CN105938702B - 电子电路、扫描电路、显示装置以及电子电路的寿命延长方法 - Google Patents

Abstract

一种电子电路、扫描电路、显示装置以及电子电路的寿命延长方法。本发明提供了一种即使构成电子电路的晶体管具有特性波动时也能大幅度地延长寿命的电子电路等。电子电路包括目标切换电路以及切换电路，该切换电路将目标切换电路从停止状态切换到动作状态。目标切换电路包括处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路。由于被施加到晶体管的电应力，所以在构成目标切换电路和切换电路的晶体管中生成特性波动。切换电路通过切换电路的晶体管来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。

Description

电子电路、扫描电路、显示装置以及电子电路的寿命延长方法

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2015年3月3日提交的日本专利申请No.2015-041517的优先权的权益，通过引用将该专利申请的公开内容整体引入本申请中。

技术领域

本发明涉及电子电路的寿命延长技术。作为其应用例，本发明涉及显示装置的扫描电路，特别是，涉及由单导电型的薄膜晶体管构成的扫描电路。

背景技术

从用于便携设备的监视器等的小型面板，到用于个人计算机的监视器、大屏幕薄型电视机等的大型面板，利用了非晶硅薄膜晶体管(以下称为：a-SiTFT(amorphousSilicon Thin Film Transistor))的显示装置被广泛使用。通常，仅构成显示区域的像素阵列由a-SiTFT形成，并且在用于驱动像素的栅极驱动电路中利用集成电路(IC(Integrated Circuit))芯片。

目前，为了削减显示器的制造成本并减小边框长度(从显示器的外部形状到显示区域的距离)，将栅极驱动电路与像素阵列同时形成的技术的开发正在被推进。在典型的由a-SiTFT形成的栅极驱动电路中，使用如下的专利文献中公开的动态扫描电路。

利用图20来说明作为相关技术1的美国专利No.5222082(图2，第二栏第37行至第三栏第27行：专利文献1)的扫描电路。

如图20所示，专利文献1的扫描电路是由单导电型的晶体管516至521构成的动态扫描电路的一例，并且是由多个的级511串联连接而成的扫描电路。

当输入信号INPUT变为高电平时，晶体管518至521皆变为导通状态。由此，分别地，将节点P1设定为VDD-Vth，将节点P2设定为VSS。此处，Vth是晶体管518的阈值电压。由于节点P1的电位上升，致使晶体管516变为导通状态。另外，由于节点P2变为VSS，所以晶体管517和519变为关断状态。

随后，当输入信号INPUT变为低电平时，节点P1变为浮置状态。在该状态中当时钟信号C1从低电平变为高电平时，输出信号OUTPUT1的电位就上升。在该状态中，由于经由晶体管516的节点P1和节点P3(OUTPUT1)之间的寄生电容(未示出)的自举效应(bootstrapeffect)而造成浮置状态中的节点P1的电位也上升。因而，当节点P1上升到高于高电平的电位时，高电压信号被施加到晶体管516的栅极。因此，时钟信号C1的高电平作为输出信号OUTPUT1不衰减地被传输。

接下来，当时钟信号C3变为高电平时，晶体管520变为导通状态。因而，节点P2被设定为VDD-Vth。此处，Vth是晶体管120的阈值电压。由此，晶体管517和519变为导通状态，使得节点P1和P3(OUTPUT1)被分别设定为VSS。这可以防止电路故障。

根据专利文献1的结构，在输出信号OUTPUT1为低电平的期间，晶体管517、519总是处于导通状态，并且下拉节点P1、P3(OUTPUT1)至VSS。即，高电平电压被施加到晶体管517、519的栅极，低电平信号被施加到源极或漏极。这个偏置状态在下文中被称作“附加栅极应力(plus gate stress)”。例如，当用a-SiTFT形成该电路时，存在这样的问题：阈值电压的波动由于“附加栅极应力”而变大。

作为相关技术2、3的日本未审专利公开2008-262178(图3，段落0048至0058：专利文献2)和日本未审专利公开2010-534380(图1，段落0034至0040：专利文献3)公开了针对专利文献1中出现的这种问题的解决方案，专利文献2的扫描电路将参照图21进行说明。

如图21所示，专利文献2采用以下结构，其中，在移位寄存器610内的输出电路611的两个晶体管612、613当中，电压生成电路600被连接到晶体管612的栅极。电压生成电路600由判定电路601、阻抗变换器607和电压设定电路620构成。此外，电压设定电路620由控制器602，加法器603，计数器604和DA变换电路606构成。

另外，判定电路601检测晶体管612的动作状态，并且电压设定电路620根据该检测结果来控制要供给晶体管612的栅极的电压。也就是说，专利文献2公开了可以通过设置判定电路601和电压设定电路620，根据晶体管612的特性波动来增加被施加到晶体管612的栅极的电压。

专利文献3的扫描电路将参照图22进行说明。

如图22所示，专利文献3的扫描电路包括：行上拉晶体管710；自举电容器711；行下拉晶体管712；对自举电容器711进行充电的晶体管713；重新生成行下拉晶体管712的状态的晶体管714；Vt检测电路716；正电压线718；负电压线719；以及控制线1到N等。

Vt检测电路716检测行下拉晶体管712的阈值电压Vt，并将通过把偏移值ΔV加到输入信号Vin/从输入信号Vin减去偏移值ΔV而获取的输出信号Vout供给行下拉晶体管712的栅极。

然而，当将专利文献2和3中公开的电路结构适用于由单导电型的薄膜晶体管构成的扫描电路中时，存在以下的问题。

专利文献2、3的扫描电路被设计为，根据检测到的晶体管的阈值电压来增加要被施加到栅极的电压以补偿晶体管的电流驱动能力。

根据由本发明的发明人等进行的实验，验证了晶体管的阈值电压的波动随着施加到栅极的电压的绝对值变大而变大。这被认为是因为在晶体管上强加的电应力也随着施加到栅极的电压的绝对值变大而变大。

由于这个原因，根据专利文献2、3的结构，因为施加到栅极的电压在电路动作期间增加，所以在晶体管上强加的电应力变得比检测之前的更大。因而，产生了更大的阈值电压的波动。因此，在专利文献2和3的结构中存在这样一个问题，即扫描电路的电路寿命不能充分地延长。

因此，本发明的目的在于，提供一种即使存在构成电子电路的晶体管的特性波动也能大幅度地延长寿命的电子电路。

发明内容

本发明示例性方面的电子电路是由多个晶体管构成的电子电路，包括：两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将这些目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，所述两个或更多个目标切换电路包括处于动作状态中的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，构成所述目标切换电路和所述切换电路的所述晶体管具有由被施加到该晶体管的电应力而产生的特性波动，并且所述切换电路由所述切换电路的所述晶体管的所述特性波动来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。

根据本发明的另一示例性方面的电子电路寿命延长方法是一种用于以下电子电路的寿命延长方法，所述电子电路由多个晶体管构成，并且包括：两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，所述两个或更多个目标切换电路包括处于动作状态中的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，构成所述目标切换电路和所述切换电路的所述晶体管具有由被施加到该晶体管的电应力而产生的特性波动，所述方法包括：通过所述切换电路的所述晶体管的上述特性波动，来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。

当处于动作状态中的目标切换电路由于晶体管的特性波动而到达停止状态中时，本发明被设计成由切换电路的晶体管的特性波动来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。因此，作为本发明的示例性的优点，即使存在构成电子电路的晶体管的特性波动也能大幅度地延长电子电路的寿命。

附图说明

图1是表示根据第一示例性实施例的单元电路的结构的电路图；

图2是表示根据第一示例性实施例的扫描电路的结构的框图；

图3是表示根据第一示例性实施例的构成单元电路的晶体管的特性波动的曲线图；

图4是表示根据第一示例性实施例的扫描电路的动作的第一时序图；

图5是表示根据第一示例性实施例的扫描电路的动作的第二时序图；

图6是表示根据第一实施例的构成单元电路的晶体管的阈值电压中的随时间产生的变化的时序图；

图7A是表示根据第一示例性实施例的显示装置的结构的立体图，图7B是表示图7A中的第一基板的结构的立体图；

图8是表示根据第二示例性实施例的单元电路的结构的电路图；

图9是表示根据第二示例性实施例的扫描电路的结构的框图；

图10是表示根据第二示例性实施例的构成单元电路的晶体管的特性波动的曲线图；

图11是表示根据第二示例性实施例的单元电路的动作的第一时序图；

图12是表示根据第二示例性实施例的单元电路的动作的第二时序图；

图13是表示根据第二示例性实施例的构成单元电路的晶体管的阈值电压中的随时间产生的变化的时序图；

图14是表示根据第三示例性实施例的单元电路的结构的电路图；

图15是表示根据第三示例性实施例的扫描电路的结构的框图；

图16是表示根据第三示例性实施例的构成单元电路的晶体管的特性波动的曲线图；

图17是表示根据第三示例性实施例的单元电路的动作的第一时序图；

图18是表示根据第三示例性实施例的单元电路的动作的第二时序图；

图19是表示根据第三示例性实施例的构成单元电路的晶体管的阈值电压中的随时间产生的变化的时序图；

图20是表示相关技术1的结构的电路图；

图21是表示相关技术2的结构的框图；以及

图22是表示相关技术3的结构的电路图。

具体实施方式

将在下文参照附图对用于实施本发明的方式(下文称为“示例性实施例”)进行说明。在本说明书和附图中，相同的符号被用于基本上相同的结构元件。然而，注意，下面的示例性实施例的符号无关于上述相关技术的符号。

