JPH09102583A - 半導体装置及び駆動方法 - Google Patents
半導体装置及び駆動方法Info
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- JPH09102583A JPH09102583A JP25900995A JP25900995A JPH09102583A JP H09102583 A JPH09102583 A JP H09102583A JP 25900995 A JP25900995 A JP 25900995A JP 25900995 A JP25900995 A JP 25900995A JP H09102583 A JPH09102583 A JP H09102583A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】モニタ用トランジスタの特性変動が回路用トラ
ンジスタの特性変動より早すぎず、かつ確実に回路用ト
ランジスタが特性変動する前に他のブロックに切り替え
ることが可能な半導体装置及び駆動方法を提供する。 【解決手段】特性変動モニタ用トランジスタＭＴｒとし
て、該半導体装置の回路用トランジスタＴｒの基板電流
より大きな基板電流を有するものを使用する。具体的に
は、半導体装置を（１００）面ウエハに形成し、回路用
トランジスタＴｒのチャネル方向を＜１１０＞方向又は
これと等価の方向とし、特性変動モニタ用トランジスタ
ＭＴｒのチャネル方向を＜１１０＞方向又はこれと等価
の方向と異なる方向、特に＜００１＞方向とする。モニ
タ用トランジスタの特性が変化したときに、他の半導体
ブロックに切り替える。
ンジスタの特性変動より早すぎず、かつ確実に回路用ト
ランジスタが特性変動する前に他のブロックに切り替え
ることが可能な半導体装置及び駆動方法を提供する。 【解決手段】特性変動モニタ用トランジスタＭＴｒとし
て、該半導体装置の回路用トランジスタＴｒの基板電流
より大きな基板電流を有するものを使用する。具体的に
は、半導体装置を（１００）面ウエハに形成し、回路用
トランジスタＴｒのチャネル方向を＜１１０＞方向又は
これと等価の方向とし、特性変動モニタ用トランジスタ
ＭＴｒのチャネル方向を＜１１０＞方向又はこれと等価
の方向と異なる方向、特に＜００１＞方向とする。モニ
タ用トランジスタの特性が変化したときに、他の半導体
ブロックに切り替える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＯＳトランジス
タのホットキャリアなどによる特性変動を予め検出し、
予備の半導体ブロックに切り替えることができる半導体
装置及び駆動方法に関する。
タのホットキャリアなどによる特性変動を予め検出し、
予備の半導体ブロックに切り替えることができる半導体
装置及び駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に伴い、ホッ
トキャリア効果に代表されるトランジスタの特性変動は
深刻な問題となってきている。このホットキャリア効果
は、ドレイン近傍の大きな電界のために高エネルギーの
電子が発生し、この電子がゲート酸化膜に捕獲されてし
きい電圧を上げるもので、これにより回路の誤動作が生
じる。
トキャリア効果に代表されるトランジスタの特性変動は
深刻な問題となってきている。このホットキャリア効果
は、ドレイン近傍の大きな電界のために高エネルギーの
電子が発生し、この電子がゲート酸化膜に捕獲されてし
きい電圧を上げるもので、これにより回路の誤動作が生
じる。
【０００３】このホットキャリア効果を抑制するため
に、ＬＤＤ構造などの特性変動がおきにくい構造が提案
され、効果をあげているが、実際に基準値以上に特性が
変動すると、当然ながらそのトランジスタを含む半導体
装置は不良となってしまう。このため、半導体装置を適
当にいくつかのブロックに分割し、各々のブロックにモ
ニタ用トランジスタを設け、モニタ用トランジスタが基
準値以上に特性が変動した場合は、予備ブロックに切り
替えることが考えられる。
に、ＬＤＤ構造などの特性変動がおきにくい構造が提案
され、効果をあげているが、実際に基準値以上に特性が
変動すると、当然ながらそのトランジスタを含む半導体
装置は不良となってしまう。このため、半導体装置を適
当にいくつかのブロックに分割し、各々のブロックにモ
ニタ用トランジスタを設け、モニタ用トランジスタが基
準値以上に特性が変動した場合は、予備ブロックに切り
替えることが考えられる。
【０００４】ところで、そのモニタ用トランジスタとし
て、半導体装置の回路用トランジスタと全く同じでは、
ばらつきにより、モニタトランジスタよりも特性変動が
