到完全衍生物化的乙酸丙酸纤维素(CAP)。
上述HPLC分析中,可以使用具有不同的乙酰基总取代度的多种乙酸丙酸纤维素作为标准试样,以给定的测定装置及测定条件进行HPLC分析,由使用这些标准试样的分析值制作的校正曲线[显示乙酸丙酸纤维素的洗脱时间和乙酰基总取代度(0~3)之间的关系的曲线,通常为三次曲线],求出本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的组成分布指数(CDI)。
更具体而言,组成分布指数(CDI)可以通过将以给定的处理条件进行测定的HPLC(反相HPLC)中乙酸丙酸纤维素的洗脱曲线的横轴(洗脱时间)换算为乙酰基取代度(0~3)而得到。
作为将洗脱时间换算成乙酰基取代度的方法,可以利用例如:日本特开2003-201301号公报(第[0037]~[0040]段)中所述的方法等。例如:也可以在将洗脱曲线转换为组成分布曲线时,使用多种(例如:4种以上)的乙酰基总取代度的不同试样,在相同测定条件下测定洗脱时间,得到从洗脱时间(T)求出乙酰基取代度(DS)换算式(转换式)。即,从洗脱时间(T)和乙酰基取代度(DS)之间的关系,通过最小二乘法求出校准曲线的函数[通常为下述二次方程式]。
DS=aT2+bT+c
(式中,DS为乙酰基取代度,T为洗脱时间,a、b及c为转换式的系数)
进而,在由校正曲线求出的取代度分布曲线[以乙酸丙酸纤维素的存在量为纵轴,以乙酰基取代度为横轴的乙酸丙酸纤维素的取代度分布曲线](也称为“分子间取代度分布曲线”)中,对于与平均取代度相对应的最大峰(E),如下所述地求出取代度分布半峰宽。画一条与峰(E)的低取代度侧的基部(A)和高取代度侧的基部(B)相接的基线(A-B),并相对于该基线、从最大峰(E)向横轴作垂线。确定垂线与基线(A-B)的交点(C),求出最大峰(E)与交点(C)的中间点(D)。画一条通过中间点(D)且与基线(A-B)平行的直线,求出与分子间取代度分布曲线的两个交点(A'、B')。从两个交点(A'、B')向横轴作垂线,将横轴上的两个交点间的宽度设为最大峰的半峰宽(即,取代度分布半峰宽)。取代度分布半峰宽可通过高效液相色谱(HPLC)分析而求出。需要说明的是,关于将HPLC中纤维素酯的洗脱曲线的横轴(洗脱时间)换算为取代度(0~3)的方法,在日本特开2003-201301号公报(第0037~0040段)进行了说明。
就这样的组成分布分布曲线的半峰宽而言,对于试样中的乙酸丙酸纤维素的分子链,根据其构成的一条一条高分子链的葡萄糖环的羟基乙酰化的程度不同,反映为保留时间(也称为滞留时间)不同。因此,理想而言,保留时间的宽度表示(取代度单位的)组成分布的宽度。然而,在高效液相色谱仪中存在对分配无贡献的管部(用于对柱进行保护的保护柱等)。因此,根据测定装置的构成不同,大多存在作为误差的并非由组成分布的宽度引起的保留时间的宽度。如上所述,该误差受到色谱柱的长度、内径、从色谱柱到检测器的长度、衔接等影响,因装置构成而异。
因此,所述乙酸纤维素的组成分布曲线的半峰宽(组成分布半峰宽的实测值)通常可基于下述式(1)表示的校正式,进行校正而求出。使用这样的校正式时,即使测定装置(及测定条件)不同,也可以得到相同(基本相同)的值,求出更为准确的组成分布半峰宽的实测值。
Z=(X2-Y2)1/2 (1)
式(1)中,
X为在给定的测定装置及测定条件下求出的组成分布曲线的未校正半峰宽,Y为以下式定义的装置常数。
Y=(a-b)x/3+b(0≤x≤3)
a:为在和上述X相同的测定装置及测定条件下求出的总取代度3的乙酸纤维素的表观的组成分布半峰宽(实际为总取代度3,因此不存在取代度分布)
b:为在和上述X相同的测定装置及测定条件下求出的总取代度3的纤维素丙酸酯的表观的组成分布半峰宽
x:为测定试样的乙酰基总取代度(0≤x≤3)
上述式中,所述“乙酰基总取代度=3”表示乙酸纤维素(或者纤维素丙酸酯)的羟基全部发生酯化而得到的纤维素酯,实际上(或理想的)不具有组成分布半峰宽(即,组成分布半峰宽0的)乙酸纤维素。
由Z(组成分布半峰宽的实测值),利用下式(2)确定组成分布指数(CDI)。
CDI=Z/Z0 (2)
这里,Z0为在所有的部分置换乙酸纤维素的制备中,针对所有的分子的全部羟基(或乙酰基),以相同概率发生乙酰化及部分脱乙酰化的情况下,生成的组成分布曲线的组成分布半峰宽的理论值。
就Zo(组成分布半峰宽的理论值)而言,可以概率论地计算出理论值,以下述式(3)求出。
[数学式1]
m:乙酸纤维素1分子中的羟基和乙酰基的总数
p:乙酸纤维素1分子中的羟基发生乙酰基取代的概率
q=1-p
DPw:重均聚合度(使用将乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值)
进一步,用取代度和聚合度表示Z0(组成分布半峰宽的理论值)时,可以如下地表示。在本发明中,将下述式(4)作为求出组成分布半峰宽的理论值的定义式。
[数学式2]
Z 0 = 2.35482 3 · D P w · p · q / D P w - - - ( 4 )
DPw:重均聚合度(使用将乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值)
p:乙酸纤维素的乙酰基总取代度/3
q:1-p