如图1所示，涉及本发明的电子电路(11)是由多个晶体管(T12A、···)构成的电子电路，并且包括：两个或更多个目标切换电路(13a，13b)以及一个或多个切换电路(12)，其将那些目标切换电路(13a，13b)从停止状态切换到动作状态。该两个或更多个目标切换电路(13a，13b)包括处于动作状态的目标切换电路(13a)和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路(13b)。构成目标切换电路(13a，13b)和切换电路(12)的晶体管(T12A、···)具有由于施加到该晶体管(T12A、···)的电应力而产生的特性波动。切换电路(12)通过该切换电路(12)的晶体管(T16)的特性波动，而将从初始就停止的停止状态的目标切换电路(13b)切换到动作状态。

根据本发明，在由于晶体管(T12A、···)的特性波动而造成在动作状态中的目标切换电路(13a)达到停止状态的情况下，通过切换电路(12)的晶体管(T16)的特性波动而将从初始就停止的停止状态的目标切换电路(13b)切换到动作状态，从而即使当特性波动发生在构成电子电路(11)的晶体管(T12A、···)中也能大幅度地延长电子电路(11)的寿命。

例如，切换电路(12)的晶体管(T16)将关断电压施加到从初始就停止的停止状态的目标切换电路(13b)的晶体管(T12B、···)的栅极，以保持目标切换电路(13b)从初始就停止的停止状态，并且通过晶体管(T16)的特性波动停止施加关断电压到晶体管(T12B、···)，以将目标切换电路(13b)切换到动作状态。

在这种情况下，因为相比于在动作状态中的目标切换电路的晶体管(T12A、···)的情况而更多施加了电应力，并且特性波动进行的更快，所以在动作状态中的目标切换电路(13a)达到停止状态之前，切换电路(12)的晶体管(T16)也可以停止施加关断电压到晶体管(T12B、···)。

例如，上述电应力是对晶体管(T12A、···)的栅极的施加电压和施加时间，并且上述特性波动是阈值电压的位移。

本发明的电路寿命延长方法是将涉及本发明的电子电路(11)的动作作为方法的发明。

(第一示例性实施例)

在下文中，作为本发明的第一示例性实施例，对包括多个由涉及本发明的电子电路构成的单元电路11(图1)的扫描电路10(图2)进行说明。如图2所示的单元电路111至11n中的任意的单元电路被表示为图1中的单元电路11。如图1和图2所示，多个单元电路11通过与时钟信号进行同步来控制。上述多个晶体管是多个单导电型的薄膜晶体管T12A、···。上述两个或更多个目标切换电路是将单元电路11内的节点设定为特定电位的两个或更多个电位设定电路(13a，13b)，包括处于动作状态的电位设定电路(13a)和处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路(13b)。

例如，切换电路12的薄膜晶体管T16将关断电压施加到处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路(13b)的晶体管(T12B、T15B)的栅极以保持电位设定电路(13b)从初始就停止的停止状态，并且由薄膜晶体管(T16)的特性波动停止施加关断电压到晶体管(T12B、T15B)以将电位设定电路(13b)切换到动作状态。

在这种情况下，因为相比于在动作状态中的电位设定电路(13a)的薄膜晶体管(T12A、T15A)的情况而更多施加了电应力并且特性波动进行的更快，所以在动作状态中的电位设定电路(13a)达到停止状态之前，切换电路(12)的薄膜晶体管(T16)的特性波动停止施加关断电压到晶体管(T12B、T15B)。

更具体地，两个或更多个电位设定电路以动作状态中的第一电位设定电路(13a)和从初始就停止的停止状态中的第二电位设定电路(13b)构成。切换电路12的薄膜晶体管T16将关断电压施加至第二电位设定电路(13b)的薄膜晶体管T12B、T15B的栅极，以保持第二电位设定电路(13b)从初始就停止的停止状态，并且因为相比于第一电位设定电路(13a)的薄膜晶体管T12A、T15A的情况而更多施加了电应力并且特性波动进行的更快，所以在第一电位设定电路(13a)达到停止状态之前，该切换电路12的薄膜晶体管T16通过薄膜晶体管T16的特性波动来停止施加关断电压到薄膜晶体管T12B、T15B，从而将第二电位设定电路(13b)切换到动作状态。

换句话说，单元电路11对应于下面描述的N＝2的情况。N被定义为2及以上的整数，k被定义为从1到N-1的整数。上述两个或更多个电位设定电路以第一电位设定电路至第N个电位设定电路(13a，13b)构成。第k个电位设定电路(13a)处于动作状态，第(k+1)个至第N个电位设定电路(13b)处于从初始就停止的停止状态，并且上述一个或多个切换电路以第一至第(N-1)个切换电路12构成。第k个切换电路12的薄膜晶体管T16将关断电压施加至第(k+1)个电位设定电路(13b)的薄膜晶体管T12B、T15B的栅极，以保持第(k+1)个电位设定电路(13b)处于从初始就停止的停止状态，并且因为相比于第k个电位设定电路(13a)的薄膜晶体管T12A、T15A的情况而更多施加了电应力并且特性波动进行的更快，所以在第k个电位设定电路(13a)达到停止状态之前，第k个切换电路12的薄膜晶体管T16通过薄膜晶体管T16的特性波动来停止关断电压施加到晶体管T12B、T15B，从而将第(k+1)个电位设定电路(13b)切换到动作状态。这里注意，稍后描述的第二示例性实施例对应于N＝1的情况，并且第三示例性实施例对应于N＝3的情况。

更具体地，上述电应力是对薄膜晶体管T12A、···的栅极的施加电压和施加时间，并且上述特性波动是阈值电压的位移。上述单导电型是N沟道型，并且上述第一电位设定电路和第二电位设定电路是用于将节点设定到低电位的第一下拉电路13a和第二下拉电路13b。

(结构说明)

接下来，对第一实施例的结构进行更详细地说明。在下文中，将“薄膜晶体管”简称为“晶体管”。

如图7A所示，第一示例性实施例的显示装置9主要由第一基板1、第二基板2、显示单元3、驱动电路4、以及连接电缆7构成。此外，如图7B所示，第一基板1主要由驱动电路4、像素阵列5、扫描电路10以及扫描线6构成。从未图示的外部连接装置输出的信号经由连接电缆7被输入到驱动电路4。此外，从驱动电路4输出的信号经由控制信号线8被提供到扫描电路10和像素阵列5。扫描电路10的输出信号经由扫描线6被输出到像素阵列5。像素阵列5在接收到分别从驱动电路4和扫描电路10输出的信号时控制每个像素。通过该控制，使得能够在图7A所示的显示单元3上显示预期的视频。显示装置9的示例可以是液晶显示器、有机EL显示器等。

如图2所示，在第一示例性实施例的扫描电路10中，配设了多个单元电路111至11n，并且单元电路111至11n与扫描线6(输出信号OUT1至OUTn)连接。这里注意，“n”是自然数，并且是根据像素阵列5(图7B)的纵向方向上的像素的数目而确定的值。注意，稍后描述的“m”为从1到n的任意整数。

在扫描电路10中，单元电路111至11n由经由控制信号线8输入的控制信号控制，并且输出信号OUT1至OUTn从单元电路111至11n的每个中提供至扫描线6。输入到扫描电路10的控制信号由起始信号ST、上位电源电压VGH、下位电源电压VGL、最后级控制信号VO、以及时钟信号CLK1、CLK2构成。在下文中，上位电源电压VGH和下位电源电压VGL被简单地称为“VGH”和“VGL”。

单元电路11m包括多个输入端IN，VGH，VGL，CLK，OUTm+1和输出端OUTm。起始信号ST被提供给第一级的单元电路111的输入端IN。并且，向第二级的单元电路112之后的输入端IN提供前级的输出端OUTm的信号。

此外，时钟信号CLK1或时钟信号CLK2被提供给输入端CLK。例如，时钟信号CLK1被提供给单元电路111的输入端CLK，并且时钟信号CLK2被提供给单元电路112的输入端CLK。此后，关于单元电路113之后的输入端CLK，将单元电路111、112与时钟信号CLK1、CLK2的连接关系进行重复。

输出端OUTm的信号被提供到扫描线6并且还分别被提供到前级的单元电路11m-1的输入端OUTm+1和后级的单元电路11m+1的输入端IN。最后级控制信号VO被提供给最后级的单元电路11n的输入端OUTm+1。

如图1所示，第一示例性实施例的单元电路11由多个晶体管T11A至T16、电容器C11、以及后述的布线和端构成。这些端是输入端IN、CLK、OUTm+1、VGH、VGL和输出端OUTm。

第一下拉电路13a以晶体管T12A、T15A构成，其由节点N12A的电位控制并具有将节点N11和输出端OUTm设定为VGL的功能。第二下拉电路13b以晶体管T12B、T15B构成，其由节点N12B的电位控制并具有将节点N11和输出端OUTm设定为VGL的功能。切换电路12以晶体管T16构成，并且具有将节点N12B设定为VGL的功能。