大きいものが存在するので、多数のトランジスタの特性
変動のばらつきを確実にモニタできないという問題があ
る。
て、半導体装置の回路用トランジスタと全く同じでは、
ばらつきにより、モニタトランジスタよりも特性変動が
大きいものが存在するので、多数のトランジスタの特性
変動のばらつきを確実にモニタできないという問題があ
る。
【０００５】このため、モニタ用トランジスタは、例え
ばＬＤＤ構造をとらずに特性変動が起こりやすくするこ
とが考えられる。このようにすれば、ブロック中のトラ
ンジスタが不良になる前に確実にブロックを切り替える
ことができる。
ばＬＤＤ構造をとらずに特性変動が起こりやすくするこ
とが考えられる。このようにすれば、ブロック中のトラ
ンジスタが不良になる前に確実にブロックを切り替える
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、モニタ用トランジスタの特性変動が早すぎて、
全てのトランジスタの特性がほとんど変動していないの
にブロックを切り替えることになってしまい、無駄が多
すぎることになる。
法では、モニタ用トランジスタの特性変動が早すぎて、
全てのトランジスタの特性がほとんど変動していないの
にブロックを切り替えることになってしまい、無駄が多
すぎることになる。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、モニタ用トランジスタの特性変動が回路用トランジ
スタの特性変動より早すぎず、かつ確実に回路用トラン
ジスタが特性変動する前に他のブロックに切り替えるこ
とが可能な半導体装置及び駆動方法を提供することを目
的とする。
で、モニタ用トランジスタの特性変動が回路用トランジ
スタの特性変動より早すぎず、かつ確実に回路用トラン
ジスタが特性変動する前に他のブロックに切り替えるこ
とが可能な半導体装置及び駆動方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次の半導体装置を提供する。 （１）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した半導体
装置であって、該特性変動モニタ用トランジスタが該半
導体装置の回路用トランジスタの基板電流より大きな基
板電流を有することを特徴とする半導体装置。 （２）モニタ用トランジスタの基板電流が回路用トラン
ジスタの基板電流の１．１〜２倍である上記（１）記載
の半導体装置。 （３）モニタ用トランジスタの基板電流が回路用トラン
ジスタの基板電流より大きくなるように、これらのトラ
ンジスタの基板面での結晶方向に対するチャネル方向を
選択してなる上記（１）記載の半導体装置。 （４）半導体装置が（１００）面ウエハに形成され、回
路用トランジスタのチャネル方向が＜１１０＞方向又は
これと等価の方向であり、特性変動モニタ用トランジス
タのチャネル方向が＜１１０＞方向又はこれと等価の方
向と異なるものである上記（３）記載の半導体装置。 （５）特性変動モニタ用トランジスタのチャネル方向が
＜００１＞方向又はこれと等価の方向である上記（４）
記載の半導体装置。 （６）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した第１半
導体ブロックと、該半導体ブロックから切り替えるべき
１つ以上の第２半導体ブロックと、該特性変動モニタ用
トランジスタが特性変動を検知したときに第１半導体ブ
ロックから第２半導体ブロックへ切替える切替手段とを
有することを特徴とする半導体装置。 （７）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した第１半
導体ブロックを作動させると共に、モニタ用トランジス
タにも同じストレスを印加する工程と、該特性変動モニ
タ用トランジスタが特性変動を検知したときに第１半導
体ブロックから第２半導体ブロックへ切り替える工程と
を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
成するため、次の半導体装置を提供する。 （１）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した半導体
装置であって、該特性変動モニタ用トランジスタが該半
導体装置の回路用トランジスタの基板電流より大きな基
板電流を有することを特徴とする半導体装置。 （２）モニタ用トランジスタの基板電流が回路用トラン
ジスタの基板電流の１．１〜２倍である上記（１）記載
の半導体装置。 （３）モニタ用トランジスタの基板電流が回路用トラン
ジスタの基板電流より大きくなるように、これらのトラ
