CN101861615A - 薄膜晶体管电路、其驱动方法和发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光显示装置包含多个像素。每个像素包含发光元件和发光元件的驱动电路，并且驱动电路包含并联连接的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的阈值电压根据在薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电压而可逆地变化，在所述发光显示装置中，通过选择并切换多个薄膜晶体管TFT11至TFT13，用于向发光元件供给电流的薄膜晶体管的阈值电压被保持在预定范围内。

Description

薄膜晶体管电路、其驱动方法和发光显示装置
技术领域
本发明涉及使用发光显示元件的发光显示装置、用于驱动发光显示元件的薄膜晶体管电路和用于驱动薄膜晶体管电路的方法。本发明特别适用于以矩阵的方式包含如下像素的发光显示装置以及用于驱动有源矩阵的方法，所述像素由作为发光显示元件的有机电致发光(以下简写为“EL”)元件及其驱动电路形成。
背景技术
近年来，正在努力研究和开发使用有机EL元件作为发光元件的有机EL显示器。在有机EL显示器之中，为了抑制功耗并实现高质量图像，在每个像素中包含单独的驱动电路的有源矩阵(以下简写为“AM”)型有机EL显示器是有利的。该驱动电路包含在由玻璃或塑料等制成的基板上形成的薄膜晶体管(以下简写为“TFT”)。在有机EL显示器的部件之中，主要包含基板和驱动电路的部分被称为底板(backplane)。
作为意欲用于有机EL显示器的底板的TFT，氢化非晶硅(以下简写为“a-Si:H”)和多晶硅(以下简写为“p-Si”)等处于研究之中。另外，最近提出使用非晶氧化物半导体(以下简写为“AOS”)的薄膜作为其沟道层的TFT。AOS材料的例子包含由铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)制成的氧化物(非晶In-Ga-Zn-O，以下简写为“a-IGZO”)以及由锌(Zn)和铟(In)制成的氧化物(非晶Zn-In-O，以下简写为“a-ZIO”)。使用非晶氧化物半导体作为其沟道层的TFT的场效应迁移率为a-Si:H TFT的场效应迁移率的十倍或更大。并且，由于其非晶本性，因此认为可从该TFT得到高的均匀性。因此，这些TFT有希望用作意欲用于显示器的底板的TFT。
关于AM型有机EL显示器的底板的技术问题的例子包括：为了抑制驱动电压和TFT尺寸而改善电子场效应迁移率、抑制TFT特性的变动、和抑制由于可归因于驱动时的载流(current-carrying)的电应力所导致的TFT特性的变化。AOS-TFT具有高的电子场效应迁移率和高的特性均匀性。因此，可以通过使用AOS-TFT克服上述的两个问题。
发明内容
但是，在AOS-TFT中也可出现由于电应力导致的特性变化。特别地，尚待解决由于连续载流所导致的阈值电压波动和由于载流停止所导致的从其恢复(recovery)的问题。
在本发明的公开中，术语“波动”意指阈值从第一值到第二值的“变化”或“偏移”。
本发明的目的是，抑制因由于电应力所导致的TFT(诸如AOS-TFT)的特性变化和从其恢复所产生的显示质量变化。
根据本发明的薄膜晶体管电路的驱动方法的特征在于，薄膜晶体管电路包含并联连接到电负载(electric load)的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动，并且其中，该方法包括：选择并切换(switch)所述多个薄膜晶体管〔中的一个〕以将薄膜晶体管的阈值电压的波动抑制到预定范围内的步骤。
根据本发明的薄膜晶体管电路的特征在于，薄膜晶体管电路包含并联连接到电负载的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动，并且其中，该薄膜晶体管电路包含：用于选择并切换所述多个薄膜晶体管中的一个以将薄膜晶体管的阈值电压的波动抑制到预定范围内的单元。