这里,乙酸纤维素的重均聚合度(DPw),可以如前所述,通过在转化为丙酰化乙酸纤维素后进行GPC-光散射测定而确定。
在式(3)及式(4)中,更严密的是应该对聚合度的分布加以考虑,在该情况下应该把式(3)及式(4)的“DPw”调换为聚合度分布函数,将公式整体从聚合度0到无穷大进行积分。然而,只要使用DPw,式(3)及式(4)就可以近似地给出足够精确度的理论值。由于如果使用DPn(数均聚合度)则不能忽视聚合度分布的影响,因而应该使用DPw。
作为本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的组成分布曲线的Z(组成分布半峰宽的实测值),优选为0.12~0.34,更优选为0.13~0.25。
以上说明的组成分布理论式,为假定全部乙酰化和脱乙酰化均独立且均等地进行而得到的概率论的计算值。即,是遵循二项分布的计算值。而这样的理想情况在现实中很难实现。在不进行特别设计使得乙酸纤维素的水解反应接近理想的随机反应、和/或使得就反应后的后处理而言使组成方面产生分级的情况下,纤维素酯的组成分布相比于概率论地按照二项分布确定的情况将大幅变宽。
作为反应的特别设计之一,可考虑例如在维持脱乙酰化与乙酰化平衡的条件下保持体系。然而,该情况下,会因酸催化剂而导致纤维素的分解的进行,因此不优选。作为其他的反应的特别设计,可以采用对于低取代度物而言脱乙酰化速度变慢的反应条件。但是,现有技术中关于这样的具体方法尚属未知。即,关于可以将纤维素酯的取代度分布(组成分布)控制为以反应概率论的方式遵循二项分布这样的反应的特别的设计,尚属未知。此外,乙酰化过程(纤维素的乙酰化工序)的不均一性,熟化过程(乙酸纤维素的水解工序)中阶段性地添加的水引起的局部地、暂时性的沉淀的发生等各种状况,会导致取代度分布(组成分布)向着与二项分布相比变宽的方向发展,而将这些全部避免、实现理想条件在现实中是不可能实现的。这与理想气体终归是理想的产物,实际存在的气体的行为会或多或少地与之存在差异的事实类似。
根据本发明,如下所述,可以通过对乙酸纤维素的水解工序之后的后处理条件进行设计来控制乙酸纤维素的组成分布。根据文献(CiBment,L.,and Rivibre,C.,Bull.SOC.chim.,(5)1,1075(1934),Sookne,A.M.,Rutherford,H.A.,Mark,H.,andHarris,M.J.Research Natl.Bur.Standards,29,123(1942),A.J.Rosenthal,B.B.WhiteInd.Eng.Chem.,1952,44(11),pp 2693-2696.),关于取代度2.3的乙酸纤维素的分级沉淀,其中认为发生的是依赖分子量的分级和伴随取代度(化学组成)的微弱分级,而没有关于如本发明这样以取代度(化学组成)而发生显著分级的报告。并未研讨可以如本发明这样以分级溶解、分级沉淀来控制取代度分布(化学组成)。
本发明人等发现的使组成分布变窄的另一个设计,是乙酸纤维素在90℃以上(或超过90℃)的高温时的水解反应(熟化反应)。以往,尽管对于在高温反应中得到的产物的聚合度没有详细的分析及考察,但认为在90℃以上的高温反应中会优先发生纤维素的分解。可以认为,这样的考虑是仅基于对于粘度的考察而得到的认识(陈旧想法)。本发明的发明人等发现,在将乙酸纤维素水解而得到低取代度乙酸纤维素时,在于90℃以上的(或超过90℃的)高温下、优选在硫酸等强酸的存在下、大量的乙酸中反应时,不会观察到聚合度的降低,而是伴随CDI的减少而发生粘度的降低。即,明确了:伴随高温反应而发生的粘度降低,并非由聚合度的降低引起,而是基于由取代度分布(组成分布)变窄而引起的结构粘性的减小。在上述条件下进行乙酸纤维素的水解时,不仅会发生正反应,也会发生逆反应,因此,产物(低取代度乙酸纤维素)的CDI成为极小的值,对于水的溶解性也显著提高。与此相对,如果在逆反应不易发生的条件下进行乙酸纤维素的水解,则取代度分布(组成分布)基于各种原因而变宽,难溶于水的乙酰基总取代度低于0.4的乙酸纤维素及乙酰基总取代度超过1.1的乙酸纤维素的含量增大,整体上对于水的溶解性降低。
本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素的组成分布指数(CDI)小,表示乙酸纤维素中的乙酰基在乙酸纤维素中比较均匀地分散。
由于基质中量子点的凝聚难以发生而可以提高其分散性,因此组成分布指数(CDI)优选为3.0以下,更优选2.0以下。
通过使本发明涉及的量子点复合体由组成分布指数(CDI)为3.0以下的乙酸纤维素构成,即使量子点浓度(以下,也称为量子点分率)变为0.05重量%以上,也可以防止量子收率的降低,浓度越高,和由组成分布指数(CDI)超过3.0的乙酸纤维素构成的量子点复合体的量子收率的差变得越明显。
因此,本发明涉及的量子点复合体的量子点分率优选为1重量%以上,更优选5重量%以上,更优选10重量%以上,最优选20重量%以上。
另外,对由组成分布指数(CDI)超过3.0的乙酸纤维素、或其它树脂构成的量子点复合体而言,如果量子点分率为10重量%以上,则浓度越高,特别是在20重量%以上时,量子收率的降低显著,但本发明涉及的量子点复合体通过由组成分布指数(CDI)为3.0以下的乙酸纤维素构成,可以保持高量子收率。