ンジスタの基板面での結晶方向に対するチャネル方向を
選択してなる上記（１）記載の半導体装置。 （４）半導体装置が（１００）面ウエハに形成され、回
路用トランジスタのチャネル方向が＜１１０＞方向又は
これと等価の方向であり、特性変動モニタ用トランジス
タのチャネル方向が＜１１０＞方向又はこれと等価の方
向と異なるものである上記（３）記載の半導体装置。 （５）特性変動モニタ用トランジスタのチャネル方向が
＜００１＞方向又はこれと等価の方向である上記（４）
記載の半導体装置。 （６）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した第１半
導体ブロックと、該半導体ブロックから切り替えるべき
１つ以上の第２半導体ブロックと、該特性変動モニタ用
トランジスタが特性変動を検知したときに第１半導体ブ
ロックから第２半導体ブロックへ切替える切替手段とを
有することを特徴とする半導体装置。 （７）特性変動モニタ用トランジスタを搭載した第１半
導体ブロックを作動させると共に、モニタ用トランジス
タにも同じストレスを印加する工程と、該特性変動モニ
タ用トランジスタが特性変動を検知したときに第１半導
体ブロックから第２半導体ブロックへ切り替える工程と
を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【０００９】本発明の半導体装置は、ＭＯＳトランジス
タのホットキャリア耐性が基板電流に強く依存し、基板
電流が大きいＭＯＳトランジスタは、寿命が短いことを
利用したもので、モニタ用トランジスタとして、半導体
装置の回路用トランジスタより基板電流の大きいトラン
ジスタを用いたものである。
タのホットキャリア耐性が基板電流に強く依存し、基板
電流が大きいＭＯＳトランジスタは、寿命が短いことを
利用したもので、モニタ用トランジスタとして、半導体
装置の回路用トランジスタより基板電流の大きいトラン
ジスタを用いたものである。
【００１０】これにより、基板電流が大きいだけでその
回路用特性はほぼ同じモニタ用トランジスタを用い、回
路用トランジスタと同じ動作を与えれば、回路用トラン
ジスタの特性変動前に、確実にモニタ用トランジスタの
特性変動が生じると共に、基板電流の値から寿命の予測
が可能であるので、早すぎた切替となることも可及的に
防止することができる。
回路用特性はほぼ同じモニタ用トランジスタを用い、回
路用トランジスタと同じ動作を与えれば、回路用トラン
ジスタの特性変動前に、確実にモニタ用トランジスタの
特性変動が生じると共に、基板電流の値から寿命の予測
が可能であるので、早すぎた切替となることも可及的に
防止することができる。
【００１１】この場合、基板の結晶の方位により基板電
流が異なるので、これを利用してモニタ用トランジスタ
のチャネル方向を回路用トランジスタのチャネル方向と
異ならしめて、回路用トランジスタより基板電流の大き
なモニタ用トランジスタを確実に形成することができ
る。
流が異なるので、これを利用してモニタ用トランジスタ
のチャネル方向を回路用トランジスタのチャネル方向と
異ならしめて、回路用トランジスタより基板電流の大き
なモニタ用トランジスタを確実に形成することができ
る。
【００１２】具体的には、（１００）面に形成されたト
ランジスタのチャネル方向が＜００１＞方向の場合、＜
１１０＞方向より基板電流のみ１〜２倍程度大きいの
で、モニタ用トランジスタのチャネル方向を、＜００１
＞方向とし、回路用トランジスタのチャネル方向を＜１
１０＞方向又はこれと等価の方向とすることで、モニタ
用トランジスタの寿命を回路用トランジスタより短くで
き、確実にモニタとしての機能を果たさせることができ
る。
ランジスタのチャネル方向が＜００１＞方向の場合、＜
１１０＞方向より基板電流のみ１〜２倍程度大きいの
で、モニタ用トランジスタのチャネル方向を、＜００１
＞方向とし、回路用トランジスタのチャネル方向を＜１
１０＞方向又はこれと等価の方向とすることで、モニタ
用トランジスタの寿命を回路用トランジスタより短くで
き、確実にモニタとしての機能を果たさせることができ
る。
【００１３】そして、このような特性変動モニタ用トラ
ンジスタを搭載した第１半導体ブロックを作動させると
共に、モニタ用トランジスタにも同じストレスを印加
し、該特性変動モニタ用トランジスタが特性変動を検知
したときに第１半導体ブロックから第２半導体ブロック
へ切り替えることにより、半導体装置の特性変動を確実
に防止することができる。
ンジスタを搭載した第１半導体ブロックを作動させると
共に、モニタ用トランジスタにも同じストレスを印加
し、該特性変動モニタ用トランジスタが特性変動を検知