根据本发明的发光显示装置的特征在于，发光显示装置包含多个像素，每个像素包含发光元件和发光元件的驱动电路，其中，驱动电路被包含于像素中的每一个中，并且包含：并联连接到发光元件的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动；和用于选择并切换所述多个薄膜晶体管〔中的一个〕以将向发光元件供给电流的薄膜晶体管的阈值电压保持在预定范围内的单元。
根据本发明，可以将TFT的阈值电压保持在预定范围内。
从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置1(Si基板上)的示意图。
图2是示出根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置1的Id-Vg特性的示图。
图3是示出根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置1中的应力诱发阈值变化的示图。
图4是示出从根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置1中的变化恢复的特性的示图。
图5是示出根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置1中的应力变化对于栅极电压的依赖性的示图。
图6是示出根据本发明实施例1的a-IGZO TFT的配置2(玻璃基板上)的示意图。
图7是示出本发明实施例1的像素内的电路的示意图。
图8是示出TFT在驱动和休止(resting)之间交替时的阈值变化的示图。
图9是示出根据本发明实施例1的电路的示意图。
图10是示出本发明的示例性实施例的示意图。
图11是根据本发明实施例的时序图。
图12A和图12B是示出休止状态中的晶体管的端子的连接例子的示意图。
具体实施方式
首先，将描述本发明的示例性实施例。
作为对于AOS-TFT的操作特性的深入研究的结果，本发明人等已获得下述的知识。
AOS-TFT的特性由于因载流导致的电应力而变化。阈值电压波动尤其是特征性的。当栅极电压比源极电压高时，该特性变化是显著的，并且变化量趋于随着时间而饱和。另外，当载流停止并且TFT从电应力释放时，AOS-TFT从该特性变化恢复。因此，AOS-TFT恢复到载流之前的特性。即，基于当施加和去除电应力时其阈值电压可逆地变化的本性，发明了AOS-TFT。注意，本发明可应用于其阈值电压由于栅极端子和源极端子之间或栅极端子和漏极端子之间施加的电应力而可逆地变化的TFT。因此，本发明不限于AOS-TFT。
这里，“载流”指的是其中对于薄膜晶体管的栅极、源极和漏极施加导致电特性变化的偏压(bias)的状态。具体而言，“载流”指的是至少在栅极和源极之间或在栅极和漏极之间存在电势差的状态。另一方面，“休止状态”指的是其中载流期间已变化的特性随着时间的过去可逆地恢复的栅极、源极和漏极的偏压状态。具体而言，“休止”指的是在栅极和源极之间以及在栅极和漏极之间不存在电势差的状态或者栅极、源极和漏极处于浮置状态(参见图12A和图12B)。
在本发明中，在薄膜晶体管电路中设置多个AOS-TFT。然后，在由于载流期间的电应力导致的特性变化量超过预定的基准值之前(在变化量在预定范围内时)，使用中的TFT被置于休止状态，以便使TFT从特性变化恢复。另一方面，从到那时为止已处于休止状态的其它TFT之中，选择已从特性变化恢复的那些TFT作为要使用的TFT。以此方式，已从由于电应力导致的特性变化恢复的TFT被选择和使用。