节点N11表示连接到晶体管T11A的源极、晶体管T12A的漏极、晶体管T12B的漏极以及晶体管T14的栅极的布线。此外，节点N12A表示连接到晶体管T11B的漏极、晶体管T12的栅极、晶体管T15A的栅极以及晶体管T13A的源极的布线。此外，节点N12B表示连接到晶体管T12B的栅极、晶体管T15B的栅极、晶体管T13B的源极、晶体管T11C的漏极以及晶体管T16的漏极的布线。

晶体管T11A通过输入端IN的电位被栅极控制并且具有使节点N11的电位上升的功能。晶体管T11B通过输入端IN的电位被栅极控制并且具有将节点N12A设定为VGL的功能。晶体管T12A(T12B)通过节点N12A(N12B)的电位被栅极控制并且具有将节点N11设定为VGL的功能。晶体管T13A(T13B)通过输入端OUTm+1的电位被栅极控制并且具有使节点N12A(N12B)的电位上升的功能。晶体管T14通过节点N11的电位被栅极控制并具有提供输入端CLK的电位至输出端OUTm或电隔离输入端CLK与输出端OUTm的功能。晶体管T15A(T15B)通过节点N12A(N12B)的电位被栅极控制并且具有将输出端OUTm设定为VGL的功能。晶体管T16的栅极连接到VGH，源极连接到VGL，并且漏极连接到节点N12B，并且该晶体管T16具有将节点N12B设定为VGL的功能。电容器C11的一个电极连接到节点N11，另一个电极连接到输出端OUTm，并且该电容器C11具有积累电荷以使得节点N11的电位不会由于晶体管T11A、T12A、T12B的漏电流、来自外部的混合噪音等而造成波动的功能。这里注意，希望的是设计每个晶体管和电容器的物理形状和尺寸以使得电路能以足够的裕量进行动作。关于晶体管T13B和T16的组合，希望的是以如下方式设计晶体管：即，晶体管T16的驱动能力变得比晶体管T13B的驱动能力更高，这是由于(如后面将要描述的)两个晶体管皆处于导通状态，并变为贯通电流流过的动作。同样，希望的是以如下方式设计晶体管：即，晶体管T11A的驱动能力变得比晶体管T12A(T12B)的驱动能力更高。

此外，晶体管T12A、T15A和T16的阈值电压由于在电路动作期间“附加栅极应力”被施加到其上而波动。当晶体管T13A的阈值电压为Vth时，如后面将要描述的那样，VGH-Vth被施加到晶体管T12A和T15A的栅极。在此期间，VGH被施加到晶体管T16的栅极。即，施加到晶体管T16的“附加栅极应力”比施加到晶体管T12A、T15A的“附加栅极应力”更大。因此，如图3所示，随时间的阈值电压的位移量在晶体管T16中比在晶体管T12A、T15A中变得更大。

在第一示例性实施例中的驱动显示装置9的扫描电路10(在作为其结构元件的单元电路11中)包括：多个晶体管(第一和第二下拉电路13a，13b)，其将节点N11和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态；以及切换电路12，其将第二下拉电路13b从停止状态切换到动作状态。

在第一下拉电路13a的动作期间，“附加栅极应力”被施加到晶体管T12A、T15A和T16，以便阈值电压随时间波动。然而，阈值电压的位移量在晶体管T16中比在晶体管T12A和T15A中更大。因此，在晶体管T12A、T15A达到停止状态之前，晶体管T16被转到停止状态。因此，保持晶体管T12B、T15B为停止状态变得困难，从而使得晶体管T12B、T15B被转变到动作状态。即，第二下拉电路13b从停止状态被转变到动作状态。由此，可以保持用于将节点N11和输出端OUTm设定到下位电源电压VGL的能力。

通过采用这样的结构，扫描电路10的电路寿命可以延长。此外，不需要具有用于检测晶体管T12A、T15A的动作状态的装置，也不需要具有用于解除晶体管T12B、T15B的停止状态的特定控制信号。因此，不会引起电路规模的增大化和外部控制模块的高成本化。

(动作说明)

接下来，对第一示例性实施例的扫描电路10的动作进行说明。

扫描电路10与单元电路11的动作将通过在图1至图3中添加图4至图6来进行说明。在图4和图5中，横轴表示时间，并且纵轴表示各端的电位。L和H在纵向轴线上分别是VGL和VGH的缩写。图4中的纵轴表示控制信号线8和单元电路11的各端的电位，并且图5中的纵轴表示单元电路112、11n的各端的电位。此外，在图6中，横轴表示时间，并且纵轴表示每个晶体管的阈值电压的波动量。

·时间段(t1到t2)

起始信号ST从VGL转变为VGH。时钟信号CLK1是VGL。此外，时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路111的动作：由于晶体管T11A转到导通状态，所以当该晶体管T11A的阈值电压为Vth时，节点N11从VGL上升到V1(＝VGH-VGL-Vth)。由此，晶体管T14达到导通状态。连接到输入端CLK的时钟信号CLK1为VGL，使得输出信号OUT1被设定为VGL。另外，晶体管T11B达到导通状态，使得节点N12A被设定为VGL。因此，晶体管T12A和T15A处于关断状态。节点N12B是VGL，这是由于晶体管T16处于导通状态。由此，晶体管T12B和T15B处于关断状态。

单元电路112至11n的动作：节点N11、N12A和N12B都是VGL，使得输出信号OUT2至OUTn都是VGL。

·时间段(t3到t4)

起始信号ST转变为VGL。时钟信号CLK1从VGL转变为VGH，并且时钟信号CLK2变为VGL。

单元电路111的动作：晶体管T11A和T11B被转到关断状态。由此，节点N11与N12A达到浮置状态。时钟信号CLK1被转到VGH，使得其通过在导通状态的晶体管T14并且输出信号OUT1的电位从VGL上升。由于作为电容器C11的一个电极的输出信号OUT1的电位上升，所以处于浮置状态的电容器C11的另一个电极(节点N11)的电位，由于当晶体管T11A的阈值电压为Vth时，通过自举效应而进一步增加到V2(＝2(VGH-VGL)-Vth)。因此，VGH或更高的电压被施加到晶体管T14的栅极，使得输出信号OUT1的电位在没有被衰减的情况下被转变至VGH。

单元电路112的动作：如单元电路111在时间段(t1至t2)的动作，晶体管T11A、T11B和T14达到导通状态。

单元电路113至11n的动作：节点N11、N12A和N12B都是VGL，使得输出信号OUT3至OUTn都是VGL。

·时间段(t5到t6)

时钟信号CLK1是VGL。时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路111的动作：输出信号OUT2由于单元电路112的动作(将在后面描述)而转变VGH，使得VGH被提供给单元电路111的输入端OUTm+1。因此，晶体管T13A和T13B都达到导通状态。由于晶体管T13A达到导通状态，所以当晶体管T13A的阈值电压为Vth时，节点N12A从VGL转变为V1(＝VGH-VGL-Vth)。由此，晶体管T12A和T15A两者皆达到导通状态，并且节点N11和输出端OUTm被转变为VGL。在此期间，由于晶体管T16的驱动能力设定为比晶体管T13B的驱动能力更高，所以节点N12B被保持为VGL。因此，晶体管T12B和T15B被保持为处于关断状态。

单元电路112的动作：如单元电路111在时间段(t3到t4)的动作，输出信号OUT2的电位由晶体管T14被转变至VGH。

单元电路113的动作：动作与单元电路111在时间段(t1到t2)中的动作是一样的。

单元电路114至11n的动作：节点N11、N12A和N12B都是VGL，使得输出信号OUT4到OUTn都是VGL。

在时刻t6之后，单元电路114至11n的动作与单元电路111在时间段(t1到t6)中的动作一样。通过这样的动作，OUT4到OUTn被依次转变为VGH。

·时间段(t7到t8)

最后级控制信号VO从VGL转变为VGH。

单元电路11n的动作：由于输入端OUTm+1的电位变为VGH，所以晶体管T13A和T13B达到导通状态。如单元电路111在时间段(t5到t6)的动作，节点N11与输出端OUTm被转变为VGL。

在时刻t8之后，通过起始信号ST再次从VGL转变为VGH的定时(时刻t9)重复与时刻t1之后相同的动作。

接着，关于构成单元电路11内的第一下拉电路和第二下拉电路13a、13b以及切换电路12的每个晶体管的随时间的阈值电压的转变将参照图6进行说明。如前面所述，分别地，晶体管T16对应于切换电路12，晶体管T12、T15对应于第一下拉电路13a，并且晶体管T12B、T15B对应于第二下拉电路13b。时刻(1)：每个晶体管的阈值电压处于初始值的状态并是相等的。在开始动作之后，“附加栅极应力”被施加到晶体管T12A、T15A和T16，如在单元电路11的动作中所描述的那样。由此，晶体管T12A、T15A和T16的阈值电压增加。此时，被施加到晶体管T16的“附加栅极应力”的量大于被施加到晶体管T12A、T15A的“附加栅极应力”的量，使得其阈值电压更加的波动。在此期间，晶体管T12B和T15B由于晶体管T16的动作而都处于关断状态。因此，不施加“附加栅极应力”，从而使阈值电压被保留为初始值。

时刻(2)：因为阈值电压变高，所以晶体管T16达不到足够的导通状态。因此，晶体管T12B和T15B不能保持在关断状态中。这种状态的阈值电压被定义为“界限值”。此后，节点N12B的电位由被转为导通状态的晶体管T13B而上升，使得晶体管T12B和T15B两者都达到导通状态。因此，在时刻(2)之后，“附加栅极应力”也被施加到晶体管T12B和T15B。由此，晶体管T12B和T15B的阈值电压增加。