したときに第１半導体ブロックから第２半導体ブロック
へ切り替えることにより、半導体装置の特性変動を確実
に防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。図１は本発明にかかる半導体装置
の一ブロックを構成するモニタ用トランジスタＭＴｒと
その回路用トランジスタＴｒのそれぞれのチャネル方向
を示す概略図である。
て具体的に説明する。図１は本発明にかかる半導体装置
の一ブロックを構成するモニタ用トランジスタＭＴｒと
その回路用トランジスタＴｒのそれぞれのチャネル方向
を示す概略図である。
【００１５】この半導体装置は、（１００）面のウエハ
に形成されている。ＭＯＳでは通常のウエハ面である。
（１００）面のウエハの結晶方向は、図２に示すよう
に、＜０１１＞方向又はこれと等価な方向（例えば＜１
１０＞方向など）は９０°の角度をなし、＜００１＞方
向は＜０１１＞方向と４５°の角度をなす。
に形成されている。ＭＯＳでは通常のウエハ面である。
（１００）面のウエハの結晶方向は、図２に示すよう
に、＜０１１＞方向又はこれと等価な方向（例えば＜１
１０＞方向など）は９０°の角度をなし、＜００１＞方
向は＜０１１＞方向と４５°の角度をなす。
【００１６】トランジスタＴｒは、ゲート電極Ｇとソー
ス・ドレイン拡散層ＤＲで構成され、そのチャネル方向
は、＜１１０＞方向又はそれと等価な方向に形成されて
いる。これらの＜１１０＞方向又はこれと等価な方向間
の何れの角度においても、ドレイン電流などのトランジ
スタ特性は等しい。
ス・ドレイン拡散層ＤＲで構成され、そのチャネル方向
は、＜１１０＞方向又はそれと等価な方向に形成されて
いる。これらの＜１１０＞方向又はこれと等価な方向間
の何れの角度においても、ドレイン電流などのトランジ
スタ特性は等しい。
【００１７】本発明においては、モニタ用トランジスタ
ＭＴｒのチャネル方向θは、これらの＜０１１＞方向と
異なる方向に向けてある。ここで、（１００）面上にお
けるチャネル方向を＜０１１＞方向又は＜１１０＞方向
から傾けると、チャネル方向により基板電流Ｉｓｕｂが
変化するが、ドレイン電流は不変である。イオン化率に
異方性が存在する。そして、そのイオン化率は＜０１１
＞方向から４５°の方向、つまり＜００１＞方向が最も
大きくなる。図３に示すように、（００１）面ウエハに
おける＜００１＞方向と＜０１１＞方向のＩｓｕｂの比
（Ｉｓｕｂ<001> ／Ｉｓｕｂ<011> ）を＜０１１＞方向
のイオン化率（Ｉｓｕｂ／Ｉｄ）を横軸としてプロット
すると、バイアス条件によらず室温で１．３〜２の範囲
をとる。
ＭＴｒのチャネル方向θは、これらの＜０１１＞方向と
異なる方向に向けてある。ここで、（１００）面上にお
けるチャネル方向を＜０１１＞方向又は＜１１０＞方向
から傾けると、チャネル方向により基板電流Ｉｓｕｂが
変化するが、ドレイン電流は不変である。イオン化率に
異方性が存在する。そして、そのイオン化率は＜０１１
＞方向から４５°の方向、つまり＜００１＞方向が最も
大きくなる。図３に示すように、（００１）面ウエハに
おける＜００１＞方向と＜０１１＞方向のＩｓｕｂの比
（Ｉｓｕｂ<001> ／Ｉｓｕｂ<011> ）を＜０１１＞方向
のイオン化率（Ｉｓｕｂ／Ｉｄ）を横軸としてプロット
すると、バイアス条件によらず室温で１．３〜２の範囲
をとる。
【００１８】一方、トランジスタのホットキャリア耐性
は、その基板電流の大きさに強く依存することが知られ
ている。基板電流の最大値をＩｂｍａｘとすると、トラ
ンジスタの寿命τとの間には、おおよそ次式（１） τ〜α・（Ｉｂｍａｘ）-s …（１） の関係が成立することが知られている。ここで、αは常
数、ｓは約３である。
は、その基板電流の大きさに強く依存することが知られ
ている。基板電流の最大値をＩｂｍａｘとすると、トラ
ンジスタの寿命τとの間には、おおよそ次式（１） τ〜α・（Ｉｂｍａｘ）-s …（１） の関係が成立することが知られている。ここで、αは常
数、ｓは約３である。
【００１９】そこで、モニタ用トランジスタとして好適
なのは、基板電流以外のトランジスタ特性は回路に使用
されているトランジスタと同じで、基板電流が「少し」
大きいものとなる。「少し」という意味は、回路トラン
ジスタより確実に寿命が短いが、あまり短くなりすぎな
いような基板電流ということで、基板電流でいえば数分
の一程度である。
なのは、基板電流以外のトランジスタ特性は回路に使用
されているトランジスタと同じで、基板電流が「少し」
大きいものとなる。「少し」という意味は、回路トラン
ジスタより確実に寿命が短いが、あまり短くなりすぎな
いような基板電流ということで、基板電流でいえば数分
の一程度である。