将使用图10具体描述这一点。制备用作AOS-TFT并要被并联连接的多个TFT 11至13。在用作切换单元的开关SW12被接通的情况下，信号被施加到TFT 12的栅极，以在其栅极和源极之间施加偏压，并且，电流流入负载中。此时，由于在栅极和源极之间或在栅极和漏极之间施加的电应力，TFT 12的特性(阈值)开始变化。但是，在TFT2的特性变化量超过预定的基准值之前，已处于休止状态的开关SW13被接通，并且，信号被施加到TFT 13，以使电流从其流入负载中。同时，当TFT 12从载流状态被切换到休止状态时，TFT 12开始恢复到载流之前的特性。由于在栅极和源极之间或在栅极和漏极之间施加的电应力，TFT 13的特性(阈值)也变化。但是，同样地，在TFT 13的特性变化量超过预定的基准值之前，已处于休止状态的开关SW11被接通，并且，信号被施加到TFT 11，以使电流从其流入负载中。同时，TFT 13从载流状态被切换到休止状态。
在TFT 12的特性恢复时，开关SW12被接通以向TFT 12施加信号，并且电流从TFT 12流入负载中。以此方式，通过选择性接通开关SW11至SW13并使用TFT 11至TFT 13中的任一个，可以使变动较少的电流流入负载中。注意，这里示出了其中选择和使用TFT之一的情况。但是，TFT的数量可根据恢复特性所需要的时段的长度被适当设定。因此，数量根据需要被设为2或更大。另外，通过并联连接偶数个TFT，例如四个或不少于六个TFT，并且选择性地且同时地接通每一对TFT，可以增加要流入负载中的电流的量。
如上所述的这样的薄膜晶体管电路可被用于如下TFT，所述TFT被设计为驱动用于将电流供给到发光显示元件的像素电路。即，在单个像素中设置多个AOS-TFT，并且，从AOS-TFT之中选择已从由于电应力导致的特性变化恢复的TFT，并用它驱动发光显示元件。通过不仅切换这样的驱动TFT而且使用反复驱动方法，可以将用于驱动发光显示元件的TFT的阈值电压保持在预定范围内。
并且，在本实施例的TFT驱动方法中，通过监视TFT的操作时间或载流时间和/或在载流期间在栅极和源极之间以及在栅极和漏极之间施加的电压，可以确定切换TFT的时间。如后面将描述的那样，可以作为载流时间和施加电压的函数事先知道由于载流期间的电应力导致的TFT的特性变化。因此，可以在不直接测量载流或休止状态中的驱动TFT的特性的情况下，确定进行切换的时间。
另外，对于休止状态中的TFT，通过将栅极和源极之间的电势以及栅极和漏极之间的电势维持在相同的水平上，可以确保TFT没有电应力。
以下，作为本发明的一个实施例，将描述AM型有机EL显示器，其中，驱动电路包含以a-IGZO(包含In、Ga和Zn的非晶氧化物)作为其沟道层的AOS-TFT，并且有机EL元件是发光显示元件。但是，本实施例还可应用于以a-IGZO以外的AOS作为其半导体的发光显示装置，并可应用于使用有机EL元件以外的发光元件或光控制元件的显示单元。并且，除了发光显示装置以外，本实施例还可应用于使用AOS-TFT的AM(有源矩阵)型器件，包括使用压敏元件的压力传感器和使用光敏元件的光学传感器，并且，可以获得相同的优点。
在本发明中使用的术语“非晶”意味着在X射线衍射中没有观察到可归因于晶体结构的明确的衍射峰。
本实施例的AM型有机EL显示器在每一像素中包含有机EL元件和驱动电路。在驱动电路内，设置多对的用于控制要被供给到有机EL元件的电流的驱动AOS-TFT和用于改变驱动TFT的连接的开关。如果由于载流期间的电应力导致的阈值电压变化(或偏移)被确定为已超过预定的基准值，那么所讨论的(in question)驱动TFT被置于休止状态中。作为替代方案，从到那时为止已处于休止状态的剩余的晶体管之中，选择其阈值电压已完全恢复的晶体管，并用它驱动发光显示元件。因此，可以抑制由于AOS-TFT中的阈值电压波动导致的图像劣化。
作为用于评价使用中的驱动TFT中的阈值电压变化(或偏移)并确定处于休止状态的驱动TFT的阈值电压是否已恢复的一种方法，使用TFT的累计(integrated)操作状态时间。
(实施例1)
首先，将描述以在本实施例中使用的a-IGZO作为其沟道层的TFT的基本特性。
以下，使用图1描述用于制造a-IGZO TFT的方法。