接着,本发明涉及的量子点复合体,通过由组成分布指数(CDI)为2.0以下的乙酸纤维素构成,与由组成分布指数(CDI)超过2.0的乙酸纤维素或其它树脂构成的量子点复合体比较,即使量子点分率浓度变高,也可以保持非常高的量子收率。
根据本发明,由于即使在量子点浓度高的情况下,也可以保持高量子收率,因此可以得到相对发光强度高的量子点复合体。
(乙酸纤维素的制造)
本发明涉及的量子点复合体的基质使用的乙酸纤维素,可以通过例如:(A)中或高取代度乙酸纤维素的水解工序(熟化工序),(B)沉淀工序,以及根据需要进行的(C)洗涤、中和工序来制造。
[(A)水解工序(熟化工序)]
在该工序中,将中或高取代度乙酸纤维素(以下也称为“原料乙酸纤维素”)水解。作为原料使用的中或高取代度乙酸纤维素的乙酰基总取代度例如为1.5~3,优选为2~3。作为原料乙酸纤维素,可使用市售的二乙酸纤维素(乙酰基总取代度2.27~2.56)、三乙酸纤维素(乙酰基总取代度大于2.56且为3以下)。
水解反应可通过在有机溶剂中,催化剂(熟化催化剂)的存在下,使原料乙酸纤维素与水反应而进行。作为有机溶剂,可列举例如:乙酸、丙酮、醇(甲醇等)、它们的混合溶剂等。这些中,优选至少包含乙酸的溶剂。作为催化剂,可以使用一般作为脱乙酰化催化剂使用的催化剂。作为催化剂,特别优选硫酸。
相对于原料乙酸纤维素1重量份,有机溶剂(例如,乙酸)的使用量例如为0.5~50重量份,优选为1~20重量份,进一步优选为3~10重量份。
相对于原料乙酸纤维素1重量份,催化剂(例如,硫酸)的使用量例如为0.005~1重量份,优选为0.01~0.5重量份,进一步优选为0.02~0.3重量份。如果催化剂的量过少,则水解的时间变得过长,可能会引起乙酸纤维素的分子量降低。另一方面,如果催化剂的量过多,则会导致解聚速度相对水解温度的变化程度增大,即使使水解温度发生一定程度的降低,解聚速度也会变大,难以获得分子量为大至一定程度的乙酸纤维素。
相对于原料乙酸纤维素1重量份,水解工序中水的量例如为0.5~20重量份,优选为1~10重量份,更优选为2~7重量份。另外,相对于有机溶剂(例如,乙酸)1重量份,该水的量例如为0.1~5重量份,优选为0.3~2重量份,更优选为0.5~1.5重量份。就水而言,在反应开始时可使全部量的水存在于体系内,但为了防止乙酸纤维素的沉淀,也可以在反应开始时使要使用的水的一部分存在于体系内,将其余的水分1次~多次添加到体系内。
水解工序中的反应温度例如为40~130℃,优选为50~120℃,更优选为60~110℃。特别是,在使反应温度为90℃以上(或者为超过90℃的温度)的情况下,反应的平衡存在相对正反应(水解反应)向逆反应(乙酰化反应)的速度增加的方向倾斜的倾向,结果,取代度分布(组成分布)变窄,即使不对后处理条件进行特别的设计,也可以得到组成分布指数(CDI)极小的低取代度乙酸纤维素。在该情况下,优选使用硫酸等强酸作为催化剂,另外,优选使用过量的乙酸作为反应溶剂。另外,即使在反应温度为90℃以下的情况下,也可以如后所述,通过在沉淀工序中使用包含2种以上溶剂的混合溶剂作为沉淀溶剂来使其沉淀,通过进行分级沉淀和/或分级溶解,得到组成分布指数(CDI)非常小的低取代度乙酸纤维素。
[(B)沉淀工序]
在该工序中,在水解反应结束后将反应体系的温度冷却至室温,加入沉淀溶剂而使低取代度乙酸纤维素发生沉淀。作为沉淀溶剂,可使用与水混合的有机溶剂、或在水中的溶解度大的有机溶剂。可列举例如:丙酮、甲基乙基酮等酮;甲醇、乙醇、异丙醇等醇;乙酸乙酯等酯;乙腈等含氮化合物;四氢呋喃等醚;它们的混合溶剂等。
如果使用包含2种以上的溶剂的混合溶剂作为沉淀溶剂时,可获得与后述分级沉淀相同的效果,可得到组成分布窄,组成分布指数(CDI)小的低取代度乙酸纤维素。作为优选的混合溶剂,可列举例如丙酮和甲醇的混合溶剂、异丙醇和甲醇的混合溶剂等。
另外,通过对于沉淀得到的低取代度乙酸纤维素进行进一步分级沉淀(沉淀分级)和/或分级溶解(溶解分级),可得到组成分布窄,组成分布指数(CDI)非常小的低取代度乙酸纤维素。
分级沉淀,例如可以如下地进行:将沉淀得到的低取代度乙酸纤维素(固态物)溶解于水中,得到适当浓度(例如,2~10重量%,优选为3~8重量%)的水溶液,向该水溶液中加入不良溶剂(或者向不良溶剂中加入上述水溶液),保持于适宜的温度(例如,30℃以下,优选为20℃以下),以使低取代度乙酸纤维素沉淀,并回收沉淀物。作为不良溶剂,可列举例如:甲醇等醇、丙酮等酮等。相对于上述水溶液1重量份,不良溶剂的使用量例如为1~10重量份,优选为2~7重量份。
分级溶解可如下地进行:例如,向上述沉淀得到的低取代度乙酸纤维素(固态物)或经上述分级沉淀而得到的低取代度乙酸纤维素(固态物)加入水和有机溶剂(例如,丙酮等酮,乙醇等醇等)的混合溶剂,于适宜的温度(例如,20~80℃,优选为25~60℃)进行搅拌后,通过离心分离分离为浓厚相和稀薄相,向稀薄相加入沉淀溶剂(例如,丙酮等酮,甲醇等醇等)并回收沉淀物(固态物)。所述水和有机溶剂的混合溶剂中有机溶剂的浓度例如为5~50重量%,优选为10~40重量%。
[(C)洗涤、中和工序]
对于沉淀工序(B)所得到的沉淀物(固态物),优选利用甲醇等醇、丙酮等酮等有机溶剂(不良溶剂)进行洗涤。另外,还优选用包含碱性物质的有机溶剂(例如,甲醇等醇,丙酮等酮等)进行洗涤、中和。