时刻(3)：晶体管T12A、T15A的阈值电压达到界限值，使得节点N11和输出端OUTm不能保持到晶体管T12A、T15A中的VGL。在此期间，用于将节点N11和输出端OUTm保持到晶体管T12B、T15B中的VGL的能力被保留以使得节点N11和输出端OUTm可被可靠地保持到VGL。

如上所述，第一示例性实施例的驱动显示装置9的扫描电路10包括作为其结构元件的单元电路11。在单元电路11中，提供了多个晶体管(第一下拉电路和第二下拉电路13a，13b)，用于将节点N11和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态；并且还提供了切换电路12，用于将晶体管T12B、T15B从动作停止状态切换到动作状态。

此外，在动作开始时，晶体管T12A和T15A用于将节点N11和输出端OUTm保持到VGL。在此期间，晶体管T12B和T15B被由晶体管T16转到关断状态。在动作过程中，“附加栅极应力”被施加到晶体管T12A、T15A和T16，使得其阈值电压随时间变得增加。在这里注意，晶体管T16的该阈值电压由于要被施加的“附加栅极应力”比施加到晶体管T12A和T15A的“附加栅极应力”更大而首先变高。其结果，晶体管T16变得难以保持晶体管T12B和T15B为动作停止状态，使得晶体管T12B和T15B从动作停止状态切换到动作状态。

此后，即使当晶体管T12A和T15A变得不能将节点N11和输出端OUTm设定为VGL时，节点N11与输出端OUTm也能由晶体管T12B和T15B而设定为VGL。因此，扫描电路11的电路寿命可以延长。

(第二示例性实施例)

(结构说明)

第二示例性实施例就扫描电路和单元电路的结构方面而言与第一示例性实施例不同。图9中的单元电路211至21n当中的任意单元电路被表示为图8中的单元电路21。另外，在图7A中示出的第一示例性实施例的显示装置的结构和图7B中示出的第一基板的结构也适用于第二示例性实施例。

如图9所示，在第二示例性实施例的扫描电路20中，提供了多个单元电路211至21n，并且单元电路211至21n和扫描线6(输出信号OUT1至OUTn)连接。这里注意，“n”是自然数，并且是根据像素阵列5(图7B)的纵向方向上像素的数目而确定的值。注意，稍后描述的“m”为从1到n的任意整数。

在扫描电路20中，单元电路211至21n由经由控制信号线8输入的控制信号控制，并且输出信号OUT1至OUTn从单元电路211至21n的每个中被提供至扫描线6。输入到扫描电路20的控制信号由起始信号ST，VGH，VGL，最后级控制信号VO，以及时钟信号CLK1、CLK2构成。

单元电路21m包括多个输入端IN，VGH，VGL，CLKa，CLKb，OUTm+1和输出端OUTm。起始信号ST被提供给第一级的单元电路211的输入端IN。并且，向第二级的单元电路212之后的输入端IN提供前级的输出端OUTm的信号。

此外，时钟信号CLK1或时钟信号CLK2被提供给输入端CLKa和CLKb。例如，在单元电路211中，分别地，时钟信号CLK1被提供给输入端CLKa并且时钟信号CLK2被提供给输入端CLKb。相反地，在单元电路212中，分别地，时钟信号CLK2被提供给输入端CLKa并且时钟信号CLK1被提供给输入端CLKb。之后，关于单元电路213之后，重复单元电路211、212与时钟信号CLK1、CLK2的连接关系。

输出端OUTm连接到扫描线6并且还相应地连接到前级的单元电路21m-1的输入端OUTm+1和之后级的单元电路21m+1的输入端IN。最后级控制信号VO被提供给最后级的单元电路21n的输入端OUTm+1。

如图8所示，第二示例性实施例的单元电路21由多个晶体管T21A至T28B、电容器C21至C25、以及后述的布线和端构成。这些端是输入端IN、CLKa、CLKb、OUTm+1、VGH、VGL和输出端OUTm。

第一下拉电路23a以晶体管T23A、T25A和T28A构成，并具有将节点N21和输出端OUTm设定为VGL的功能。第二下拉电路23b以晶体管T23B、T25B和T28B构成，并具有将节点N21和输出端OUTm设定为VGL的功能。切换电路22以晶体管T26A、T26B构成，并具有将节点N22B、N23B设定为VGL的功能。

节点N21表示连接到晶体管T21A的源极、晶体管T22A的漏极、晶体管T23A的漏极、晶体管T23B的漏极、晶体管T27A的栅极、晶体管T27B的栅极以及晶体管T24的栅极的布线。节点N22A表示连接到晶体管T23A的栅极、晶体管T25A的栅极、晶体管T27A的漏极以及电容器C22的一个电极的布线。节点N22B表示分别连接到晶体管T23B的栅极、晶体管T25B的栅极、晶体管T27B的漏极、晶体管T26A的漏极以及电容器C24的一个电极的布线。节点N23A表示连接到晶体管T31B的漏极、晶体管T28A的栅极以及电容器C23的一个电极的布线。节点N23B表示分别连接到晶体管T21C的漏极、晶体管T26B的漏极、晶体管T28B的栅极以及电容器C25的一个电极的布线。

晶体管T21A通过输入端IN的电位被栅极控制并具有使节点N21的电位上升的功能。晶体管T21B通过输入端IN的电位被栅极控制并具有设定节点N23A为VGL的功能。晶体管T21C通过输入端IN的电位被栅极控制并且具有设定节点N23B为VGL的功能。晶体管T22通过输入端OUTm+1的电位被栅极控制并且具有设定节点N21为VGL的功能。晶体管T23A(T23B)通过节点N22A(节点N22B)的电位被栅极控制并具有设定节点N21为VGL的功能。晶体管T24通过节点N21的电位被栅极控制并具有提供输入端CLKa的电位至输出端OUTm或电隔离输出端OUTm与输入端CLKa的功能。晶体管T25A(T25B)通过节点N22A(N22B)的电位被栅极控制并具有设定输出端OUTm为VGL的功能。晶体管T26A(T26B)的栅极连接到VGH，源极连接到VGL，并且漏极连接到节点N22B(N23B)，并且该晶体管T26A(T26B)具有设定节点N22B(N23B)为VGL的功能。晶体管T27A(T27B)通过节点N21的电位被栅极控制并具有设定节点N22A(N22B)为VGL的功能。晶体管T28A(T28B)通过节点N23A(节点N23B)的电位被栅极控制并具有设定输出端OUTm为VGL的功能。

因为提供了晶体管T26A、T26B，所以在晶体管T23A、T25A、T28A处于动作中的期间，可以停止晶体管T23B、T25B和T28B的动作。电容器C21的一个电极连接到节点N21，另一个电极连接到输出端OUTm，并且该电容器C21包括积累电荷以使得节点N21的电位不会由于晶体管T21A、T22、T23A和T23B的漏电流等而波动的功能。电容器C22(C24)是由输入端CLKa的电位波动耦合驱动节点N22A(N22B)所需的静电电容。电容器C23(C25)是由输入端CLKb的电位波动耦合驱动节点N23A(N23B)所需的静电电容。由于切换电路22被提供，所以在第一下拉电路23a处于动作中的期间，可以停止第二下拉电路23b的动作。

这里注意，希望的是设计每个晶体管和电容器的物理形状和尺寸以使得电路能以足够的裕量运行。此外，晶体管T23A、T23B、T25A、T25B、T28A、T28B、T26A和T26B的阈值电压，在电路动作期间“附加栅极应力”被施加时而波动。向晶体管T23A、T23B、T25A、T25B、T28A和T28B的栅极施加与被提供给输入端CLKa、CLKb的时钟信号CLK1、CLK2同步的脉冲信号，如后述的那样。在此期间，作为直流信号的VGH被施加到晶体管T26A和T26B的栅极。也就是说，要被施加到晶体管T26A、T26B的“附加栅极应力”比施加到晶体管T23A、T23B、T25A、T25B、T28A和T28B的“附加栅极应力”更大。因此，如图10所示，阈值电压随时间的位移量在晶体管T26A、T26B中比在晶体管T23A、···中变得更大。

在第二示例性实施例中的驱动显示装置的扫描电路20(图9)包括作为其结构元件的单元电路21(图8)。该单元电路21中设置有：多个晶体管(第一和第二下拉电路23a，23b)，其将节点N21和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态；以及切换电路12，其将第二下拉电路23b从动作停止状态切换到动作状态。

在第一下拉电路23a的动作期间，“附加栅极应力”被施加到构成第一下拉电路23a和切换电路22的晶体管T23A等，以便阈值电压随时间波动。这里注意到，要被施加到构成第一下拉电路23a的晶体管T23A等的“附加栅极应力”比施加到构成切换电路22的晶体管T26A、T26B的“附加栅极应力”更大。因而，切换电路22早于第一下拉电路23a达到动作停止状态。即，切换电路22变得难于将第二下拉电路23b保持到动作停止状态中，使得第二下拉电路23b从动作停止状态被转变到动作状态。由此，可以保持用于设定节点N11和输出端OUTm为VGL的能力。