【００２０】上記（１）式から、基板電流が２倍になる
と寿命は約１／８になるので、基板電流が回路トランジ
スタの１．１〜２倍であることが望ましいということに
なる。上述したように、（１００）面上のチャネル方向
が＜００１＞方向のトランジスタはまさにこの条件を満
たしている。即ちチャネル方向が＜００１＞方向のトラ
ンジスタは、＜１１０＞方向のトランジスタと比べて、
基板電流のみ１．３〜２倍程度大きい。従って、回路用
トランジスタのチャネル方向が＜１１０＞方向又はこれ
と等価な方向とし、モニタ用トランジスタのチャネル方
向が＜００１＞方向にすれば、モニタ用トランジスタの
寿命を回路用トランジスタより短くでき、確実にモニタ
としての機能を果たさせることができる。
と寿命は約１／８になるので、基板電流が回路トランジ
スタの１．１〜２倍であることが望ましいということに
なる。上述したように、（１００）面上のチャネル方向
が＜００１＞方向のトランジスタはまさにこの条件を満
たしている。即ちチャネル方向が＜００１＞方向のトラ
ンジスタは、＜１１０＞方向のトランジスタと比べて、
基板電流のみ１．３〜２倍程度大きい。従って、回路用
トランジスタのチャネル方向が＜１１０＞方向又はこれ
と等価な方向とし、モニタ用トランジスタのチャネル方
向が＜００１＞方向にすれば、モニタ用トランジスタの
寿命を回路用トランジスタより短くでき、確実にモニタ
としての機能を果たさせることができる。
【００２１】図４に本発明の半導体装置の一形態を示す
ブロック図を示す。このブロック図では第１〜第３半導
体ブロックの３つのブロックを示してある。これらのブ
ロックはそれぞれ切り替え回路を介して駆動される。各
々のブロックにはそれぞれモニタ用トランジスタと回路
用トランジスタが設けられ、モニタ用トランジスタには
回路用トランジスタと同じストレスが加わるように構成
されている。また、モニタ用トランジスタは特性検出回
路によって、常に特性変動が起こるか否かがモニタされ
ている。
ブロック図を示す。このブロック図では第１〜第３半導
体ブロックの３つのブロックを示してある。これらのブ
ロックはそれぞれ切り替え回路を介して駆動される。各
々のブロックにはそれぞれモニタ用トランジスタと回路
用トランジスタが設けられ、モニタ用トランジスタには
回路用トランジスタと同じストレスが加わるように構成
されている。また、モニタ用トランジスタは特性検出回
路によって、常に特性変動が起こるか否かがモニタされ
ている。
【００２２】モニタ用トランジスタの構造は、回路用ト
ランジスタと同じか、回路用トランジスタの中で最も寿
命が短いものと同じとすることが好ましい。なお、半導
体ブロックが２個の場合、始めに用いる半導体ブロック
以外の半導体ブロックには、モニタ用トランジスタは必
要ではない。
ランジスタと同じか、回路用トランジスタの中で最も寿
命が短いものと同じとすることが好ましい。なお、半導
体ブロックが２個の場合、始めに用いる半導体ブロック
以外の半導体ブロックには、モニタ用トランジスタは必
要ではない。
【００２３】この半導体装置の駆動方法について、図５
のフローチャートで説明する。まず、第１の半導体ブロ
ックを選び、その第１の半導体ブロックのモニタ用トラ
ンジスタにも代表的な動作と同じストレスを与えるよう
にする。そして、モニタ用トランジスタの特性が基準値
内か否かを特性変動検出回路によって判定する。もしモ
ニタ用トランジスタの特性が基準値を超えた場合は、第
１のブロックは、まだ正常に作動するが、不良になるお
それがあるので、予備の半導体ブロックである第２の半
導体ブロックに切替回路により切り替える。そして、第
２の半導体ブロックのモニタ用トランジスタに代表的な
動作と同じストレスを与えるようにする。このようにし
て、用意した予備の半導体ブロックに次々に切り替えて
いく。
のフローチャートで説明する。まず、第１の半導体ブロ
ックを選び、その第１の半導体ブロックのモニタ用トラ
ンジスタにも代表的な動作と同じストレスを与えるよう
にする。そして、モニタ用トランジスタの特性が基準値
内か否かを特性変動検出回路によって判定する。もしモ
ニタ用トランジスタの特性が基準値を超えた場合は、第
１のブロックは、まだ正常に作動するが、不良になるお
それがあるので、予備の半導体ブロックである第２の半
導体ブロックに切替回路により切り替える。そして、第
２の半導体ブロックのモニタ用トランジスタに代表的な
動作と同じストレスを与えるようにする。このようにし
て、用意した予備の半導体ブロックに次々に切り替えて
いく。
【００２４】このように本例の半導体装置は、トランジ
スタの特性変動をモニタして、不良ブロックを予備ブロ
ックに切り替えることにより、半導体装置が不良になる