作为所述碱性物质,可以使用例如:碱金属化合物(例如:氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属氢氧化物;碳酸钠、碳酸钾等碱金属碳酸盐;碳酸氢钠等碱金属碳酸氢盐;乙酸钠、乙酸钾等碱金属羧酸盐;甲醇钠、乙醇钠等醇钠等),碱土金属化合物(例如:氢氧化镁、氢氧化钙等碱土金属氢氧化物,碳酸镁、碳酸钙等碱土金属碳酸盐;乙酸镁、乙酸钙等碱土金属羧酸盐;乙醇镁等碱土金属醇盐等)等。这些中,特别优选乙酸钾等碱金属化合物。
通过洗涤、中和,可以将水解工序使用的催化剂(硫酸等)等杂质有效地去除。
[量子点]
本发明涉及的量子点复合体的量子点为纳米尺寸的粒子,例如,由针对各自吸收的光的特定的波长范围,波长转变为比其吸收的光能量低的波长转换组合物构成。量子点的组成没有特别限定,但在量子点例如由无机材料构成的情况下,可以使用:CdSe/ZnS、CdS、CdSe、CI(G)S等半导体。另外,在量子点例如由有机材料构成的情况下,可以使用富勒烯、有机类荧光性色素或有机类荧光性色素分子等。
这些中,由于容易得到,故优选使用CdSe/ZnS。
优选量子点的粒径为1.5nm~9nm。如果粒径低于1.5nm,则禁带宽度变得过大,无法得到期望的波长转换效果。另一方面,如果粒径超过9nm,则变得显示出和所谓体相半导体(bulk semiconductor)相同的特性,不能期待依赖于粒径的禁带宽度不同等的量子尺寸效果。
本发明涉及的量子点复合体的量子点分率的上限没有特别限定,但从量子点的分散性的观点出发,优选为40重量%以下。
(量子点复合体)
本发明涉及的量子点复合体可以通过将量子点分散溶液和乙酸纤维素溶液混合而成的量子点/乙酸纤维素溶液干燥而得到。
在本发明涉及的量子点复合体成型为膜状时,可以通过将量子点/乙酸纤维素溶液进行减压浓缩,例如在玻璃板等基材上以棒涂进行流延并干燥而得到。
在用于太阳能电池(光电转换装置)、LED等发光装置、红外区域等的光传感器、波长转换元件及光光转换装置等的情况下,从光电转换、波长转换性能的观点出发,优选成型为膜状。
对干燥而言,可以通过例如:在室温干燥24小时,再在80℃干燥24小时,进一步在40℃减压干燥24小时,从基板将膜剥离。进一步,也可以根据需要对剥离膜进行干燥。需要说明的是,通过流延后流平而得到表面均匀的膜(未拉伸膜)。进一步,通过拉伸该膜,得到拉伸膜。拉伸可以用公知的方法进行。
所述膜可以在不妨碍本发明效果的范围含有增塑剂。对增塑剂没有特别限定,但可列举:多元羧酸酯类增塑剂、甘醇酸酯类增塑剂、邻苯二甲酸酯类增塑剂、脂肪酸酯类增塑剂以及多元醇酯类增塑剂、聚酯类增塑剂、丙烯酸类增塑剂等。
对膜状的量子点复合体的厚度而言,虽然只要在能够根据太阳能电池(光电转换装置)、LED等发光装置、红外区域等的光传感器、波长转换元件及光光转换装置等用途等不同,而实现期望的光电转换、波长转换性能等的范围内即可,没有特别限定,但优选为0.01~0.3mm(10~300μm),更优选0.02~0.1mm。如果厚于0.3mm,则可能总透光率降低而变得难以得到良好的光电转换效率、波长转换效率,另外,如果薄于0.01mm,则材料的操作变得困难,这是由于可能变得易于产生材料的缺陷。
(量子收率)
本发明涉及的量子点复合体的量子收率,为以荧光物质罗丹明590(Rhodamine590)作为基准的发光强度,具体而言,例如可以如下所述地求出。
对于量子点复合体及由构成该量子点复合体的基质材料形成的聚合物膜,分别求出在485nm的吸光度后,从量子点复合体的吸光度减去聚合物膜的吸光度,计算出校正吸光度。
将调整了浓度及比色皿厚度使得和该校正吸光度具有相同吸光度的荧光物质罗丹明590(Rhodamine 590)的乙醇溶液作为对照物质,量子点复合体的发光强度相对于该对照物质的发光强度的比(%)为量子收率。
(相对发光强度)
本发明涉及的量子点复合体的相对发光强度,可以如下述式(5)所述求出。
相对发光强度=量子收率×量子点分率(重量%)/100 (5)
[实施例]
以下,通过实施例对本发明进行具体说明,但本发明不限于根据这些实施例的技术范围。
<实施例1>
(乙酸纤维素)
在室温(22℃)将100重量份的纤维素三乙酸酯(Sigma-Aldrich公司制)(Sigma-Aldrich-CTA)分散于1,000重量份的丙酮,在15℃以8,000rpm30分钟的条件下进行离心分离,得到了凝胶状的沉降物。将凝胶状的沉降物分散于2,000重量份的甲醇,在上述的条件下进行离心分离,得到了沉降物。进行2次该基于甲醇的洗涤。在40℃减压干燥至恒重。将该试样溶解于2,500重量份的二氯甲烷/甲醇(=9/1(重量比)),滴下至7,500重量份的己烷而得到了沉淀物。将该沉淀物在40℃减压干燥至恒重,得到了80重量份的精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)。
(乙酸纤维素溶液)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)以1.18mg/mL的浓度溶解于N-甲基吡咯烷酮(NMP),制备了乙酸纤维素溶液。
(量子点)
量子点使用了CdSe/ZnS量子点(直径2.6nm)分散液(Evident Technologies公司制)。该CdSe/ZnS量子点分散液的浓度为1.18mg/mL,溶剂为甲苯,量子点的发射波长为550nm。