如图1所示，在用诸如磷或砷的杂质重注入的Si基板30上形成100nm厚的热氧化SiO2绝缘膜20。这里，Si基板30的一部分构成栅极电极。
之后，通过使用多晶IGZO作为靶的溅射成膜方法在室温形成厚度为50nm的a-IGZO膜10。然后，通过使用光刻方法和稀盐酸的湿蚀刻对a-IGZO膜10进行构图，以形成沟道层。
之后，通过光刻方法对抗蚀剂进行构图。然后，在通过EB气相沉积方法形成Ti(5nm)50和Au(40nm)40的膜之后，通过剥离方法形成Au/Ti源极电极和漏极电极。
另外，执行300℃、1小时退火。
因此，可以形成图1的截面图所示的a-IGZO TFT。
下面，将描述通过上述的制造方法获得的a-IGZO TFT的电特性。
图2是示出TFT的Id-Vg特性的示图。TFT具有80μm的沟道宽度、10μm的沟道长度、-0.1V的阈值电压和18cm2/Vs的场效应迁移率。所述场效应迁移率为通常的a-Si:H TFT的场效应迁移率的10倍或更大。
图3示出在TFT中当其栅极和漏极被短路并且在漏极和源极之间接通27μA的恒定电流时的阈值电压的时间变化(ΔVTH)。图3的水平轴表示施加电应力的时间段。此时，使栅极电势保持比源极电势高。另外，栅极电势与漏极电势相同。例如，图3的水平轴中的记数法5E+04表示5×104。
在这种情况下，在栅极端子和漏极端子之间施加恒定电压。另外，在源极端子中设置可变电源，使得恒定电流在漏极端子和源极端子之间流动。即，在漏极端子和源极端子之间流动的电流依赖于栅极端子和源极端子之间的电势差。因此，设置在源极端子中的电源的电压被调节，使得在漏极端子和源极端子之间流动的电流恒定。
另外，由于TFT的栅极端子的电压比其源极端子的电压高，因此电应力被施加于TFT。在这种情况下，TFT的阈值电压逐渐上升。因此，为了使在漏极端子和源极端子之间流动的电流保持恒定，需要增大栅极端子和源极端子之间的电势差。出于这种原因，在源极端子中设置的电源被调节，使得其电压随着图3的应力时间段增加而减小。
注意，图3示出当电应力被施加于使用非晶氧化物半导体的薄膜晶体管时应力时间段和阈值电压之间的关系的一个例子。因此，应力时间段和阈值电压之间的关系依赖于使用的非晶氧化物半导体和应力施加条件(电压、温度等)而改变。
另一方面，图4示出将与12V的栅极电压、6V的漏极电压和0V的源极电压对应的电应力施加于使用上述方法形成的另一a-IGZOTFT(沟道宽度：180μm，沟道长度：30μm)800秒前后的传输特性。如图3的例子那样，可以理解，传输特性曲线由于电应力而沿正向平行移动，并且阈值电压增大。图4还示出在操作状态停止并且然后使TFT休止两天之后的同一TFT的传输特性曲线。可以理解，在休止两天之后，传输特性曲线与施加应力之前的传输特性曲线几乎相等，并且，TFT已从由于电应力导致的特性变化恢复。
另外，在漏极电压被设为6V、源极电压被设为固定值、并且栅极电压被设为几个不同值的情况下，将电应力施加于使用上述方法形成的又一a-IGZO TFT(沟道宽度：180μm，沟道长度：30μm)400秒。栅极电压以五种方式即-12V、-6V、4V、8V和12V而改变。图5示出由于电应力导致的此时的阈值电压波动。从该图可以理解，当栅极电压比源极电压低(比0V低)时，阈值电压几乎不波动，并且，当栅极电压比源极电压和漏极电压高(12V)时，波动最大。
从图3和图5可以理解，由于TFT接收的电应力导致的阈值电压波动关于操作状态期间向栅极施加的电压和操作状态时间段单调增大。因此，如果操作状态继续，那么阈值电压继续增大。
另一方面，如果通过利用图4所示的阈值电压恢复的本性将操作状态之后的TFT置于休止状态，那么可以使阈值电压维持在可容许的范围内(图8)。
在休止状态中，端子被置于浮置状态。另外，所有的三个端子被短路并与固定电势连接。
使用表现出上述特性的a-IGZO TFT，以下述方式制造图6所示的有机EL显示器。