此外，不需要具有用于检测晶体管T23A、T25A、T28A的动作状态的装置，也不需要具有用于解除晶体管T23B、T25B、T28B的停止状态的特定控制信号。因此，不会引起电路规模的增大化和外部控制模块的高成本化。此外，不同于第一示例性实施例的情况，在第二示例性实施例中在单元电路21的动作期间没有贯通电流流过。因此使用第二示例性实施例可以实现低功耗的扫描电路而同时得到了与第一示例性实施例的那些相同的效果。

(动作说明)

接下来，对第二示例性实施例的扫描电路20的动作进行说明。

扫描电路20与单元电路21的动作将通过在图8至图10中添加图11至图13来进行说明。在图11和图12中，横轴表示时间，并且纵轴表示各端的电位。L和H在纵向轴线上分别是VGL和VGH的缩写。图11中的纵轴表示控制信号线8和单元电路211的各端的电位，并且图12中的纵轴表示单元电路212、21n的各端的电位。此外，在图13中，横轴表示时间，并且纵轴表示每个晶体管的阈值电压的波动量。

·时间段(t1到t2)

起始信号ST从VGL转变为VGH。时钟信号CLK1是VGL。此外，时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路211的动作：由于晶体管T21A被转到导通状态，所以当该晶体管T21A的阈值电压为Vth时，节点N21从VGL上升到V1(＝VGH-VGL-Vth)。由此，晶体管T24达到导通状态。连接到输入端CLKa的时钟信号CLK1为VGL，使得输出信号OUT1由晶体管T24设定为VGL。另外，晶体管T21B达到导通状态，使得节点N23A被设定为VGL。因此，晶体管T28A处于关断状态。在此期间，因为节点N21的电位上升，所以晶体管T27A和T27B皆达到导通状态，使得节点N22A和N22B被设定为VGL，因此，晶体管T23A、T25A、T23B和T25B处于关断状态。

单元电路212至21n的动作：节点N21是VGL，使得输出信号OUT2至OUTn都是VGL。

·时间段(t3到t4)

起始信号ST从VGH转变为VGL。时钟信号CLK1被从VGL转变为VGH，并且时钟信号CLK2是VGL。

单元电路211的动作：晶体管T21A和T21B被转到关断状态。由此，节点N21与N23A变为浮置状态。在此期间，时钟信号CLK1被转到VGH，使得其通过在导通状态的晶体管T24并且输出信号OUT1的电位从VGL上升。在此时刻，由于作为电容器C21的一个电极的输出信号OUT1的电位上升，所以处于浮置状态的电容器C21的另一个电极(节点N21)的电位，当晶体管T21A的阈值电压为Vth时，通过自举效应而进一步上升到V2(＝2(VGH-VGL)-Vth)。因此，VGH或更高的电压被施加到晶体管T24的栅极，使得输出信号OUT1的电位在没有被衰减的情况下被转变至VGH。

单元电路212的动作：如单元电路211在时间段(t1至t2)的动作，晶体管T21A、T21B和T24达到导通状态。

单元电路213至21n的动作：节点N21是VGL，使得输出信号OUT3至OUTn都是VGL。

·时间段(t5到t6)

时钟信号CLK1是VGL。所述时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路211的动作：在后级的单元电路212的输出信号OUT2转变为VGH，使得VGH被输入到单元电路211的输入端OUTm+1。由此，晶体管T22达到导通状态，使得节点N21被设定为VGL。

单元电路212的动作：如单元电路211在时间段(t3到t4)的动作，输出信号OUT2的电位被转变为VGH。由于这个动作，VGH被施加到单元电路211的输入端OUTm+1。

单元电路213的动作：动作与单元电路211在时间段(t1到t2)中的动作是一样的。

单元电路214至21n的动作：节点N21是VGL，使得输出信号OUT4到OUTn都是VGL。

在时刻t6之后，单元电路214至21n-1的动作与单元电路211在时间段(t1到t6)中的动作一样。通过这样的动作，OUT4到OUTn被依次转变为VGH。

·时间段(t7到t8)

最后级控制信号VO从VGL转变为VGH。

单元电路21n的动作：由于输入端OUTm+1的电位被转到VGH，所以晶体管T22达到导通状态。如单元电路211在时间段(t5到t6)的动作，节点N21与输出端OUTm被转变为VGL。

在时刻t8之后，通过起始信号ST再次从VGL转变为VGH的定时(时刻t9)重复与时刻t1之后相同的动作。

接着，关于构成单元电路21内的第一下拉电路和第二下拉电路23a、23b以及切换电路22的每个晶体管随时间生成的阈值电压的转变将参照图13进行说明。如前面所述的那样，分别地，晶体管T26A、T26B对应于切换电路22，晶体管T23A、T25A、T28A对应于第一下拉电路23a，并且晶体管T23B、T25B、T28B对应于第二下拉电路23b。

时刻(1)：每个晶体管的阈值电压处于初始值的状态并且是相等的。在开始动作之后，“附加栅极应力”由上述的单元电路21的动作被施加到晶体管T23A、T25A、T28A、T26A和T26B。由此，晶体管T23A、···的阈值电压增加。此时，被施加到晶体管T26A和T26B的“附加栅极应力”的量大于被施加到晶体管T23A、T25A和T28A的“附加栅极应力”的量，使得其阈值电压变得更高。在此期间，晶体管T23A、T25A和T28A由于晶体管T26A、T26B的动作而都处于关断状态。因此，不施加“附加栅极应力”，从而使阈值电压被保留为初始值。

时刻(2)：因为晶体管T26A、T26B的阈值电压增加并到达界限值，所以晶体管T23B、T25B和T28B不能保持在关断状态中。此后，节点N22B、N23B的电位由于经由输入端CLKa、CLKb的电位中的波动所引起的电容器C24、C25的耦合动作而波动，因此，生成了其中晶体管T23B、T25B和T28B被转到导通状态的时间段。因此，在时刻(2)之后，“附加栅极应力”也被施加到晶体管T23B、T25B和T28B。由此，晶体管T23B、T25B和T28B的阈值电压增加。时刻(3)：晶体管T23A、T25A和T28A的阈值电压进一步增加并达到界限值，使得节点N21和输出端OUTm不能保持到晶体管T23A、T25A和T28A中的VGL。然而，用于将节点N21和输出端OUTm保持到晶体管T23B、T25B和T28B中的VGL的能力被保留。这使得可以将节点N21和输出端OUTm保持到VGL。

如上所述，第二示例性实施例的驱动显示装置的扫描电路20包括作为其结构元件的单元电路21。在单元电路21中，提供了用于将节点N21和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态的多个晶体管T23A、···；T23B、···，并且还提供了用于停止晶体管T23B、T25B和T28B的动作的晶体管T26A、T26B。

此外，在晶体管T26A、T26B的动作期间，“附加栅极应力”被施加到晶体管T23A、T25A、T28A、T26A和T26B，使得其阈值电压随时间变得增加。此刻，晶体管T26A、T26B的阈值电压由于被施加到晶体管T26A、T26B的“附加栅极应力”比被施加到晶体管T23A、T25A、T28A的“附加栅极应力”更大而变得更增加。因此，即使当晶体管T23A、T25A、T28A变得不能将节点N21和输出端OUTm设定为VGL时，由于T23B、T25B和T28B的动作停止状态被晶体管T26A、T26B解除，所以也能保持用于将节点N21和输出端OUTm设定为VGL的能力。由此，扫描电路20的电路寿命可以延长。

如上所述，可以使用第二示例性实施例的扫描电路20来实现显示装置与第一示例性实施例的那些相比表现出相同的效果，即使是当与第一示例性实施例的那些不同的结构被用于构成扫描电路20的单元电路21也是如此。第二示例性实施例的其它结构、动作和效果与第一示例性实施例的那些相同。

(第三示例性实施例)

(结构的说明)

第三示例性实施例就扫描电路和单元电路的结构方面而言与第一示例性实施例和第二示例性实施例不同。图15中的单元电路311至31n当中的任意单元电路被表示为图14中的单元电路31。另外，在图7A中示出的第一示例性实施例的显示装置的结构和图7B中示出的第一基板的结构也适用于第三示例性实施例。

如图15所示，第三示例性实施例的扫描电路30包括多个单元电路311至31n。扫描电路30的其它结构与第二示例性实施例的扫描电路的那些相同。

如图14所示，第三示例性实施例的单元电路31由多个晶体管T31A至T36D、电容器C31、C32、以及后述的布线和端构成。这些端是输入端IN、CLKa、CLKb、OUTm+1、VGH、VGL以及输出端OUTm。

第一下拉电路33a以晶体管T32A、T35A构成，并具有将节点N31和输出端OUTm设定为VGL的功能。第二下拉电路33b以晶体管T32B、T35B构成，并具有将节点N31和输出端OUTm设定为VGL的功能。第三下拉电路33c以晶体管T32C、T35C构成，并具有将节点N31和输出端OUTm设定为VGL的功能。

第一切换电路32a以晶体管T36A构成，并具有将节点N32B设定为VGL的功能。第二切换电路32b以晶体管T36B、T36C、T36D和电容器C32构成，并具有将节点N32C设定为VGL的功能。

节点N31表示连接到晶体管T31A的源极、晶体管T32A的漏极、晶体管T32B的漏极、晶体管T32C的漏极、晶体管T34的栅极的布线。节点32A表示连接到晶体管T31B的漏极、晶体管T32A的栅极、晶体管T35A的栅极和晶体管T33A的源极的布线。节点N32B表示连接到晶体管T32B的栅极、晶体管T35B的栅极、晶体管T33B的源极以及晶体管T36A的漏极的布线。节点N32C表示连接到晶体管T32C的栅极、晶体管T35C的栅极、晶体管T33C的源极、晶体管T36B的漏极和晶体管T36C的漏极的布线。节点N33表示连接到晶体管T36C的栅极、电容器C32的一个电极和晶体管T36D的漏极的布线。