(量子点/乙酸纤维素溶液)
如表1中所记载,为了制备各量子点分率(重量%)的量子点复合体,针对100容量份的乙酸纤维素溶液,加入给定的容量份的CdSe/ZnS量子点(直径2.6nm)分散液(EvidentTechnologies公司制)。
[表1]
(量子点复合体)
将量子点/聚合物溶液以旋转蒸发仪在40℃进行减压浓缩,使得聚合物浓度为8%。将该经浓缩的溶液,用贝克型涂膜器(湿膜厚约0.8mm)在玻璃板上流延,在室温干燥24小时,在80℃干燥24小时,进一步,在40℃减压干燥24小时,得到了厚度0.07mm的膜状的量子点复合体。
(乙酰基总取代度的测定)
将得到的精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)根据手塚的方法(Carbohydr.Res.273,83(1995))对低取代度乙酸纤维素试样的未取代的羟基进行丙酰化。丙酰化低取代度乙酸纤维素的乙酰基总取代度可以根据手塚的方法(同上),利用13C-NMR中169~171ppm的乙酰基羰基的信号及172~174ppm的丙酰基羰基的信号而确定。
(重均聚合度(DPw)的测定)
对得到的精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)的重均聚合度(DPw)而言,通过在转化为丙酰化乙酸纤维素后,按以下的条件进行GPC-光散射测定而确定。
装置:Shodex制GPC“SYSTEM-21H”
溶剂:丙酮
柱:GMHxl(东曹)2根,同保护柱
流速:0.8ml/min
温度:29℃
试样浓度:0.25%(wt/vol)
进样量:100μl
检测:MALLS(多角度光散射检测器)(Wyatt制,“DAWN-EOS”)
MALLS补正用标准物质:PMMA(分子量27600)
(组成分布指数(CDI)的测定)
对得到的精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)的组成分布指数(CDI)而言,通过在转化为丙酰化乙酸纤维素后,按以下的条件进行HPLC分析而确定。
装置:Agilent 1100Series
柱:Waters Nova-Pak phenyl4μm(150mm×3.9mmΦ)+保护柱
柱温:30℃
检测:Varian 380-LC
注入量:5.0μL(试样浓度:0.1%(wt/vol))
洗脱液:A液:MeOH/H2O=8/1(v/v),B液:CHCl3/MeOH=8/1(v/v)
梯度:A/B=80/20→0/100(28min);流量:0.7mL/min
首先,通过在乙酰基总取代度0~3的范围对DS已知的标准品进行HPLC分析,制作了DS相对于洗脱时间的校正曲线。基于校正曲线,将未知试样的洗脱曲线(检测强度相对于时间的曲线)转换为检测强度相对于DS的曲线(组成分布曲线),确定该组成分布曲线的未校正半峰宽X,利用下式(1)确定组成分布的校正半峰宽Z。将该Z作为组成分布半峰宽的实测值。
Z=(X2-Y2)1/2 (1)
X为在给定的测定装置及测定条件下求出的组成分布曲线的未校正半峰宽,Y为以下式定义的装置常数。
Y=(a-b)x/3+b(0≤x≤3)
a:为在和上述X相同的测定装置及测定条件下求出的总取代度3的乙酸纤维素的表观的组成分布半峰宽(实际为总取代度3,因此不存在取代度分布)
b:为在和上述X相同的测定装置及测定条件下求出的总取代度3的纤维素丙酸酯的表观的组成分布半峰宽
x:为测定试样的乙酰基总取代度(0≤x≤3)
由Z(组成分布半峰宽的实测值),利用下述式(2)确定组成分布指数(CDI)。
CDI=Z/Z0 (2)
这里,Z0为在所有的部分置换乙酸纤维素的制备中,针对所有的分子的全部羟基(或乙酰基),以相同概率发生乙酰化及部分脱乙酰化的情况下,生成的组成分布曲线的组成分布半峰宽的理论值,以下述式(4)定义。
[数学式3]
Z 0 = 2.35482 3 &CenterDot; D P w &CenterDot; p &CenterDot; q / D P w - - - ( 4 )
DPw:重均聚合度(使用将所述乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值)
p:乙酰基总取代度/3
q:1-p
(量子收率的测定)
对于得到的厚度0.07mm的膜状的量子点复合体及由构成该量子点复合体基质材料(Sigma-Aldrich-CTA-分级)形成的厚度0.07mm的聚合物膜,分别使用Cary 300BIO分光光度计(Varian制),求出在485nm的吸光度,之后从量子点复合体的吸光度减去聚合物膜的吸光度,计算出校正吸光度。
接着,针对荧光物质罗丹明590(Rhodamine 590)的乙醇溶液,调整为使得能提供和各个量子点复合体相同的吸光度的浓度及比色皿厚度,将其作为对照物质。
针对得到的厚度0.07mm的膜状的量子点复合体及对照物质,使用FluoroMax-2荧光计(Jobin Yvon-Spex制)测定作为激发波长485nm的500~650nm的发光光谱,并对各个发光强度进行积分。将量子点的积分值相对于对照物质的发光强度的积分值的比(%)作为量子收率。
(相对发光强度)
相对发光强度为基于各量子收率从下述式(5)导出的。