首先，通过气相沉积方法在玻璃基板60上形成由Mo40-1和Ti51-1制成的Mo/Ti层叠膜作为栅极线和栅极电极。通过蚀刻执行构图。
下面，通过溅射方法形成SiO2膜作为绝缘层21。通过光刻方法和使用缓冲氟化酸(fluorinated acid)的湿蚀刻方法执行该膜的图案形成。
随后，通过溅射方法形成a-IGZO膜11作为沟道层。通过光刻方法和使用稀盐酸的湿蚀刻方法执行该膜的图案形成。
随后，通过气相沉积方法形成由Mo40-2和Ti51-2制成的Mo/Ti层叠膜作为数据互连和源极/漏极电极。通过蚀刻执行构图。
随后，形成SiN/SiO2层叠膜作为层间绝缘膜。通过光刻方法和干蚀刻方法执行该膜的图案形成。
随后，通过旋涂方法形成光敏聚酰亚胺膜作为平坦化膜。由于使用光敏聚酰亚胺，因此可通过光刻方法将该膜曝光并将该膜分离，来执行构图。
随后，形成有机EL元件。
首先，通过溅射方法形成ITO膜80作为阳极电极。通过光刻方法和使用ITO剥离溶液的湿蚀刻方法或干蚀刻方法执行该膜的图案形成。
随后，通过旋涂方法形成光敏聚酰亚胺膜71作为元件隔离膜。由于使用光敏聚酰亚胺，因此可通过光刻方法将该膜曝光并将该膜分离，来执行构图。
随后，通过气相沉积方法形成有机膜90作为发光层。使用金属掩模执行该膜的图案形成。
随后，通过气相沉积方法形成铝膜作为阴极电极100。使用金属掩模执行该膜的图案形成。
最后，使用玻璃基板61对制造的子组件(subassembly)进行玻璃密封。可由此制造有机EL显示器(图6)。
图7示出本实施例的有机EL显示器的像素电路。在本实施例中，像素电路包含用于从有机EL元件EL1和信号线加载数据的开关TFT4，驱动晶体管TFT1、TFT2和TFT3，开关晶体管组SW811至SW813、SW821至SW823和SW831至SW833，与驱动晶体管TFT1、TFT2和TFT3的栅极-源极电势连接的电容器C，以及用于将TFT1、TFT2和TFT3的源极接地的开关SW84至SW86。
在像素电路内的驱动晶体管中，在驱动晶体管与有机EL元件串联连接的时段期间出现“操作状态”，而在驱动晶体管与有机EL元件电断开的时段期间实现“休止状态”。
图11是施加到开关晶体管811至832的栅极的控制信号的时序图。通过控制信号SLdr1对SW811、SW812和SW813集体地进行接通/关断(on/off)控制。同样地，通过控制信号SLdr2对SW821、SW822和SW823集体地进行接通/关断控制，并且，通过控制信号SLdr3对SW831、SW832和SW833集体地进行接通/关断控制。当控制信号SLdr1处于H电平时，即，当SW811、SW812和SW813接通时，TFT1与有机EL元件串联连接以管理对于有机EL元件的电流供给。另一方面，TFT2和TFT3在该时段期间与有机EL元件断开并且处于休止状态。向有机EL元件供给电流的时段是“操作状态”的时段，并且，自然地，导致晶体管的特性变化的电应力被施加。
另一方面，当TFT处于休止状态时，其栅极端子、源极端子和漏极端子可处于浮置状态。作为替代方案，栅极、源极和漏极优选被短路并被设为固定电势，例如，被设为GND。在这种情况下，产生对于附加的开关晶体管的需要。
下面，将描述像素电路的操作。虽然这里仅取出一个像素以描述其操作，但是对于其它的像素同样如此。作为驱动TFT，设置以TFT编号的次序在驱动状态和休止状态之间交替的TFT1至TFT3。
现在，假定选择TFT2作为用于向有机EL1供给电流的驱动TFT。TFT2以逐帧的基础从信号线接收数据作为栅极电压，并且使得有机EL1以预定的亮度水平发光。与施加电压一样大的电应力随着显示时间的过去被递增地施加于TFT2。结果，TFT2的阈值单调地偏移。
这里，如果可以确定TFT2的阈值变化已超过预定的基准值，那么此时TFT2被置于休止状态。作为替代方案，在下一帧中使用已处于休止状态的TFT3，以向有机EL供给电流。注意，这里，根据从要施加的电压和施加时间段导出的驱动用TFT的阈值变化，决定所述预定的基准值。