晶体管T31A通过输入端IN的电位被栅极控制并具有使节点N31的电位上升的功能。晶体管T31B通过输入端IN的电位被栅极控制并具有设定节点N32A为VGL的功能。晶体管T31C通过输入端IN的电位被栅极控制并具有设定节点N32B为VGL的功能。晶体管T31D通过输入端IN的电位被栅极控制并具有设定节点N32C为VGL的功能。晶体管T32A(T32B、T32C)通过节点N32A(N32B、N32C)的电位被栅极控制并具有设定节点N31为VGL的功能。晶体管T33A(T33B、T33C)通过输入端OUTm+1的电位被栅极控制并具有使节点N32A(N32B、N32C)的电位上升的功能。晶体管T34通过节点N31的电位被栅极控制并具有提供输入端CLKa的电位至输出端OUTm或电隔离输出端OUTm与输入端CLKa的功能。晶体管T35A(T35B、T35C)通过节点N32A(N32B、N32C)的电位被栅极控制并具有设定输出端OUTm为VGL的功能。晶体管T36A(T36B、T36D)的栅极连接到VGH，源极连接到VGL，并且漏极连接到节点N32B(N32C、N33)，并且晶体管T36A(T36B、T36D)具有设定节点N32B(N32C、N33)为VGL的功能。晶体管T36C的栅极连接到节点N33，源极连接到VGL，并且漏极连接到节点N32C，并且晶体管T36C具有设置节点N32C为VGL的功能。

电容器C31的一个电极连接到节点N31，另一个电极连接到输出端OUTm，并且该电容器C31包括积累电荷以使得节点N31的电位不会由于晶体管T31A、T32A和T32B的漏电流等、来自外部的混合噪音等而波动的功能。电容器C32是用于将输入端CLKb的电位波动传输到节点N33的耦合电容。

这里注意，希望的是设计每个晶体管和电容器的物理形状和尺寸以使得电路能以足够的裕量运行。此外，关于晶体管T32A、T35A、T32B、T35B、T32C、T35C、T36A、T36B、T36C和T36D，其阈值电压在电路动作期间施加“附加栅极应力”时波动。要被施加到晶体管T36A、T36B、T36C和T36D的“附加栅极应力”比施加到晶体管T32A、T32B、T32C、T35A、T35B和T35C的“附加栅极应力”更大。因此，如图16所示，阈值电压随时间的位移量在晶体管T36A、···中比在晶体管T32A、···中变得更大。此外，希望的是应用以下设计，根据该设计，构成第一至第三下拉电路33a、33b、33c的晶体管的驱动能力比构成第一和第二切换电路32a、32b的晶体管的驱动能力更高。

在第三示例性实施例中的驱动显示装置的扫描电路30包括作为其结构元件的单元电路31。该单元电路31设置有：多个晶体管(第一至第三下拉电路33a，33b，33c)，其将节点N31和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态；以及第一和第二切换电路32a和32b，其将第二下拉电路33b，33c从动作停止状态切换到动作状态。

在第一下拉电路33a的动作期间，“附加栅极应力”被施加到晶体管T32A、T35A、T36B和T36D，使得其驱动能力随时间减小。由于晶体管T32A、T35A的驱动能力比晶体管T36A、T36B和T36D的驱动能力更大，所以晶体管T36A、T36B和T36D比晶体管T32A、T35A更早地失去驱动能力。当晶体管T36A的驱动能力失去时，晶体管T32B、T35B的动作停止状态被解除。因此，第二下拉电路33b从动作停止状态转变为动作状态。即，可以保持用于设定节点N31和输出端OUTm为VGL的能力。

此外，即使当第二下拉电路33b从动作状态转变为动作停止状态时，第三下拉电路33c也通过第二切换电路32b从动作停止状态转变为动作状态，使得可以保持用于设定节点N31和输出端OUTm为VGL的能力。因此，可以使用第三示例性实施例来比第一和第二示例性实施例的情况更久地延长扫描电路的电路寿命。

此外，不需要具有用于检测晶体管T32A、T32B、T35A、T35B的动作状态的装置，也不需要具有用于解除晶体管T32B、T32C、T35B和T35C的动作停止状态的特定控制信号。因此，不会引起电路规模的增大化和用于外部控制模块的高成本化。

(动作说明)

接下来，对第三示例性实施例的扫描电路30的动作进行说明。

扫描电路30与单元电路31的动作将通过在图14至图16中添加图17至图19来进行说明。在图17和图18中，横轴表示时间，并且纵轴表示各端的电位。L和H在纵向轴线上分别是VGL和VGH的缩写。图17中的纵轴表示控制信号线8和单元电路311的各端的电位，并且图17中的纵轴表示单元电路312、31n的各端的电位。此外，在图19中，横轴表示时间，并且纵轴表示每个晶体管的阈值电压的波动量。

·时间段(t1到t3)

起始信号ST从VGL转变为VGH。分别地，时钟信号CLK1从VGH转变为VGL，并且时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路311的动作：由于晶体管T31A转到导通状态，所以当该晶体管T31A的阈值电压为Vth时，节点N31从VGL上升到V1(＝VGH-VGL-Vth)。由此，晶体管T34达到导通状态。然而，输出信号OUT1被保留为VGL。另外，因为晶体管T31B达到导通状态，所以节点N32A被设置为VGL，使得晶体管T32A、T35A处于关断状态。在此期间，晶体管T36A处于导通状态，使得节点N32B为VGL，因此，晶体管T32B和T35B处于关断状态。由于晶体管T36B处于导通状态，所以节点N32C为VGL。

单元电路312至311n的动作：节点N31、N32A、N32B和N32C都是VGL，使得输出信号OUT2至OUTn都是VGL。

·时间段(t3到t4)

起始信号ST从VGH转变为VGL。分别地，时钟信号CLK1从VGL转变为VGH，并且时钟信号CLK2从VGH转变为VGL。

单元电路311的动作：晶体管T31A、T31B、T31C和T31D变为关断状态。由此，节点N31与N33A达到浮置状态。节点N32B(N32C)由晶体管T36A(T36B)设定为VGL。节点N33由晶体管T36D设定为VGL。时钟信号CLK1变为VGH，使得其通过处于导通状态的晶体管T34并且输出信号OUT1的电位从VGL上升。作为电容器C31的一个电极的输出信号OUT1的电位增加，处于浮置状态的另一个电极(节点N31)的电位由于自举效应而进一步上升到V2(>>VGH)。因此，VGH或更高的电压被施加到晶体管T34的栅极，使得输出信号OUT1的电位在没有被衰减的情况下被转变至VGH。

单元电路312的动作：如单元电路311在时间段(t1至t2)的动作，晶体管T31A、T31B和T34达到导通状态。

单元电路313至31n的动作：节点N31、N32A、N32B、N32C和N33都是VGL，使得输出信号OUT3至OUTn都是VGL。

·时间段(t5到t6)

分别地，时钟信号CLK1从VGH转变为VGL，并且时钟信号CLK2从VGL转变为VGH。

单元电路311的动作：如后述那样，单元电路312的输出信号OUT2转变为VGH。因此，VGH被输入到单元电路311的输入端OUTm+1。因此，晶体管T33A、T33B和T33C都达到导通状态。当晶体管T33A的阈值电压为Vth时，节点N32A由晶体管T33A从VGL转变到V1(＝VGH-VGL-Vth)。由此，晶体管T32A和T35A都达到导通状态，并且节点N31即输出端OUTm转变为VGL。由于晶体管T36A的驱动能力被设定的比晶体管T33B的驱动能力更高，所以节点N32B不上升到VGH。因此，晶体管T32B和T35B被保持在关断状态中。同样地，晶体管T36B的驱动能力被设定的比晶体管T33C的驱动能力更高，使得节点N32C不上升到VGH。因此，晶体管T32C和T35C被保持在关断状态中。单元电路312的动作：如单元电路311在时间段(t3到t4)中的动作，晶体管T31A和T31B达到关断状态，并且输出信号OUT2的电位被转变为VGH。单元电路313的动作：动作与单元电路311在时间段(t1到t2)中的动作是一样的。

单元电路314至31n的动作：节点N31、N32A、N32B、N32C和N33都是VGL，使得输出信号OUT4到OUTn都是VGL。

在时刻t6之后，单元电路314至31n-1的动作与单元电路311在时间段(t1到t6)中的动作一样。通过这样的动作，OUT4到OUTn被依次转变为VGH。

·时间段(t7到t8)

最后级控制信号VO从VGL转变为VGH。

单元电路31n的动作：由于输入端OUTm+1的电位被转到VGH，所以晶体管T33A和T33B达到导通状态。如单元电路311在时间段(t3到t4)中的动作，节点N31与输出端OUTm被转变为VGL。

在时刻t8之后，通过起始信号ST再次从VGL转变为VGH的定时(时刻t9)重复与时刻t1之后相同的动作。

接着，关于构成第一至第三下拉电路33a、33b、33c和第一和第二切换电路32a、32b的每个晶体管随时间的阈值电压的转变将参照图19进行说明。如前面所述的那样，分别地，晶体管T36A对应于第一切换电路32a，晶体管T32A、T35A对应于第一下拉电路33a，晶体管T36B、T36C、T36D对应于第二切换电路32b，晶体管T32B、T35B对应于第二下拉电路33b，并且晶体管T32C、T35C对应于第三下拉电路33c。