ことを回避できる。従って、信頼性が向上する。また、
モニタ用トランジスタとして、回路に使用されているト
ランジスタとドレイン電流は等しく、基板電流が１．１
〜２倍程度大きいトランジスタを用いているので、ホッ
トキャリアによる特性変動を回路のトランジスタより早
く、かつ早すぎることなく検知することができる。
スタの特性変動をモニタして、不良ブロックを予備ブロ
ックに切り替えることにより、半導体装置が不良になる
ことを回避できる。従って、信頼性が向上する。また、
モニタ用トランジスタとして、回路に使用されているト
ランジスタとドレイン電流は等しく、基板電流が１．１
〜２倍程度大きいトランジスタを用いているので、ホッ
トキャリアによる特性変動を回路のトランジスタより早
く、かつ早すぎることなく検知することができる。
【００２５】なお、上記例では基板の方位を変えて基板
電流を変えたが、その他の方法によって基板電流を変え
ても良い。また、モニタ用トランジスタを回路用トラン
ジスタと４５°の角度をなすようにしているが、モニタ
用トランジスタの基板電流が回路用トランジスタの基板
電流より大きければよく、適宜角度θを選定することが
できる。更に、上記例では（１００）面のウエハを用い
たが、これに限られないことは勿論であり、その他本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更することができ
る。
電流を変えたが、その他の方法によって基板電流を変え
ても良い。また、モニタ用トランジスタを回路用トラン
ジスタと４５°の角度をなすようにしているが、モニタ
用トランジスタの基板電流が回路用トランジスタの基板
電流より大きければよく、適宜角度θを選定することが
できる。更に、上記例では（１００）面のウエハを用い
たが、これに限られないことは勿論であり、その他本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更することができ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明の半導体装置は、モニタ用トラン
ジスタの特性変動が回路用トランジスタの特性変動より
早すぎず、かつ確実に回路用トランジスタが特性変動す
る前に他のブロックに切り替えることが可能である。
ジスタの特性変動が回路用トランジスタの特性変動より
早すぎず、かつ確実に回路用トランジスタが特性変動す
る前に他のブロックに切り替えることが可能である。
【００２７】本発明の半導体装置の駆動方法によれば、
半導体装置が不良になることを確実に防止することがで
きる。
半導体装置が不良になることを確実に防止することがで
きる。
【図１】本発明の半導体装置における半導体ブロック中
の回路用トランジスタとモニタ用トランジスタとの配置
例を示した概念図である。
の回路用トランジスタとモニタ用トランジスタとの配置
例を示した概念図である。
【図２】（１００）面ウエハにおける＜０１１＞方向と
＜００１＞方向を示した説明図である。
＜００１＞方向を示した説明図である。
【図３】（００１）面ウエハにおける＜００１＞方向と
＜０１１＞方向のＩｓｕｂの比（Ｉｓｕｂ<001> ／Ｉｓ
ｕｂ<011> ）を＜０１１＞方向のイオン化率（Ｉｓｕｂ
／Ｉｄ）を横軸としてプロットしたグラフである。
＜０１１＞方向のＩｓｕｂの比（Ｉｓｕｂ<001> ／Ｉｓ
ｕｂ<011> ）を＜０１１＞方向のイオン化率（Ｉｓｕｂ
／Ｉｄ）を横軸としてプロットしたグラフである。
【図４】本発明の半導体装置の一形態を示すブロック図
である。
である。
【図５】本発明の半導体装置を用いて半導体ブロックを
切り替える手順を示したフローチャートである。
切り替える手順を示したフローチャートである。
ＭＴｒ モニタ用トランジスタ Ｔｒ 回路用トランジスタ Ｇ ゲート電極 ＤＲ ソース・ドレイン拡散層
Claims (7)
- 【請求項１】特性変動モニタ用トランジスタを搭載した
半導体装置であって、 該特性変動モニタ用トランジスタが該半導体装置の回路
用トランジスタの基板電流より大きな基板電流を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】モニタ用トランジスタの基板電流が回路用
トランジスタの基板電流の１．１〜２倍である請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項３】モニタ用トランジスタの基板電流が回路用
トランジスタの基板電流より大きくなるように、これら
のトランジスタの基板面での結晶方向に対するチャネル