在经过另一时间之后，如上述的情况那样，这次TFT3在其阈值被确定为已超过基准值的时刻被置于休止状态。然后，TFT1被用作驱动TFT。
在休止状态中，TFT的三个端子被置于浮置状态或与相同的电势连接。
注意，控制线SL1至SLm在单帧内的写入时段中接通开关晶体管SW84、SW85和SW86。通过扫描驱动器201依次向控制线施加扫描信号。因此，在通过控制线DL1至DLn由数据驱动器200在驱动晶体管的栅极和源极之间写入数据信号的同时，所选择的驱动晶体管的源极电势被短路为GND。控制信号SLdr2被设为H电平，控制信号SLdr1和SLdr3被设为L电平，TFT2被置于连接状态，并且，TFT1和TFT3被置于浮置状态。TFT4被接通以将数据写入电容器C和TFT2的栅极的寄生电容器中。然后，开关晶体管84、85和86在有机EL1发光的时段中被关断，使得驱动晶体管TFT2的源极仅与有机EL串联连接。因此，与向其中写入数据的TFT2的栅极电势对应的电流通过驱动晶体管TFT2流入有机EL1中。在数据写入的时段中，驱动晶体管TFT1和TFT3的控制信号SLdr1和SLdr3在EL的整个发光时段中处于L电平。因此，栅极、源极和漏极维持浮置状态，即，休止状态。
操作状态和休止状态之间的切换由图9所示的像素的周边部分中配置的移位寄存器202和存储器(用作存储器件)203控制。存储器203将驱动晶体管TFT1至TFT3的操作状态时间段累计。如果正被驱动的TFT的累计时间超过基准值，那么移位寄存器202向像素区域传送用于管理TFT1至TFT3的操作状态或休止状态的选择的信号。在图9中，电路被配置为使得对于所有的像素集体地由移位寄存器202选择TFT1至TFT3中的一个。上述的基准值依赖于发光显示装置的使用目的而不同。例如，如果显示装置像个人计算机的监视器那样具有许多稳定点亮的像素并且包含负责连续提供高亮度显示的像素，那么累计时间的基准值被设为小的值。另一方面，如果显示装置像电视机那样应对许多动画显示，那么，由于流过像素的平均驱动电流减小，因此累计时间的基准值被设为大的值。作为替代方案，可以对于每一帧或对于每一预设数量的帧切换TFT，而不设定基准值。
注意，并不总是必需对于所有的像素集体地由移位寄存器选择TFT1至TFT3中的一个。例如，可以分别地设置存储器和移位寄存器以执行控制，使得转换(change-over)定时在像素区域的一个部分和其它部分之间不同。
图7中的信号线SLdr1、SLdr2和SLdr3引自移位寄存器202。
这里，使用时间以确定用于在操作状态和休止之间切换的定时。作为替代方案，可以监视施加的电压或阈值电压以对于该定时使用该电压。
在图7中，示出其中电路具有三个驱动晶体管的情况。但是，如果使用具有短恢复时间的TFT，那么可以将备用的TFT的数量减少到一个。在这种情况下，对于一个像素来说，两个驱动TFT将是足够的。
通过执行到此所述的操作，本实施例的有机EL显示器使得能够将处于对于电应力被经常刷新(constantly refreshed)的状态中的AOS-TFT用作驱动TFT。结果，可以抑制由于可归因于对TFT的电应力的阈值电压波动所导致的图像劣化。
注意，也可使用a-IGZO TFT形成开关组SW811至SW813、SW821至SW823和SW831至SW833。开关组SW811至SW814、SW821至SW824和SW831至834用作开关。因此，即使其阈值电压偏移，如果其驱动电压被事先设为预定值，所述开关也仍可被驱动。因此，不需要向开关组施加电应力。
本发明应用于其中发光元件的驱动电路具有TFT的发光装置，更特别地，应用于包含以AOS作为其沟道层的AOS-TFT的发光装置。除了发光显示装置以外，本发明还可被应用于使用AOS-TFT的AM(有源矩阵)型器件，包括使用压敏元件的压力传感器和使用光敏元件的光学传感器。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。随附的权利要求的范围应被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。