相对发光强度=量子收率×量子点分率(重量%)/100 (5)
乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定结果显示于表2及表3。
(实施例2)
(乙酸纤维素)
将α纤维素含量98.4wt%的阔叶树预水解牛皮纸浆以盘磨机粉碎成棉状。向100重量份的粉碎纸浆(含水率8%)喷雾26.8重量份的乙酸,充分搅拌混合后,作为前处理,静置60小时进行活化(活化工序)。将经活化的纸浆加入至由323重量份的乙酸、245重量份的无水乙酸、13.1重量份的硫酸形成的混合物,从5℃调整到40℃即最高温度需要40分钟,进行了乙酰化90分钟。用3分钟添加中和剂(24%乙酸镁水溶液)使硫酸量(熟化硫酸量)调整为2.5重量份。进一步,将反应浴升温至75℃,之后添加水使反应浴水分(熟化水分)为56mol%浓度。需要说明的是,熟化水分浓度为将反应浴水分相对于乙酸的比例以摩尔比表示后再乘以100并以mol%显示。然后,在75℃进行210分钟熟化,通过用乙酸镁中和硫酸使熟化停止,得到了包含二乙酸纤维素的反应混合物。向得到的反应混合物加入稀乙酸水溶液,分离二乙酸纤维素后,进行基于水洗·干燥·基于氢氧化钙的稳定化而得到了二乙酸纤维素(CDA)。
接着,在室温(22℃)将得到的二乙酸纤维素(CDA)约100重量份分散于1,000重量份的二氯甲烷,在15℃以8,000rpm-30分钟的条件下进行离心分离,得到了凝胶状的沉降物。将凝胶状的沉降物分散于2,000重量份的甲醇,在上述的条件下进行离心分离,得到了沉降物。进行2次该基于甲醇的洗涤。进一步,使用50重量%的丙酮水溶液代替甲醇,进行2次洗涤。之后再进一步,以1,000重量份的水进行2次洗涤,在40℃减压干燥至恒量,得到了61重量份的精制二乙酸纤维素(CDA-分级)。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为精制二乙酸纤维素((CDA-分级),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例3)
(乙酸纤维素)
针对1重量份的乙酸纤维素(Daicel公司制,商品名“L-50”,乙酰基总取代度2.43,6%粘度:110mPa·s)添加5.1重量份的乙酸及2.0重量份的水,在40℃搅拌5小时而得到了外观均匀的溶液。向该溶液加入0.13重量份的硫酸,得到的溶液保持于70℃,进行水解(部分脱乙酰化反应;熟化)。需要说明的是,该熟化过程中,中途2次向体系添加水。即,反应开始进行1小时后加入0.67重量份的水,再过2小时后,加入1.67重量份的水,再反应7小时。总计水解时间为10小时。需要说明的是,从反应开始时到添加第1次水为止称为第1熟化,从添加1次水到添加第2次的水为止称为第2熟化,从添加第2次水到反应结束(熟化完毕)为止称为第3熟化。
实施水解后,将系统的温度冷却至室温(大约25℃),在反应混合物中加入15重量份的丙酮/甲醇=1/2(重量比)混合溶媒(沉淀剂)生成沉淀。
通过以固体组分15重量%的湿饼形式回收沉淀,加入8重量份的甲醇,脱液到固体组分15重量%而进行了洗涤。重复三次此操作。洗涤后的沉淀物,用含有0.004重量%乙酸钾的甲醇8重量份再洗涤2次,进行中和并干燥,得到了低取代度乙酸纤维素。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为低取代度乙酸纤维素(WSCA-70-0.8),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例4)
(乙酸纤维素)
使用了纤维素三乙酸酯(Cellulose Triacetate,43%乙酰基,Sigma-Aldrich公司制)。需要说明的是,该试样作为Sigma-Aldrich-CTA。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为精制纤维素三乙酸酯(Sigma-Aldrich-CTA),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例5)
(乙酸纤维素)
以和实施例2相同的方法得到了二乙酸纤维素(CDA)。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为精制二乙酸纤维素(CDA),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例6)
(乙酸纤维素)
将反应温度变更为40℃,第1熟化时间变更为8小时,第2熟化时间变更为16小时,第3熟化时间变更为42小时,沉淀剂变更为甲醇,除此以外,和实施例3同样地进行,得到了低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.8)。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.8),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例7)
(乙酸纤维素)