时刻(1)：每个晶体管T32A、T35A、T32B、T35B、T32C、T35C、T36A、T36B、T36C和T36D的阈值电压处于初始值的状态并是相等的。在开始动作之后，“附加栅极应力”被施加到晶体管T32A、T35A、T36A、T36B和T36D。由此，这些晶体管的阈值电压增加。在此期间，分别地，由于晶体管T36A的动作而使得晶体管T32B、T35B都处于关断状态，由于晶体管T36B的动作而使得晶体管T32C、T35C都处于关断状态，并且由于晶体管T36D的动作而使得晶体管T36处于关断状态。因而，“附加栅极应力”不被施加到这些晶体管，使得阈值电压被保留为初始值。

时刻(2)：因为晶体管T36A、T36B和T36D的阈值电压增加并到达界限值，所以晶体管T32B、T35B和T36C不能保持在关断状态中。此后，节点N32B的电位由处于导通状态的晶体管T33B上升，使得晶体管T32B、T35B达到导通状态中。此外，晶体管T36D的驱动能力减小，并且节点N32C不能保持到VGL，由此使得节点N32C达到浮置状态。在这种状态下，节点N32C的电位通过由于输入端CLKb的电位中的波动所引起的经由电容器C32与输入端CLKb同步而波动。因而，生成了其中晶体管T3C被转到导通状态的时间段。因此，在时刻(2)之后，“附加栅极应力”也被施加到晶体管T33B、T35B和T36C。由此，这些晶体管的阈值电压增加。

时刻(3)：晶体管T32A和T35A的阈值电压进一步增加并达到界限值，使得失去将节点N31和输出端OUTm保持到VGL的能力。然而，节点N31和输出端OUTm由晶体管T32B和T35B而保持到VGL。

时刻(4)：由于晶体管T36C的阈值电压增加并达到界限值，晶体管T32C和T35C变为不能维持到关断状态的状态。此后，节点N32C的电位由作为导通状态的晶体管T33C上升。因此，晶体管T32C和T35C被转到导通状态。因此，时刻(4)之后，“附加栅极应力”也被施加到晶体管T32C和T35C。由此，那些晶体管的阈值电压增加。

时刻(5)：晶体管T32B和T35B的阈值电压进一步增大并达到限制值，使得失去用于保持节点N31和输出端OUTm到VGL的能力。然而，节点N31和输出端OUTm由晶体管T32C和T35C而保持到VGL。

如上所述，第三示例性实施例的驱动显示装置的扫描电路30包括作为其结构元件的单元电路31。在单元电路31中，提供了用于将节点N31和输出端OUTm保持到VGL并且设定这些不处于浮置状态的多个晶体管(第一至第三下拉电路33a、33b和33c)，并且还提供了第一和第二切换电路32a、32b。即使当在动作中的下拉电路变为动作停止状态，另一下拉电路也能由切换电路而从动作停止状态切换为动作状态中。因此，可以保持用于将节点N31和输出端OUTm设定为VGL的能力。由此，可以延长扫描电路30的电路寿命。

在第三示例性实施例中，说明了以三个下拉电路和两个切换电路构成的扫描电路的结构。然而，还可以使用包括更多数量的下拉电路和切换电路的结构。第三示例性实施例的结构、动作和效果与第一和第二示例性实施例的那些相同。尽管通过参考上述各示例性实施例说明了本发明，但本发明不仅限于上述各示例性实施例的结构和动作，而是在不脱离本发明范围的情况下包括对那些本领域技术人员而言出现的各种变化和修改。此外，本发明还包括通过结合上述各示例性实施例一部分或者全部而获得的那些发明。

例如，虽然在各示例性实施例中作为电子电路采用了扫描电路，但是构成多个晶体管的任何类型的电路都可以被认为是电子电路。作为以多个晶体管构成的电子电路，不但仅由多个晶体管构成的电子电路，而且构成多个晶体管和另一元件(例如，单个或多个有源元件或单个或多个无源元件中的至少一个)的电子电路也包括在内。虽然每个示例性实施例采用了下拉电路作为目标切换电路和电位设定电路，但是任何类型的电路可以考虑作为目标切换电路。电位设定电路不限于所述下拉电路，也可以是例如设定节点到一个更高电位的上拉电路。单导电型的晶体管不限定于N沟道型晶体管，也可以是P沟道型晶体管。在这种情况下，上拉电路可以代替下拉电路而被采用。关于为薄膜晶体管的栅极所施加的电压和施加的时间，随着这些之一或二者变得更大，电应力变得更大。晶体管的特性波动不仅包括阈值电压的位移，而且还包括例如导通电阻增加和导通电流降低的现象。薄膜晶体管的材料可以是非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。

接着，从另一个观点对本发明进行说明。

本发明的一个示例性目的在于，提供一种即使存在构成电路的晶体管的阈值电压的波动也能大幅度地延长电路寿命的扫描电路。

本发明的扫描电路由单导电型的薄膜晶体管构成，并且包括通过与时钟信号同步而控制的多个单元电路。

所述单元电路包括N个下拉电路(N为2或更大的自然数)，用于将其内部的节点设定为特定电位，以及(N-1)个切换电路，用于将所述下拉电路从动作停止状态切换到动作状态。

构成所述下拉电路和所述切换电路的所述薄膜晶体管在动作期间，都对其施加相等的电应力时会有同样的特性波动。通过该特性波动在动作中的所述下拉电路达到动作停止状态，并且动作中的所述切换电路将另一个下拉电路从动作停止状态切换至动作状态(图1至图6以及图8至图13)。

此外，在本发明的扫描电路中，构成下拉电路和切换电路的薄膜晶体管的阈值在当相等的电应力在动作期间施加到那些薄膜晶体管时在同一方向上位移(图3，图6，图10，图13，图16和图19)。

另外，在本发明的扫描电路中，施加到构成所述下拉电路的晶体管的电应力比施加到构成切换电路的晶体管的电应力更小(图3，图10和图16)。

此外，在本发明的扫描电路中，由于电应力而在构成下拉电路和切换电路的薄膜晶体管的阈值电压中生成位移，并且构成下拉电路的薄膜晶体管的阈值的位移量比构成切换电路的薄膜晶体管中生成的阈值的位移量更小(图3，图10和图16)。

此外，在本发明的扫描电路中，切换电路早于动作中的下拉电路而停止动作，以将另一个下拉电路从动作停止状态切换至动作状态(图6，图13和图19)。此外，在本发明的扫描电路中，构成扫描电路的单元电路包括第1至第N个下拉电路和第1至第(N-1)个切换电路。设k是从2到(N-1)的自然数，当第(k-1)个下拉电路在动作时，第(k-1)个切换电路将第k个至第N个下拉电路和第k个至第(N-1)个切换电路切换至动作停止状态(图14至图19)。

本发明的效果在于，能延长扫描电路的动作寿命。其理由如下。

设置有：多个下拉电路，用于将构成扫描电路的单元电路内的节点设定为特定电压；以及多个切换电路，用于将下拉电路从动作停止状态转变为动作状态。当给定的下拉电路处于动作中时，另一个下拉电路通过切换电路变为动作停止状态。即使当下拉电路由于动作中的下拉电路的薄膜晶体管的特性波动而达到动作停止状态中，切换电路开始在动作停止状态中的下拉电路的动作。因此，下拉电路的功能可以连续地保持。

接着，关于本发明的补充说明进行说明。尽管可以如下面补充说明中的那样记述了上述示例性实施例的一部分或整个部分，但应注意的是，本发明并不限于以下的结构。

(补充说明1)

一种由多个晶体管构成的电子电路，包括：

两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将这些目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，

所述两个或更多个目标切换电路包括：处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，

构成所述目标切换电路和所述切换电路的所述晶体管具有由被施加到该晶体管的电应力而产生的特性波动，并且

所述切换电路通过所述切换电路的所述晶体管的所述特性波动来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。

(补充说明2)

根据补充说明1中所记载的电子电路，其中，

所述切换电路的所述晶体管将关断电压施加到从初始就停止的停止状态的目标切换电路的晶体管的栅极，以保持目标切换电路处于从初始就停止的停止状态，并且通过晶体管的特性波动停止施加所述关断电压以将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换到动作状态。

(补充说明3)

根据补充说明2中所记载的电子电路，其中，

因为所述电应力被更大地施加，所以所述切换电路的所述晶体管具有比在所述动作状态中的目标切换电路的所述晶体管进行地更快的特性波动，并且在所述动作状态中的目标切换电路达到停止状态之前停止施加所述关断电压。

(补充说明4)

[01]根据补充说明1至3中的任一项所记载的电子电路，其中，

所述电应力是对所述晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

(补充说明5)

一种扫描电路，其包括多个单元电路，所述多个单元电路的每个都由补充说明1的电子电路构成，其中，

所述多个单元电路通过与时钟信号进行同步来控制，

所述多个晶体管是多个单导电型的薄膜晶体管，并且

所述两个或更多个目标切换电路是将所述单元电路内的节点设定为特定电位的两个或更多个电位设定电路，并且包括处于动作状态的电位设定电路和处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路。