本申请要求在2007年11月21日提交的日本专利申请No.2007-301782的优先权，在此通过引用并入其全部内容。

Claims (12)

1.一种薄膜晶体管电路的驱动方法，所述薄膜晶体管电路包含与电负载连接的并联的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据薄膜晶体管的源极和漏极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动，并且，所述方法包括：
选择并切换所述多个薄膜晶体管中的一个以将薄膜晶体管的阈值电压的波动抑制在预定范围内的步骤。
2.根据权利要求1的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中，
未选择的薄膜晶体管被设在不向其施加应力的休止状态。
3.根据权利要求2的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中，
被设在休止状态的薄膜晶体管使得栅极、源极和漏极保持在相同的电势或浮置状态。
4.根据权利要求1至3中任一项的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中，
所述多个薄膜晶体管的切换基于在栅极和源极之间或在栅极和漏极之间施加电压的时间段而被确定。
5.根据权利要求1至3中任一项的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中，
所述多个薄膜晶体管的切换基于在栅极和源极之间或在栅极和漏极之间施加的电压而被确定。
6.根据权利要求4的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中，
在操作状态下在薄膜晶体管的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加电压的时间段被存储，并且，其中薄膜晶体管停留于休止状态的时间段被存储。
7.一种薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路包含并联连接到电负载的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据在薄膜晶体管的源极和漏极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动，并且，其中所述薄膜晶体管电路包含：
用于选择并切换所述多个薄膜晶体管中的一个以将薄膜晶体管的阈值电压的波动抑制在预定范围内的单元。
8.根据权利要求7的薄膜晶体管电路，其中，
未选择的薄膜晶体管被设在不向其施加应力的休止状态。
9.根据权利要求7或8的薄膜晶体管电路，其中，
薄膜晶体管具有非晶氧化物半导体的沟道层。
10.一种发光显示装置，所述发光显示装置包含多个像素，每个像素包含发光元件和所述发光元件的驱动电路，其中，所述驱动电路被包含于像素中的每一个中，并且包含：
并联连接到所述发光元件的多个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的阈值电压根据薄膜晶体管的源极和漏极之间或栅极和漏极之间施加的电应力而波动，以及
用于选择并切换所述多个薄膜晶体管中的一个以将薄膜晶体管的阈值电压保持在预定范围内的单元。
11.根据权利要求10的发光显示装置，其中，
未选择的薄膜晶体管被设在不向其施加应力的休止状态。
12.根据权利要求10或11的发光显示装置，其中，
薄膜晶体管具有非晶氧化物半导体的沟道层。
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