将反应温度变更为40℃,第1熟化时间变更为8小时,第2熟化时间变更为16小时,第3熟化时间变更为36小时,沉淀剂变更为甲醇,除此以外,和实施例3同样地进行,得到了低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.9)。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.9),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(实施例8)
(乙酸纤维素)
将反应温度变更为40℃,第1熟化时间变更为8小时,第2熟化时间变更为16小时,第3熟化时间变更为50小时,沉淀剂变更为甲醇,除此以外,和实施例3同样地进行,得到了低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.7)。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.7),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(比较例1)
(乙酸纤维素)
将低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.9)及低取代度乙酸纤维素(WSCA-40-0.7)以1:1(重量比)混合。
(量子点复合体)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为上述混合而成的低取代度乙酸纤维素,除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、重均聚合度(DPw)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定也和实施例1同样地进行,结果显示于表2及表3。
(比较例2)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为聚苯乙烯(Mw 3,500,Sigma-Aldrich公司制),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定和实施例1同样地进行,重均聚合度(DPw)为从Mw换算而成。这些结果显示于表2及表3。
(比较例3)
将精制二乙酸纤维素(Sigma-Aldrich-CTA-分级)变更为聚甲基丙烯酸甲酯(Mw35,000,Sigma-Aldrich公司制),除此以外,和实施例1同样地进行,得到了量子点复合体。乙酰基总取代度(DS)、组成分布指数(CDI)、量子收率及相对发光强度的测定和实施例1同样地进行,重均聚合度(DPw)为从Mw换算而成。这些结果显示于表2及表3。
[表3]
工业实用性
本发明涉及的量子点复合体可以用作波长转换元件、光电转换元件或光光转换元件等,可以通过利用在太阳能电池(光电转换装置)、LED等发光装置、红外区域等的光传感器、波长转换元件及光光转换装置等,实现这些装置的转换效率的优异等。

Claims (8)

1.量子点复合体,其中,量子点分散在基质中,
所述基质包括以下述式表示的组成分布指数(CDI)为3.0以下的乙酸纤维素,所述量子点的浓度为0.05重量%以上。
CDI=Z(组成分布半峰宽的实测值)/Zo(组成分布半峰宽的理论值)
Z:对将所述乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素进行HPLC分析而求出的乙酰基取代度的组成分布半峰宽
[数学式1]
Z o = 2.35482 3 &CenterDot; D P w &CenterDot; p &CenterDot; q / D P w
DPw:重均聚合度(使用将所述乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值)
p:所述乙酸纤维素的乙酰基总取代度/3
q:1-p。
2.根据权利要求1中所述的量子点复合体,其中,所述量子点的浓度为10重量%以上。
3.根据权利要求1或2中所述的量子点复合体,其中,所述乙酸纤维素为以下述式表示的组成分布指数(CDI)为2.0以下的乙酸纤维素,
CDI=Z(组成分布半峰宽的实测值)/Zo(组成分布半峰宽的理论值)。
Z:对将所述乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素进行HPLC分析而求出的乙酰基取代度的组成分布半峰宽
[数学式2]
Z o = 2.35482 3 &CenterDot; D P w &CenterDot; p &CenterDot; q / D P w
DPw:重均聚合度(使用将所述乙酸纤维素的残存羟基全部丙酰化而得到的乙酸丙酸纤维素,通过GPC-光散射法求出的值)
p:所述乙酸纤维素的乙酰基总取代度/3
q:1-p。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的量子点复合体,其中,上述量子点为CdSe/ZnS量子点。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的量子点复合体,其为膜状。
6.波长转换元件,其具有权利要求1~5中任一项所述的量子点复合体。