方向を選択してなる請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】半導体装置が（１００）面ウエハに形成さ
れ、回路用トランジスタのチャネル方向が＜１１０＞方
向又はこれと等価の方向であり、特性変動モニタ用トラ
ンジスタのチャネル方向が＜１１０＞方向又はこれと等
価の方向と異なるものである請求項３記載の半導体装
置。 - 【請求項５】特性変動モニタ用トランジスタのチャネル
方向が＜００１＞方向又はこれと等価の方向である請求
項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】特性変動モニタ用トランジスタを搭載した
第１半導体ブロックと、 該半導体ブロックから切り替えるべき１つ以上の第２半
導体ブロックと、 該特性変動モニタ用トランジスタが特性変動を検知した
ときに第１半導体ブロックから第２半導体ブロックへ切
替える切替手段とを有することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項７】特性変動モニタ用トランジスタを搭載した
第１半導体ブロックを作動させると共に、モニタ用トラ
ンジスタにも同じストレスを印加する工程と、 該特性変動モニタ用トランジスタが特性変動を検知した
ときに第１半導体ブロックから第２半導体ブロックへ切
り替える工程とを有することを特徴とする半導体装置の
駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900995A JPH09102583A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 半導体装置及び駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900995A JPH09102583A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 半導体装置及び駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102583A true JPH09102583A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17328089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25900995A Pending JPH09102583A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 半導体装置及び駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100615290B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100626039B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100626040B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| JP2016161824A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 電子回路、走査回路及び表示装置並びに電子回路の寿命延長方法 |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP25900995A patent/JPH09102583A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626039B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100626040B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100615290B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| JP2016161824A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 電子回路、走査回路及び表示装置並びに電子回路の寿命延長方法 |
| CN105938702A (zh) * | 2015-03-03 | 2016-09-14 | Nlt科技股份有限公司 | 电子电路、扫描电路、显示装置以及电子电路的寿命延长方法 |
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