(补充说明6)

根据补充说明5所记载的扫描电路，其中，

所述切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加到处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路的所述薄膜晶体管的栅极，以保持该电位设定电路为从初始就停止的停止状态，并且由所述特性波动停止施加所述关断电压，以将处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路切换到动作状态。

(补充说明7)

根据补充说明6所记载的扫描电路，其中，

因为所述电应力被更大地施加，所以所述切换电路的所述薄膜晶体管具有比在所述动作状态中的电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的特性波动，并且在所述动作状态中的电位设定电路达到停止状态之前停止施加所述关断电压。

(补充说明8)

根据补充说明5所记载的扫描电路，其中，

所述两个或更多个电位设定电路包括两个电路，该两个电路为动作状态中的第一电位设定电路和从初始就停止的停止状态中的第二电位设定电路，

所述切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加至所述第二电位设定电路的所述薄膜晶体管的栅极，以保持该第二电位设定电路为从初始就停止的停止状态，

因为电应力被更大地施加，所以所述切换电路的薄膜晶体管具有比所述第一电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的特性波动，并且处于动作状态中的所述第一电位设定电路达到停止状态之前由所述特性波动停止施加所述关断电压，以将第所述二电位设定电路切换到动作状态。

(补充说明9)

根据补充说明5所记载的扫描电路，其中，

设N为2及以上的整数，k为从1到N-1的整数，

所述两个或更多个电位设定电路以第1至第N个电位设定电路构成，第k个电位设定电路处于动作状态，并且第(k+1)个至第N个电位设定电路处于从初始就停止的停止状态，

所述一个或多个切换电路以第1至第(N-1)个切换电路构成，

所述第k个切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加到所述第(k+1)个电位设定电路的薄所述膜晶体管的栅极，以保持该第(k+1)个电位设定电路为从初始就停止的停止状态，

因为所述电应力被更大地施加，所以所述第k个切换电路的所述薄膜晶体管具有比所述第k个电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的特性波动，并且在动作状态中的所述第k个电位设定电路达到停止状态之前，由所述特性波动停止施加所述关断电压以将所述第(k+1)个电位设定电路切换到动作状态。

(补充说明10)

根据补充说明5至9中的任一项所记载的扫描电路，其中，

所述电应力是对所述薄膜晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

(补充说明11)

根据补充说明5至10中的任一项所描述的扫描电路，其中：

所述单导电型是N沟道型，并且

所述电位设定电路是用于将节点设定到低电位的下拉电路。

(补充说明12)

一种显示装置，包括根据补充说明5至11中的任一项所记载的扫描电路。

(补充说明13)

一种用于电子电路的电子电路寿命延长方法，所述电子电路由多个晶体管构成，并且包括：两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，所述两个或更多个目标切换电路包括：处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，构成所述目标切换电路和所述切换电路的所述晶体管具有由被施加到该晶体管的电应力而产生的特性波动，所述方法包括：

通过所述切换电路的所述晶体管的所述特性波动来将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态。

(补充说明14)

根据补充说明13中所述的电子电路寿命延长方法，包括：

通过使用所述切换电路的所述晶体管将关断电压施加到从初始就停止的停止状态的目标切换电路的所述晶体管的栅极以保持目标切换电路为从初始就停止的停止状态，并且

通过所述晶体管的所述特性波动停止施加所述关断电压以将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换到动作状态。

(补充说明15)

根据补充说明14中所述的电子电路寿命延长方法，包括：

相比在所述动作状态中的目标切换电路的所述晶体管，将电应力更大地施加到所述切换电路的所述晶体管，以具有进行地更快的所述切换电路的所述晶体管的所述特性波动，并且

在所述动作状态中的目标切换电路达到停止状态之前停止施加所述关断电压。

(补充说明16)

根据补充说明13至15中的任一项中所述的电子电路寿命延长方法，其中

所述电应力是对所述晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

工业实用性

本发明的应用示例可以为显示装置例如液晶显示装置、有机EL显示器等。

Claims (13)

1.一种由多个晶体管构成的电子电路，包括：

两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将这些目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，

所述两个或更多个目标切换电路包括：处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，

构成所述目标切换电路和所述切换电路的晶体管具有由被施加到所述晶体管的电应力而产生的特性波动，

所述切换电路的所述晶体管将关断电压施加到处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路的所述晶体管的栅极，以将该目标切换电路保持为从初始就停止的停止状态，

由于所述电应力被更大地施加，所以所述切换电路的晶体管具有比在所述动作状态的目标切换电路的所述晶体管进行地更快的所述特性波动，并且

在所述动作状态中的目标切换电路达到停止状态之前，通过所述特性波动停止施加关断电压，以将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换到动作状态。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，

所述电应力是对所述晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

3.一种扫描电路，其包括多个单元电路，所述多个单元电路的每个由电子电路构成，所述电子电路由多个晶体管构成，所述电子电路包括：

两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将这些目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，

所述两个或更多个目标切换电路包括：处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，

构成所述目标切换电路和所述切换电路的晶体管具有由被施加到所述晶体管的电应力而产生的特性波动，并且

所述切换电路通过该切换电路的所述晶体管的所述特性波动来将所述从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换至动作状态，其中：

所述多个单元电路通过与时钟信号进行同步来控制，

所述多个晶体管是多个单导电型的薄膜晶体管，并且

所述两个或更多个目标切换电路是将所述单元电路内的节点设定为特定电位的两个或更多个电位设定电路，并且包括处于动作状态的电位设定电路和处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路。

4.根据权利要求3所述的扫描电路，其中，

所述切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加到处于从初始就停止的停止状态的电位设定电路的所述薄膜晶体管的栅极，以将该电位设定电路保持为从初始就停止的停止状态，并且由所述特性波动停止施加所述关断电压，以将从初始就停止的停止状态的电位设定电路切换到动作状态。

5.根据权利要求4所述的扫描电路，其中，

由于所述电应力被更大地施加，所以所述切换电路的所述薄膜晶体管具有比在所述动作状态的电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的所述特性波动，并且在所述动作状态的电位设定电路达到停止状态之前，停止施加所述关断电压。

6.根据权利要求3所述的扫描电路，其中，

所述两个或更多个电位设定电路包括两个电路，该两个电路为动作状态中的第一电位设定电路和从初始就停止的停止状态中的第二电位设定电路，

所述切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加至所述第二电位设定电路的所述薄膜晶体管的栅极，以将该第二电位设定电路保持为从初始就停止的停止状态，

由于所述电应力被更大地施加，所以所述切换电路的所述薄膜晶体管具有比所述第一电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的所述特性波动，并且在所述动作状态中的所述第一电位设定电路达到停止状态之前，由所述特性波动停止施加所述关断电压，以将所述第二电位设定电路切换到动作状态。

7.根据权利要求3所述的扫描电路，其中，

设N为2及以上的整数，k为从1到N-1的整数，

所述两个或更多个电位设定电路以第1至第N个电位设定电路构成，第k个电位设定电路处于动作状态，并且第(k+1)个至第N个电位设定电路处于从初始就停止的停止状态，

所述一个或多个切换电路以第1至第(N-1)个切换电路构成，

所述第k个切换电路的所述薄膜晶体管将关断电压施加到所述第(k+1)个电位设定电路的所述薄膜晶体管的栅极，以将该第(k+1)个电位设定电路保持为从初始就停止的停止状态，

由于所述电应力被更大地施加，所以所述第k个切换电路的所述薄膜晶体管具有比所述第k个电位设定电路的所述薄膜晶体管进行地更快的所述特性波动，并且在动作状态中的所述第k个电位设定电路达到停止状态之前，由所述特性波动停止施加所述关断电压，以将所述第(k+1)个电位设定电路切换到动作状态。

8.根据权利要求3所述的扫描电路，其中，

所述电应力是对所述薄膜晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

9.根据权利要求3所述的扫描电路，其中，

所述单导电型是N沟道型，并且

所述电位设定电路是用于将所述节点设置到低电位的下拉电路。

10.一种显示装置，包括权利要求3至9的任一项所述的扫描电路。

11.一种用于电子电路的电子电路寿命延长方法，

所述电子电路由多个晶体管构成，并且包括：两个或更多个目标切换电路以及一个或多个切换电路，所述一个或多个切换电路将这些目标切换电路从停止状态切换到动作状态，其中，所述两个或更多个目标切换电路包括：处于动作状态的目标切换电路和处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路，构成所述目标切换电路和所述切换电路的所述晶体管具有由被施加到所述晶体管的电应力而产生的特性波动，

所述方法包括：

通过使用所述切换电路的所述晶体管将关断电压施加到处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路的所述晶体管的栅极，以将目标切换电路保持为从初始就停止的停止状态，并且，

通过所述晶体管的所述特性波动停止施加关断电压，以将处于从初始就停止的停止状态的目标切换电路切换到动作状态。

12.根据权利要求11所述的电子电路寿命延长方法，包括：

相比处于所述动作状态中的目标切换电路的所述晶体管，将所述电应力更大地施加到所述切换电路的所述晶体管，以具有进行地更快的所述切换电路的所述晶体管的特性波动，并且，

在所述动作状态中的目标切换电路达到停止状态之前，停止施加所述关断电压。

13.根据权利要求11或12所述的电子电路寿命延长方法，其中，

所述电应力是对所述晶体管的栅极的施加电压和施加时间，并且

所述特性波动是阈值电压的位移。

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