7.光电转换装置,其具有权利要求1~5中任一项所述的量子点复合体。
8.太阳能电池,其具有权利要求1~5中任一项所述的量子点复合体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634193B (zh) * 2017-04-27 2018-09-01 中原大學 製造碳量子點的方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015156226A1 (ja) * 2014-04-08 2017-04-13 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット及びその製造方法、並びに、前記量子ドットを用いた成形体、シート部材、波長変換部材、発光装置
CN105093381B (zh) * 2015-09-24 2018-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点偏光片及其制作方法
US11139444B2 (en) * 2017-12-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
CN114808141B (zh) * 2022-06-23 2022-09-20 福建晶安光电有限公司 一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379622B1 (en) * 2001-04-11 2002-04-30 Motorola, Inc. Sensor incorporating a quantum dot as a reference
US20080041542A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Mcgill University Cellulose composites comprising hydrophobic particles and their use in paper products
US20090212695A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Korea Institute Of Science And Technology White and color photoexcitation light emitting sheet and method for the fabrication thereof
CN102597824A (zh) * 2010-01-29 2012-07-18 株式会社大赛璐 相位差膜用二醋酸纤维素

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4189160B2 (ja) 2001-11-05 2008-12-03 ダイセル化学工業株式会社 セルロースアセテートのアセチル置換度の調整方法
KR100783251B1 (ko) 2006-04-10 2007-12-06 삼성전기주식회사 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
CN101449626A (zh) * 2006-07-28 2009-06-03 Hoya株式会社 电致发光元件
CN103459549A (zh) 2011-03-31 2013-12-18 松下电器产业株式会社 荧光薄膜以及显示薄膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379622B1 (en) * 2001-04-11 2002-04-30 Motorola, Inc. Sensor incorporating a quantum dot as a reference
US20080041542A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Mcgill University Cellulose composites comprising hydrophobic particles and their use in paper products
US20090212695A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Korea Institute Of Science And Technology White and color photoexcitation light emitting sheet and method for the fabrication thereof
CN102597824A (zh) * 2010-01-29 2012-07-18 株式会社大赛璐 相位差膜用二醋酸纤维素

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634193B (zh) * 2017-04-27 2018-09-01 中原大學 製造碳量子點的方法

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